CN102137951A - 滤光器的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种滤光器的制造方法，该制造方法通过在薄膜形成前除去因清洗而附着于基板表面的异物来制造具有良好膜质的滤光器。通过进行使用含有水分的溶液对基板S进行清洗的清洗工序P1、利用氧气的等离子体对经清洗工序P1进行清洗的基板S的表面进行等离子体处理的前处理工序P3、以及在经前处理工序P3进行了等离子体处理的基板S的表面形成薄膜的薄膜形成工序(P4、P5)，能够有效除去附着在基板表面的异物。另外，在前处理工序P3中，向产生等离子体的区域仅导入氧气，且使所导入的氧气流量多于在薄膜形成工序中所导入的氧气流量，从而在薄膜形成工序(P4、P5)之前有效去除在清洗工序中通过OH基键附着在基板S表面的异物、防止脱膜部的发生。

Description

滤光器的制造方法
技术领域
本发明涉及滤光器的制造方法，特别涉及具有良好膜质的滤光器的制造方法。
背景技术
在利用溅射蒸镀等形成薄膜后若对薄膜形成面进行观察，则很多时候会发现有局部未形成薄膜形成层的、所谓的脱膜部(膜抜け部)。所观察的脱膜部的光学显微镜照片如图6(a)所示例。由于脱膜部的产生是滤光器的光学特性或成品率发生降低的原因，因而希望开发出防止脱膜部的发生的滤光器的制造方法。
若利用SEM(扫描电镜，Scanning Electron Microscope)对在形成薄膜后的基板表面所发现的脱膜部进行详细观察，则如图6(b)所示，则有时在脱膜部(小孔，Pin hole)的周围有颗粒状的异物(颗粒1、颗粒2)并未脱落而发生残留。使用SEM/EDX(扫描电镜/能量分散X射线分光仪(Energy Dispersive X-ray spectroscope))对该异物(颗粒1、颗粒2)和脱膜部(小孔)进行分析的示例见图7。可知，在脱膜部(小孔)发现的异物(颗粒1、颗粒2)中，除膜原料物质(Nb、Si)以外还含有Ca、Na、K等元素。表1中示出了表示元素的有无的分析结果，元素的有无是经SEM/EDX确认的。
[表1]
Figure BDA0000048452350000011
如表1所示，由于在脱膜部的异物中含有Ca、Na、K等元素，因而认为，异物是在薄膜形成工序的前阶段所进行的清洗工序中附着在基板的成膜面上的。即，据推测，在清洗工序中使用的清洗液的矿物质成分或洗剂成分附着在玻璃基板(以下称为基板)的薄膜形成面，在这种状态下进行薄膜形成，因而产生脱膜部。
针对脱膜部和异物进一步进行研究，结果可知如下附着方式：(I)SEM观察时的准备或电子射线的照射也会造成异物由脱膜部发生移动这种程度的附着力较弱的附着方式；(II)由于在清洗工序与薄膜形成工序之间进行真空加热处理的情况下并未发现脱膜部，因而脱膜部与异物在200～300℃左右发生分解的附着方式。基于这些知识，得出了下述结论：成为产生脱膜部的原因的异物以碱金属元素和碱土金属元素为主要构成成分；异物与基板通过OH基键进行结合。在图8中示出了异物与基板通过OH基键进行结合的状态的示意图。
另一方面，以前，为了获得无脱膜部的高品质膜，人们就知道对基板照射离子束作为薄膜形成前的前处理的方法(例如，参见专利文献1)。通过该前处理，能够除去在薄膜形成前附着于基板的部分残留污垢(异物)。另外，已知有对基板表面施以等离子体处理作为薄膜形成前后的处理的方法(例如，参见专利文献2)。
专利文献1：日本特开平06-116708号公报
专利文献2：日本特开2007-314835号公报
发明内容
然而，在专利文献1记载的薄膜制造方法中，由于该技术通过利用离子束进行的蚀刻来清洁基板表面，该离子束具有指向性并具有数百eV～1000eV的动能，因而尽管能除去基板表面的异物，但需要高输出功率的离子束，因而不容易立即转用到溅射蒸镀法等中。
