TWI814999B - 蒸鍍遮罩之製造方法、顯示裝置之製造方法、及蒸鍍遮罩中間體 - Google Patents

蒸鍍遮罩之製造方法、顯示裝置之製造方法、及蒸鍍遮罩中間體 Download PDF

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Abstract

包含：準備在25℃以上100℃以下的溫度範圍內，玻璃基板的線膨脹係數、和金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為1.3×10-6 /℃以下的金屬板及玻璃基板；介隔樹脂層，將玻璃基板接合於金屬板；藉由在接合於玻璃基板的金屬板形成複數個遮罩孔，而由金屬板形成遮罩板；將遮罩板之中與和樹脂層相接的面為相反側的面，接合於具有比遮罩板高的剛性且具有包圍整體複數個遮罩孔的形狀的遮罩框架；及從接合於遮罩框架的遮罩板取下樹脂層及玻璃基板。

Description

蒸鍍遮罩之製造方法、顯示裝置之製造方法、及蒸鍍遮罩中間體
本發明係關於蒸鍍遮罩之製造方法、顯示裝置之製造方法、及蒸鍍遮罩中間體。
有機EL裝置所具備的EL元件係藉由蒸鍍來形成。在形成EL元件之際，使用供將EL元件所具備的功能層圖案化用的蒸鍍遮罩。蒸鍍遮罩具備了複數個遮罩板、和安裝各遮罩板的共通的框架。框架具有包圍蒸鍍對象的周圍的四角框狀。各遮罩板係具有短條狀的金屬箔。在遮罩板中，複數個遮罩區域係沿著遮罩板延伸的方向，隔著間隔排列。在各遮罩區域中，根據功能層的圖案而形成有複數個貫通孔。在各遮罩板中，比遮罩區域還靠外側的區域為周邊區域。周邊區域係圍繞遮罩區域的區域。各遮罩板係以複數個遮罩區域位於由框架所包圍的區域內的方式固定於框架。複數個遮罩區域排列的方向為長邊方向，各遮罩板係在位於長邊方向的兩端的周邊區域中，固定於框架(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-127721號公報
[發明欲解決之課題]
然而，在蒸鍍遮罩方面，要求提高圖案相對於蒸鍍對象的位置等的精度。因此，在蒸鍍遮罩方面，使用了以下的技術：在形成於遮罩板的遮罩孔中，使遮罩孔的通路面積從與蒸鍍源相向的第1開口起朝向與蒸鍍對象相向的第2開口單調地變小。通路面積係與蒸鍍遮罩擴展的平面平行的各平面上的遮罩孔的面積。此外，近年來，為了提高圖案中的膜厚的均勻性，也希望使第1開口與第2開口之間的距離，即遮罩板的厚度變薄。
另一方面，在遮罩板的厚度薄的情況下，由於很難充分得到遮罩板的機械耐性，因此遮罩板的操作明顯變得困難。因此，對上述的遮罩板強烈要求使遮罩板的操作性提升的技術。
本發明的目的在於提供可以提升遮罩板的操作性的蒸鍍遮罩之製造方法、顯示裝置之製造方法、及蒸鍍遮罩中間體。 [用以解決課題之手段]
用於解決上述課題的蒸鍍遮罩之製造方法，係由鐵-鎳系合金製的金屬板製造具備包含複數個遮罩孔的遮罩板的蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩之製造方法。包含：準備在25℃以上100℃以下的溫度範圍內，玻璃基板的線膨脹係數、和金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為1.3×10-6 /℃以下的前述金屬板及前述玻璃基板；介隔樹脂層，將前述玻璃基板接合於前述金屬板；藉由在接合於前述玻璃基板的前述金屬板形成複數個遮罩孔，而由前述金屬板形成遮罩板；將前述遮罩板之中與和前述樹脂層相接的面為相反側的面、和具有比前述遮罩板高的剛性且具有包圍前述遮罩板所含的整體前述複數個遮罩孔的形狀的遮罩框架接合；及從接合於前述遮罩框架的前述遮罩板取下前述樹脂層及前述玻璃基板。
用於解決上述課題的顯示裝置之製造方法，包含：使用利用上述蒸鍍遮罩之製造方法所製造的蒸鍍遮罩來在蒸鍍對象形成圖案。 用於解決上述課題的蒸鍍遮罩中間體，具備：遮罩板，係包含複數個遮罩孔，具有第1面和與前述第1面為相反側的第2面的鐵-鎳系合金製的遮罩板；遮罩框架，係具有比前述遮罩板高的剛性且具有包圍前述遮罩板所含的整體前述複數個遮罩孔的形狀的遮罩框架，前述遮罩框架係接合於前述遮罩板的前述第1面；樹脂層，係接合於前述遮罩板中的前述第2面的樹脂層；和玻璃基板，係接合於前述樹脂層的玻璃基板。在25℃以上100℃以下的溫度範圍內，前述玻璃基板的線膨脹係數、和前述遮罩板的線膨脹係數的差的絕對值為1.3×10-6 /℃以下。
若根據上述各構成的話，則在製造蒸鍍遮罩的過程中，遮罩板係由樹脂層和玻璃基板支撐，且在蒸鍍遮罩中，係藉由遮罩框架支撐。因此，與在製造遮罩板時，不使用支撐遮罩板的構件的情況、及蒸鍍遮罩係僅由遮罩板構成的情況相比，更能夠提升遮罩板的操作性。
在上述蒸鍍遮罩之製造方法中，前述玻璃基板的線膨脹係數、和前述金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為0.7×10-6 /℃以下，前述遮罩框架可以具有500μm以上的厚度。
若根據上述構成的話，則由於玻璃基板的線膨脹係數和金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為0.7×10-6 /℃以下，因此變得很難發生以下的事情：因玻璃基板及遮罩板的溫度變化而在遮罩板中產生應變。因此，在藉由從遮罩板取下玻璃基板來形成蒸鍍遮罩之際，遮罩板中產生的應變被解放的情形受到抑制。進一步而言，由於遮罩板係接合於具有高剛性的遮罩框架，因此在遮罩板被接合於遮罩框架後，遮罩板相對於遮罩框架的位置發生偏移的情形受到抑制。由此，各貫通孔相對於蒸鍍對象的位置改變的情形受到抑制，其結果，提高了形成在蒸鍍對象上的圖案的位置精度。
在上述蒸鍍遮罩之製造方法中，前述玻璃基板的線膨脹係數和前述金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為0.4×10- 6 /℃以下，前述遮罩框架可以具有20μm以上的厚度。
若根據上述構成的話，則由於玻璃基板的線膨脹係數和金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為0.4×10-6 /℃以下，因此在藉由從遮罩板取下玻璃基板來形成蒸鍍遮罩之際，遮罩板中產生的應變被解放的情形受到抑制。進一步而言，由於遮罩板係接合於具有高剛性的遮罩框架，因此在遮罩板被接合於遮罩框架後，遮罩板相對於遮罩框架的位置發生偏移的情形受到抑制。藉此，各貫通孔相對於蒸鍍對象的位置改變的情形受到抑制，其結果，提高了形成在蒸鍍對象上的圖案的位置精度。
在上述蒸鍍遮罩之製造方法中，前述玻璃基板的線膨脹係數可以比前述金屬板的線膨脹係數小。
若根據上述構成的話，則在蒸鍍遮罩的製造過程中，在包含玻璃基板和金屬板的積層體被加熱的情況下，金屬板膨脹得比玻璃基板多，藉此，金屬板會在從比遮罩板的邊緣還靠內側起朝向比邊緣還靠外側的方向上延伸。然而，由於金屬板係由包含剛性高的玻璃基板的支撐體所支撐，因此金屬板係在內含從比遮罩板的邊緣還靠內側起朝向比邊緣還靠外側的方向的力的狀態下被固定於支撐體。之後，在由金屬板所形成的遮罩板的溫度降低的狀態下遮罩板被接合於框架的情況下，於從遮罩板取下支撐體時，遮罩板縮小的方向的力對遮罩板起了作用。此時，由於遮罩板係接合於框架，因此遮罩板相對於框架的位置改變的情形因框架而受到抑制，且遮罩板的撓曲受到抑制。
在上述蒸鍍遮罩之製造方法中，前述玻璃基板可以由選自由無鹼玻璃、石英玻璃、結晶化玻璃、硼矽酸玻璃、高矽酸玻璃、多孔質玻璃、及鈉鈣玻璃所構成的群組的任一者形成。
若根據上述構成的話，便可以在25℃以上100℃以下的溫度範圍內，將玻璃基板的線膨脹係數和遮罩板的線膨脹係數的差的絕對值設為1.3×10-6 /℃以下。
在上述蒸鍍遮罩之製造方法中，包含形成複數個遮罩板，在前述遮罩框架中，形成複數個開口部，將前述遮罩板接合於前述遮罩框架，係以各遮罩板一個一個地覆蓋前述開口部的方式，將前述複數個遮罩板接合於單一遮罩框架，前述遮罩框架可以具有：位於前述遮罩框架的外緣且包圍蒸鍍對象的周圍的框狀部；位於前述框狀部所包圍的區域內的具有格子狀的劃分要素；和由前述劃分要素所劃分的前述開口部。
