CN108796438A - 一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备。该制备方法包括：形成过渡掩膜板；对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。采用该方法制备掩膜板时，通过对过渡掩膜板进行电解抛光处理，使得获得的最终掩膜板的厚度小于过渡掩膜板的厚度，从而，减小了相邻像素混色风险，提高了有效显示区的膜厚均一性，有效地提高了OLED面板的显示良率。同时，本发明提出的掩膜板的制备方法，降低了对掩膜板原材料的厚度要求，在一定程度上降低了掩膜板的制作难度，降低了掩膜板的制作成本。本发明还公开了采用该方法制备出的掩膜板以及包括该掩膜板的蒸镀设备。

Description

一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)面板具有自主发光、色彩鲜艳、低功耗、广视角等优点，已成为显示领域的主流产品。目前，OLED面板的主流制作方式是利用掩膜板蒸镀，但利用掩膜板蒸镀存在蒸镀阴影效应，严重影响了OLED面板的蒸镀效果，降低了OLED面板的显示品质。
现有技术中，精细金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)由于受到制作工艺方面的限制，很难减小蒸镀阴影，因此，急需提供一种掩膜板的制备方法，以在使用通过该方法制备出的掩膜板进行蒸镀时，可以减小蒸镀阴影，提高OLED面板的显示品质。
发明内容
本发明实施例的目的是，提供一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备，以减小采用掩膜板蒸镀时产生的蒸镀阴影，提高OLED面板的显示品质。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种掩膜板的制备方法，包括：
形成过渡掩膜板；
对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。
可选地，所述过渡掩膜板包括朝向蒸发源的第一面以及朝向待蒸镀基板的第二面，所述过渡掩膜板上设置有多个贯穿的开孔，所述对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，包括：
在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面，所述第一面和所述第二面中的至少一面暴露出来；
对带有所述保护层的过渡掩膜板进行电解抛光处理，以从暴露的面的一侧减小所述过渡掩膜板的厚度；
除去所述保护层，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。
可选地，所述开孔具有邻接所述第二面的台部，自所述第一面朝向所述第二面的方向上，所述台部的横截面面积相等或逐渐增大，所述在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面，所述第一面和所述第二面中的至少一面暴露出来，包括：在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面和所述第一面，所述第二面暴露出来。
可选地，在所述电解抛光处理中，所述过渡掩膜板作为阳极，阴极的材质包括铂、不锈钢、铅板、石墨中的一种。
可选地，所述电解抛光处理中，电流密度为20～60A/cm2，电压为15V～30V，电解温度20℃～30℃，电解抛光处理时间为30s～60s。
可选地，所述电解抛光液配方包括磷酸和铬酸酐，或者，所述电解抛光液配方包括高氯酸和酒精。
可选地，采用湿法刻蚀工艺形成所述过渡掩膜板。
可选地，所述保护层的材质包括树脂。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种掩膜板，该掩膜板采用以上所述方法制备而成，所述掩膜板包括朝向蒸发源的第一面以及朝向待蒸镀基板的第二面，所述掩膜板上设置有多个贯穿的开孔，自第一面朝向第二面方向上，开孔的横截面面积逐渐减小，所述掩膜板的厚度小于掩膜板基材的厚度。