另外，专利文献2记载的薄膜制造方法是为了使经溅射的物质的激发状态持续而施以的处理，并且由于其为在薄膜形成工序的前后进行的方法，因而未以除去基板上的异物为目的。因此，作为基板表面的清洁方法，不一定能够期待稳定的效果，有可能不能防止基于上述方式生成的脱膜部的发生。
另外，在清洗工序之后进行真空加热处理的情况下，需要使用具备加热器的蒸镀装置等，因而具有在成本上不利这样的问题。
本发明的目的在于提供一种滤光器的制造方法，其通过在形成薄膜之前确实地除去附着在基板表面的异物而能够形成膜质良好的薄膜。
本发明人为了解决上述课题反复进行了深入研究，结果得到了下述新的知识，从而完成了本发明：即，对于在清洗工序中通过OH基键附着在基板表面的异物，可以通过在薄膜形成工序之前针对基板进行氧等离子体处理来进行除去。
即，若采用权利要求1的在基板的表面形成薄膜的滤光器的制造方法，则进行对上述基板进行清洗的清洗工序、利用氧气的等离子体对经上述清洗工序清洗后的基板的表面进行等离子体处理的前处理工序、以及在经上述前处理工序等离子体处理后的上述基板的表面形成薄膜的薄膜形成工序，由此上述课题能够得到解决。
如此，通过进行如下工序，由此能够通过在薄膜形成工序之前除去在清洗工序中通过OH基键或CO基键等连结基团附着在基板表面的异物，从而有效地防止脱膜部的发生：利用氧气的等离子体对经清洗工序清洗后的基板的表面进行等离子体处理的前处理工序、以及在经前处理工序等离子体处理后的基板的表面形成薄膜的薄膜形成工序。因此，能够提供可以形成没有脱膜部的、具有良好膜质的薄膜的滤光器的制造方法。
若采用权利要求2，则上述课题可得到解决：权利要求2为具有对基板进行清洗的清洗工序、对经上述清洗工序清洗后的基板的表面进行等离子体处理的前处理工序、以及在经上述前处理工序等离子体处理后的上述基板的表面形成薄膜的薄膜形成工序的滤光器的制造方法，在上述薄膜形成工序中，进行两次以上的由溅射工序、基板传送工序以及反应工序所构成的一系列工序；在溅射工序中，在形成于真空容器内的薄膜形成处理区域内，溅射由至少一种金属构成的靶材，使由上述金属构成的膜原料物质附着在上述基板的表面；在基板传送工序中，将上述基板传送至反应处理区域内，该反应处理区域在上述真空容器内形成于与上述薄膜形成处理区域相分离的位置；在反应工序中，在向上述反应处理区域内导入了反应性气体的状态下产生上述反应性气体的等离子体，使上述反应性气体与上述膜原料物质发生反应，生成上述反应性气体与上述膜原料物质的化合物或不完全化合物；上述前处理工序在产生氧气的等离子体的上述反应处理区域内进行。
若采用上述构成，则由于进行薄膜形成工序的薄膜形成处理区域与进行反应工序的反应处理区域呈现分开处于相分离的位置的状态，因而不会产生靶材与反应性气体发生反应而异常放电，无需如现有技术那样提高基板的温度来提高反应性，在低温下也能充分地进行反应。通过在该反应处理区域内进行前处理工序，能够抑制处理装置的成本上升，并且能够谋求处理时间的缩短，因而能够提供一种这样的滤光器的制造方法，该制造方法可以低成本地制造，并且能够形成具有高品质膜质的薄膜。
具体地说，如权利要求3所示，在上述前处理工序中，向上述反应处理区域中仅导入氧气，并且在上述前处理工序中导入至上述反应处理区域中的氧气流量多于在上述薄膜形成工序中导入至上述反应处理区域中的氧气流量，如此则是适当的。
利用上述构成，可以利用含有高密度的氧自由基的等离子体对基板进行处理，因而可在短时间内有效除去在清洗工序中通过OH基键或者CO基键附着在基板表面的异物。由此，能够提供一种这样的滤光器的制造方法，该制造方法能够抑制制成的滤光器的表面所出现的脱膜部的发生，抑制处理成本的同时还可形成具有良好膜质的薄膜。