若根據上述構成的話，則由於遮罩框架具有格子狀的劃分要素，因此與框架具有四角框狀的情況相比，可提高遮罩框架本身的剛性。然後，將遮罩板一個一個地直接接合於經提高剛性的遮罩框架的各開口部的周圍。因此，與支撐各遮罩板的構造體，係在具有短條狀的遮罩板的寬度方向上具有在一維方向上延伸的直線狀的情況相比，遮罩板的撓曲受到抑制。其結果，提高了形成在蒸鍍對象上的圖案的位置精度。 [發明之效果]
若根據本發明的話，便能夠提升蒸鍍遮罩的操作性。
[用以實施發明的形態]
參照圖1至圖18，說明蒸鍍遮罩之製造方法、顯示裝置之製造方法、及蒸鍍遮罩中間體的一實施形態。以下，依序說明蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法。
[蒸鍍遮罩] 參照圖1至圖5，說明蒸鍍遮罩的構成。以下，首先說明蒸鍍遮罩的第1例的構造，接著，說明蒸鍍遮罩的第2例的構造。
[第1例] 參照圖1至圖3，說明蒸鍍遮罩的第1例。 如圖1所示，蒸鍍遮罩10A具備遮罩框架11A、和複數個遮罩板12。遮罩框架11A具有框狀部11Aa、劃分要素11Ab、及複數個開口部11Ac。框狀部11Aa位於遮罩框架11A的外緣，具有可以包圍蒸鍍對象S的周圍的大小及形狀。劃分要素11Ab位於框狀部11Aa所包圍的區域內，具有格子狀。複數個開口部11Ac係由劃分要素11Ab所劃分。換言之，劃分要素11Ab係使複數個開口部11Ac彼此孤立。各遮罩板12具有複數個貫通孔。以各遮罩板12一個一個地覆蓋開口部11Ac的方式，將複數個遮罩板12接合於遮罩框架11A。
由於遮罩框架11A具有格子狀的劃分要素11Ab，因此與框架具有四角框狀的情況相比，可提高遮罩框架11A本身的剛性。然後，將遮罩板12一個一個地直接接合於已提高剛性的遮罩框架11A的各開口部11Ac的周圍。因此，支撐各遮罩板12的構造體，與在具有短條狀的遮罩板的寬度方向上，具有在一維方向上延伸的直線狀的情況相比，遮罩板12的撓曲受到抑制。其結果，提高了形成在蒸鍍對象S上的圖案的位置精度。
由於遮罩框架11A具有格子狀的劃分要素11Ab，換言之，由於支撐各遮罩板12的構造體係在二維方向上擴展的具有高剛性的格子狀，因此遮罩框架11A本身很難發生撓曲。因此，直接接合於遮罩框架11A的遮罩板12也很難發生撓曲。相對於此，在遮罩框架為四角框狀的情況下，支撐各遮罩板的構造體，係在具有短條狀的遮罩板的寬度方向上具有在一維方向上延伸的直線狀，且僅位於在遮罩板延伸的方向上的兩端部。因此，遮罩板容易在遮罩板延伸的方向上發生撓曲。
框狀部11Aa的外形具有四角形狀。在將蒸鍍遮罩10A用於對蒸鍍對象S的蒸鍍時，從與蒸鍍對象S擴展的平面相向的視點觀看，框狀部11Aa的一部分位於比蒸鍍對象S的邊緣還靠外側處，且框狀部11Aa的另一部分與蒸鍍對象S重疊。遮罩框架11A具有表面11AF和背面11AR。在遮罩框架11A之中，背面11AR係與蒸鍍對象S相向的面。又，圖1顯示從與背面11AR相向的視點觀看的蒸鍍遮罩10A的構造。
在本實施形態中，劃分要素11Ab具有沿著第1方向D1延伸的部分、和沿著與第1方向正交的第2方向D2延伸的部分。劃分要素11Ab具有矩形格子狀。藉此，在遮罩框架11A中，在第1方向D1上排列有複數個開口部11Ac，且在第2方向D2上排列有複數個開口部11Ac。在各方向D1、D2上，複數個開口部11Ac係隔著相等的間隔排列。從與背面11AR相向的視點觀看，各開口部11Ac具有長方形。
又，複數個開口部11Ac可不沿著第1方向D1及第2方向D2隔著相等的間隔排列。即，就彼此相鄰的開口部11Ac的間隔而言，可以包含複數種大小。此外，複數個開口部11Ac，若排列成格子狀的話即可，因此不限於如上述的矩形格子狀，可以排列成三角格子狀，也可以排列成六角格子狀。此外，複數個開口部11Ac也可以排列成千鳥格子狀。開口部11Ac可以不具有長方形。在此情況下，開口部11Ac，例如，可以具有正方形、圓形、及橢圓形等的形狀。就複數個開口部11Ac而言，可以包含具有第1形狀的開口部11Ac和具有第2形狀的開口部11Ac。
遮罩板12，從與遮罩框架11A的背面11AR相向的視點觀看，具有可以覆蓋開口部11Ac的形狀及大小。在本實施形態中，遮罩板12具有長方形。遮罩板12係一個一個地對1個開口部11Ac安裝，因此蒸鍍遮罩10A具備與開口部11Ac相同數量的遮罩板12。
遮罩框架11A及遮罩板12係金屬製。形成遮罩框架11A的金屬、和形成遮罩板12的金屬較佳為相同的。藉此，即使在使用蒸鍍遮罩10A時蒸鍍遮罩10A被加熱，遮罩板12因蒸鍍遮罩10A的線膨脹係數和遮罩板12的線膨脹係數的差而變形的情形受到抑制。其結果，可抑制使用蒸鍍遮罩10A形成的圖案的位置精度的降低。
就形成遮罩板12的材料而言，能夠使用鐵和鎳的合金的鐵-鎳系合金。形成遮罩板12的材料，係鐵-鎳系合金之中，較佳為包含36質量%的鎳的合金的恆範鋼(invar)。形成遮罩板12的材料可以是包含42質量%的鎳的合金的42合金(alloy)。遮罩板12，除了鐵及鎳外，還可以包含鉻、錳、碳、及鈷等的添加物。
又，形成蒸鍍對象S的材料較佳為玻璃。在蒸鍍對象S為玻璃製的情況下，藉由遮罩板12為恆範鋼製，蒸鍍對象S的線膨脹係數和遮罩板12的線膨脹係數的差變大的情形受到抑制。又，蒸鍍對象S可以是玻璃基板和樹脂層的積層體。在此情況下，圖案係形成於蒸鍍對象S所具備的樹脂層。此外，蒸鍍對象S可以是樹脂薄膜。形成樹脂層及樹脂薄膜的材料，從樹脂層及樹脂薄膜所具有的線膨脹係數的觀點來看，較佳為例如聚醯亞胺樹脂。
圖2顯示沿著與表面11AF正交且與第1方向D1平行的平面的蒸鍍遮罩10A的一部分剖面構造。 如圖2所示，各開口部11Ac係貫通遮罩框架11A的表面11AF與背面11AR之間的貫通孔。在圖2所示的例子中，各開口部11Ac具有矩形，在各開口部11Ac中，具有矩形的剖面形狀係沿著第2方向D2連接著。又，各開口部11Ac的剖面形狀，例如，可以是梯形、倒梯形。在開口部11Ac的剖面形狀為梯形的情況下，開口部11Ac具有如下的形狀：背面11AR處的寬度比表面11AF處的寬度大，且在從表面11AF起朝向背面11AR的方向上，開口部11Ac的寬度單調地增加。
另一方面，在開口部11Ac的剖面形狀為倒梯形的情況下，開口部11Ac具有如下的形狀：背面11AR處的寬度比表面11AF處的寬度小，且在從表面11AF起朝向背面11AR的方向上，開口部11Ac的寬度單調地減少。此外，開口部11Ac的剖面形狀可以是如下的弧狀：曲率中心係在相對於背面11AR靠近表面11AF的位置上。
遮罩框架11A的厚度TF較佳為500μm以上。遮罩框架11A的厚度TF，係沿著與遮罩框架11A擴展的平面正交的剖面的構造中的遮罩框架11A的厚度。藉此，由於遮罩框架11A具有肇因於厚度的高剛性，因此遮罩板12膨脹或收縮的情形因遮罩框架11A而受到抑制。由此，各貫通孔相對於蒸鍍對象S的位置改變的情形進一步受到抑制。其結果，也進一步提高了形成在蒸鍍對象S上的圖案的位置精度。遮罩板12的厚度TM，例如，為1μm以上15μm以下。在遮罩板12中，複數個貫通孔所在位置的區域係遮罩區域12a，圍繞遮罩區域12a的區域為周邊區域12b。遮罩區域12a的厚度可以與周邊區域12b的厚度相等，也可以比周邊區域12b的厚度薄。
蒸鍍遮罩10A具備將遮罩框架11A和遮罩板12接合的部分的接合部10Aa。遮罩框架11A和遮罩板12的接合可以藉由利用配置在遮罩框架11A與遮罩板12之間的接著劑的接著來實現，也可以藉由利用雷射光線對遮罩框架11A和遮罩板12的照射的雷射熔接來實現。在遮罩框架11A和遮罩板12係利用接著劑來接合的情況下，接合部10Aa係由接著劑形成。在遮罩框架11A和遮罩板12係利用雷射熔接來接合的情況下，接合部10Aa係雷射光線的照射痕跡。
從與背面11AR對向的視點觀看，接合部10Aa可以位於整個遮罩板12的周向(circumferential direction)上，也可以間斷地位於周向上。在接合部10Aa係間斷地位於遮罩板12的周向上的情況下，較佳為遮罩板12的各邊中的至少一部分係接合於遮罩框架11A。
如圖3所示，遮罩板12具備表面12F、和與表面12F為相反側的面的背面12R。表面12F係第1面的一例，背面12R係第2面的一例。表面12F係在蒸鍍裝置內，用於與蒸鍍源相向的面。表面12F的一部分係接合於遮罩框架11A。背面12R係在蒸鍍裝置內，用於與蒸鍍對象S接觸的面。
遮罩板12可以由單一的金屬板形成，也可以由複數個金屬板形成。在遮罩板12係由複數個金屬板形成的情況下，複數個金屬板係在遮罩板12的厚度方向上重疊。遮罩板12具備複數個為貫通孔的一例的遮罩孔12H。劃分遮罩孔12H的孔側面係在沿著遮罩板12的厚度方向的剖面中，具有從表面12F起朝向背面12R地逐漸變小的半圓弧狀。
