TW202325868A - 蒸鍍遮罩基材、蒸鍍遮罩基材的檢查方法、蒸鍍遮罩的製造方法、及顯示裝置的製造方法 - Google Patents

Abstract

蒸鍍遮罩基材係被使用於用以形成有機EL元件的蒸鍍遮罩之製造。蒸鍍遮罩基材係由包含鐵與鎳之合金形成，包含由金屬氧化物形成的粒子，具有10μm以上30μm以下的厚度。構成為:藉由將蒸鍍遮罩基材自表面蝕刻，以形成將蒸鍍遮罩基材沿著厚度方向貫通的複數個針孔。從與蒸鍍遮罩基材的表面相對向的視點來看，在表面中，連結各針孔的邊緣的任意2點的線段之最大值為1μm以上100μm以下。表面的每100cm ²存在之針孔的數量係在將蒸鍍遮罩基材蝕刻成5μm的厚度時為17個以下，在將蒸鍍遮罩基材蝕刻成3μm的厚度時為90個以下。

Description

蒸鍍遮罩基材、蒸鍍遮罩基材的檢查方法、蒸鍍遮罩的製造方法、及顯示裝置的製造方法

本開示有關蒸鍍遮罩基材、蒸鍍遮罩基材的檢查方法、蒸鍍遮罩的製造方法、及顯示裝置的製造方法。

有機EL顯示裝置所具備之顯示元件的一部分係藉由使用了蒸鍍遮罩的蒸鍍形成。蒸鍍遮罩係使用鐵鎳系合金的金屬板形成。於製造鐵鎳系合金的金屬板的時候，粒子狀添加劑被混合於金屬板的原材料。粒子狀添加劑包含例如，鋁、錳及矽等。

於金屬板中含有來自添加劑的粒子。在金屬板中的粒子的分布係透過例如以下的量測方法來掌握。亦即，在量測方法中，首先，將金屬板的一部分切下。接著，從已切下的金屬板的一部分，切下試驗片。然後，於水溶液將試驗片溶解後，藉由對水溶液進行吸引過濾，將水溶液中的粒子抽出到濾紙上。之後，透過拍攝濾紙上的粒子而取得圖像，接下來，將取得的圖像進行解析。藉此，掌握每單位體積中，相對較大的粒子的數量與相對較小的粒子的數量(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特許第6788852號公報

[發明欲解決之課題]

上述的量測方法中，將金屬板溶解，藉此，僅特定了金屬板中所含之粒子的總數以及相對較大的粒子和相對較小的粒子的比例。因此，該量測方法並未考量到這些粒子如何存在於金屬板中。 [用以解決課題之手段]

用以解決上述課題的蒸鍍遮罩基材，係被使用於用以形成有機EL元件的蒸鍍遮罩之製造。蒸鍍遮罩基材係由包含鐵與鎳之合金形成，包含由金屬氧化物形成的粒子，具有10μm以上30μm以下的厚度。構成為:藉由將該蒸鍍遮罩基材自表面蝕刻，以形成將該蒸鍍遮罩基材沿著厚度方向貫通的複數個針孔。從與該蒸鍍遮罩基材的該表面相對向的視點來看，在該表面中，連結各針孔的邊緣的任意2點的線段之最大值為1μm以上100μm以下。該表面的每100cm ²存在之該針孔的數量係在將該蒸鍍遮罩基材蝕刻成5μm的厚度時為17個以下，在將該蒸鍍遮罩基材蝕刻成3μm的厚度時為90個以下。

在蒸鍍遮罩基材中，包含於蒸鍍遮罩基材的製造時被添加至蒸鍍遮罩基材的原材料之粒子。藉由使蒸鍍遮罩基材以將蒸鍍遮罩基材厚度薄化的方式被濕蝕刻，蒸鍍遮罩基材所包含之粒子的一部分係自蒸鍍遮罩基材脫落，從而在蒸鍍遮罩基材表面形成有因粒子脫落而產生的凹部。形成在蒸鍍遮罩基材的凹部，係由於將蒸鍍遮罩基材厚度薄化之蝕刻的進行，而變成將蒸鍍遮罩基材沿著厚度方向貫通的針孔。

根據上述蒸鍍遮罩基材，於將蒸鍍遮罩基材的厚度薄化至5μm時所形成的針孔數量，和於將蒸鍍遮罩基材的厚度薄化至3μm時所形成的針孔數量作計算。因此，由將蒸鍍遮罩基材的厚度薄化至5μm時的針孔數量和於將蒸鍍遮罩基材的厚度薄化至3μm時的針孔數量間的差分，可掌握在蒸鍍遮罩基材的厚度方向中粒子分布之傾向。

再者，在將蒸鍍遮罩基材的厚度薄化至5μm時所形成之針孔的數量，和將蒸鍍遮罩基材的厚度薄化至3μm時所形成之針孔的數量係滿足上述的範圍。因此，根據上述蒸鍍遮罩基材，可抑制在該蒸鍍遮罩基材所形成之遮罩孔所具備的開口產生缺陷。藉此，在蒸鍍遮罩中，可提高於遮罩孔所具備的開口的形狀精度。

在上述蒸鍍遮罩基材中，亦可為該粒子包含第1粒子和第2粒子，該第1粒子的粒徑為3μm以上，該第2粒子的粒徑為小於3μm。

因為會有蒸鍍遮罩基材所含的粒子越大，因粒子所致之凹部較大的傾向，所以在蒸鍍遮罩基材的厚度相對的較厚的階段，於蒸鍍遮罩基材形成有針孔。相對於此，因為會有蒸鍍遮罩基材所含的粒子越小，因粒子所致之凹部較小的傾向，所以在蒸鍍遮罩基材的厚度相對的較薄的階段，於蒸鍍遮罩基材形成有針孔。

根據上述蒸鍍遮罩基材，蒸鍍遮罩基材包含第1粒子、比第1粒子還小的第2粒子，因而透過將蒸鍍遮罩基材的厚度薄化至5μm時所形成的針孔的數量，可掌握在蒸鍍遮罩基材比5μm還要厚的範圍中之第1粒子的分布的傾向。

用以解決上述課題之蒸鍍遮罩基材的檢查方法，係被使用於用以形成有機EL元件的蒸鍍遮罩之製造。蒸鍍遮罩基材的檢查方法包含以下步驟：準備蒸鍍遮罩基材，該蒸鍍遮罩基材係由包含鐵與鎳之合金所形成，且包含由金屬氧化物形成的粒子；使用蝕刻液將該蒸鍍遮罩基材自表面蝕刻，藉以將該蒸鍍遮罩基材蝕刻至第1厚度；計算針孔的數量，該針孔乃係該蒸鍍遮罩基材蝕刻至該第1厚度後，將該蒸鍍遮罩基材沿著厚度方向貫通的針孔，且係在該表面中，連結各針孔的邊緣的任意2點的線段之最大值為1μm以上100μm以下之針孔；使用該蝕刻液將該蒸鍍遮罩基材自該表面從該第1厚度蝕刻至第2厚度；在蝕刻至該第2厚度後，計算將該蒸鍍遮罩基材貫通的該針孔的數量；以及，在該第1厚度的該針孔數量為第1基準值以下，且，在該第2厚度的該針孔數量為第2基準值以下的情況，判定該蒸鍍遮罩基材為合格。