若采用权利要求4，则上述课题可得到解决：权利要求4为具有对基板进行清洗的清洗工序、对经上述清洗工序清洗后的基板的表面进行等离子体处理的前处理工序、以及在经上述前处理工序等离子体处理后的上述基板的表面形成薄膜的薄膜形成工序的滤光器的制造方法，在上述薄膜形成工序中，进行两次以上的由溅射工序、基板传送工序以及反应工序所构成的一系列工序；在溅射工序中，在形成于真空容器内的薄膜形成处理区域内，溅射由至少一种金属构成的靶材，使由上述金属构成的膜原料物质附着在上述基板的表面；在基板传送工序中，将上述基板传送至反应处理区域内，该反应处理区域在上述真空容器内形成于与上述薄膜形成处理区域相分离的位置；在反应工序中，在向上述反应处理区域内导入了反应性气体的状态下产生上述反应性气体的等离子体，使上述反应性气体与上述膜原料物质发生反应，生成上述反应性气体与上述膜原料物质的化合物或不完全化合物；上述前处理工序是通过在上述薄膜形成处理区域和上述反应处理区域均保持气密地被分隔开的氧等离子体处理区域内产生氧气的等离子体而进行的。
利用上述构成，可以在加载互锁室内进行前处理工序，所述加载互锁室是与进行溅射工序和反应工序的薄膜形成室被气密地分隔开的，因而对于气氛、压力、温度等诸条件，也可以高精度地设定更适于前处理工序的条件。由此，可以提供能够更有效率地进行异物的除去的滤光器的制造方法。另外，即使前处理工序与反应工序的处理条件不同，也无需进行处理条件的变更操作，因而可以提供作业性得到提高的滤光器的制造方法。
利用本发明的滤光器的制造方法，可以在薄膜形成工序之前有效地去除在清洗工序中附着在基板表面的异物，因而可以提供能够形成几乎没有脱膜部的膜质良好的薄膜的滤光器的制造方法。
另外，由于脱膜部少，因而成品率高，结果能够提供可以以低成本形成膜质优异的薄膜的滤光器的制造方法。
附图说明
图1为由上方观察薄膜形成装置的说明图。
图2为由侧面观察图1的薄膜形成装置的说明图。
图3为对图1的薄膜形成装置的薄膜形成处理区域周边进行放大显示的说明图。
图4为对图1的薄膜形成装置的反应处理区域周边进行放大显示的说明图。
图5为示出本发明的第一实施方式的滤光器的制造方法的流程的流程图。
图6为脱膜部的光学显微镜照片和SEM照片。
图7为脱膜部和异物的SEM/EDX分析结果。
图8为示出异物与基板通过OH基键进行结合的模式的示意图。
符号说明
1薄膜形成装置
11真空容器
11a开口
11A薄膜形成室
11B加载互锁室
11C门
11D门
12间隔壁
13旋转鼓
13a基板保持板
13b框架
13c扣合件(締結具)
14间隔壁
15a真空泵
15b真空泵
16a-1配管
16a-2配管
16b配管
17马达
17a马达旋转轴
18鼓旋转轴
20溅射单元
20A薄膜形成处理区域
21a磁控管溅射电极
21b磁控管溅射电极
22a靶材
22b靶材
23变压器
24交流电源
30溅射气体供给单元
31质量流量控制器(mass flow controller)
32溅射气体储气瓶
35a配管
35b导入口
35c配管
60等离子体发生单元
60A反应处理区域
61壳体
61A天线容纳室
62电介质板
63天线
64匹配箱
65高频电源
66格栅
70反应性气体供给单元
71氧气储气瓶
72质量流量控制器
75a配管
S基板(基体)
V1阀
V2阀
V3阀
Z旋转轴线
P1清洗工序
P2真空化工序
P3前处理工序
P4溅射工序
P5反应工序
P6检查工序
P7基板传送工序
具体实施方式
下面参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。需要说明的是，下文所说明的部件、配置等为对发明进行具体化的一例，并非对本发明进行限定，当然可以按照本发明的宗旨进行各种改变。