了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种蒸镀设备，包括蒸发源以及以上所述的掩膜板，所述掩膜板设置在所述蒸发源与待蒸镀基板之间，所述掩膜板的第二面朝向待蒸镀基板方向设置。
本发明实施例提出的掩膜板的制备方法，通过对过渡掩膜板进行电解抛光处理，使得获得的最终掩膜板的厚度小于过渡掩膜板的厚度，而掩膜板的厚度直接与蒸镀阴影效应相关，厚度越大，蒸镀阴影效应越严重，因此，相比于过渡掩膜板，厚度更小的最终掩膜板的蒸镀阴影效应大大减小，进而，减小了相邻像素混色风险，提高了有效显示区的膜厚均一性，有效地提高了OLED面板的显示良率。另外，采用本实施例的制备方法制备掩膜板时，可以通过电解抛光处理不断减小掩膜板原材料的厚度，使得最终掩膜板的厚度达到目标厚度要求，这样就可以降低对掩膜板原材料的厚度要求，在一定程度上降低了掩膜板的制作难度，降低了掩膜板的制作成本。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为一种采用掩膜板进行蒸镀的示意图；
图2为本发明第一实施例掩膜板的制备方法的示意图；
图3为本发明第一实施例中形成的过渡掩膜板的结构示意图；
图4a为本发明第一实施例中涂覆保护层后的结构示意图；
图4b为本发明第一实施例中在过渡掩膜板上形成保护层后的结构示意图；
图5为本发明第一实施例中电解抛光处理的示意图；
图6为本发明第一实施例中形成的最终掩膜板的结构示意图；
图7为本发明第二实施例中形成的过渡掩膜板的结构示意图；
图8为本发明第二实施例中形成开孔的过程结构示意图；
图9a为本发明第二实施例中涂覆保护层后的结构示意图；
图9b为本发明第二实施例中在过渡掩膜板上形成保护层后的结构示意图；
图10为本发明第二实施例中电解抛光处理的示意图；
图11为本发明第二实施例形成的最终掩膜板的结构示意图；
图12为采用图11所示的最终掩膜板进行蒸镀的示意图。
附图标记说明：
1—掩膜板； 10—封装挡板； 20—最终掩膜板；
21—第一面； 22—第二面； 23—开孔；
30—保护层； 45—阴极； 51—第一图案层；
52—第二图案层； 100—基板； 200—蒸发源；
231—台部； 232—敞口部； 511—第一镂空部；
521—第二镂空部。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
图1为一种采用掩膜板进行蒸镀的示意图。在图1中，掩膜板1具有开口23，开口23具有台部231，台部231的高度为h1。掩膜板1设置在待蒸镀基板100和蒸发源200之间，台部231朝向基板100的方向设置，掩膜板1与基板100的距离即蒸镀距离为h。蒸发源200的数量为多个，在图1中只示出了蒸镀过程中的两个蒸发源，蒸发源的蒸镀范围与水平方向的夹角即蒸镀角度为θ。从图1中可以看出，在蒸镀过程中，蒸发源产生的蒸镀材料通过开口23蒸镀到基板100上，并在基板100上产生蒸镀阴影，蒸镀阴影包括位于OLED像素区域外部的外阴影和位于OLED像素区域内部的内阴影，外阴影宽度A＝(h+h1)*tan(90°-θ)，内阴影宽度B＝(h+h1)*tan(90°-θ)。外阴影会造成膜层叠加，增大混色风险，内阴影会影响有效显示区的膜厚均一性，影响光学特性。
从外阴影宽度和内阴影宽度的数值上可以看出，蒸镀阴影宽度与蒸镀距离、蒸镀角度直接相关，并且蒸镀阴影宽度还与台部高度直接相关。在蒸镀距离、蒸镀角度保持不变的前提下，如何降低掩膜板的厚度以及减小台部高度成为减小蒸镀阴影效应最为直接有效的方式。现有技术中，由于受到制作工艺方面的限制，降低FMM的厚度困难重重。
为了降低蒸镀阴影效应，本发明实施例提出了一种掩膜板的制备方法。该掩膜板的制备方法包括：形成过渡掩膜板；对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。
本发明实施例提出的掩膜板的制备方法，通过对过渡掩膜板进行电解抛光处理，使得获得的最终掩膜板的厚度小于过渡掩膜板的厚度，而掩膜板的厚度直接与蒸镀阴影效应相关，厚度越大，蒸镀阴影效应越严重，因此，相比于过渡掩膜板，厚度更小的最终掩膜板的蒸镀阴影效应大大减小，进而，减小了相邻像素混色风险，提高了有效显示区的膜厚均一性，有效地提高了OLED面板的显示良率。另外，采用本实施例的制备方法制备掩膜板时，可以通过电解抛光处理不断减小掩膜板原材料的厚度，使得最终掩膜板的厚度达到目标厚度要求，这样就可以降低对掩膜板原材料的厚度要求，在一定程度上降低了掩膜板的制作难度，降低了掩膜板的制作成本。