用以解決上述課題之蒸鍍遮罩的製造方法，係被使用於用以形成有機EL元件的蒸鍍遮罩之製造。蒸鍍遮罩的製造方法係準備使用經上述蒸鍍遮罩基材的檢查方法而被判定為合格之該蒸鍍遮罩基材；以及蝕刻該蒸鍍遮罩基材，藉以於該蒸鍍遮罩基材形成複數個遮罩孔。

用以解決上述課題之顯示裝置的製造方法係包含使用藉由上述蒸鍍遮罩的製造方法所製造之蒸鍍遮罩以形成蒸鍍圖案。

根據上述方法，計算在將蒸鍍遮罩基材的厚度薄化至第1厚度時所形成的針孔的數量與在將蒸鍍遮罩基材的厚度薄化至第2厚度時所形成的針孔的數量。因而，由在第1厚度之針孔的數量與在第2厚度之針孔的數量間的差分，可掌握在蒸鍍遮罩基材的厚度方向中之粒子分布的傾向。

而且，於在將蒸鍍遮罩基材的厚度薄化至第1厚度時所形成的針孔的數量與在將蒸鍍遮罩基材的厚度薄化至第2厚度時所形成的針孔的數量係在既定的基準值以下的情況，判定蒸鍍遮罩基材為合格。因此，於蒸鍍遮罩基材形成有遮罩孔的情況時，可抑制在遮罩孔的開口產生缺口。藉此，根據上述的檢查方法，可篩選能提高遮罩孔所具備的開口形狀的精度之蒸鍍遮罩基材。 [發明之效果]

根據本揭示，掌握在蒸鍍遮罩基材的厚度方向之粒子的分布，結果，在使用蒸鍍遮罩基材而製造的蒸鍍遮罩中，可提高在開口之形狀的精度。

[用以實施發明的形態]

參照圖1至圖17，說明蒸鍍遮罩基材、蒸鍍遮罩基材的檢查方法、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法之一實施形態。

[蒸鍍遮罩基材] 參照圖1及圖2說明蒸鍍遮罩基材。 圖1所示之蒸鍍遮罩基材10係被使用於製造為了形成有機EL元件的蒸鍍遮罩之金屬製片材。蒸鍍遮罩基材10由鐵鎳系合金所形成。鐵鎳系合金為包含鐵與鎳之合金的一個例子。蒸鍍遮罩基材10係包含由金屬氧化物形成的粒子。蒸鍍遮罩基材10具有10μm以上30μm以下的厚度T。蒸鍍遮罩基材10含有表面10F與背面10R，該背面10R係和表面10F為相反側的面。

蒸鍍遮罩基材10係滿足以下的條件1及條件2。 (條件1)在藉由自表面10F蝕刻蒸鍍遮罩基材10，而將蒸鍍遮罩基材10蝕刻至5μm的厚度的情況，蒸鍍遮罩基材10包含將蒸鍍遮罩基材10沿著厚度方向貫通的複數個針孔。從與蒸鍍遮罩基材10的表面10F相對向的視點來看，在表面10F中，連結各針孔的邊緣的任意2點的線段之最大值為1μm以上100μm以下。表面10F的每100cm ²存在有17個以下的針孔。

(條件2)在藉由蝕刻具有5μm的厚度之蒸鍍遮罩基材10的表面10F，而將蒸鍍遮罩基材10蝕刻至3μm的厚度的情況，蒸鍍遮罩基材10包含將蒸鍍遮罩基材10沿著厚度方向貫通的複數個針孔。從與表面10F相對向的視點來看，在表面10F中，連結各針孔的邊緣的任意2點的線段之最大值為1μm以上100μm以下。表面10F的每100cm ²存在有90個以下的針孔。

亦即，蒸鍍遮罩基材10係構成為:藉由自表面10F進行蝕刻，以形成將蒸鍍遮罩基材10沿著厚度方向貫通的複數個針孔。從與蒸鍍遮罩基材10的表面10F相對向的視點來看，在表面10F中，連結各針孔的邊緣的任意2點的線段之最大值為1μm以上100μm以下。表面10F的每100cm ²存在之針孔的數量係在將蒸鍍遮罩基材10蝕刻成5μm的厚度時為17個以下，在將蒸鍍遮罩基材10蝕刻成3μm的厚度時為90個以下。

又，在將蒸鍍遮罩基材10蝕刻至5μm的厚度時之針孔的數量，較佳為表面10F的每100cm ²為7個以下。再者，在將蒸鍍遮罩基材10蝕刻至3μm的厚度時之針孔的數量，較佳為50個以下。

蒸鍍遮罩基材10包含有在製造蒸鍍遮罩基材10時被添加於蒸鍍遮罩基材10的原材料中的粒子。由於以將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化的方式對蒸鍍遮罩基材10進行濕蝕刻，所以蒸鍍遮罩基材10所包含的粒子的一部分係從蒸鍍遮罩基材10脫落，因而在蒸鍍遮罩基材10的表面10F形成有因粒子脫落所致之凹部。蒸鍍遮罩基材10所形成的凹部，係因為進行將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化的蝕刻而變成將蒸鍍遮罩基材10沿著厚度方向貫通的針孔。

於檢查蒸鍍遮罩基材10時，計算在將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至5μm時所形成的針孔數量和在將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至3μm時所形成的針孔數量。因此，從在將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至5μm時的針孔數量與在將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至3μm時的針孔數量間之差分，可掌握在蒸鍍遮罩基材10的厚度方向中粒子分布之傾向。

再者，在將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至5μm時所形成的針孔數量與在將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至3μm時所形成的針孔數量係滿足上述的範圍。因此，根據上述蒸鍍遮罩基材10，可抑制在形成於該蒸鍍遮罩基材10的遮罩孔所具備的開口產生缺口。藉此，在蒸鍍遮罩中，可提高遮罩孔所具備之開口的形狀的精度。

圖2係擴大顯示了在藉由將蒸鍍遮罩基材10自表面10F蝕刻，而將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至5μm的厚度之情況亦或是薄化至3μm的厚度之情況中在表面10F的一部分的一例子。

如圖2所示，在蒸鍍遮罩基材10的厚度為5μm的情況時，從與表面10F相對向的視點來看，蒸鍍遮罩基材10具有將蒸鍍遮罩基材10沿著厚度方向貫通的複數個針孔10H。從與表面10F相對向的視點來看，複數個針孔10H包含具有第1大小的針孔10H與具有第2大小的針孔10H。第2大小係和第1大小不同。

在蒸鍍遮罩基材10的蝕刻後中，蒸鍍遮罩基材10具有的針孔10H係來自蒸鍍遮罩基材10所包含的粒子。蒸鍍遮罩基材10在蝕刻至5μm的厚度以前亦可包含第1粒子與第2粒子。第1粒子及第2粒子係由金屬氧化物形成。第1粒子的粒徑為3μm以上。第2粒子的粒徑為小於3μm。又，在蒸鍍遮罩基材10的一例中，第1粒子的粒徑分布係在3μm左右具有高峰，且，在第2粒子中，主要為具有2μm以下粒徑的粒子。