图1～图4为针对本发明的滤光器的制造方法中所使用的薄膜形成装置进行说明的图，图1为由上方观察薄膜形成装置的说明图，图2为由侧面观察图1的薄膜形成装置的说明图，图3为对图1的薄膜形成装置的薄膜形成处理区域周边进行放大显示的说明图，图4为对图1的薄膜形成装置的反应处理区域周边进行放大显示的说明图。另外，图5为示出本发明的第一实施方式的滤光器的制造方法的流程的流程图。
在本实施方式中，使用进行磁控管溅射(其是溅射的一个例子)的薄膜形成装置1来进行滤光器的制造，但也可以使用进行其他公知的溅射(例如，不采用磁控管放电的二极溅射或ECR溅射等)的薄膜形成装置。
需要说明的是，在本实施方式中，对通过溅射蒸镀法进行成膜处理的示例进行说明，但成膜前的氧等离子体处理(前处理工序)之后的成膜方法也可以为电子束蒸镀法或基于电阻加热的蒸镀法、或者为离子镀或CVD蒸镀法等。另外，对于前处理工序，装置只要可利用氧等离子体对基板S进行处理即可，并不限于本实施方式中所述的薄膜形成装置1。
在本实施方式的薄膜形成装置1中，在利用氧等离子体对基板S进行处理的前处理工序之后，通过溅射工序以及反应工序在基板S的表面形成中间薄膜，在该溅射工序中在基板S的表面附着与目标膜厚相比相当薄的薄膜，在该反应工序中对该薄膜进行氧化等处理来转换薄膜的组成，并且反复进行两次以上的该溅射工序和反应工序，由此将中间薄膜多层层积，在基板S的表面形成具有目标膜厚的最终薄膜。
具体地说，对于通过溅射工序和反应工序在基板S的表面形成组成转换后的膜厚的平均值为0.01～1.5nm左右的中间薄膜的工序，随着旋转鼓的旋转反复地进行该工序，来形成具有数nm～数百nm左右的目标膜厚的最终薄膜。
下面针对滤光器的制造方法中所使用的薄膜形成装置1进行说明。
如图1所示，本实施方式的薄膜形成装置1以真空容器11、旋转鼓13、马达17(参照图2)、溅射单元20、溅射气体供给单元30、等离子体发生单元60以及反应性气体供给单元70作为主要构成要件。
需要说明的是，在图中，溅射单元20和等离子体发生单元60以虚线表示、溅射气体供给单元30和反应性气体供给单元70以点划线表示。
另外，在本实施方式中，对将具有绿光反射作用的氧化铌(Nb2O5)与二氧化硅(SiO2)作为薄膜交替层积的示例进行说明，然而也可以为防反射膜等其他的薄膜，不消说，也可以应用于亲水性薄膜或半导体薄膜等薄膜器件的形成。
真空容器11为在公知的薄膜形成装置中通常使用的不锈钢制，并且为呈大致长方体形状的中空体。真空容器11的内部利用作为开闭门的门11C分为薄膜形成室11A和加载互锁室11B。在真空容器11的上方连接有容纳门11C的门收纳室(未图示)，门11C通过在真空容器11的内部和门收纳室的内部之间滑动进行开闭。
在真空容器11中，设有用于将加载互锁室11B与真空容器11的外部间隔开的门11D。门11D通过滑动或转动进行开闭。薄膜形成室11A连接有排气用的配管16a-1，该配管16a-1连接有用于对真空容器11的内部进行排气的真空泵15a。在真空容器11的内部，在配管16a-1中形成开口，该开口位于真空容器11内部的薄膜形成处理区域20A与反应处理区域60A之间。由此，在薄膜形成处理区域20A，可以用真空泵15a吸引飞散的膜原料物质，从而能够防止下述现象：由薄膜形成处理区域20A飞散的膜原料物质侵入到反应处理区域60A中而污染等离子体发生单元60、附着在位于薄膜形成处理区域20A之外的基板S的表面而发生污染。
另外，加载互锁室11B连接有排气用的配管16b，该配管16b连接着用于对真空容器11的内部进行排气的真空泵15b。
在本实施方式的薄膜形成装置1中，由于具备这样的加载互锁室11B，因而能够在保持薄膜形成室11A内的真空状态的状态下进行基板S的搬入搬出。因而，能够节省每次搬出基板S对真空容器11的内部进行排气以形成真空状态的劳力和时间，能够以高作业效率进行薄膜形成处理。
需要说明的是，本实施方式的真空容器11采用的是具备加载互锁室11B的加载互锁方式，然而其也可以采用不设有加载互锁室11B的单室方式。并且还可以采用具备2个以上的真空室、各真空室可独立进行薄膜形成的多室方式。
