CN103959425A - 用于在基底上制造减反射层的方法和设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的设备(1)。设备包括第一溅射装置(3)，用于将基底层(22)施加至塑料基底(20)的表面(21)；等离子体源(4)，用于对涂布的基底表面(21)进行等离子体蚀刻；以及第二溅射装置(5)，用于将保护层(24)施加至基底表面(21)。这些加工装置(3,4,5)在真空室(2)中结合配置，真空室(2)具有用于处理气体的入口(8)。为了在真空室(2)的内部在加工装置(3,4,5)之间移动基底(20)，设置传送设备(10)，其优选地是旋转板(11)的形式。此外，本发明涉及用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造这种减反射层的方法。

Description

用于在基底上制造减反射层的方法和设备
技术领域
本发明涉及用于在塑料基底的表面上制造减反射层的方法。此外，本发明涉及用于实施该方法的设备。
背景技术
当制造由透明塑料构成的光学组件时，通常希望给予这些组件防反射性质，并且由此改进这些组件的光学性质。这种防反射性质可以通过将防反射涂层，特别以多层系统的形式施加至基底的表面来实现。可替代地，表面可以设置有微米或纳米结构；这种构造的优点是宽带防反射性质可以以良好的可再现性获得。
DE10241708B4描述了用于减少速率基底的反射的方法，其中，通过等离子体蚀刻工艺在塑料基底的表面处形成纳米结构。所述纳米结构通过由等离子体离子源生成的高能离子冲击基底表面来制造。然而，该蚀刻方法需要相对长的加工时间。此外，加工时间针对不同的基底材料有很大不同，使得在一个工作操作中加工不同材料更加困难。
为了解决这个问题，构成一般性类型的DE102006056578A1提出将薄层、特别地薄的氧化物层在等离子体蚀刻工艺之前施加至塑料基底。所述氧化物层导致缩短了随后的等离子体蚀刻工艺中的加工时间，此外具有针对不同材料所需加工时间仅稍微不同的效果。薄层优选地通过反应溅射来制造。在施加薄层之后，通过等离子体蚀刻在基底表面上制造纳米结构，所述纳米结构通常在50nm至200nm之间延伸至塑料基底。之后，可以施加透明保护层，其保护纳米结构以防外部影响，特别地防止机械损害。
DE102005049280A1提出了用于在塑料基底的表面上制造纳米结构的方法，其中首先将均匀载体层并随后将绝缘层施加至表面。绝缘层在随后的蚀刻工艺中用作掩蔽层，其中，载体层被结构化。蚀刻工艺可以通过例如反应离子蚀刻来进行。被结构化的载体层在进一步的蚀刻加工中用作蚀刻掩膜，其中，期望的纳米结构在基底的表面上被制造。
DE102007059886A1还公开了用于光学元件的表面的纳米结构化的方法，其中首先将液体抗蚀层施加至表面并且通过UV光的照射或热处理来部分凝固。纳米结构随后通过等离子体蚀刻方法在抗蚀层的表面制造。之后，纳米结构的抗蚀层通过利用UV光的进一步照射或进一步的热处理来完全固化。
尽管所述文献公开了用于制造光学元件的减反射涂层的不同方法，但没有提出适用于以批量生产能力制造这种涂层的任何设备。传统上，使用在批量模式下操作的设备来实施这种方法，为此，设备必须在各个加工步骤之间进行通风。设备在每个加工步骤之后的这种连续通风和与此相关的波动的残余气体成分不利地影响了在基底上制造的表面加工的再现性。此外，由于长的加料和泵送时间，这些设备的生产量是有限的。在一批的所有基底上的薄层的均匀沉积证实是困难的，由此不利地影响的一批的再现性。
发明内容
因此，本发明基于提供以下方法和设备的目标：通过该方法和设备，塑料基底的表面可以通过等离子处理来修改，使得实现塑料表面的有效的防反射性质。设备趋于确保好的再现性，实施简单且合算，并且能实现高的生产量和完全自动的加工序列。
该目标通过独立权利要求的特征来实现。从属权利要求设置有利的构造。
根据本发明的用于塑料基底的表面处理的设备包括真空室，其中，针对所述表面处理所需要的这些加工站被共同容纳。塑料基底可以由PMMA、聚碳酸酯或适用于诸如透镜的光学应用的塑料组成。塑料基底位于用于在各加工站之间移动它们的传送设备上。