因為會有蒸鍍遮罩基材10所含的粒子越大，因粒子所致之凹部較大的傾向，所以在蒸鍍遮罩基材10的厚度相對的較厚的階段，於蒸鍍遮罩基材10形成有針孔10H。相對於此，因為會有蒸鍍遮罩基材10所含的粒子越小，因粒子所致之凹部較小的傾向，所以在蒸鍍遮罩基材10的厚度相對的較薄的階段，於蒸鍍遮罩基材10形成有針孔10H。

根據蒸鍍遮罩基材10，蒸鍍遮罩基材10包含第1粒子、比第1粒子還小的第2粒子。因此，根據將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至5μm時所形成的針孔10H的數量，可掌握在蒸鍍遮罩基材10比5μm還要厚的範圍中之第1粒子的分布的傾向。

第1粒子及第2粒子的粒徑係可透過例如蒸鍍遮罩基材10的蝕刻，由蒸鍍遮罩基材10獲得的粒子來掌握。再者，也可由在蝕刻後之蒸鍍遮罩基材10的表面10F以顯微鏡進行觀察的粒子，掌握各粒子的粒徑。

蒸鍍遮罩基材10係由鐵鎳系合金所形成的軋延材。鐵鎳系合金係包含例如，30質量%以上的鎳。鐵鎳系合金中，較佳為以36質量%的鎳和剩餘份量的鐵之合金為主成分的合金，亦即恆範鋼(invar)，作為用以形成蒸鍍遮罩基材10的材料。在36質量%的鎳和剩餘份量的鐵之合金為金屬板主成分的情況時，蒸鍍遮罩基材10會有包含例如，鉻、錳、碳及鈷等的添加物的情況。

又，蒸鍍遮罩基材10亦可為由鐵鎳鈷系合金所形成的軋延材。鐵鎳鈷系合金係包含例如，30質量%以上的鎳、3質量%以上的鈷及剩餘份量的鐵之合金。鐵鎳鈷系合金中，較佳為包含32質量%的鎳、4質量%以上5質量%以下的鈷之合金，亦即超恆範鋼，作為用以形成蒸鍍遮罩基材10的材料。在超恆範鋼中，相對於32質量%的鎳及4質量%以上5質量%以下的鈷之剩餘份量，會有包含主成分為鐵以外的添加物的情況。添加物係例如，鉻、錳及碳等。鐵‐鎳‐鈷系合金所包含的添加物最大也不過為0.5質量%以下。

第1粒子及第2粒子係由金屬氧化物形成。金屬氧化物係例如，包含鎂、錳及鋁中的至少1者、以及氧氣。亦即，金屬氧化物係亦可僅包含選自於鎂、錳及鋁構成的群中的1者，亦可包含選自於該群中的2者以上。就鎂、錳及鋁以外的金屬而言，金屬氧化物係亦可例如，包含鈉、鉀、鈣、鈦及鉻中的至少1者。亦即，金屬氧化物係亦可僅包含選自於鈉、鉀、鈣、鈦及鉻構成的群中的1者，亦可包含選自於該群中的2者以上。再者，金屬氧化物亦可包含矽、硫磺及氯中的至少1者。亦即，金屬氧化物係亦可僅包含選自於矽、硫磺及氯構成的群中的1者，亦可包含選自於矽、硫磺及氯構成的群中的2者以上。

[蒸鍍遮罩基材的檢查方法] 參照圖3至圖12，說明蒸鍍遮罩基材10的檢查方法。 蒸鍍遮罩基材10的檢查方法包含：準備蒸鍍遮罩基材10；將蒸鍍遮罩基材10蝕刻至第1厚度；在蝕刻到第1厚度後，計算針孔的數量。蒸鍍遮罩基材10的檢查方法係進一步包含：將蒸鍍遮罩基材10由第1厚度蝕刻至第2厚度，在蝕刻至第2厚度之後，計算針孔的數量，判斷蒸鍍遮罩基材10合格與否。以下，參照圖式，對蒸鍍遮罩基材10的檢查方法進行詳細說明。

如圖3所示，在蒸鍍遮罩基材10的檢查方法中，首先，準備由鐵鎳系合金形成的蒸鍍遮罩基材10。蒸鍍遮罩基材10具備表面10F和背面10R。如上所述，蒸鍍遮罩基材10的厚度T係例如，10μm以上30μm以下。又，以下亦將厚度T稱為初期厚度T。

如圖4所示，蝕刻蒸鍍遮罩基材10。於此時，使用蝕刻液，將蒸鍍遮罩基材10自表面10F蝕刻。藉此，將蒸鍍遮罩基材10蝕刻至第1厚度T1。亦即，藉由蝕刻蒸鍍遮罩基材10，將蒸鍍遮罩基材10厚度由初期厚度T減少到第1厚度T1。蝕刻液係例如氯化鐵溶液。

又，在將具有初期厚度T的蒸鍍遮罩基材10蝕刻至第1厚度T1時，可使用噴灑式蝕刻。在噴灑式蝕刻中，對蒸鍍遮罩基材10的表面10F噴吹蝕刻液。在此時，例如，在鉛直方向，使蒸鍍遮罩基材10的表面10F位於比背面10R還要上方的位置。然後，沿著延伸於表面10F的法線方向的旋轉軸使蒸鍍遮罩基材10旋轉，且，對旋轉中的蒸鍍遮罩基材10的表面10F噴吹蝕刻液。再者亦可例如，在鉛直方向，使蒸鍍遮罩基材10的表面10F位於比背面10R還要下方的位置，且，對位於下方的表面10F噴吹蝕刻液。

無論是在哪一個情況下，因表面10F的蝕刻而在表面10F形成有凹部的情況下，蝕刻液積留於凹部一事皆可被抑制。因此，可抑制在將蒸鍍遮罩基材10蝕刻至第1厚度T1的處理結束後，殘存於凹部的蝕刻液過度地蝕刻凹部。從而，可抑制在計算針孔時之針孔的數量不會背離在蝕刻結束的時間點之針孔的數量。

在將蒸鍍遮罩基材10蝕刻至第1厚度T1後，計算將蒸鍍遮罩基材10沿著厚度方向貫通之針孔10H的數量。在此時，計算在表面10F中之連結針孔10H的邊緣的任意2點的線段的最大值為1μm以上100μm以下之針孔10H的數量。

圖5中係例示出從與表面10F相對向的視點來觀看的針孔10H的形狀。 如圖5所示，從與表面10F相對向的視點來看，針孔10H的第1例是具有圓形。在針孔10H具有圓形的情況時，連結針孔10H的邊緣的任意2點的線段的最大值係與針孔10H之直徑D的長度相等。

從與表面10F相對向的視點來看，針孔10H的第2例是具有橢圓形。在針孔10H具有橢圓形的情況時，連結針孔10H的邊緣的任意2點的線段的最大值係與針孔10H之長軸LA的長度相等。