旋转鼓13为筒状部件，该筒状部件用于在真空容器11的内部保持在表面形成薄膜的基板S，并且旋转鼓13具有作为基板保持单元的功能。如图2所示，旋转鼓13以2个以上的基板保持板13a、框架13b以及扣合基板保持板13a和框架13b的扣合件13c作为主要构成要件。
基板保持板13a为不锈钢制造的平板状部件，其沿着基板保持板13a的长度方向在板面中央部呈一列地具备2个以上基板保持孔，该基板保持孔用于保持基板S。基板S被收纳至基板保持板13a的基板保持孔中，用螺钉部件等固定在基板保持板13a上以使其不会发生脱落。另外，在基板保持板13a的长度方向的两端部，在板面上设有可插通后述的扣合件13c的螺孔。
框架13b由不锈钢制成，其由上下配设的2个环状部件构成。在框架13b的各环状部件上，在与基板保持板13a的螺孔相对应的位置设有螺孔。基板保持板13a和框架13b使用由螺栓和螺姆构成的扣合件13c进行固定。具体地说，将螺栓插通至基板保持板13a和框架13b的螺孔中，用螺姆进行固定，由此对基板保持板13a和框架13b进行固定。
需要说明的是，为了配置多个平板状的基板保持板13a，本实施方式中的旋转鼓13采取了横截面为多边形的多棱柱状，但其并不限于这样的多棱柱状的形状，也可以为圆筒状或圆锥状的形状。
基板S为由玻璃等材料形成的部件。在本实施方式中，作为基板S使用的是板状的基板，但作为基板S的形状并不限于这样的板状，也可以为能够在表面形成薄膜的其他形状，例如为透镜形状、圆筒状、圆环状等形状。此处，所谓玻璃材料为由二氧化硅(SiO2)形成的材料，具体地说，可以举出石英玻璃、钠钙玻璃、硼硅酸玻璃等。
此外，基板S的材料并不限于玻璃，也可以为塑料树脂等。作为塑料树脂的示例，可以举出例如选自由聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、尼龙、聚碳酸酯-聚对苯二甲酸乙二醇酯共聚物、聚碳酸酯-聚对苯二甲酸丁二醇酯共聚物、亚克力(アクリル)、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯组成的组中的树脂材料、或这些材料与玻璃纤维和/或碳纤维的混合物等。
设置于真空容器11的内部的旋转鼓13按照可在图1所示的薄膜形成室11A与加载互锁室11B之间发生移动的方式来构成。在本实施方式中，在真空容器11的底面设有轨道(未图示)，旋转鼓13沿着该轨道进行移动。旋转鼓13按照圆筒的筒方向的旋转轴线Z(参照图2)为真空容器11的上下方向的方式配设在真空容器11的内部。在将基板保持板13a安装在框架13b上时或自框架13b取下时，旋转鼓13传送至加载互锁室11B，在该加载互锁室11B内，基板保持板13a在框架13b上进行装卸。另一方面，在薄膜形成中，旋转鼓13传送至薄膜形成室11A中，处于可在薄膜形成室11A内进行旋转的状态。
如图2所示，旋转鼓13的下面中心部形成与马达旋转轴17a的上面相卡合的形状。旋转鼓13与马达旋转轴17a按照马达旋转轴17a的中心轴线与旋转鼓13的中心轴线相一致的方式进行位置确定，通过二者卡合而连结着。旋转鼓13下面的与马达旋转轴17a相卡合的面由绝缘部件构成。由此，能够防止基板S的异常放电。此外，真空容器11与马达旋转轴17a之间以圆形环保持气密。
在维持真空容器11的内部的真空状态的状态下，通过驱动设于真空容器11的下部的马达17使马达旋转轴17a旋转。伴随着该旋转，连接在马达旋转轴17a上的旋转鼓13以旋转轴线Z为中心进行旋转。由于各基板S保持在旋转鼓13上，通过旋转鼓13的旋转，以旋转轴线Z为公转轴进行公转。