如上所述，遮罩板12的厚度，例如，為1μm以上15μm以下。若為這樣薄的遮罩板12的話，則可以使在從朝向遮罩板12飛行的蒸鍍粒子觀看蒸鍍對象時，因蒸鍍遮罩10A而成為陰影的部分變少，即可以抑制陰影效應。
又，若遮罩板12的厚度為3μm以上5μm以下的話，則遮罩板12能夠具有如下的遮罩孔12H：為在與表面12F相向的俯視下彼此分開的複數個遮罩孔12H，且可以對應解析度為700ppi以上1000ppi以下的高解析度的顯示裝置。此外，若遮罩板12的厚度為5μm以上10μm以下的話，則遮罩板12能夠具有如下的遮罩孔12H：為在與表面12F相向的俯視下彼此分開的複數個遮罩孔12H，且可以對應解析度為400ppi以上700ppi以下的中解析度的顯示裝置。此外，若遮罩板12的厚度為10μm以上15μm以下的話，則遮罩板12能夠具有如下的遮罩孔12H：為在與表面12F相向的俯視下彼此分開的複數個遮罩孔12H，且可以對應解析度為300ppi以上400ppi以下的低解析度的顯示裝置。
又，複數個遮罩孔12H，在與表面12F相向的俯視下，各遮罩孔12H可以與相鄰的其他遮罩孔12H連接。在此情況下，即使遮罩板12的厚度為5μm以上10μm以下，遮罩板12也可以具有可以對應高解析度的顯示裝置的遮罩孔12H。此外，即使遮罩板12的厚度為10μm以上15μm以下，遮罩板12也可以具有可以對應中解析度或者是高解析度的顯示裝置的遮罩孔12H。
表面12F包含遮罩孔12H的開口的表面開口H1。背面12R包含遮罩孔12H的開口的背面開口H2。從與表面12F相向的視點觀看，表面開口H1的大小比背面開口H2大。各遮罩孔12H為從蒸鍍源氣化或昇華的蒸鍍粒子通過的通路。從蒸鍍源氣化或昇華的蒸鍍粒子係從表面開口H1朝向背面開口H2地在遮罩孔12H內前進。在遮罩孔12H中，表面開口H1比背面開口H2大，從而可以抑制對從表面開口H1進入的蒸鍍粒子的陰影效應(shadow effect)。
在遮罩板12的厚度為3μm以上5μm以下的情況下，能夠藉由僅從表面將供形成遮罩板12用的金屬板進行濕式蝕刻，而形成可以製造上述的高解析度的顯示裝置的複數個遮罩孔12H。在遮罩板12的厚度為10μm以上15μm以下的情況下，能夠藉由僅從表面將金屬板進行濕式蝕刻，而形成可以製造上述的低解析度的顯示裝置的複數個遮罩孔12H。在任一情況下都不需要從金屬板的背面將金屬板進行濕式蝕刻。
相對於此，為了使用較厚的金屬板來形成製造各解析度的顯示裝置所使用的蒸鍍遮罩，而需要分別從金屬板的表面及背面將金屬板進行濕式蝕刻。在從表面和背面兩邊將金屬板進行濕式蝕刻的情況下，各遮罩孔具有包含表面開口的表面凹部、和包含背面開口的背面凹部在遮罩板的厚度方向上相連的形狀。在遮罩孔中，表面凹部和背面凹部相連的部分為連接部。在連接部中，沿著與表面12F平行的方向的遮罩孔12H的面積最小。在這樣的遮罩孔12H中，背面開口與連接部之間的距離為台階高度(step height)。台階高度越大，上述的陰影效應越大。上述的遮罩板12係台階高度為零。因此，遮罩板12在抑制陰影效應方面上具有較佳的構造。
又，遮罩板12可以僅具備1個形成了複數個遮罩孔12H的遮罩區域12a，也可以具備複數個。在遮罩板12具備複數個遮罩區域12a的情況下，彼此相鄰的遮罩區域12a係藉由不具有遮罩孔12H的周邊區域12b來區分彼此。此外，在蒸鍍遮罩10A所具備的全部複數個遮罩板12中，各遮罩板12所具有的遮罩區域12a的數量可以是相同的，複數個遮罩板12中，也可以包含具備第1數量的遮罩區域12a的遮罩板12、和具備第2數量的遮罩區域12a的遮罩板12。
[第2例] 參照圖4及圖5，說明蒸鍍遮罩的第2例。與蒸鍍遮罩的第1例相比，蒸鍍遮罩的第2例係蒸鍍遮罩所具備的遮罩框架的形狀不同。因此，以下，詳細地說明第2例中的與第1例的不同點，另一方面省略針對第2例中的與第1例的共通點的詳細說明。
如圖4所示，蒸鍍遮罩10B具備遮罩板12和遮罩框架11B。從與表面11BF相向的視點觀看，遮罩框架11B具有沿著1個方向延伸的短條狀。遮罩框架11B具有比遮罩板12所具有的剛性高的剛性。
在圖4所示的例子中，蒸鍍遮罩10B具備複數個遮罩板12，且遮罩框架11B具有與遮罩板12相同數量的開口部11Bc。複數個遮罩板12係沿著遮罩框架11B延伸的方向排列成一列，因此遮罩框架11B具有可以包圍各遮罩板12的梯子狀。又，蒸鍍遮罩10B可以具備沿著遮罩框架11B的寬度方向排列的2列以上的遮罩板12。在此情況下，遮罩框架11B也具有沿著遮罩框架11B的寬度方向排列的2列以上的開口部11Bc。
又，在蒸鍍遮罩10B中，也與上述的蒸鍍遮罩10A同樣地，遮罩板12可以僅具備1個形成了複數個遮罩孔12H的遮罩區域12a，也可以具備複數個。在遮罩板12具備複數個遮罩區域12a的情況下，彼此相鄰的遮罩區域12a係藉由不具有遮罩孔12H的周邊區域12b來區分彼此。此外，在蒸鍍遮罩10B所具備的全部複數個遮罩板12中，各遮罩板12所具有的遮罩區域12a的數量可以是相同的，複數個遮罩板12中，也可以包含具備第1數量的遮罩區域12a的遮罩板12、和具備第2數量的遮罩區域12a的遮罩板12。
蒸鍍遮罩10B係連同支撐蒸鍍遮罩10B的支撐框架SF一起形成遮罩裝置MD。在圖4所示的例子中，係藉由將複數個蒸鍍遮罩10B安裝於1個支撐框架SF來形成1個遮罩裝置MD。支撐框架SF具有矩形框狀。各蒸鍍遮罩10B所具備的遮罩板12係位於支撐框架SF所具有的支撐框架孔SFH劃分的區域內。支撐框架SF的厚度比遮罩框架11B的厚度厚。因此，支撐框架SF具有肇因於支撐框架SF所具有的厚度而比遮罩框架11B的剛性高的剛性。支撐框架SF的厚度，例如，可以是10mm以上30mm以下。
圖5顯示沿著與表面11BF正交且與遮罩框架11B延伸的方向平行的平面的蒸鍍遮罩10B的剖面構造。
如圖5所示，各開口部11Bc係貫通遮罩框架11B的表面11BF與背面11BR的貫通孔。各開口部11Bc具有矩形，在各開口部11Bc中，具有矩形的剖面形狀係沿著遮罩框架11B的寬度方向連接著。又，各開口部11Bc可以與第1例的遮罩框架11A所具有的開口部11Ac同樣地，具有梯形、倒梯形、或弧狀。遮罩框架11B的厚度TF為20μm以上。遮罩框架11B的厚度TF可以是100μm以下。
[蒸鍍遮罩之製造方法] 參照圖6至圖14，說明蒸鍍遮罩之製造方法。 蒸鍍遮罩10A、10B之製造方法，係用於由鐵-鎳系合金製的金屬板製造具備包含複數個遮罩孔的遮罩板的蒸鍍遮罩的製造方法。該方法包含：準備金屬板及玻璃基板；將金屬板接合於玻璃基板；由金屬板形成遮罩板；將遮罩板接合於遮罩框架；及從遮罩板剝離後述的樹脂層及玻璃基板。
在準備金屬板及玻璃基板方面，係準備在25℃以上100℃以下的溫度範圍內，玻璃基板的線膨脹係數、和金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為1.3×10-6 /℃以下的金屬板及玻璃基板。在將金屬板接合於玻璃基板方面，係介隔樹脂層，將玻璃基板接合於金屬板。在形成遮罩板方面，係在接合於玻璃基板的金屬板形成複數個遮罩孔，以由金屬板形成遮罩板。在將遮罩板接合於遮罩框架方面，係將遮罩板之中與和樹脂層相接的面為相反側的面、和具有比遮罩板高的剛性且具有包圍遮罩板所含的複數個遮罩孔的形狀的遮罩框架接合。之後，從接合於遮罩框架的遮罩板剝離樹脂層及玻璃基板。以下，參照圖式，進一步詳細地說明蒸鍍遮罩10A、10B的製造方法。
又，在圖6至圖11中，顯示了從準備供形成遮罩板12用的基材的步驟到形成遮罩板12為止的步驟。在圖12至圖14中，顯示了從將遮罩板12接合於遮罩框架11A的步驟，到從遮罩板12剝離支撐體的步驟為止。又，圖12至圖14，為了方便說明起見，說明使用第1例的蒸鍍遮罩10A所具有的遮罩框架11A的製造方法，但在使用第2例的蒸鍍遮罩10B所具有的遮罩框架11B的情況下，也可以藉由同樣的製造方法來製造蒸鍍遮罩10B。此外，圖12至圖14，為了方便圖示起見，係以遮罩框架11A僅具有1個開口部11Ac，且蒸鍍遮罩10A具有1個遮罩板12的構造顯示。