下面将通过具体的实施例详细介绍本发明的技术内容。
第一实施例：
图2为本发明第一实施例掩膜板的制备方法的示意图。该方法包括：
形成过渡掩膜板；
对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。
在本实施例中，所述过渡掩膜板包括朝向蒸发源的第一面以及朝向待蒸镀基板的第二面，所述过渡掩膜板上设置有多个贯穿的开孔，因此，在本实施例中，掩膜板的制备方法，具体包括：
S11：形成过渡掩膜板，所述过渡掩膜板包括朝向蒸发源的第一面以及朝向待蒸镀基板的第二面，所述过渡掩膜板上设置有多个贯穿的开孔；
S12：在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面，所述第一面和所述第二面中的至少一面暴露出来；
S13：对带有所述保护层的过渡掩膜板进行电解抛光处理，以从暴露的面的一侧减小所述过渡掩膜板的厚度；
S14：除去所述保护层，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。
本发明实施例提出的掩膜板的制备方法，通过对带有保护层的过渡掩膜板进行电解抛光处理，可以使得暴露的面的一侧的材质以离子形式从过渡掩膜板上脱离，从而从暴露的面的一侧减小过渡掩膜板的厚度，使得获得的最终掩膜板的厚度小于过渡掩膜板的厚度，而掩膜板的厚度直接与蒸镀阴影效应相关，厚度越大，蒸镀阴影效应越严重，因此，相比于过渡掩膜板，厚度更小的最终掩膜板的蒸镀阴影效应大大减小，进而，减小了相邻像素混色风险，提高了有效显示区的膜厚均一性，有效地提高了OLED面板的显示良率。另外，采用本实施例的制备方法制备掩膜板时，可以通过电解抛光处理不断减小掩膜板原材料的厚度，使得最终掩膜板的厚度达到目标厚度要求，这样就可以降低对掩膜板原材料的厚度要求，在一定程度上降低了掩膜板的制作难度，降低了掩膜板的制作成本。
下面将通过具体的实施例详细说明本发明实施例的技术方案。其中，沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。
S11：形成过渡掩膜板，所述过渡掩膜板包括朝向蒸发源的第一面以及朝向待蒸镀基板的第二面，所述过渡掩膜板上设置有多个贯穿的开孔，具体包括：
在掩膜板基材上形成开孔，开孔贯穿掩膜板基材，以形成过渡掩膜板。图3为本发明第一实施例中形成的过渡掩膜板的结构示意图，从图3中可以看出，过渡掩膜板20’包括第一面21和第二面22，在蒸镀过程中，第一面21朝向蒸发源方向，第二面22朝向待蒸镀基板方向。过渡掩膜板20’上设置有多个开孔23，开孔23与待蒸镀基板上的OLED像素区域对应设置。在本实施例中，形成过渡掩膜板的过程属于现有技术，在此不再详细赘述。在本实施例中，在蒸镀方向上即自第一面21朝向第二面22的方向上，开孔23的横截面面积相等，容易理解的是，在蒸镀方向上，开孔的横截面面积也可以逐渐减小，只要满足蒸镀要求即可，开孔的横截面形状可以根据具体需要设置。
S12：在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面，所述第一面和所述第二面中的至少一面暴露出来，具体包括：
在过渡掩膜板20’的第二面22上设置封装挡板10。
在过渡掩膜板20’的第一面21上涂覆以形成保护层30，保护层30覆盖开孔23的内侧面以及第一面21，如图4a所示，图4a为本发明第一实施例中涂覆保护层后的结构示意图。
除去封装挡板10，获得带有保护层30的过渡掩膜板，如图4b所示，图4b为本发明第一实施例中在过渡掩膜板上形成保护层后的结构示意图。从图4b中可以看出，保护层30覆盖开孔23的内侧面以及第一面21，第二面22暴露出来。
其中，封装挡板可以采用玻璃基底或石英基底，保护层的材质可以为树脂，如光刻胶等。“涂覆”可采用已知的涂覆工艺。
S13：对带有所述保护层的过渡掩膜板进行电解抛光处理，以从暴露的面的一侧减小所述过渡掩膜板的厚度，具体包括：
将带有保护层30的过渡掩膜板20’作为阳极并与直流电源的正极电连接，将阴极45与直流电源的负极电连接。