又，在從與表面10F相對向的視點觀看的情況時，針孔10H有時也會具有圓形及橢圓形以外的形狀。在該情況時，如上所述，連結針孔10H的邊緣的任意2點的線段之中，根據最大的線段來掌握針孔10H的大小。

如圖6所示，使用蝕刻液將蒸鍍遮罩基材10自表面10F，由第1厚度T1蝕刻至第2厚度T2。亦即，藉由將蒸鍍遮罩基材10自表面10F蝕刻，將具有第1厚度T1之蒸鍍遮罩基材10的厚度減少至第2厚度T2。蝕刻液係例如氯化鐵溶液。

又，在將具有第1厚度T1的蒸鍍遮罩基材10蝕刻至第2厚度T2時，可使用噴灑式蝕刻。噴灑式蝕刻中，對蒸鍍遮罩基材10的表面10F，噴吹蝕刻液。在此時，例如，在鉛直方向，使蒸鍍遮罩基材10的表面10F位於比背面10R還要上方的位置。然後，沿著延伸於表面10F的法線方向的旋轉軸使蒸鍍遮罩基材10旋轉，且，對旋轉中的蒸鍍遮罩基材10的表面10F噴吹蝕刻液。再者亦可例如，在鉛直方向，使蒸鍍遮罩基材10的表面10F位於比背面10R還要下方的位置，且，對位於下方的表面10F噴吹蝕刻液。

無論是在哪一個情況下，因表面10F的蝕刻而在表面10F形成有凹部的情況下，蝕刻液積留於凹部一事皆可被抑制。因此，可抑制在將蒸鍍遮罩基材10蝕刻至第2厚度T2的處理結束後，殘存於凹部的蝕刻液過度地蝕刻凹部。從而，可抑制在計算針孔時之針孔的數量不會背離在蝕刻結束的時間點之針孔的數量。

在將蒸鍍遮罩基材10蝕刻至第2厚度T2後，計算將蒸鍍遮罩基材10沿著厚度方向貫通之針孔10H的數量。又，在此時，與在具有第1厚度T1的蒸鍍遮罩基材10中計算針孔10H的情況相同，計算在表面10F中之連結針孔10H的邊緣的任意2點的線段的最大值為1μm以上100μm以下之針孔10H的數量。

接著，利用已計算的針孔10H的數量，判定蒸鍍遮罩基材10的合格與否。詳言之，在滿足以下的條件3及條件4雙方的情況時，判定蒸鍍遮罩基材10作為用以製造蒸鍍遮罩的基材是合格的。 (條件3)在第1厚度T1之針孔10H的數量為第1基準值以下。 (條件4)在第2厚度T2之針孔10H的數量為第2基準值以下。

又，在蒸鍍遮罩基材10未滿足條件3及條件4的至少一者的情況時，判定蒸鍍遮罩基材10作為用以製造蒸鍍遮罩的基材是不合格的。亦即，在蒸鍍遮罩基材10僅未滿足條件3及條件4中的至少1者的情況時，以及，在蒸鍍遮罩基材10未滿足條件3及條件4雙方的情況時，判定蒸鍍遮罩基材10作為用以製造蒸鍍遮罩的基材是不合格的。

於透過上述檢查方法檢查蒸鍍遮罩基材10時，從具有帶狀的蒸鍍遮罩基材10的一部分切下檢查用樣品。例如，在蒸鍍遮罩基材10的長邊方向之既定的位置中，自寬度方向的中央部切下檢查用樣品。然後，相對於該樣品，進行上述檢查。又，樣品只要具有至少100cm ²的大小即可。樣品亦可為例如，具有一邊的長度為10cm以上之正方形。或者，樣品亦可為長方形。再者，帶狀的蒸鍍遮罩基材10，係在長邊方向中具有一對的端部，一對的端部係由第1端部和第2端部所構成。在蒸鍍遮罩基材10中，亦可自第1端部以第2端部中任一者切下樣品，對該樣品進行上述檢查。

或者，亦可針對從第1端部切下的第1樣品、從第2端部切下的第2樣品，進行上述檢查。藉此，在蒸鍍遮罩基材10的整體中，可掌握粒子10P1、10P2的分布之傾向。

根據這樣的蒸鍍遮罩基材10的檢查方法，計算在將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至第1厚度T1時所形成的針孔10H的數量與在將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至第2厚度T2時所形成的針孔10H的數量。因而，由在第1厚度T1之針孔10H的數量與在第2厚度T2之針孔10H的數量間的差分，可掌握在蒸鍍遮罩基材10的厚度方向中之粒子分布的傾向。又，在以下參照之圖7至圖12中，顯示了蒸鍍遮罩基材10中之粒子分布的一個例子。

而且，於在將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至第1厚度T1時所形成的針孔10H的數量與在將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至第2厚度T2時所形成的針孔10H的數量係在既定的基準值以下的情況時，判定蒸鍍遮罩基材10為合格。因此，於蒸鍍遮罩基材10形成有遮罩孔的情況時，可抑制在遮罩孔的開口產生缺口。藉此，根據上述的檢查方法，可篩選能提高遮罩孔所具備的開口形狀的精度之蒸鍍遮罩基材。

以下，參照圖7至圖9，針對蒸鍍遮罩基材10的第1例應用了上述檢查方法的情況之蒸鍍遮罩基材10的狀態進行說明。再者，參照圖10至圖12，針對蒸鍍遮罩基材10的第2例應用了上述檢查方法的情況之蒸鍍遮罩基材10的狀態進行說明。又，蒸鍍遮罩基材10的第1例係包含第1粒子和第2粒子雙方。相對於此，蒸鍍遮罩基材10的第2例係僅包含第2粒子。

如圖7所示，蒸鍍遮罩基材10的第1例包含複數個第1粒子10P1、複數個第2粒子10P2。如上所述，第1粒子10P1的粒徑為3μm以上，第2粒子10P2的粒徑為小於3μm。在蒸鍍遮罩基材10的蝕刻前，蒸鍍遮罩基材10並不具有針孔10H。蒸鍍遮罩基材10的初期厚度T為例如10μm以上30μm以下。

圖8係顯示以將蒸鍍遮罩基材10的厚度從初期厚度T減少至第1厚度T1的方式，將蒸鍍遮罩基材10自表面10F蝕刻的狀態。又，第1厚度T1為例如5μm。

如圖8所示，由於蒸鍍遮罩基材10被蝕刻，蒸鍍遮罩基材10所包含的第1粒子10P1及第2粒子10P2的至少一者係從蒸鍍遮罩基材10脫落。因此，在蒸鍍遮罩基材10中之第1粒子10P1或第2粒子10P2脫落的部位形成有凹部10D。凹部10D的深度及由與表面10F相對的視點觀看的凹部10D的大小，係視曾位於該凹部10D內之粒子10P1、10P2的大小來決定。

因此，因第1粒子10P1脫落而形成之凹部10D的深度具有比因第2粒子10P2脫落而形成之凹部10D的深度還要深的傾向。再者，從與表面10F相對向的視點來看，因第1粒子10P1脫落而形成之凹部10D具有比因第2粒子10P2脫落而形成之凹部10D還要大的傾向。