如圖6至圖11所示，蒸鍍遮罩10A、10B的製造方法，首先，準備供形成遮罩板12用的基材20(參照圖6)。遮罩板12的基材20具備：供形成遮罩板12用的金屬板21、和供支撐金屬板21用的支撐體22。支撐體22係由樹脂層22a及玻璃基板22b形成。在基材20中，樹脂層22a被金屬板21和玻璃基板22b包夾。
在25℃以上100℃以下的溫度範圍內，玻璃基板22b的線膨脹係數、和形成遮罩板12的金屬板21的線膨脹係數的差的絕對值為1.3×10-6 /℃以下。
又，在使用為第1例的蒸鍍遮罩10A所具備的遮罩框架11A的具有500μm以上的厚度的遮罩框架11A的情況下，玻璃基板22b的線膨脹係數和金屬板21的線膨脹係數的差的絕對值較佳為0.7×10-6 /℃以下。藉由2個線膨脹係數的差的絕對值為0.7×10-6 /℃以下，在蒸鍍遮罩10A的製造過程中，變得很難因玻璃基板22b及遮罩板12的溫度變化而在遮罩板12中產生應變。因此，在藉由從遮罩板12取下玻璃基板22b來形成蒸鍍遮罩10A之際，遮罩板12中產生的應變被解放的情形受到抑制。進一步而言，由於遮罩板12係接合於具有高剛性的遮罩框架11A，因此在遮罩板12被接合於遮罩框架11A後，遮罩板12相對於遮罩框架11A的位置發生偏移的情形受到抑制。由此，各遮罩孔12H相對於蒸鍍對象S的位置改變的情形受到抑制。其結果，提高了形成在蒸鍍對象S上的圖案的位置精度。
此外，在使用為第2例的蒸鍍遮罩10B所具備的遮罩框架11B的具有20μm以上的厚度的遮罩框架11B的情況下，玻璃基板22b的線膨脹係數和金屬板21的線膨脹係數的差的絕對值較佳為0.4×10-6 /℃以下。在此情況下，也能夠得到與遮罩框架11A的厚度為500μm以上，且玻璃基板22b的線膨脹係數和金屬板21的線膨脹係數的差的絕對值為0.7×10-6 /℃以下的情況同等的效果。
另外，在準備金屬板21和玻璃基板22b之際，較佳為準備在25℃以上100℃以下的溫度範圍內，具有比金屬板21的線膨脹係數小的線膨脹係數的玻璃基板22b。
如上所述，金屬板21可以由鐵-鎳系合金形成。玻璃基板22b可以由選自由無鹼玻璃、石英玻璃、結晶化玻璃、硼矽酸玻璃、高矽酸玻璃、多孔質玻璃、及鈉鈣玻璃所構成的群組的任一者形成。藉此，可以將在25℃以上100℃以下的溫度範圍內，玻璃基板22b的線膨脹係數和遮罩板12的線膨脹係數的差的絕對值設為1.3×10-6 /℃以下。
接著，藉由從表面21F將金屬板21進行蝕刻，而使金屬板21的厚度變薄。例如，可以將金屬板21的厚度減少至蝕刻前的金屬板21的厚度的1/2以下的厚度(參照圖7)。然後，在金屬板21的表面21F形成阻劑層PR(參照圖8)。進行對阻劑層PR的曝光及顯影，從而在表面21F上形成阻劑遮罩RM(參照圖9)。
接著，使用阻劑遮罩RM來從表面21F將金屬板21進行濕式蝕刻。藉此，在金屬板21形成複數個遮罩孔12H(參照圖10)。金屬板21的濕式蝕刻係在表面21F形成表面開口H1，之後，在背面21R形成比表面開口H1小的背面開口H2。接著，將阻劑遮罩RM從表面21F去除，從而製造遮罩板12(參照圖11)。又，金屬板21的表面21F係對應於遮罩板12的表面12F，金屬板21的背面21R係對應於遮罩板12的背面12R。
在準備基材20的步驟中，包含：在金屬板21與玻璃基板22b之間包夾樹脂層22a，介隔樹脂層22a接合金屬板21和玻璃基板22b的步驟。在將金屬板21、樹脂層22a、及玻璃基板22b接合時，首先，金屬板21及玻璃基板22b各自所具有的面之中，至少對與樹脂層22a相接的面進行CB(Chemical bonding)處理。在金屬板21及玻璃基板22b中進行CB處理的面為對象面。CB處理，例如，藉由將藥液塗布於對象面來將對樹脂層22a具有反應性的官能基等賦予給對象面。CB處理，將例如Si系化合物等賦予給對象面。
然後，在依記載的順序將金屬板21、樹脂層22a、及玻璃基板22b重疊後，將它們進行熱壓接。此時，使金屬板21的對象面、和玻璃基板22b的對象面接觸樹脂層22a。藉此，賦予給對象面的官能基、和位於樹脂層22a的表面的官能基發生反應，從而接合金屬板21和樹脂層22a且接合玻璃基板22b和樹脂層22a。
樹脂層22a較佳為聚醯亞胺製。在此情況下，金屬板21的線膨脹係數、樹脂層22a的線膨脹係數、及玻璃基板22b的線膨脹係數為相同程度。因此，即使在製造蒸鍍遮罩10A、10B的過程中，由金屬板21、樹脂層22a、及玻璃基板22b所形成的積層體被加熱，亦可抑制積層體因形成積層體的層間的線膨脹係數的差而翹曲。
就製造金屬板21的方法而言，可使用電解或壓延。作為藉由這些方法所得到的金屬板21的後處理，可適宜使用研磨及退火等。在將電解用於製造金屬板21的情況下，在電解所使用的電極表面形成金屬板21。之後，將金屬板21從電極的表面脫模。藉此，製造金屬板21。上述的接合步驟較佳為介隔樹脂層22a，將具有10μm以上的厚度的金屬板21接合於玻璃基板22b。又，在藉由壓延製造金屬板21的情況下，金屬板21的厚度較佳為15μm以上。在藉由電解製造金屬板21的情況下，金屬板21的厚度較佳為10μm以上。
電解所使用的電解浴包含鐵離子供給劑、鎳離子供給劑、及pH緩衝劑。此外，電解浴可以包含應力緩和劑、Fe3+ 離子遮蔽劑、及錯合劑等。電解浴為經調整為具有適於電解的pH的弱酸性的溶液。就鐵離子供給劑而言，例如，能夠使用硫酸亞鐵•七水合物、氯化亞鐵、及胺磺酸鐵等。就鎳離子供給劑而言，例如，能夠使用硫酸鎳(II)、氯化鎳(II)、胺磺酸鎳、及溴化鎳等。就pH緩衝劑而言，例如，能夠使用硼酸及丙二酸等。丙二酸還起到作為Fe3+ 離子遮蔽劑的作用。就應力緩和劑而言，例如，能夠使用糖精鈉等。就錯合劑而言，例如，能夠使用蘋果酸及檸檬酸等。電解所使用的電解浴，例如，為包含上述的添加劑的水溶液。電解浴的pH係藉由pH調整劑來調整為例如2以上3以下。又，就pH調整劑而言，能夠使用5%硫酸及碳酸鎳等。
電解所使用的條件係供將金屬板21的厚度、及金屬板21的組成比等調節為所要的值用的條件。這樣的條件包含電解浴的溫度、電流密度及電解時間。就上述的電解浴所適用的陽極而言，例如，能夠使用純鐵板及鎳板等。就電解浴所適用的陰極而言，例如，能夠使用SUS304等的不銹鋼板。電解浴的溫度，例如，為40℃以上60℃以下。電流密度，例如，為1A/dm2 以上4A/dm2 以下。
電解液的組成、及電解所使用的條件，例如，可以依以下方式設定。 •硫酸亞鐵•七水合物           ：83.4g/L •硫酸鎳(II)•六水合物         ：250.0g/L •氯化鎳(II)•六水合物         ：40.0g/L •硼酸                              ：30.0g/L •糖精鈉二水合物                ：2.0g/L •丙二酸                           ：5.2g/L •溫度                              ：50℃ 又，即使利用該組成及條件以外的組成及條件，也可以藉由電解來製造金屬板21。
在使用壓延來製造金屬板21的情況下，將供製造金屬板21用的母材進行壓延。之後，藉由將經壓延的母材進行退火來得到金屬板21。又，在形成供形成金屬板21用的壓延用的母材時，為了將混入供形成壓延用的母材用的材料中的氧去除，而將例如，粒狀的鋁及粒狀的鎂等的脫氧劑混入供形成母材用的材料。鋁及鎂係以氧化鋁及氧化鎂等的金屬氧化物的形式包含於母材中。這些金屬氧化物大部分係在壓延母材之前從母材去除。另一方面，金屬氧化物的一部分殘留在壓延對象的母材中。在這點上，若利用使用電解的金屬板21之製造方法的話，則金屬氧化物就不會混入金屬板21。
在將阻劑遮罩RM形成在金屬板21之前減少金屬板21的厚度的薄板化步驟中，能夠使用濕式蝕刻。如上所述，在薄板化步驟中，可以將薄板化後的金屬板21的厚度減少至薄板化前的金屬板21的厚度的1/2以下。因此，可以將金屬板21的厚度設為遮罩板12的厚度的2倍以上。藉此，即使遮罩板12所要求的厚度係如上所述為15μm以下這樣薄的厚度，也能夠在將金屬板21接合於玻璃基板22b前，使用剛性比蒸鍍遮罩10A、10B所具有的遮罩板12高的金屬板21。因此，與將具有與遮罩板12相同厚度的金屬板21接合於玻璃基板22b的情形相比，更容易將金屬板21接合於玻璃基板22b。又，能夠省略減少金屬板21的厚度的步驟。