将过渡掩膜板20’和阴极45放入电解抛光液中进行电解抛光处理，如图5所示，图5为本发明第一实施例中电解抛光处理的示意图。
在本实施例中，过渡掩膜板的材质为因瓦合金，属于铁镍合金，电解抛光液配方包括80mL～120mL的磷酸和40g～60g的铬酸酐(优选地，磷酸为100mL，铬酸酐为50g)。电流密度为20～60A/cm2，直流电源的电压为15V～30V，电解温度20℃～30℃，电解抛光处理时间为30s～60s。
在电解抛光处理过程中，过渡掩膜板20’的第二面的一侧的材质不断以离子的方式脱离过渡掩膜板，使得过渡掩膜板的厚度从第二面的一侧不断减小，实现了从暴露的第二面的一侧减小过渡掩膜板厚度的目的。电解抛光利用了电化学阳极溶解的原理，没有机械力的作用，因此，不会引起过渡掩膜板的表面变形，可以获得平滑、光亮的表面，保证了精细金属掩膜板的朝向待蒸镀基板的一面与待蒸镀基板之间不会发生划伤等问题，有利于提高蒸镀产品良率。
容易理解的是，可以通过控制电解抛光处理时间，以获得过渡掩膜板的不同厚度减小量，从而获得目标厚度的掩膜板。
当然，电解抛光处理并不限于上述条件，在其它实施例中，电解抛光液配方可以包括质量分数为70％的高氯酸和酒精溶液，其中，高氯酸的体积百分比约为10％，电流密度为20～60A/cm2，直流电源的电压为15V～30V，电解温度为低温，例如-15℃～-25℃(优选为-20℃)，电解抛光处理时间为20s～60s。
电解过程会产生热量，因此，本实施例中，通过恒温控制器来维持电解抛光液的温度，使得电解抛光液的温度始终处于电解温度范围。
在本实施例中，阴极45的材质包括铂(Pt)，阴极的材质还可以包括不锈钢、铅板、石墨等中的一种。为了防止盛放电解抛光液的电解槽影响电解抛光过程，电解槽的材质为绝缘材质，例如塑料、玻璃等。直流电源可以为恒电位仪、可调节直流稳压电源等中的一种，只要可以产生范围恒定的直流电源即可。
S14：除去所述保护层，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度，可以包括：
从电解抛光液中取出处理后的过渡掩膜板；
除去保护层，获得最终掩膜板，如图6所示。图6为本发明第一实施例中形成的最终掩膜板的结构示意图。由于在电解抛光处理中，暴露的面的一侧的材质以离子形式脱离，从而，最终掩膜板20的厚度h2’要小于过渡掩膜板20’的厚度h2。
在本实施例中，保护层同时覆盖开孔23的内侧面以及第一面21，暴露出第二面22，从而在电解抛光处理过程中，从第二面的一侧减小过渡掩膜板的厚度，如图5所示。容易理解的是，也可以将保护层设置为覆盖开孔的内侧面以及第二面，暴露出第一面，以从第一面的一侧减小过渡掩膜板的厚度，或者，将保护层设置为覆盖开孔的内侧面，同时暴露第一面和第二面，以从第一面侧和第二面侧同时减小过渡掩膜板的厚度。
第二实施例：
图7为本发明第二实施例中形成的过渡掩膜板的结构示意图，与第一实施例不同的是，在第二实施例中，开孔23具有邻接第二面22的台部231，自第一面21朝向第二面22的方向上，台部231的横截面面积相等或逐渐增大，从而，台部231靠近第一面21的一端的横截面面积限定了开孔的蒸镀口面积。同时，在本实施例中，保护层覆盖开孔的内侧面和第一面，第二面暴露出来。
从图7中还可以看出，开孔23还包括邻接第一面21的敞口部232，自第一面21朝向第二面22的方向上，敞口部232的横截面面积逐渐减小，从而敞口部232与台部231连接。在蒸镀过程中，敞口部232朝向蒸发源，敞口部232朝向蒸发源方向呈敞开状，从而，有利于蒸镀材料依次通过敞口部232和台部231蒸镀到基板上，因此，如图7所示的敞口部232的结构，可以减小敞口部对蒸镀材料的阻挡，更有利于蒸镀材料通过台部，提高蒸镀效果。
下面将通过本实施例的掩膜板的制备流程详细介绍本实施例的掩膜板的制备方法。
S11：形成过渡掩膜板，所述过渡掩膜板包括朝向蒸发源的第一面以及朝向待蒸镀基板的第二面，所述过渡掩膜板上设置有多个贯穿的开孔，具体包括：
在本实施例中，采用湿法刻蚀工艺在掩膜板基材上形成开孔，以形成过渡掩膜板。由于掩膜板基材厚度的限制，通常需要在掩膜板基材的相对的两个面上均进行湿法刻蚀，从而得到贯穿的开孔。