又，根據蒸鍍遮罩基材10包含之第1粒子10P1的大小及在蒸鍍遮罩基材10的厚度方向中之第1粒子10P1的位置，於蒸鍍遮罩基材10被蝕刻至第1厚度T1時，有時會形成有針孔10H。於此情況，透過因第1粒子10P1自蒸鍍遮罩基材10脫落而形成的孔貫通蒸鍍遮罩基材10而形成有針孔10H。

圖9係顯示以將蒸鍍遮罩基材10的厚度從參照圖8並於先前說明過的第1厚度T1減少至第2厚度T2的方式，將蒸鍍遮罩基材10自表面10F蝕刻的狀態。又，第2厚度T2為例如3μm。

如圖9所示，因為蒸鍍遮罩基材10會被蝕刻至第2厚度T2，所以在蒸鍍遮罩基材10被蝕刻至第1厚度T1時所形成的凹部10D內將會進行蒸鍍遮罩基材10的蝕刻。藉此，透過凹部10D的前端到達蒸鍍遮罩基材10的背面10R，而在蒸鍍遮罩基材10形成有針孔10H。

如圖10所示，蒸鍍遮罩基材10的第2例係包含複數個第2粒子10P2。如上所述，第2粒子10P2的直徑為小於3μm。在蒸鍍遮罩基材10的蝕刻前，蒸鍍遮罩基材10並不具有針孔10H。蒸鍍遮罩基材10的初期厚度T為例如10μm以上30μm以下。

圖11係顯示以將蒸鍍遮罩基材10的厚度從初期厚度T減少至第1厚度T1的方式，將蒸鍍遮罩基材10自表面10F蝕刻的狀態。又，第1厚度T1為例如5μm。

如圖11所示，由於蒸鍍遮罩基材10被蝕刻，蒸鍍遮罩基材10所包含的第2粒子10P2的一部分係從蒸鍍遮罩基材10脫落。藉此，在蒸鍍遮罩基材10中之第2粒子10P2脫落的部位形成有凹部10D。又，在蒸鍍遮罩基材10中，第1的第2粒子10P2位於第2的第2粒子10P2的附近，且，2個第2粒子10P2有時會沿著厚度方向排列。在此情況時，因第1個第2粒子10P2脫落而形成的凹部會與因第2個第2粒子10P2脫落而形成的凹部相連。藉此，形成有沿著厚度方向延伸之1個凹部10D。再者，於複數個凹部10D，也包含因只有1個第2粒子10P2脫落而形成的凹部10D。

圖12係顯示以將蒸鍍遮罩基材10的厚度從參照圖11並於先前說明過的第1厚度T1減少至第2厚度T2的方式，將蒸鍍遮罩基材10自表面10F蝕刻的狀態。又，第2厚度T2為例如3μm。

如圖12所示，因為藉由蒸鍍遮罩基材10會被蝕刻至第2厚度T2，所以蒸鍍遮罩基材10被蝕刻至第1厚度T1時所形成的凹部10D內將會進行蒸鍍遮罩基材10的蝕刻。於蒸鍍遮罩基材10僅包含第2粒子10P2的情況時，將在因沿著厚度方向排列之複數個凹部相連而形成的凹部10D中進行蝕刻，藉此，形成有將蒸鍍遮罩基材10貫通的針孔10H。

[蒸鍍遮罩的製造方法] 參照圖13至圖15，說明蒸鍍遮罩的製造方法。 蒸鍍遮罩的製造方法係包含準備使用蒸鍍遮罩基材10的檢查方法並被判定為合格之蒸鍍遮罩基材10，及蝕刻蒸鍍遮罩基材10藉以在蒸鍍遮罩基材10形成複數個遮罩孔。

圖13係顯示形成在蒸鍍遮罩基材10的遮罩孔的第1例。圖13係顯示沿著與蒸鍍遮罩基材10的表面10F正交的平面之剖面構造。 如圖13所示，於蒸鍍遮罩基材10，藉由濕蝕刻而形成有複數個遮罩孔10MH。遮罩孔10MH的第1開口MHA1係位於表面10F。遮罩孔10MH的第2開口MHA2係位於背面10R。從與表面10F相對向的視點來看，第1開口MHA1比第2開口MHA2還要大，且，第2開口MHA2位於第1開口MHA1內。遮罩孔10MH具有由表面10F朝背面10R之前端變細的圓弧狀。

於形成圖13所示之遮罩孔10MH時，首先，在蒸鍍遮罩基材10的表面10F形成阻劑遮罩。接著，藉由使用了阻劑遮罩的濕蝕刻，將蒸鍍遮罩基材10自蒸鍍遮罩基材10的表面10F蝕刻。藉此，在蒸鍍遮罩基材10形成有遮罩孔10MH。

又，在圖13中，雖遮罩孔10MH的第1開口MHA1係與相鄰的遮罩孔10MH的第1開口MHA1相接，但遮罩孔10MH的第1開口MHA1亦可與相鄰的遮罩孔10MH的第1開口MHA1分離。或者，遮罩孔10MH的第1開口MHA1亦可在第1開口MHA1的連接部中，以蒸鍍遮罩基材10的厚度減少的方式，與相鄰的遮罩孔10MH的第1開口MHA1相接。

圖14係顯示形成在蒸鍍遮罩基材10的遮罩孔的第2例。圖14係顯示沿著與蒸鍍遮罩基材10的表面10F正交的平面之剖面構造。 如圖14所示，於蒸鍍遮罩基材10，藉由濕蝕刻而形成有複數個遮罩孔10MH。遮罩孔10MH的第1開口MHA1係位於表面10F。遮罩孔10MH的第2開口MHA2係位於背面10R。從與表面10F相對向的視點來看，第1開口MHA1比第2開口MHA2還要大，且，第2開口MHA2位於第1開口MHA1內。

遮罩孔10MH係由大孔部MHL和小孔部MHS所形成。在蒸鍍遮罩基材10的厚度方向之表面10F與背面10R間，大孔部MHL係與小孔部MHS相連。大孔部MHL包含第1開口MHA1。大孔部MHL具有由表面10F朝背面10R之前端變細的圓弧狀。小孔部MHS包含第2開口MHA2。小孔部MHS具有由背面10R朝表面10F之前端變細的圓弧狀。

於形成圖14所示之遮罩孔10MH時，首先，在蒸鍍遮罩基材10的表面10F和背面10R分別形成阻劑遮罩。接著，藉由使用了位於背面10R的阻劑遮罩的濕蝕刻，將蒸鍍遮罩基材10自蒸鍍遮罩基材10的背面10R蝕刻。藉此，在蒸鍍遮罩基材10形成小孔部MHS。接下來，藉由使用了位於表面10F的阻劑遮罩的濕蝕刻，將蒸鍍遮罩基材10自蒸鍍遮罩基材10的表面10F蝕刻。藉此，在蒸鍍遮罩基材10形成大孔部MHL。結果，藉由1個大孔部MHL和1個小孔部MHS相連，在蒸鍍遮罩基材10形成有遮罩孔10MH。