就供藉由將金屬板21進行濕式蝕刻來進行薄板化用的蝕刻液而言，能夠使用酸性的蝕刻液。在金屬板21係由恆範鋼形成的情況下，若蝕刻液為可以蝕刻恆範鋼的蝕刻液的話即可。酸性的蝕刻液，例如，為對過氯酸鐵液、及過氯酸鐵液與氯化鐵液的混合液中的任一者混合了過氯酸、鹽酸、硫酸、甲酸、及乙酸中的任一者的溶液。就蝕刻表面21F的方法而言，能夠使用浸漬式、噴霧式、及旋轉式中的任一者。
用於在金屬板21中形成複數個遮罩孔12H的蝕刻，能夠使用酸性的蝕刻液作為蝕刻液。在金屬板21係由恆範鋼形成時，就蝕刻液而言，能夠使用可以在上述的薄板化步驟中使用的蝕刻液中的任一者。就用於形成遮罩孔12H的蝕刻的方式而言，也能夠使用可以在薄板化步驟中使用的方式中的任一者。
如上所述，若金屬板21的厚度為3μm以上5μm以下的話，便可以在與金屬板21的表面21F相向的俯視下，以每1吋排列700個以上1000個以下的遮罩孔12H的方式形成複數個遮罩孔12H。即，能夠得到可以為了形成解析度為700ppi以上1000ppi以下的顯示裝置而使用的遮罩板12。
此外，若金屬板21的厚度為5μm以上10μm以下的話，便可以在與金屬板21的表面21F相向的俯視下，以每1吋排列400個以上700個以下的遮罩孔12H的方式形成複數個遮罩孔12H。即，能夠得到可以為了形成解析度為400ppi以上700ppi以下的顯示裝置而使用的遮罩板12。
此外，若金屬板21的厚度為10μm以上15μm以下的話，便可以在與金屬板21的表面21F相向的俯視下，以每1吋排列300個以上400個以下的遮罩孔12H的方式形成複數個遮罩孔12H。即，能夠得到可以為了形成解析度為300ppi以上400ppi以下的顯示裝置而使用的遮罩板12。
又，準備基材20的步驟能夠包含：在將金屬板21、樹脂層22a、及玻璃基板22b彼此接合之前，從金屬板21的一面將金屬板21進行薄板化的步驟。在此情況下，準備基材20的步驟所含的薄板化步驟係第1薄板化步驟，在準備基材20的步驟之後所進行的薄板化步驟係第2薄板化步驟。
在第1薄板化步驟中，金屬板21係藉由從第1面予以蝕刻來進行薄板化。相對於此，在第2薄板化步驟中，金屬板21係藉由從與第1面不同的第2面予以蝕刻來進行薄板化。在將第1面蝕刻後所得到的面為金屬板21中與樹脂層22a接合的面，且為進行CB處理的面。
藉由將金屬板21的第1面和第2面兩邊都進行蝕刻，可以從第1面和第2面兩邊調節金屬板21的殘留應力。藉此，與僅蝕刻一面的情況相比，蝕刻後的金屬板21的殘留應力產生不均衡的情形受到抑制。因此，在將由金屬板21所得到的遮罩板12接合於遮罩框架11A、11B的情況下，遮罩板12產生皺摺的情形受到抑制。在金屬板21中，藉由蝕刻第1面所得到的面係對應於遮罩板12的背面12R，藉由蝕刻第2面所得到的面係對應於遮罩板12的表面12F。
又，從第1面蝕刻金屬板21之際的蝕刻量為第1蝕刻量，從第2面蝕刻金屬板21之際的蝕刻量為第2蝕刻量。第1蝕刻量和第2蝕刻量可以是相等的，也可以是不同的。在第1蝕刻量和第2蝕刻量不同的情況下，可以是第1蝕刻量比第2蝕刻量大，也可以是第2蝕刻量比第1蝕刻量大。但是，在第2蝕刻量比第1蝕刻量大的情況下，係在金屬板21被樹脂層22a和玻璃基板22b支撐的狀態下的蝕刻量較大，因此金屬板21的操作性佳，其結果，容易蝕刻金屬板21。
又，在使金屬板21的殘留應力降低方面，或在藉由壓延來得到金屬板21的情況下，使金屬板21中所含的金屬氧化物減少方面，如上所述，較佳為將第1面和第2面兩邊都進行蝕刻。此外，第1蝕刻量及第2蝕刻量例如可以為3μm以上。
如圖12至圖14所示，將遮罩板12的一部分接合於遮罩框架11A的一部分(參照圖12)。此時，以各遮罩板12一個一個地覆蓋開口部11Ac的方式，將複數個遮罩板12接合於單一的遮罩框架11A。又，圖12所示的構造體係蒸鍍遮罩中間體的一例。即，蒸鍍遮罩中間體具備：遮罩板12、遮罩框架11A、樹脂層22a、及玻璃基板22b。蒸鍍遮罩中間體係在25℃以上100℃以下的溫度範圍內，玻璃基板的線膨脹係數、和金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為1.3×10-6 /℃以下。
然後，從樹脂層22a剝離玻璃基板22b(參照圖13)。即，從樹脂層22a取下玻璃基板22b。接著，從各遮罩板12剝離樹脂層22a(參照圖14)。即，從各遮罩板12取下樹脂層22a。藉此，可得到上述的蒸鍍遮罩10A。依此方式，蒸鍍遮罩10A之製造方法包含：在使複數個遮罩板12接合於遮罩框架11A後，從各遮罩板12剝離支撐體22。
在將遮罩板12的一部分接合於遮罩框架11A的一部分的步驟中，準備遮罩框架11A。如上所述，第1例的蒸鍍遮罩10A所具備的遮罩框架11A具有：框狀部11Aa、劃分要素11Ab、及複數個開口部11Ac。在形成遮罩框架11A之際，準備金屬製的板構件。板構件可以如上所述為恆範鋼製，也可以由恆範鋼以外的金屬形成。恆範鋼以外的金屬可以是例如不銹鋼。接著，在板構件形成複數個開口部11Ac。開口部11Ac的形成可以藉由濕式蝕刻來進行，也可以藉由利用照射雷射光線的剪裁來進行。
在使遮罩板12的一部分接合於遮罩框架11A的一部分的步驟中，將遮罩板12的表面12F接合於遮罩框架11A。遮罩框架11A係如上所述，較佳為鐵-鎳系合金製，遮罩框架11A的厚度可以是20μm以上，也可以是500μm以上。
就將遮罩板12接合於遮罩框架11A的方法而言，如上所述，能夠使用雷射熔接。雷射光線L係通過玻璃基板22b和樹脂層22a，照射於遮罩板12之中接合部10Aa所在位置的部分。因此，玻璃基板22b及樹脂層22a必須具有對雷射光線L的透射性。換言之，雷射光線L必須具有可以透射玻璃基板22b及樹脂層22a的波長。藉由沿著開口部11Ac的邊緣間斷地照射雷射光線L來形成間斷的接合部10Aa。另一方面，藉由沿著開口部11Ac的邊緣連續地持續照射雷射光線L來形成連續的接合部10Aa。藉此，將遮罩板12熔接於遮罩框架11A。
如上所述，蒸鍍遮罩10A之製造方法包含從遮罩板12剝離支撐體22的步驟。包含複數個遮罩孔12H的遮罩板12係在製造蒸鍍遮罩10A的過程中，由支撐體22支撐，且在蒸鍍遮罩10A中，由遮罩框架11A支撐。因此，與不使用支撐體22地形成蒸鍍遮罩10A的情況相比，或者與遮罩板12係由上述的框狀的框架支撐的情況相比，能夠使遮罩板12的厚度變薄。由此，使遮罩孔12H中的表面開口H1與背面開口H2的距離變短，從而能夠提升使用蒸鍍遮罩10A所形成的圖案的構造上的精度。此外，若利用蒸鍍遮罩10A之製造方法的話，便能夠藉由玻璃基板22b所具有的剛性、及遮罩框架11A所具有的剛性來提升遮罩板12的操作性。
剝離支撐體22的步驟包含第1步驟和第2步驟。第1步驟係對樹脂層22a與玻璃基板22b的界面照射具有被玻璃基板22b透射且被樹脂層22a吸收的波長的雷射光線L。藉此，從樹脂層22a剝離玻璃基板22b。
在第1步驟中，藉由對樹脂層22a與玻璃基板22b的界面照射雷射光線L來使樹脂層22a吸收由雷射光線L所產生的熱能。藉此，藉由加熱樹脂層22a，來使樹脂層22a與玻璃基板22b之間的化學鍵結強度變低。然後，使玻璃基板22b從樹脂層22a剝離。在第1步驟中，較佳為對接合部10Aa整體照射雷射光線L，但若可以達成在接合部10Aa整體中使玻璃基板22b與樹脂層22a之間的鍵結強度變低的話，則可以對接合部10Aa的一部分照射雷射光線L。
在雷射光線L所具有的波長中，玻璃基板22b的透射率較佳為比樹脂層22a的透射率高。藉此，與玻璃基板22b的透射率比樹脂層22a的透射率低的情況相比，能夠提高加熱樹脂層22a之中形成玻璃基板22b與樹脂層22a的界面的部分的效率。
在雷射光線L所具有的波長為例如308nm以上355nm以下的情況下，較佳為在此波長區域中玻璃基板22b的透射率為54%以上，樹脂層22a的透射率為1%以下。藉此，照射於玻璃基板22b的雷射光線L的光量的一半以上透射玻璃基板22b，且透射玻璃基板22b的雷射光線L幾乎被樹脂層22a吸收。因此，能夠進一步提高加熱樹脂層22a之中形成玻璃基板22b與樹脂層22a的界面的部分的效率。
如上所述，樹脂層22a較佳為聚醯亞胺製。樹脂層22a較佳為由聚醯亞胺之中有色的聚醯亞胺形成。玻璃基板22b較佳為透明的。
第2步驟係在第1步驟之後，使用藥液LM溶解樹脂層22a，從而從遮罩板12剝離樹脂層22a。就藥液LM而言，能夠使用為能夠溶解形成樹脂層22a的材料的液體，且對形成遮罩板12的材料沒有反應性的液體。就藥液LM而言，能夠使用例如鹼性的溶液。鹼性的溶液，可以是例如氫氧化鈉水溶液。又，在圖14中例示了浸漬法作為使樹脂層22a與藥液LM接觸的方法，但就使樹脂層22a與藥液LM接觸的方法而言，也可以使用噴霧式及旋轉式。