图8为本发明第二实施例中形成开孔的过程结构示意图。在掩膜板基材的第一面21上和第二面22上分别设置第一图案层51和第二图案层52，第一图案层51上设置有第一镂空部511，第二图案层52上设置有第二镂空部521，第一镂空部511和第二镂空部521均与待蒸镀基板的OLED像素一一对应设置。对掩膜板基材进行湿法刻蚀，形成如图7所示的过渡掩膜板。
当掩膜板基材的材质为因瓦合金时，刻蚀液可以包括氯化铁(FeCl3)溶液。在对掩膜板基材进行刻蚀时，可以分别对第一面和第二面进行刻蚀，以便分别得到敞口部和台部。例如，在第二面上设置刻蚀阻挡层，在第一面上设置第一图案层，采用刻蚀液对第一面进行刻蚀，形成敞口部；在第一面上设置刻蚀阻挡层，在第二面上设置第二图案层，采用刻蚀液对第二面进行刻蚀，形成台部。
S12：在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面和第一面，所述第二面暴露出来，具体包括：
在过渡掩膜板20’的第二面22上设置封装挡板10。
在过渡掩膜板20’的第一面21上涂覆以形成保护层30，保护层30覆盖开孔23的内侧面以及第一面21，如图9a所示，图9a为本发明第二实施例中涂覆保护层后的结构示意图。
除去封装挡板10，获得带有保护层30的过渡掩膜板，如图9b所示，图9b为本发明第二实施例中在过渡掩膜板上形成保护层后的结构示意图。从图9b中可以看出，保护层30覆盖开孔23的内侧面以及第一面21，第二面22暴露出来。
其中，封装挡板可以采用玻璃基底或石英基底，保护层的材质可以为树脂，如光刻胶等。“涂覆”可采用已知的涂覆工艺。
S13：对带有所述保护层的过渡掩膜板进行电解抛光处理，以从暴露的面的一侧减小所述过渡掩膜板的厚度，具体包括：
将带有保护层30的过渡掩膜板20’作为阳极并与直流电源的正极电连接，将阴极45与直流电源的负极电连接。
将过渡掩膜板20’和阴极45放入电解抛光液中进行电解抛光处理，如图10所示，图10为本发明第二实施例中电解抛光处理的示意图。从图10中可以看出，由于第二面暴露，所以第二面的一侧的材质不断以离子的方式脱离过渡掩膜板，使得过渡掩膜板的厚度从第二面的一侧不断减小，实现了从暴露的第二面的一侧减小过渡掩膜板厚度的目的。通过控制电解抛光处理时间，可以消除台部。
在本实施例中，过渡掩膜板的材质为因瓦合金，属于铁镍合金，电解抛光液配方包括80mL～120mL的磷酸和40g～60g的铬酸酐(优选地，磷酸为100mL，铬酸酐为50g)。电流密度为20～60A/cm2，直流电源40的电压为15V～30V，电解温度20℃～30℃，电解抛光处理时间为30s～60s。
当然，电解抛光处理并不限于上述条件，在其它实施例中，电解抛光液配方可以包括质量分数为70％的高氯酸和酒精溶液，其中，高氯酸的体积百分比约为10％，电流密度为20～60A/cm2，直流电源的电压为15V～30V，电解温度为低温，例如-15℃～-25℃(优选为-20℃)，电解抛光处理时间为20s～60s。
电解过程会产生热量，因此，本实施例中，通过恒温控制器来维持电解抛光液的温度，使得电解抛光液的温度始终处于电解温度范围。
在本实施例中，辅助阴极为铂(Pt)，辅助阴极还可以为不锈钢、铅板、石墨等。为了防止盛放电解抛光液的电解槽影响电解抛光过程，电解槽的材质为绝缘材质，例如塑料、玻璃等。直流电源可以为恒电位仪、可调节直流稳压电源等中的一种，只要可以产生范围恒定的直流电源即可。
S14：除去所述保护层，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度，可以包括：
从电解抛光液中取出处理后的过渡掩膜板；
除去保护层，获得最终掩膜板。在本实施例中，在电解抛光过程中，合理控制电解抛光处理的时间，除去了台部，获得如图11所示的最终掩膜板，图11为本发明第二实施例形成的最终掩膜板的结构示意图。从图11中可以看出，相比于图7所示的过渡掩膜板，最终掩膜板的开孔23’不再具有台部。
图12为采用图11所示的最终掩膜板进行蒸镀的示意图。在保证蒸镀距离h和蒸镀角度θ与图1相同的情况下，由于图12中的掩膜板的开孔23’不具有台部(即h1＝0)，外阴影宽度A’＝h*tan(90°-θ)，内阴影宽度B＝h*tan(90°-θ)，相比于图1中的A和B，显然，A’小于A，B’小于B，也就是说，采用本发明第二实施例的方法制备的掩膜板，降低了消除了开孔的台部，减小了蒸镀阴影，减小了相邻像素混色风险，提高了有效显示区的膜厚均一性，有效地提高了OLED面板的显示良率。