又，在圖14中，雖遮罩孔10MH的第1開口MHA1係與相鄰的遮罩孔10MH的第1開口MHA1相接觸，但遮罩孔10MH的第1開口亦可與相鄰的遮罩孔10MH的第1開口MHA1分離。或者，遮罩孔10MH的第1開口MHA1亦可在第1開口MHA1的連接部中，以蒸鍍遮罩基材10的厚度減少的方式，與相鄰的遮罩孔10MH的第1開口MHA1相接。

圖15係顯示具備蒸鍍遮罩的遮罩裝置的平面構造。 如圖15所示，由蒸鍍遮罩基材10形成的蒸鍍遮罩10M係具有帶狀。蒸鍍遮罩10M具備複數個遮罩部10MA、圍繞遮罩部10MA的周邊部10MB。複數個遮罩孔10MH係位於遮罩部10MA。遮罩孔10MH並未位於周邊部10MB。

遮罩裝置20具備複數個蒸鍍遮罩10M、遮罩框21。遮罩框21具有框孔21H。各蒸鍍遮罩10M係以遮罩部10MA位於框孔21H內的方式，被安裝在遮罩框21。蒸鍍遮罩10係透過例如熔接而被安裝於遮罩框21。又，蒸鍍遮罩10M在被安裝於遮罩框21後，蒸鍍遮罩10M中之比被熔接於遮罩框21的部分還要外側的部分係與包含遮罩部10MA的部分分離。

[顯示裝置的製造方法] 參照圖16說明顯示裝置的製造方法。 顯示裝置的製造方法係包含使用利用蒸鍍遮罩的製造方法所製造的蒸鍍遮罩而形成蒸鍍圖案。以下，說明蒸鍍裝置的一例，並說明形成圖案的步驟。

如圖16所示，蒸鍍裝置30係具備容納遮罩裝置20、蒸鍍對象S的容納槽31。容納槽31係構成為:將蒸鍍對象S與遮罩裝置20保持在容納槽31內之既定的位置。於容納槽31內存在有保持蒸鍍材料Mvd的保持部32、加熱蒸鍍材料Mvd的加熱部33。保持部32所保持的蒸鍍材料Mvd為有機發光材料。關於容納槽31，係以遮罩裝置20位在蒸鍍對象S與保持部32間，且遮罩裝置20與保持部32會相對向之方式使蒸鍍對象S與遮罩裝置20位於容納槽31內。遮罩裝置20係於遮罩孔10MH的第2開口MHA2所位在的面與蒸鍍對象S密貼的狀態或接近的狀態下被配置於容納槽31內。

在形成圖案的步驟中，透過藉由加熱部33加熱蒸鍍材料Mvd，蒸鍍材料Mvd會汽化或昇華。經汽化或昇華的蒸鍍材料Mvd係通過蒸鍍遮罩10M的遮罩孔10MH而附著於蒸鍍對象S。藉此，具有與蒸鍍遮罩10M所具有的遮罩孔10MH的形狀及位置對應之形狀的有機層係形成在蒸鍍對象S中的既定的位置。有機層為蒸鍍圖案的一例。

[實施例] 參照圖17及表1，說明實施例及比較例。 [實施例1] 準備了包含鐵與鎳的原材料後，將原材料與脫氧劑投入熔解爐內。於此時，準備了包含鋁、鎂及錳的粒子作為脫氧劑。使用熔解爐加熱原材料，藉此，將包含脫氧劑的原材料熔解。接著，透過將原材料冷卻而得到具有板狀的第1晶棒。然後，在第1晶棒中相對向之第1面及第2面，將表層去除。

將除去了表層的第1晶棒投入熔解爐，接著，藉由將第1晶棒加熱，熔解第1晶棒。然後，藉由將已熔解的第1晶棒再次冷卻，再次形成具有板狀的第2晶棒。接著，在第2晶棒中相對向之第1面及第2面，將表層去除。藉此，獲得包含36質量%的鎳與殘餘部分的鐵之鐵鎳系合金製母材，且為含有透過脫氧劑的氧化而形成之金屬氧化物粒子的母材。

然後，透過對母材依序進行軋延步驟、退火步驟及切割(slit)步驟，而獲得具有25μm厚度之實施例1的蒸鍍遮罩基材。

[實施例2] 在實施例1中，除了改變脫氧劑的種類以外，透過與實施例1相同的方法，獲得實施例2的蒸鍍遮罩基材。

[實施例3] 在實施例1中，除了增加脫氧劑的量，且將在第1晶棒的第1面及第2面中要去除的表層厚度薄化以外，透過與實施例1相同的方法，獲得實施例3的蒸鍍遮罩基材。

[實施例4] 在實施例1中，除了藉由提升在軋延步驟的軋縮率(rolling reduction)而獲得具有15μm厚度的蒸鍍遮罩基材以外，透過與實施例1相同的方法，獲得實施例4的蒸鍍遮罩基材。

[實施例5] 在實施例3中，除了藉由提升在軋延步驟的軋縮率而獲得具有15μm厚度的蒸鍍遮罩基材以外，透過與實施例3相同的方法，獲得實施例5的蒸鍍遮罩基材。

[比較例1] 在實施例3中，除了增加脫氧劑的量以外，透過與實施例3相同的方法，獲得比較例1的蒸鍍遮罩基材。

[比較例2] 在比較例1中，除了增加脫氧劑的量以外，透過與比較例1相同的方法，獲得比較例2的蒸鍍遮罩基材。

[比較例3] 在比較例1中，除了藉由提升在軋延步驟的軋縮率而獲得具有15μm厚度的蒸鍍遮罩基材以外，透過與比較例1相同的方法，獲得比較例3的蒸鍍遮罩基材。

[比較例4] 在比較例2中，除了藉由提升在軋延步驟的軋縮率而獲得具有15μm厚度的蒸鍍遮罩基材以外，透過與比較例2相同的方法，獲得比較例4的蒸鍍遮罩基材。

[評價方法] [針孔數量] 於各實施例及各比較例的蒸鍍遮罩基材中，在具有帶狀的蒸鍍遮罩基材之第1端部及第2端部的各者中，由寬度方向之中央部，切下具有一邊為長度150mm之呈正方形的試驗片。再者，在各實施例及各比較例中，由第1端部及第2端部的各者切下3片試驗片。接著，準備一邊具有長度150mm且具有厚度2.3mm之玻璃基板。然後，使用雙面帶將試驗片貼附於玻璃基板。

藉由使用了液溫為50℃且比重為1.55之氯化鐵溶液的噴灑式蝕刻，自試驗片的表面將試驗片蝕刻。藉此，將初期厚度為25μm抑或為15μm之試驗片蝕刻至第1厚度亦即5μm為止。接著，計算在蝕刻後的試驗片中的位於表面的針孔的數量。

然後，藉由使用了上述氯化鐵溶液的噴灑式蝕刻，將具有第1厚度的試驗片，自試驗片表面進行了蝕刻。因此，將試驗片的厚度減少至第2厚度亦即3μm為止。接著，計算在蝕刻後的試驗片中的位於表面的針孔的數量。