依此方式，在從遮罩板12剝離支撐體22的步驟中，藉由第1步驟來從樹脂層22a剝離玻璃基板22b，且藉由第2步驟來從遮罩板12剝離樹脂層22a。因此，與利用由施加於玻璃基板22b、樹脂層22a、及遮罩板12的積層體的外力所產生的界面破壞來從遮罩板12剝離支撐體22的情況相比，能夠使作用於遮罩板12的外力變小。藉此，遮罩板12因支撐體22的剝離而變形的情形受到抑制，進而遮罩板12所具有的遮罩孔12H變形的情形受到抑制。
又，金屬板21、樹脂層22a、及玻璃基板22b的線膨脹係數可謂為相同程度，如上所述，在這些線膨脹係數之間存在有不小的差異。在此情況下，較佳為玻璃基板22b的線膨脹係數比金屬板21的線膨脹係數小。藉此，能夠得到以下參照圖15及圖16所說明的效果。
參照圖15及圖16，針對金屬板21的線膨脹係數、和玻璃基板22b的線膨脹係數的差進行說明。又，在圖15及圖16中，為了方便圖示起見，省略了樹脂層22a的圖示。此外，在以下說明的金屬板21及遮罩板12的應變中，基材20所含的樹脂層22a的厚度係相對於玻璃基板22b的厚度為非常薄的，因此能夠忽視樹脂層22a的線膨脹係數對該應變的影響。
如圖15所示，在金屬板21的線膨脹係數比玻璃基板22b的線膨脹係數大的情況下，換言之，在玻璃基板22b具有比金屬板21的線膨脹係數小的線膨脹係數的情況下，使得金屬板21相對於玻璃基板22b延伸。然而，金屬板21係由樹脂層22a固定於剛性比金屬板21高的玻璃基板22b，因此金屬板21的變形被玻璃基板22b抑制。在此狀態下，若積層體被冷卻，便使得金屬板21相對於玻璃基板22b縮小。然而，與加熱時同樣地，金屬板21的變形被玻璃基板22b抑制。因此，金屬板21內存在有使金屬板21縮小的方向的應變。
如圖16所示，若從遮罩板12取下玻璃基板22b，便是從玻璃基板22b解放了遮罩板12，因此可能造成遮罩板12的變形。如上所述，金屬板21內存在有使金屬板21縮小的方向的應變，因此藉由蝕刻金屬板21所形成的遮罩板12內也存在有使遮罩板12縮小的方向的應變。藉此，遮罩板12係以對應於金屬板21的線膨脹係數和玻璃基板22b的線膨脹係數的差的量，在遮罩板12縮小的方向上變形。
若遮罩框架11A的厚度為500μm以上，且線膨脹係數的差為0.7×10-6 /℃以下的話，則遮罩板12的變形，抑制了接合於遮罩框架11A的遮罩板12的撓曲，同時抑制成可維持遮罩孔12H的位置精度的程度。此外，若遮罩框架11B的厚度為20μm以上，且線膨脹係數的差為0.4×10-6 /℃以下的話，則遮罩板12的變形，抑制了接合於遮罩框架11B的遮罩板12的撓曲，同時抑制成可維持遮罩孔12H的位置精度的程度。
又，在金屬板21的線膨脹係數比玻璃基板22b的線膨脹係數小的情況下，在積層體被加熱的情況下，使得金屬板21相對於玻璃基板22b縮小的應力係累積在金屬板21的內部。在此狀態下，若積層體被冷卻，則玻璃基板22b的收縮量比金屬板21的收縮量大，因此，金屬板21內存在有使金屬板21延伸的方向的應變。在將由這樣的金屬板21所形成的遮罩板12接合於遮罩框架11A、11B後，若從遮罩板12剝離玻璃基板22b，則遮罩板12的應變被解放，從而遮罩板12在延伸的方向上變形。
即使是在此情況下，若遮罩框架11A的厚度為500μm以上，且線膨脹係數的差為0.7×10-6 /℃以下的話，則遮罩板12的變形，也抑制了接合於遮罩框架11A的遮罩板12的撓曲，同時抑制成可維持遮罩孔12H的位置精度的程度。此外，若遮罩框架11B的厚度為20μm以上，且線膨脹係數的差為0.4×10-6 /℃以下的話，則遮罩板12的變形，抑制了接合於遮罩框架11B的遮罩板12的撓曲，同時抑制成可維持遮罩孔12H的位置精度的程度。
[顯示裝置之製造方法] 參照圖17說明顯示裝置之製造方法。 顯示裝置之製造方法包含：使用藉由蒸鍍遮罩10A、10B之製造方法所製造的蒸鍍遮罩10A、10B而在蒸鍍對象S形成圖案。以下，參照圖式，連同蒸鍍裝置的一例，說明形成圖案的步驟。
如圖17所示，蒸鍍裝置30具備收容蒸鍍遮罩10A、10B、和蒸鍍對象S的收容槽31。收容槽31係以將蒸鍍對象S和蒸鍍遮罩10A、10B保持在收容槽31內的既定位置的方式構成。保持蒸鍍材料Mvd的保持部32、和加熱蒸鍍材料Mvd的加熱部33位於收容槽31內。保持部32所保持的蒸鍍材料Mvd係例如有機發光材料。收容槽31，係以蒸鍍遮罩10A、10B位於蒸鍍對象S與保持部32之間，且蒸鍍遮罩10A、10B與保持部32相向的方式，使蒸鍍對象S和蒸鍍遮罩10A、10B位於收容槽31內。蒸鍍遮罩10A、10B係在遮罩板12的背面12R緊貼於蒸鍍對象S的狀態下配置於收容槽31內。
在形成圖案的步驟中，蒸鍍材料Mvd係藉由加熱部33加熱，從而蒸鍍材料Mvd氣化或昇華。氣化或昇華的蒸鍍材料Mvd係通過蒸鍍遮罩10A、10B的遮罩板12所具備的遮罩孔12H而附著於蒸鍍對象S。藉此，具有與蒸鍍遮罩10A、10B所具有的遮罩孔12H的形狀及位置相對應的形狀的有機層被形成在蒸鍍對象S。又，蒸鍍材料Mvd可以是供形成顯示層的像素電路所具備的像素電極用的金屬材料等。
[試驗例] 參照圖18說明試驗例。 [試驗例1] 準備恆範鋼製的金屬板，其具有40μm的厚度，具有一邊長度為152.4mm的正方形，在25℃以上100℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為1.2×10-6 /℃。此外，準備高矽酸玻璃製的玻璃基板(Corning公司製，VYCOR7913)，其具有1.9mm的厚度，具有一邊長度為152.4mm的正方形，在25℃以上100℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為0.8×10-6 /℃。首先，使用酸性蝕刻液來蝕刻金屬板的一整個面。藉此，使金屬板的厚度僅變薄17.5μm。然後，藉由分別對金屬板的蝕刻後的面的對象面、及玻璃基板的對象面施加CB處理，來將Si系化合物附加於各對象面。此外，準備聚醯亞胺層(Toray•Dupont(股)製，Kapton 30EN(Kapton為註冊商標))，其具有7.5μm的厚度，具有一邊長度為152.4mm的正方形。
以經施加CB處理的對象面相對於聚醯亞胺層相接的方式，藉由金屬板和玻璃基板包夾聚醯亞胺層。接著，在積層了金屬板、聚醯亞胺層、及玻璃基板的狀態下將它們進行熱壓接。在熱壓接時，將加壓力設定為4MPa，將溫度設定為250℃，將加壓時間設定為10分鐘。
然後，使用酸性蝕刻液，將與金屬板中的與聚醯亞胺層接著的面為相反側的面進行蝕刻。藉此，使金屬板的厚度僅變薄17.5μm，從而使金屬板的厚度變薄至5μm。接著，在金屬板的表面形成阻劑遮罩後，使用酸性蝕刻液而在金屬板形成複數個遮罩孔。藉此，從與金屬板的表面相向的視點觀看，以40μm的節距形成一邊為20μm、具有正方形的遮罩孔。又，在金屬板之中寬度為80mm、長度為130mm的遮罩區域形成複數個遮罩孔，另一方面，在圍繞遮罩區域的周邊區域，沒有形成遮罩孔。以下，也將寬度方向稱為X方向，也將長度方向稱為Y方向。將X方向上的位於各端部的遮罩孔的中心間的距離設定為80mm，將Y方向上的位於各端部的遮罩孔的中心間的距離設定為130mm。此外，以金屬板的中心和遮罩區域的中心一致，且金屬板的各邊和遮罩區域中的1個邊平行的方式將遮罩區域設定於金屬板。
此外，形成貫通孔作為供進行金屬板對框架的定位用的對位記號(alignment mark)。此時，設定X方向上的長度為90mm，且Y方向上的長度為140mm的長方形的基準區域。又，以基準區域的中心係與遮罩區域的中心一致的方式設定基準區域。然後，在比基準區域還靠外側處形成4個具有50μm的直徑的貫通孔。分別將各貫通孔形成在相對於基準區域的四個角落，在X方向上50μm外側且在Y方向上50μm外側的位置上。
另一方面，準備具有20μm的厚度，具有寬度為100mm、長度為180mm的長方形的恆範鋼製的金屬板作為框架用的金屬板。接著，藉由將金屬板進行濕式蝕刻，來將寬度為90mm、長度為140mm的開口部形成在金屬板。藉此，得到具有20μm的厚度的框架。又，在金屬板形成開口部之際，藉由半蝕刻來形成4個具有30μm的直徑的對位記號。分別將各對位記號形成在相對於開口部的四個角落，在X方向上50μm外側且在Y方向上50μm外側的位置上。