第一个加工站是溅射站，其中，通过第一溅射装置将基部层施加至衬底。第二加工站包括等离子体源并用于涂层基底表面的等离子体蚀刻处理。优选地，在另一溅射站中，通过第二溅射装置将保护层施加至加工后的基底表面。此外，设备包括用于以可控方式允许加工气体进入加工站的进给部，以及用于在真空下使基底进入和出去的锁。
与在批量模式下操作的传统涂布设备相比，根据本发明的设备实现了塑料基底的高质量、有效和节省成本的表面处理。在真空室内部的剩余气体水平很低，并且剩余气体成分是恒定的，其允许可再现的加工控制。此外，根据本发明的设备实现了完全自动的加工序列(例如，针对小的塑料透镜的抗反射涂布)。
从DE102009018912A1中得知的等离子体源优选地用作等离子体源。该等离子体源包括等离子体空间、激发电极以及磁北极和磁南极，其中，两个磁极在各情况下配置在激发电极之后远离等离子体的一侧并且指向等离子体空间的内部。这导致投射至等离子体空间的内部中的弯曲磁场以及隧道状区域的形成，充电粒子能够被保持在隧道状区域中并且能够沿着该隧道状区域传播。该等离子体源的特点是特别低的热发射，这对于塑料基底的等离子体处理是极为重要的。结果，在基部层和保护层的反应等离子体增强施加期间以及反应等离子体蚀刻加工期间，可以获得远小于100℃的基底的低温，例如基底温度<80℃，特别地<60℃。
此外，至少利用来自DE102009018912A1的指定等离子体源，以及此外至少在<80℃(优选地<60℃)的基底温度下，或者在50℃和80℃之间的范围中的基底温度下，可以进行该方法，等离子体源的格栅和基底表面之间的距离是50-100mm，没有过量高能量输入至基底，特别地在200瓦特和400瓦特之间的等离子体功率下。在该情况下，特别有利的是等离子体源相对于引出电极的区域的功率密度是0.5-1.5W/cm2。
传送设备用于连续地并重复地将塑料基底从加工站传输至加工站。优选地使用可以实现高达240rmp的高旋转速度的旋转板作为传送设备。这些高传送速度确保——即使在施加薄层时——在一批的所有塑料基底上的均匀的层厚度，其确保了该批内的高的再现率。传送设备-溅射设备-等离子体源-溅射装置的配置的一个优选实施例以本申请人的名义在WO2004/050944中提出。
此外，该设备可以实现为具有加工站和传送设备：溅射装置-等离子体源-溅射装置以及可选地额外地外涂层源的配置的在线设备。
针对相对大的塑料基底的处理，可以使用滚筒设备作为传送设备。这里，基底被配置在可旋转滚筒的外壁上，处理装置或源相对于所述滚筒的外部侧放置。
设备有利地由用于基底的透射率和/或反射率的原位测量的测量装置制成。该测量设备用于在整个处理过程期间监测基底并且用于自动切换至少反应等离子体蚀刻处理。
根据本发明的用于塑料基底的表面的防反射涂布的方法是多级加工。首先，通过溅射方法将薄介电基部层施加至基底。以这种方式进行溅射的塑料表面随后通过反应等离子体蚀刻处理；在该情况下，在塑料表面上制造具有抗反射效果的结构。所构造的塑料基底随后设置有保护层，其机械地稳定处理后的塑料表面，并另外带来了开始两个加工步骤的优化。
施加基部层通过等离子体增强的反应溅射方法来实现。基部层优选地包括元素Ti、Zr、Cr、Si、Al、Ta、Nb和/或Hf的氧化物、氟化物或氮化物。基部层的厚度优选地在1-5nm之间，特别优选地在1-3nm之间。等离子体蚀刻优选地在包含氧气的大气中实现。
保护层优选地如基部层那样同样通过等离子体增强的反应溅射方法来施加。特别地，元素Si和/或Al的氧化物被证实作为保护层的材料是有利的。保护层的厚度优选地在5-50nm之间，特别地在10-30nm之间。
除了保护层以外，可以施加另外的层(所谓的外涂层)以提供具有定义表面张力的塑料表面，以及特别地获得超疏水性质。这种疏水层具有防脏和/或水的效果。疏水层有利地通过等离子体聚合的方式施加。外涂层的层厚度通常在1和20nm之间，优选地在3和10nm之间。
为了保护塑料基底，方法步骤优选地在<100℃、优选地<70℃、特别优选地60℃的低基底温度下进行。
附图说明
以下基于附图中示出的示例性实施例来更详细地说明本发明，其中：
图1示出用于塑料基底的表面处理的根据本发明的设备的示意图；
图1a示出在根据图1的设备中使用的等离子体源的示意图；