在旋转鼓13的上面设有鼓旋转轴18，其按照随着旋转鼓13的旋转鼓旋转轴18也旋转的方式来构成。在真空容器11的上壁面形成孔部，鼓旋转轴18贯通该孔部通达至真空容器11的外部。在孔部的内面设置轴承，使旋转鼓13的旋转可平稳地进行。此外，真空容器11与鼓旋转轴18之间以圆形环保持气密。
接下来对在基板S的表面形成薄膜的薄膜形成处理区域20A以及反应处理区域60A进行说明。如图1所示，在真空容器11的内壁，在面向旋转鼓13的位置立设有间隔壁12和间隔壁14。本实施方式中的间隔壁12和间隔壁14均为与真空容器11同样的不锈钢制部件。间隔壁12和间隔壁14均由在上下左右各配设一个的平板部件构成，呈由真空容器11的内壁面向旋转鼓13围成四方的状态。由此，薄膜形成处理区域20A和反应处理区域60A在真空容器11的内部彼此区分开来。
真空容器11的侧壁呈向外方突出的横截面凸状，在突出的壁面设有溅射单元20。薄膜形成处理区域20A在由真空容器11的内壁面、间隔壁12、旋转鼓13的外周面以及溅射单元20所围绕的区域形成。在薄膜形成处理区域20A进行溅射处理，溅射处理使膜原料物质附着在基板S的表面。
另外，在由薄膜形成处理区域20A以旋转鼓13的旋转轴为中心偏离90°的真空容器11的侧壁也呈向外方突出的横截面凸状，在突出的壁面设有等离子体发生单元60。反应处理区域60A在由真空容器11的内壁面、间隔壁14、旋转鼓13的外周面以及等离子体发生单元60所围绕的区域形成。在反应处理区域60A进行前处理工序以及反应工序，在所述前处理工序中，在薄膜形成前对基板S的表面进行等离子体处理，在所述反应工序中，使附着在基板S的表面的膜原料物质与反应性气体的等离子体进行反应。
需要说明的是，在本实施方式中，前处理工序是在反应处理区域60A中进行的，也可以在加载互锁室11B中设置氧等离子体处理装置来形成氧等离子体处理区域，在加载互锁室11B内的氧等离子体处理区域进行前处理工序。
在反应工序中，若利用马达17使旋转鼓13发生旋转，则保持在旋转鼓13的外周面的基板S发生公转，从而在面向薄膜形成处理区域20A的位置与面向反应处理区域60A的位置之间反复移动。并且，通过如此使基板S公转，依次反复进行在薄膜形成处理区域20A的溅射处理以及在反应处理区域60A的反应处理，从而在基板S的表面形成薄膜。
(薄膜形成处理区域20A)
下面对薄膜形成处理区域20A进行说明。
如图3所示，在薄膜形成处理区域20A设置有溅射单元20。
溅射单元20由一对靶材22a，22b、保持靶材22a，22b的一对磁控管溅射电极21a，21b、向磁控管溅射电极21a，21b供给电力的交流电源24、以及变压器23构成，该变压器23用作调整来自交流电源24的电能的电力控制单元。
真空容器11的壁面向外方突出，在该突出部的内壁，磁控管溅射电极21a，21b以贯通侧壁的状态配设。该磁控管溅射电极21a，21b通过未图示的绝缘部件固定在呈接地电位的真空容器11中。
本实施方式的靶材22a，22b是将膜原料物质形成为平板状的靶材，如后所述，其按照与旋转鼓13的侧面相对向的方式分别保持在磁控管溅射电极21a，21b上。在本实施方式中，作为靶材22a，22b使用铌(Nb)、硅(Si)，但也可以为其它材料，例如为钛(Ti)、钽(Ta)等。在本发明中，由于在成膜前要除去附着在基板S上的异物，因而对成膜的材料没有特别限定。
磁控管溅射电极21a，21b具有将2个以上的磁石配置在预定方向的结构。磁控管溅射电极21a，21b藉由变压器23与交流电源24连接，按照可在两电极上施加1k～100kHz的交流电压的方式构成。在磁控管溅射电极21a，21b分别保持有靶材22a，22b。靶材22a，22b的形状为平板状，如图2所示，按照靶材22a，22b的长度方向与旋转鼓13的旋转轴线Z平行的方式进行设置。