接著，將金屬板所具有的對位記號、和框架所具有的對位記號進行對位。藉此，以金屬板的基準區域與框架的開口部重疊的方式，將金屬板對框架進行對位。然後，使用雷射熔接，將遮罩板接合於框架。此時，以0.5mm的節距間斷地將遮罩板的周向上的整體接合於框架。此外，雷射熔接係使用射出具有1070nm以上1100nm以下的波長的光線的光纖雷射。之後，將具有355nm的波長的雷射光線照射在玻璃基板和樹脂層。此時，從玻璃基板的厚度方向觀看，將雷射光線照射在玻璃基板的整體邊緣上。之後，從聚醯亞胺層剝離玻璃基板。然後，藉由將框架和遮罩板的接合體浸於氫氧化鈉溶液，來從遮罩板去除樹脂層。藉此，得到試驗例1的蒸鍍遮罩。
[試驗例2] 在試驗例1中，將玻璃基板變更為具有2.3mm的厚度，具有一邊長度為152.4mm的正方形，在25℃以上100℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為0.5×10-6 /℃的石英玻璃製的玻璃基板(信越化學工業(股)製，合成石英SMS6009E5)。此外，在試驗例1中，將框架的厚度變更為100μm。除此之外，藉由與試驗例1同樣的方法來得到試驗例2的蒸鍍遮罩。
[試驗例3] 在試驗例2中，將玻璃基板變更為具有1.1mm的厚度，具有一邊長度為152.4mm的正方形，在25℃以上100℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為-0.1×10-6 /℃的結晶化玻璃製的玻璃基板(日本電氣硝子(股)製，Neoceram N-0)(Neoceram為註冊商標)。除此之外，藉由與試驗例2同樣的方法來得到試驗例3的蒸鍍遮罩。
[試驗例4] 除了在試驗例3中，將玻璃基板變更為在25℃以上100℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為3.5×10-6 /℃的無鹼玻璃製的玻璃基板(日本電氣硝子(股)製，OA-10G)外，藉由與試驗例3同樣的方法來得到試驗例4的蒸鍍遮罩。
[試驗例5] 在試驗例3中，將玻璃基板變更為在25℃以上100℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為-0.1×10-6 /℃的結晶化玻璃製的玻璃基板(日本電氣硝子(股)製，Neoceram N-0)。此外，在試驗例3中，將金屬板變更為在25℃以上100℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為4.3×10-6 /℃，包含42質量%的鎳的鐵鎳合金的42合金製的基材。除此之外，藉由與試驗例3同樣的方法來得到試驗例5的蒸鍍遮罩。
[試驗例6] 除了在試驗例1中，將框架的厚度變更為100μm外，藉由與試驗例1同樣的方法來得到試驗例6的蒸鍍遮罩。
[試驗例7] 除了在試驗例2中，將框架的厚度變更為500μm外，藉由與試驗例2同樣的方法來得到試驗例7的蒸鍍遮罩。
[試驗例8] 除了在試驗例1中，將框架的厚度變更為500μm外，藉由與試驗例1同樣的方法來得到試驗例8的蒸鍍遮罩。
[試驗例9] 除了在試驗例2中，將框架的厚度變更為1500μm外，藉由與試驗例2同樣的方法來得到試驗例9的蒸鍍遮罩。
[試驗例10] 除了在試驗例3中，將框架的厚度變更為1500μm外，藉由與試驗例3同樣的方法來得到試驗例10的蒸鍍遮罩。
[試驗例11] 除了在試驗例4中，將框架的厚度變更為1500μm外，藉由與試驗例4同樣的方法來得到試驗例11的蒸鍍遮罩。
[試驗例12] 除了在試驗例5中，將框架的厚度變更為1500μm外，藉由與試驗例5同樣的方法來得到試驗例12的蒸鍍遮罩。
[試驗例13] 除了在試驗例1中，將框架的厚度變更為1500μm外，藉由與試驗例1同樣的方法來得到試驗例13的蒸鍍遮罩。
[評價方法] 藉由目視，觀察各試驗例的蒸鍍遮罩。將各蒸鍍遮罩所具備的遮罩板沒有發生撓曲的情況設定為「○」，將有發生撓曲的情況設定為「×」。
如圖18所示，使用測定裝置(Nikon(股)製，CNC影像測定系統 VMR-6555)，測定各遮罩區域中的第1短邊的第1寬度X1、第2短邊的第2寬度X2、第1長邊的第1長度Y1、及第2長邊的第2長度Y2。又，將第1寬度X1及第2寬度X2各自設定為在第1短邊及第2短邊各自延伸的方向上，位於各端部的遮罩孔的中心間的距離。此外，將第1長度Y1及第2長度Y2各自設定為在第1長邊及第2長邊各自延伸的方向上，位於各端部的遮罩孔的中心間的距離。另外，測定第1短邊的中心和第2短邊的中心之間的距離Yc、及第1長邊的中心和第2長邊的中心之間的距離Xc。
然後，使用以下的公式，算出相對於X方向上的設計值的偏移量△X、相對於Y方向上的設計值的偏移量△Y、相對於X方向的中央處的設計值的偏移量△Xc、及相對於Y方向的中央處的設計值的偏移量△Yc。將在全部4個值中絕對值為5μm以下的情況設定為「○」，將至少1個值的絕對值大於5μm的情況設定為「×」。
△X={(X1-80000)+(X2-80000)}/2(單位：μm)
△Y={(Y1-130000)+(Y2-130000)}/2(單位：μm)
△Xc=Xc-80000(單位：μm)
△Yc=Yc-130000(單位：μm)
算出各值的結果係如以下的表1所示。又，在各偏移量△X、△Y、△Xc、△Yc中，負的值表示測定值小於設定值，正的值表示測定值大於設定值。
[表1]
　 框架的 厚度(μm) 線膨脹係數(×10-6 /℃) 外觀 位置精度(μm)
玻璃基板 金屬板 玻璃基板-金屬板 ΔX ΔY ΔXc ΔYc 判定
試驗例1 20 0.8 1.2 -0.4 ○ -3.7 -4.4 -4.9 -3.8 ○
試驗例2 100 0.5 1.2 -0.7 × -4.0 -4.5 -8.1 -3.0 ×
試驗例3 -0.1 1.2 -1.3 × -4.2 -4.6 -9.5 -5.6 ×
試驗例4 3.5 1.2 2.3 × 6.5 8.0 9.0 9.6 ×
試驗例5 -0.1 4.3 -4.4 × -10.2 -12.1 -16.0 -11.2 ×
試驗例6 0.8 1.2 -0.4 ○ -2.6 -2.6 -4.1 -1.9 ○
試驗例7 500 0.5 1.2 -0.7 ○ -3.5 -3.0 -4.7 -2.3 ○
試驗例8 0.8 1.2 -0.4 ○ -1.9 -2.1 -2.9 -1.5 ○
試驗例9 1500 0.5 1.2 -0.7 ○ -0.3 -2.7 -3.8 -2.0 ○
試驗例10 -0.1 1.2 -1.3 ○ -3.1 -3.4 -4.6 -3.4 ○
試驗例11 3.5 1.2 2.3 × 6.0 6.5 7.5 7.3 ×
試驗例12 -0.1 4.3 -4.4 × -7.0 -6.8 -9.4 -7.0 ×
試驗例13 0.8 1.2 -0.4 ○ -0.5 -1.1 -2.2 -1.2 ○
如表1所示，在試驗例1中，確認了：在目視下，遮罩板沒有發生撓曲。此外，在試驗例1中，確認了：各偏移量ΔX、ΔY、ΔXc、ΔYc的絕對值全部為5μm以下。
在試驗例2至試驗例5中，不論玻璃基板的線膨脹係數和金屬板的線膨脹係數的差為何，都確認了：在目視下，遮罩板發生了撓曲。此外，在試驗例2至5中，確認了：各偏移量ΔX、ΔY、ΔXc、ΔYc的絕對值中的至少1個大於5μm。如由試驗例2至試驗例5中的測定結果可知，玻璃基板的線膨脹係數和金屬板的線膨脹係數的差越大，各偏移量ΔX、ΔY、ΔXc、ΔYc也越大。相對於此，在試驗例6中，確認了：在目視下，遮罩板沒有發生撓曲。此外，在試驗例6中，確認了：各偏移量ΔX、ΔY、ΔXc、ΔYc的絕對值全部為5μm以下。
此外，在試驗例7及試驗例8中，確認了：在目視下，遮罩板沒有發生撓曲。此外，在試驗例7及試驗例8中，確認了：各偏移量ΔX、ΔY、ΔXc、ΔYc的絕對值全部為5μm以下。
在試驗例9、試驗例10、及試驗例13中，確認了：在目視下，遮罩板沒有發生撓曲。此外，在試驗例9、試驗例10、及試驗例13中，確認了：各偏移量ΔX、ΔY、ΔXc、ΔYc的絕對值全部為5μm以下。相對於此，在試驗例11及試驗例12中，確認了：在目視下，遮罩板發生了撓曲。此外，在試驗例11及試驗例12中，確認了：各偏移量ΔX、ΔY、 ΔXc、ΔYc的絕對值全部為5μm以下。