图2示出作为在等离子体处理之前所施加的基部层的层厚度的函数的、由PMMA8H组成的基底的透射系数和等离子体蚀刻时间的变化的图；
图3示出作为等离子体功率的函数的、由PMMA8H组成的基底的透射系数和等离子体蚀刻时间的变化的图；
图4示出作为离子能量的函数的、由PMMA8H组成的基底的透射系数和等离子体蚀刻时间的变化的图；
图5示出针对利用不同等离子体功率进行等离子体蚀刻处理的多个样本的、作为波长的函数的由PMMA8H组成的基底的透射系数的图；
图6示出作为波长的函数的来自图5的样本的反射率的图；
图7示出作为波长的函数的来自图5的样本的透射系数和反射率的集合的图。
具体实施方式
在图中，相互对应的元件由相同的附图标记表示。附图示出示意性典型实施例，并且不再现本发明的具体参数。此外，附图仅用于阐明本发明的有利实施例，但不应被理解为限制本发明的保护范围。
图1示出设备1的示意图，其用于在基底20的表面21上制造减反射层。图1示出以圆形配置排列在旋转板11上的多个基底盘20，为了清晰的原因，仅一些基底盘提供有附图标记。基底盘20由例如PMMA的塑料组成。
设备1包括真空室2，在其内部配置有多个加工站A、B、C。位于加工站A中的是第一溅射装置3，其中使用等离子体增强反应溅射方法将基部层22施加至基底表面21。溅射装置3优选地是磁控管源系统，其包括并排排列的两个磁控管配置并包括并排排列的两个铌靶材。靶材被分配有遮蔽器，其可以用于将溅射装置与基底20隔离。
第二加工站B包括等离子体源4，通过其进行涂布基底表面21的等离子体蚀刻处理，由此基底表面获得纳米结构23。等离子体源4包括等离子体容器，其具有引出电极和具有激发区域的RF激发电极，RF激发电极经由匹配网络连接至RF发生器。激发电极可以热耦合至低温热源并且在室温下操作。激发电极可以实现为铝电极，例如，其结合在水冷铜板上。
可以激发等离子体的等离子体空间位于激发区域和引出电极之间，引出电极的区域和激发区域被设计为使得实际上全部射频电压在引出电极处降低。此外，提供用于生成磁场的磁体设备，其具有磁北极和磁南极，它们在各情况下配置在激发电极后面远离等离子体空间的一侧，并且指向等离子体空间的内部。投射至等离子体空间的内部的弯曲磁场以这种方式形成。隧道状区域形成在北极和南极之间，充电粒子保持在其中，并且沿着该区域传播。离子密度和离子能量通过等离子体源的磁场强度设置。这种等离子体源4在例如DE102009018912A1中描述，其全部内容通过引用包含在本申请中。
等离子源4同样配有遮蔽器，以使得基底20上的等离子体源4的效果可以以目标方式打开和关闭。在第三加工站C中，通过第二溅射装置5将保护层4施加至加工后的基底表面21。第二溅射装置5优选地与第一溅射装置3相同，并且同样具有遮蔽器。在加工站D中，疏水外涂层25可以另外被施加作为另外的保护层，以使得涂层对脏污和水分不敏感。
加工站A、B、C、D优选地通过网屏7相互屏蔽并且仅通过网屏7中的狭缝相互连接。以这种方式，加工站A、B、C、D在真空方面隔离。
至少一个真空泵9被提供用于抽空真空室2。此外，真空室2包括用于以目标方式引入加工气体的至少一个连接部8；优选地，每个加工站A、B、C、D具有用于选择性地引入所述站中所需的加工气体的自己的连接部8。加工气体的部分压力可以以这种方式基本相互独立地设置。优选使用诸如氩气的惰性气体和优选为氧气的反应气体的混合物。
如图1所示，可以利用根据本发明的设备1同时对多个基底20进行表面处理。基底20排列在传送设备10上，传送设备10在本示例性实施例中为驱动旋转板11的形式。通过所述旋转板11，基底20在圆形路径上传送(箭头12)连续通过加工站A、B、C、D并且可以特别地多次移动通过加工站的作用区域，由此，基底表面21可以被特别均匀地被处理。从一个加工站至下一个的传输在真空室2的内部发生，而不需要真空室2的通风。代替旋转板11，还可以使用滚筒设备来传输基底20。
测量装置13用于所处理基底表面21的现场监测，特别地用于测量基底表面的透射率和/或反射率。测量装置13使得可以检查施加至基底20的涂层的光学性质并且可以被使用，特别地，用于监测在基底20上生长的层的层厚度。
利用设备1，塑料基底20的表面可以通过反应溅射和等离子体蚀刻来改变以使得所述表面处的反射以宽带方式减少。