又，利用以下的方法計算在試驗片表面的針孔數量。亦即，分別針對具有第1厚度的試驗片及具有第2厚度的試驗片，設定了具有一邊為100mm長度之呈正方形狀的被評價區域。於此時，以被評價區域的中心係與試驗片的中心一致且被評價區域的各邊與試驗片中任一邊平行的方式，對試驗片設定被評價區域。

使用CNC圖像量測系統(尼康股份有限公司(Nikon Corporation)製，NEXIV VMZ‐R6555)，拍攝試驗片，然後，計算在所拍攝的圖像中的針孔的數量。於此時，以將倍率設定為270倍，且表面中具有1.165mm的長度且具有0.875mm的寬度之區域係收在1個圖像中的方式作設定，且以透射照明拍攝試驗片。在透射照明中，使用額定電壓為12V且消耗電力為100W的鹵素燈，並且，將照度設定成22500勒克司(lux)。

在各試驗片的被評價區域中，透過在彼此不同的位置拍攝圖像，而獲得了9810的圖像。計算各圖像所包含之針孔的數量，且量測各針孔的大小。藉此，計算被評價區域所包含的針孔的總數量，且量測各針孔的大小。

[遮罩孔的形狀] 在各實施例及各比較例的蒸鍍遮罩基材中，第1端部及第2端部的各者之中，自寬度方向的中央部，切下在寬度方向具有70mm的長度且在長邊方向具有130mm的長度之試驗片。又，針對各實施例及各比較例，自第1端部及第2端部分別切下10片試驗片。接下來，於試驗片的表面及背面雙方形成阻劑遮罩。然後，藉由使用了位於背面的阻劑遮罩之濕蝕刻形成小孔部，接著，藉由使用了位於表面的阻劑遮罩之濕蝕刻形成大孔部。於試驗片的蝕刻，使用了氯化鐵溶液。藉此，形成具有第1開口和第2開口的遮罩孔，該第1開口具有一邊的長度為75μm的正方形狀，該第2開口具有一邊的長度為40μm的正方形狀。再者，於各試驗片中，以在格子點間的距離為80μm之正方格子的格子點上存在有1個遮罩孔，並且，在長邊方向排列1600個遮罩孔且在寬度方向排列850個遮罩孔的方式，形成了複數個遮罩孔。因此，對1個試驗片形成有1,360,000個遮罩孔。

使用數位線型掃描相機(竹中系統機器股份有限公司(TAKENAKA SYSTEM CO.,LTD.)製，TL-16KACL)拍攝試驗片的背面。於此時，以與試驗片表面相對向的方式配置光源，且，對自表面朝向背面透射試驗片之透過光進行拍攝。

圖17係顯示出透過使用了數位線型掃描相機拍攝而獲得的圖像之一例子。 如圖17所示，第2開口MHA2的邊緣中，將從大致正方形部分突出之部分的長度L為5μm以上的部分判定為在第2開口MHA2中的缺陷。針對各試驗片，計算具有缺陷之第2開口MHA2的數量。又，針對試驗片所具有之全部的第2開口MHA2，判定是否有缺陷。

[評價結果] 針對各實施例及各比較例的試驗片，在第1厚度T1的針孔數量、在第2厚度T2的針孔數量及具有缺陷之遮罩孔的數量係如同以下的表1所示。再者，在第1厚度T1的針孔數量及在第2厚度T2的針孔數量係針對各實施例及各比較例中，計算在6片試驗片中之個數的平均值。又，經確認有缺陷之遮罩孔的數量係針對各實施例及各比較例中，計算在20片試驗片之個數的平均值。

[表1]

	針孔數(個)	缺陷數(個)	判定
5μm厚	3μm厚
實施例1	7	34	0.8	○
實施例2	3	50	0.9	○
實施例3	17	90	1.0	○
實施例4	3	24	0.6	○
實施例5	6	27	0.7	○
比較例1	25	161	1.9	×
比較例2	38	338	4.5	×
比較例3	20	111	1.2	×
比較例4	27	139	1.7	×

如表1所示，看到了在實施例1中，於將試驗片蝕刻至第1厚度T1後之針孔的數量為7個，蝕刻至第2厚度T2後之針孔的數量為34個。看到了在實施例2中，於將試驗片蝕刻至第1厚度T1後之針孔的數量為3個，蝕刻至第2厚度T2後之針孔的數量為50個。看到了在實施例3中，於將試驗片蝕刻至第1厚度T1後之針孔的數量為17個，蝕刻至第2厚度T2後之針孔的數量為90個。看到了在實施例4中，於將試驗片蝕刻至第1厚度T1後之針孔的數量為3個，蝕刻至第2厚度T2後之針孔的數量為24個。看到了在實施例5中，於將試驗片蝕刻至第1厚度T1後之針孔的數量為6個，蝕刻至第2厚度T2後之針孔的數量為27個。

看到了在比較例1中，於將試驗片蝕刻至第1厚度T1後之針孔的數量為25個，蝕刻至第2厚度T2後之針孔的數量為161個。看到了在比較例2中，於將試驗片蝕刻至第1厚度T1後之針孔的數量為38個，蝕刻至第2厚度T2後之針孔的數量為338個。看到了在比較例3中，於將試驗片蝕刻至第1厚度T1後之針孔的數量為20個，蝕刻至第2厚度T2後之針孔的數量為111個。看到了在比較例4中，於將試驗片蝕刻至第1厚度T1後之針孔的數量為27個，蝕刻至第2厚度T2後之針孔的數量為139個。

看到了具有缺陷之第2開口MHA2的數量，在實施例1中為0.8個，在實施例2中為0.9個，在實施例3中為1.0個，在實施例4中為0.6個，在實施例5中為0.7個。然後，看到了具有缺陷之第2開口MHA2的數量，在比較例1中為1.9個，在比較例2中為4.5個，在比較例3中為1.2個，在比較例4中為1.7個。

像這樣，看到了在將蒸鍍遮罩基材蝕刻至第1厚度T1後，針孔的數量為17個以下且蝕刻至第2厚度T2後，針孔的數量為90個以下的話，產生缺陷的第1開口的數量為1個以下。再者，看到了在將蒸鍍遮罩基材蝕刻至第1厚度T1後，針孔的數量為7個以下且蝕刻至第2厚度T2後，針孔的數量為50個以下的話，產生缺陷的第1開口的數量為小於1個。

如以上說明，根據蒸鍍遮罩基材、蒸鍍遮罩基材的檢查方法、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法之一實施形態，可獲得以下記載的功效。

(1)由將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至5μm時之針孔10H的數量和將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至3μm時之針孔10H的數量間的差分，可掌握在蒸鍍遮罩基材10的厚度方向之粒子10P1、10P2的分布傾向。

(2)根據蒸鍍遮罩基材10，可抑制在形成於該蒸鍍遮罩基材10之遮罩孔10MH所具備的第2開口MHA2產生缺陷。因此，在蒸鍍遮罩10M中，可提高於遮罩孔10MH所具備的第2開口MHA2的形狀的精度。