從這樣的結果確認了：在框架的厚度為20μm的情況下，藉由玻璃基板的線膨脹係數和金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為0.4×10-6 /℃以下，可抑制遮罩板的撓曲、及遮罩孔的位置偏移。此外，確認了：在框架的厚度為500μm的情況下，藉由玻璃基板的線膨脹係數和金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為0.7×10-6 /℃以下，可抑制遮罩板的撓曲、及遮罩孔的位置偏移。此外，確認了：在框架的厚度為1500μm的情況下，藉由玻璃基板的線膨脹係數和金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為1.3×10-6 /℃以下，可抑制遮罩板的撓曲、及遮罩孔的位置偏移。
又，確認了：具備四角框狀的框架的蒸鍍遮罩，在框架的厚度、及玻璃基板的線膨脹係數和金屬板的線膨脹係數的差係與本試驗例的蒸鍍遮罩相同的情況下，具有低於各試驗例的評論結果的傾向。
如以上說明，若根據蒸鍍遮罩之製造方法、顯示裝置之製造方法、及蒸鍍遮罩中間體的一實施形態的話，便能夠得到以下記載的效果。 (1)遮罩板12，係在製造蒸鍍遮罩10A、10B時由玻璃基板22b支撐，在蒸鍍遮罩10A、10B中係藉由遮罩框架11A、11B支撐，因此能夠提升遮罩板12的操作性。
(2)由於遮罩框架11A具有格子狀的劃分要素11Ab，因此與框架具有四角框狀的情況相比，可提高遮罩框架11A本身的剛性。然後，將遮罩板12一個一個地直接接合於經提高剛性的遮罩框架11A的各開口部11Ac的周圍，因此與支撐各遮罩板12的構造體，係在具有短條狀的遮罩板的寬度方向上具有在一維方向上延伸的直線狀的情況相比，遮罩板12的撓曲受到抑制。其結果，提高了形成在蒸鍍對象S上的圖案的位置精度。
(3)在遮罩框架11A具有500μm以上的厚度的情況下，藉由玻璃基板22b的線膨脹係數和金屬板21的線膨脹係數的差的絕對值為0.7×10-6 /℃以下，提高了圖案相對於蒸鍍對象S的位置精度。
(4)在遮罩框架11B具有20μm以上的厚度的情況下，藉由玻璃基板22b的線膨脹係數和金屬板21的線膨脹係數的差的絕對值為0.4×10-6 /℃以下，提高了形成在蒸鍍對象S上的圖案的位置精度。
(5)藉由玻璃基板22b的線膨脹係數比金屬板21的線膨脹係數小，遮罩板12相對於遮罩框架11A、11B的位置改變的情形因遮罩框架11A、11B而受到抑制，且遮罩板12的撓曲受到抑制。
又，上述的實施形態能夠依以下的方式變更來實施。 [蒸鍍遮罩的第1例] •在蒸鍍遮罩10A的第1例中，可以將蒸鍍遮罩10A安裝於支撐蒸鍍遮罩10A的支撐框架。在此情況下，蒸鍍遮罩10A係在被安裝於支撐框架的狀態下搭載於蒸鍍裝置。
[蒸鍍遮罩之製造方法] •蒸鍍遮罩10A所具備的遮罩框架11A的厚度可以比500μm薄。即使是在此情況下，若遮罩框架11A為在框狀部11Aa所包圍的區域內具備格子狀的劃分要素11Ab的構造的話，便能夠得到依照上述的(2)的效果。此外，若遮罩框架11A的厚度為20μm以上，且玻璃基板22b的線膨脹係數和金屬板21的線膨脹係數的差的絕對值為0.4×10-6 /℃以下的話，便能夠得到依照上述的(4)的效果。
•蒸鍍遮罩10B所具備的遮罩框架11B的厚度，若具有比遮罩板12的剛性高的剛性的話，則可以比20μm薄。此外，遮罩框架11B的厚度可以是500μm以上，在此情況下，藉由玻璃基板22b的線膨脹係數和金屬板21的線膨脹係數的差的絕對值為0.7×10-6 /℃以下，能夠得到依照上述的(3)的效果。
10A,10B:蒸鍍遮罩 10Aa:接合部 11A,11B:遮罩框架 11Aa:框狀部 11Ab:劃分要素 11Ac,11Bc:開口部 11AF,11BF,12F,21F:表面 11AR,11BR,12R,21R:背面 12:遮罩板 12a:遮罩區域 12b:周邊區域 12H:遮罩孔 20:基材 21:金屬板 22:支撐體 22a:樹脂層 22b:玻璃基板 H1:表面開口 H2:背面開口 S:蒸鍍對象
圖1係顯示蒸鍍遮罩的第1例的構造的斜視圖。 圖2係顯示圖1所示的蒸鍍遮罩的構造的一部分的剖面圖。 圖3係將圖2所示的蒸鍍遮罩所具備的遮罩板的構造放大顯示的剖面圖。 圖4係顯示蒸鍍遮罩的第2例的構造的平面圖。 圖5係顯示圖4所示的蒸鍍遮罩的構造的剖面圖。 圖6係用於說明蒸鍍遮罩之製造方法的步驟圖。 圖7係用於說明蒸鍍遮罩之製造方法的步驟圖。 圖8係用於說明蒸鍍遮罩之製造方法的步驟圖。 圖9係用於說明蒸鍍遮罩之製造方法的步驟圖。 圖10係用於說明蒸鍍遮罩之製造方法的步驟圖。 圖11係用於說明蒸鍍遮罩之製造方法的步驟圖。 圖12係用於說明蒸鍍遮罩之製造方法的步驟圖。 圖13係用於說明蒸鍍遮罩之製造方法的步驟圖。 圖14係用於說明蒸鍍遮罩之製造方法的步驟圖。 圖15係用於說明蒸鍍遮罩的作用的作用圖。 圖16係用於說明蒸鍍遮罩的作用的作用圖。 圖17係將蒸鍍裝置的構成連同蒸鍍遮罩及蒸鍍對象示意地顯示的裝置構成圖。 圖18係用於說明試驗例中的位置精度的測定方法的平面圖。
11A:遮罩框架
11Aa:框狀部
11Ac:開口部
12:遮罩板
22:支撐體
22a:樹脂層
22b:玻璃基板

Claims (8)

  1. 一種蒸鍍遮罩之製造方法，其係由鐵-鎳系合金製的金屬板製造具備包含複數個遮罩孔的遮罩板的蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩之製造方法，其包含：準備在25℃以上100℃以下的溫度範圍內，玻璃基板的線膨脹係數、和該金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為1.3×10-6/℃以下的該金屬板及該玻璃基板；介隔樹脂層，將該玻璃基板接合於該金屬板；藉由在接合於該玻璃基板的該金屬板形成複數個遮罩孔，而由該金屬板形成複數個遮罩板；將該遮罩板之中與和該樹脂層相接的面為相反側的面，接合於具有比該遮罩板高的剛性且具有複數個開口的遮罩框架，以各遮罩板覆蓋該遮罩框架的1個開口之方式進行接合；及從接合於該遮罩框架的該遮罩板取下該樹脂層及該玻璃基板。
  2. 如請求項1的蒸鍍遮罩之製造方法，其中該玻璃基板的線膨脹係數、和該金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為0.7×10-6/℃以下，該遮罩框架具有500μm以上的厚度。
  3. 如請求項1的蒸鍍遮罩之製造方法，其中該玻璃基板的線膨脹係數、和該金屬板的線膨脹係數的差的絕對值為0.4×10-6/℃以下，該遮罩框架具有20μm以上的厚度。
  4. 如請求項1至3中任一項的蒸鍍遮罩之製 造方法，其中該玻璃基板的線膨脹係數係比該金屬板的線膨脹係數小。
  5. 如請求項1至3中任一項的蒸鍍遮罩之製造方法，其中該玻璃基板係選自由無鹼玻璃、石英玻璃、結晶化玻璃、硼矽酸玻璃、高矽酸玻璃、多孔質玻璃、及鈉鈣玻璃所構成的群組的任一者形成。
  6. 如請求項1的蒸鍍遮罩之製造方法，其中該複數個遮罩板接合於單一遮罩框架，該遮罩框架具有：位於該遮罩框架的外緣且包圍蒸鍍對象的周圍的框狀部；位於該框狀部所包圍的區域內的具有格子狀的劃分要素；和由該劃分要素所劃分的該複數個開口。
  7. 一種顯示裝置之製造方法，其包含：使用利用如請求項1至6中任一項的蒸鍍遮罩之製造方法所製造的蒸鍍遮罩，而於蒸鍍對象形成圖案。
  8. 一種蒸鍍遮罩中間體，其具備：複數個遮罩板，其係包含複數個遮罩孔，具有第1面和與該第1面為相反側的面而用以與蒸鍍對象鄰接之第2面的鐵-鎳系合金製的遮罩板；遮罩框架，其係具有比該遮罩板高的剛性且具有複數個開口的遮罩框架，其以各遮罩板覆蓋該遮罩框架的1個開口之方式接合於該遮罩板的該第1面；複數個樹脂層，其係一個一個接合於該遮罩板中的該第2面的樹脂層；和複數個玻璃基板，其係一個一個接合於各樹脂層的 玻璃基板，在25℃以上100℃以下的溫度範圍內，各玻璃基板的線膨脹係數、和積層於該玻璃基板的該遮罩板的線膨脹係數的差的絕對值為1.3×10-6/℃以下。
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