为了进行处理，要被处理的基底盘20经由锁(图1中未示出)被引入真空室2中并且放置在旋转板11上。之后，真空室2关闭并且在加工站A中设置用于惰性气体(特别地氩气)和反应气体(例如氧气)的合适的分压。溅射装置3被设置至预定的操作点，遮蔽器关闭以使得处理过程稳定。传送设备10的旋转板11被加速至期望速度。之后开始基底20的涂布。为此，遮蔽器打开，以使得薄的基部层22借助于溅射装置3沉积在基底表面21上。可以通过涂布时间或旋转板11的旋转次数来控制期望层厚度。
以下更详细地说明了等离子体源的优选实施例。
图1a在示图中示出根据本发明的RF等离子体源501的横截面，其合并至真空室510中并包括等离子体容器502、引出电极503和RF电极装置504。诸如氩气和氧气的加工和反应气体可以经由气体供给装置512引入至等离子体容器502中。
等离子体容器502具有前侧和后侧，等离子体空间502a位于前侧和后侧之间。等离子体容器502还具有侧壁516，其伸入真空室510的内部520中并且在其端部侧安装有形成等离子体容器502的前侧的引出电极503，所述引出电极由此可透过地限制相对于真空室的内部520的等离子体空间502a。引出电极503还可以以弯曲方式实现。
等离子体容器502可以在关于图1a的图平面的垂直平面中具有矩形或圆形形状。激发电极506的基部区域——在图1a中是平的——还可以相对于引出电极凹地或凸地实现。不用说，其他形状的等离子体容器502也可以想到并由本发明包括。
等离子体源在真空室壁510的开口中安装有凸缘511。在图1a的示例性实施例中，引出栅503和壁516电连接至真空室壁510并且处于接地电位。
等离子体源501具有部分在等离子体容器502外部配置的RF电极装置504，其具有电极座507，以通过隔离器元件514与等离子体容器502电隔离的方式连接至等离子体容器502的侧壁516并且包括板状元件505，板状元件505通过伸入等离子体容器502的内部中的保持元件507a保持。电极座507具有浴盆状的横截面。电极装置504在后侧通过保护盖513与周围隔离，其中，经由RF电源513a，RF能量可以施加或被施加至RF电极装置504，RF电源513a可以连接或被连接至RF发生器。RF匹配网络实际存在，但在图中未示出。
板状元件505的前侧朝向真空室的内部520。锅状的激发电极506安装至板状元件505的前侧，电极在朝向真空室的内部520的内部侧506a上具有激发区域，外部侧506d至少部分与板状元件505的前侧接触。激发电极506具有平面基部和固定至基部的侧壁506c，其端部区域(端面)506b伸入等离子体空间502中。优选地，激发电极506和元件505结合以确保板状元件505和激发电极506之间的良好的热和电接触。激发电极506可以由铝组成，元件505可以实现为水冷铜板。侧壁506c由激发电极506的壁形成。
等离子体容器的侧壁516和激发电极的侧壁506c靠近排列并且通过间隙521相互分离，间隙521的大小被选择为使得在等离子体源的操作期间没有等离子体可以形成在激发电极506和侧壁516之间。因此，等离子体容器502的侧壁516在间隙521的区域中利用激发电极506的遮蔽区域516a实现了暗空间遮蔽。
等离子体容器502的侧壁516在朝向真空室的内部520的方向上伸出有超出侧壁506c的区域，以使得在等离子体源501的操作期间，侧壁516的伸出侧壁506c的端部区域506b的区域与等离子体接触并形成具有等离子体电极区域516b的等离子体电极。
在等离子体源501的操作期间，激发电极506和引出电极之间的DC自偏压的大小通过激发区域506a和506c与引出电极503的区域的大小比和等离子体电极区域516b的大小来确定，等离子体电极区域516b即等离子体容器502的侧壁516的与等离子体接触的那些部分。
具有磁体509a、509b、509c并且还具有极靴509d的磁体设备508被配置在激发区域506a和板状元件505的后侧上。磁体509a、509b、509c各自包括磁北极和磁南极，它们被配置有交替极性并且指向等离子体空间502a的内部，由此导致伸入等离子体空间的内部的弯曲磁场的形成，例如从DE2417288C2或DE2431832B2中得知的。磁体509a、509b、509c可以被实现为永久磁体或螺线管，其连接或可以连接至电源。