本实施例中，通过控制电解抛光处理时间，消除了台部，即台部的高度由图7中的h1变为0，容易理解的是，也可以保留台部，只要最终掩膜板的台部的高度小于h1，均可以达到减小蒸镀阴影的目的。
第三实施例：
基于前述实施例的发明构思，本发明实施例提出了一种掩膜板，该掩膜板采用第二实施例的方法制备而成。
本发明实施例的掩膜板的结构示意图如图11所示，该掩膜板包括朝向蒸发源的第一面21以及朝向待蒸镀基板的第二面22’，掩膜板上设置有多个贯穿的蒸镀用开孔23’，自第一面21朝向第二面22’方向上，开孔23’的横截面面积逐渐减小，而且，掩膜板的厚度小于掩膜板基材的厚度。
第四实施例：
基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种蒸镀设备，该蒸镀设备包括蒸发源以及上述实施例所述的掩膜板，掩膜板设置在蒸发源与待蒸镀基板之间，掩膜板的第二面朝向待蒸镀基板方向设置。
采用本实施例的蒸镀设备制备出的OLED面板，减小了蒸镀阴影，减小了相邻像素混色风险，提高了有效显示区的膜厚均一性，有效地提高了OLED面板的显示良率。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：
形成过渡掩膜板；
对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡掩膜板包括朝向蒸发源的第一面以及朝向待蒸镀基板的第二面，所述过渡掩膜板上设置有多个贯穿的开孔，所述对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，包括：
在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面，所述第一面和所述第二面中的至少一面暴露出来；
对带有所述保护层的过渡掩膜板进行电解抛光处理，以从暴露的面的一侧减小所述过渡掩膜板的厚度；
除去所述保护层，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述开孔具有邻接所述第二面的台部，自所述第一面朝向所述第二面的方向上，所述台部的横截面面积相等或逐渐增大，所述在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面，所述第一面和所述第二面中的至少一面暴露出来，包括：在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面和所述第一面，所述第二面暴露出来。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述电解抛光处理中，所述过渡掩膜板作为阳极，阴极的材质包括铂、不锈钢、铅板、石墨中的一种。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电解抛光处理中，电流密度为20～60A/cm2，电压为15V～30V，电解温度20℃～30℃，电解抛光处理时间为30s～60s。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电解抛光液配方包括磷酸和铬酸酐，或者，所述电解抛光液配方包括高氯酸和酒精。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺形成所述过渡掩膜板。
8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述保护层的材质包括树脂。
9.一种掩膜板，其特征在于，采用权利要求1～8中任意一项所述方法制备而成，所述掩膜板包括朝向蒸发源的第一面以及朝向待蒸镀基板的第二面，所述掩膜板上设置有多个贯穿的开孔，自第一面朝向第二面方向上，开孔的横截面面积逐渐减小，所述掩膜板的厚度小于掩膜板基材的厚度。
10.一种蒸镀设备，其特征在于，包括蒸发源以及权利要求9中所述的掩膜板，所述掩膜板设置在所述蒸发源与待蒸镀基板之间，所述掩膜板的第二面朝向待蒸镀基板方向设置。
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