(3)蒸鍍遮罩基材10包含第1粒子10P1、比第1粒子10P1還要小的第2粒子10P2。因此，藉由將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至5μm時所形成的針孔10H的數量，可掌握在蒸鍍遮罩基材10比5μm還要厚的範圍中之第1粒子10P1的分布傾向。

(4)由在第1厚度T1的針孔10H的數量和在第2厚度T2的針孔10H的數量間的差分，可掌握在蒸鍍遮罩基材10的厚度方向之粒子10P1、10P2的分布傾向。

(5)在將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至第1厚度T1時所形成之針孔10H的數量，和將蒸鍍遮罩基材10的厚度薄化至第2厚度T2時所形成之針孔10H的數量為既定的基準值以下的情況，判定蒸鍍遮罩基材10為合格。因此，於蒸鍍遮罩基材10形成有遮罩孔10MH的情況時，可抑制在遮罩孔10MH的第2開口MHA2產生缺陷。藉此，能篩選可提高於遮罩孔10MH所具備的第2開口MHA2的形狀精度之蒸鍍遮罩基材10。

又，上述實施形態係可變更並實施如下。 [粒子] ・蒸鍍遮罩基材10亦可僅包含第1粒子10P1及第2粒子10P2的任一者。即便是在此情況，只要蒸鍍遮罩基材10被蝕刻至第1厚度T1時的針孔的數量及被蝕刻至第2厚度T2時的針孔的數量滿足上述範圍的話，就可獲得同上述(1)的效果。

[蒸鍍遮罩基材的檢查方法] ・蒸鍍遮罩基材10的檢查方法中，上述第1厚度T1、第2厚度T2、第1基準值及第2基準值為一個例子。該等的值係可根據例如，檢查對象亦即蒸鍍遮罩基材10所具有的初期厚度T而改變。例如，初期厚度T比30μm還要厚且第1厚度T1及第2厚度T2與在上述實施形態中的厚度相同的話，可於第1基準值設定比在上述實施形態的第1基準值還要大的值。再者，可於第2基準值設定比在上述實施形態的第2基準值還要大的值。

再者，在例如初期厚度T比10μm還要薄且比5μm還要厚的情況，並且第1厚度T1及第2厚度T2與在上述實施形態中的厚度相同的話，可於第1基準值設定比在上述實施形態的第1基準值還要小的值。再者，可於第2基準值設定比在上述實施形態的第2基準值還要小的值。

10:蒸鍍遮罩基材 10D:凹部 10F:表面 10H:針孔 10MH:遮罩孔 10R:背面 10P1:第1粒子 10P2:第2粒子

圖1係顯示蒸鍍遮罩基材的構造的立體圖。 圖2係顯示在圖1所示之蒸鍍遮罩基材表面的一部分的俯視圖。 圖3係顯示用以說明蒸鍍遮罩基材的檢查方法的步驟圖。 圖4係顯示用以說明蒸鍍遮罩基材的檢查方法的步驟圖。 圖5係顯示在圖4所示之蒸鍍遮罩基材表面的一部分的俯視圖。 圖6係顯示用以說明蒸鍍遮罩基材的檢查方法的步驟圖。 圖7係顯示蒸鍍遮罩基材的第1例中之構造的剖視圖。 圖8係顯示蒸鍍遮罩基材的第1例中之構造的剖視圖。 圖9係顯示蒸鍍遮罩基材的第1例中之構造的剖視圖。 圖10係顯示蒸鍍遮罩基材的第2例中之構造的剖視圖。 圖11係顯示蒸鍍遮罩基材的第2例中之構造的剖視圖。 圖12係顯示蒸鍍遮罩基材的第2例中之構造的剖視圖。 圖13係顯示遮罩孔形狀之第1例的剖視圖。 圖14係顯示遮罩孔形狀之第2例的剖視圖。 圖15係顯示遮罩裝置的構造的俯視圖。 圖16係顯示使用於顯示裝置的製造方法之蒸鍍裝置的構造的裝置構成圖。 圖17係顯示形成於實施例及比較例的蒸鍍遮罩之缺陷的一例子的俯視圖。

10F:表面

10H:針孔

Claims (5)

1. 一種蒸鍍遮罩基材，其係被使用於用以形成有機EL元件的蒸鍍遮罩之製造，該蒸鍍遮罩基材係 由包含鐵與鎳之合金形成， 包含由金屬氧化物形成的粒子，且 具有10μm以上30μm以下的厚度， 構成為:藉由將該蒸鍍遮罩基材自表面蝕刻，以形成將該蒸鍍遮罩基材沿著厚度方向貫通的複數個針孔， 從與該蒸鍍遮罩基材的該表面相對向的視點來看，在該表面中，連結各針孔的邊緣的任意2點的線段之最大值為1μm以上100μm以下， 於該表面的每100cm ²存在之該針孔的數量係 在將該蒸鍍遮罩基材蝕刻成5μm的厚度時為17個以下， 在將該蒸鍍遮罩基材蝕刻成3μm的厚度時為90個以下。
2. 如請求項1之蒸鍍遮罩基材，其中 該粒子包含第1粒子和第2粒子， 該第1粒子的粒徑為3μm以上， 該第2粒子的粒徑為小於3μm。
3. 一種蒸鍍遮罩基材的檢查方法，其係被使用於用以形成有機EL元件的蒸鍍遮罩之製造，該蒸鍍遮罩基材的檢查方法包含以下步驟： 準備蒸鍍遮罩基材，該蒸鍍遮罩基材係由包含鐵與鎳之合金所形成，且包含由金屬氧化物形成的粒子； 使用蝕刻液將該蒸鍍遮罩基材自表面蝕刻，藉以將該蒸鍍遮罩基材蝕刻至第1厚度； 計算針孔的數量，該針孔乃係該蒸鍍遮罩基材蝕刻至該第1厚度後，將該蒸鍍遮罩基材沿著厚度方向貫通的針孔，且係在該表面中，連結各針孔的邊緣的任意2點的線段之最大值為1μm以上100μm以下之針孔； 使用該蝕刻液將該蒸鍍遮罩基材自該表面從該第1厚度蝕刻至第2厚度； 在蝕刻至該第2厚度後，計算將該蒸鍍遮罩基材貫通的該針孔的數量；以及 在該第1厚度的該針孔數量為第1基準值以下，且在該第2厚度的該針孔數量為第2基準值以下的情況，判定該蒸鍍遮罩基材為合格。
4. 一種蒸鍍遮罩的製造方法，其係被使用於用以形成有機EL元件的蒸鍍遮罩之製造，該蒸鍍遮罩的製造方法包含以下步驟： 準備經使用如請求項3之蒸鍍遮罩基材的檢查方法而被判定為合格之該蒸鍍遮罩基材；以及 蝕刻該蒸鍍遮罩基材，藉以於該蒸鍍遮罩基材形成複數個遮罩孔。
5. 一種顯示裝置的製造方法，其包含以下步驟： 使用藉由如請求項4之蒸鍍遮罩的製造方法所製造之蒸鍍遮罩以形成蒸鍍圖案。

Images