甚至在0.5-1.5W/cm2的低等离子体功率密度下，所描述的等离子体源在300-400eV的离子能量下提供0.5-0.8mA/cm2的高电流密度。由此可以实现与低热负荷相关联的高效蚀刻。
通过金属(例如，Al、Nb、Hf、Ta、Ti、Zr)或合金(例如TiNb)或半导体(例如Si)在氧气氛围下的反应溅射来实现涂布，以使得将作为基部层的氧化物层22施加至基底表面。ZrO2被证实是特别有利的。ZrO2基部层的厚度有利地在1nm和3nm之间。
一旦实现了基部层22的期望层厚度，则在加工站B中通过等离子体源4对基底表面21进行等离子体蚀刻处理。在等离子体处理之前，经由加工站B的入口8引入适当浓度的反应气体或气体混合物，并且等离子体被点燃。等离子体源4在10sccm/min的恒定氧气流速下，以100W至400W之间的功率有利地操作。一旦获得了期望方法参数，则加工站B的遮蔽器打开并且等离子体处理开始。
当实现了表面的期望变型时，加工站B的遮蔽器关闭，并且通过利用位于加工站C的第二溅射装置5的反应溅射对基底进行进一步涂布。在该情况下，保护层24沉积在基底表面上。特别地，可以使用具有大约20nm的层厚度的SiO2层作为保护层24。
各个加工步骤的结果可以利用测量装置8例如通过基底盘20的光学透射率的测量来检查。
在图2至7中示出对由PMMA8H构成的基底的具体测量，其通过所述方法进行涂布和表面处理。当然也可以使用例如聚碳酸酯的其他塑料材料。
图2示出了利用恒定功率的等离子体源(200W)的作为基部层(施加在加工站A)的层厚度的函数的制造期望表面结构所需的等离子体蚀刻时间(在加工站B中的加工时间)的相关性。此外，图示示出了作为基底层的层厚度的函数的透射率的变化。可以看出，蚀刻时间随着基底层的层厚度的增大而增加；而透射率大约是恒定的。
图3示出等离子体蚀刻时间与等离子体源的功率的相关性。该图示出等离子体蚀刻时间的减少可以通过增加等离子体功率来实现。然而，增大等离子体功率至200W之上导致所处理的基底的透射率的减小。从图4可以看出，增大离子能量也导致等离子体蚀刻时间的减少，但这也导致以这种方式处理的基底的透射率的减小。
图5示出在首先设置有基底涂层并且之后进行等离子体蚀刻的基底的情况下透射系数与波长的相关性的图。在该情况下，不同的曲线对应于利用不同等离子体功率的蚀刻处理。如果所述基底没有进行等离子体处理，则所示出的整个波长范围的透射率是92％-93％(曲线101)。利用等离子体处理，可以实现——根据等离子体源的功率——约95％-96％的透射率(曲线102-105)。附加的外涂层导致蓝色光谱范围的较低透射率，但增大了光谱范围中具有较高波长的光的透射(曲线106)。
图6示出来自图5的样本的反射率与波长的相关性的图。曲线201对应于未进行等离子体处理的样本的反射率；这里反射率在所考虑的波长范围中为大约3％。如果样本进行了等离子体处理，则所考虑的波长范围中的反射率降低至1％-2％(曲线202-205)。附加的外涂层确实导致了蓝色光谱范围中的反射率的增大，但导致了在更高波长处的反射率的显著降低(曲线206)。
最后，图7示出了作为波长的函数的来自图5的样本的透射系数和反射率的集合。这里，曲线301与未进行等离子体处理的样本相关联。曲线302-305与利用不同等离子体功率蚀刻的样本相关联。曲线306对应于除了在200W的等离子体处理以外还设置有外涂层的样本的测量。

Claims (18)

1.一种用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的设备(1)，
-包括第一溅射装置(3)，用于将基部层(22)施加至所述塑料基底(20)的表面(21)，
-包括等离子体源(4)，用于涂布后的基底表面(21)的等离子体蚀刻处理，
-优选地包括第二溅射装置(5)，用于将保护层(24)施加至所述基底表面(21)，
-包括用于至少一种加工气体的至少一个入口(8)，
其特征在于
-所述设备(1)包括真空室(2)，其中配置了加工装置(3,4,5)，以及
-所述设备(1)包括传送设备(10)，用于在所述真空室(2)的内部中在所述加工装置(3,4,5)之间移动所述基底(20)。
2.根据权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述传送设备(10)是旋转板(11)或滚筒。
3.根据权利要求1或2所述的设备(1)，其特征在于，所述等离子体源(4)包含等离子体空间、激发电极以及具有磁北极和磁南极的磁体设备，其中，两个磁极在各情况下配置在所述激发电极之后远离等离子体的一侧并指向所述等离子体空间的内部，由此导致形成伸入至所述等离子体空间的内部中的弯曲磁场以及隧道状区域，充电粒子能够被保持在所述隧道状区域中并且能够沿着所述隧道状区域传播。
4.根据权利要求3所述的设备(1)，其特征在于，具有激发区域的激发电极经由匹配网络能够连接或连接至RF发生器，其中，其中能够激发等离子体的等离子体空间位于激发区域和引出电极之间，以及其中，所述引出电极的区域和所述激发区域的大小被选择以使得实际上整个射频电压在所述引出电极处降低，其中磁场设备被实现为具有至少一个磁北极和一个磁南极的平面磁控管，所述至少一个磁北极和一个磁南极在各情况下被配置在所述激发电极之后远离所述等离子体空间的一侧并指向所述等离子体空间的内部。
5.根据权利要求3或4所述的设备，其特征在于，所述激发电极能够在15℃至45℃之间的温度下操作。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的设备(1)，其特征在于，所述设备(1)包括测量装置(8)，用于所述塑料基底(20)的表面(21)的透射率和/或反射率的现场测量。
7.一种用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的方法，包括以下方法步骤：
-在第一溅射装置(3)中将介电基部层(22)施加至所述基底(20)的表面(21)；
-通过等离子体源(4)利用等离子体蚀刻修改涂布表面(21)；
-在第二溅射装置(5)中将保护层(24)施加至结构化表面(21)，
其特征在于，所述塑料基底(20)通过传送设备(10)在布置在同一真空室(2)中的加工装置(3,4,5)之间移动。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，施加所述基部层(22)和/或所述保护层(24)通过等离子体增强的反应溅射方法来实现。
9.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述基部层(22)由元素Ti、Zr、Cr、Si、Al、Ta、Nb和/或Hf的氧化物、氮化物或氟化物组成并且具有1nm至5nm之间的层厚度。
10.根据权利要求5-7中任一项所述的方法，其特征在于，修改所述涂布表面(21)通过反应等离子体蚀刻特别地在包含氧气的氛围中实现。
11.根据权利要求5-8中任一项所述的方法，其特征在于，施加所述保护层(24)同样通过等离子体增强的反应溅射方法来实现。
12.根据权利要求5-9中任一项所述的方法，其特征在于，所述保护层(24)由元素Si和/或Al的氧化物、氮化物或氟化物组成并且具有5nm至50nm之间的层厚度。
13.根据权利要求5-10中任一项所述的方法，其特征在于，除了所述保护层(24)以外还施加另外的疏水层(25)。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述另外的疏水层(25)具有1nm至20nm之间的层厚度。
15.根据权利要求5-12中任一项所述的方法，其特征在于，方法步骤在<100℃、优选地<70℃的基底温度下进行。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述激发电极在15℃至45℃之间的温度下操作。
17.根据权利要求15和16中任一项所述的方法，其特征在于，该方法在所述等离子体源的格栅和所述基底表面之间的距离是50-100mm的情况下进行。
18.根据权利要求7-17中任一项所述的方法，其特征在于，等离子体功率在200瓦特至400瓦特之间。
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