如图3所示，在薄膜形成处理区域20A的周边设有用于供给氩等溅射气体的溅射气体供给单元30。溅射气体供给单元30具备作为溅射气体储藏单元的溅射气体储气瓶32、作为溅射气体供给路的配管35a和配管35c、以及质量流量控制器31作为主要构成要件，该质量流量控制器31用作调整溅射气体流量的溅射气体流量调整单元。
作为溅射气体，可以举出例如氩、氦等惰性气体。在本实施方式中使用氩气。
溅射气体储气瓶32、质量流量控制器31均设于真空容器11的外部。质量流量控制器31藉由配管35c与储藏溅射气体的单一的溅射气体储气瓶32相连接。
质量流量控制器31与配管35a相连接，配管35a的一端贯通真空容器11的侧壁延伸至薄膜形成处理区域20A内的靶材22a，22b的附近。如图2所示，配管35a的前端部配设在靶材22a，22b的下部中心附近，其前端朝向靶材22a，22b的前面中心方向开口有导入口35b。
质量流量控制器31为对气体的流量进行调节的装置，其具备来自溅射气体储气瓶32的气体流入的流入口、使溅射气体向配管35a流出的流出口、对气体的质量流量进行检测的传感器、对气体的流量进行调整的控制阀、对由流入口流入的气体的质量流量进行检测的传感器、以及基于由传感器检测出的流量进行控制阀的控制的电子电路作为主要构成要件(均未图示)。在电子电路中可由外部设定所期望的流量。
来自溅射气体储气瓶32的溅射气体经质量流量控制器31进行流量调节，导入至配管35a内。流入配管35a的溅射气体由导入口35b导入至配置在薄膜形成处理区域20A的靶材22a，22b的表面。
由溅射气体供给单元30向薄膜形成处理区域20A供给溅射气体，若在靶材22a，22b的周边呈惰性气体气氛的状态下由交流电源24在磁控管溅射电极21a，21b上施加交流电压，则靶材22a，22b周边的溅射气体的一部分放出电子而发生离子化。由于利用配置于磁控管溅射电极21a，21b的磁石在靶材22a，22b的表面形成漏磁场，因而该电子在靶材22a，22b的表面附近产生的磁场中一边描绘出环形的曲线一边回旋。沿着该电子的轨道产生强等离子体，溅射气体的离子朝向该等离子体进行加速，通过与靶材22a，22b碰撞而将靶材22a，22b表面的原子或颗粒(靶材22a，22b为铌的情况下为铌原子或铌颗粒；靶材22a，22b为硅的情况下为硅原子或硅颗粒)敲起。该铌原子(或硅原子)或铌颗粒(或硅颗粒)是作为薄膜原料的膜原料物质，其附着在基板S的表面形成薄膜。
(反应处理区域60A)
接下来对反应处理区域60A进行说明。如上所述，在反应处理区域60A中，进行利用等离子体处理在薄膜形成前除去在清洗处理中附着于基板S的表面的异物的前处理工序、以及对在薄膜形成处理区域20A中附着于基板S的表面的膜原料物质进行反应处理，以进行由膜原料物质的化合物或不完全化合物构成的薄膜的形成。
如图4所示，在与反应处理区域60A对应的真空容器11的壁面，形成有用于设置等离子体发生单元60的开口11a。此外，在反应处理区域60A连接有配管75a。在配管75a的一端连接有质量流量控制器72，该质量流量控制器72进一步与氧气储气瓶71相连接。由此，可由氧气储气瓶71向反应处理区域60A内供给氧气。需要说明的是，在反应处理区域60A内，采用除氧气外还可根据需要供给氩气等的构成。
在面向反应处理区域60A侧的间隔壁14的壁面被覆有由热解氮化硼(PyrolyticBoron Nitride)形成的保护层。进一步地，在面向真空容器11的内壁面的反应处理区域60A的部分也被覆有由热解氮化硼形成的保护层。热解氮化硼通过利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition)的热分解法被覆至间隔壁14及真空容器11的内壁面。优选的是，根据需要设置这样的保护层。
等离子体发生单元60面向反应处理区域60A进行设置。本实施方式的等离子体发生单元60的构成中具有壳体61、电介质板62、天线63、匹配箱64以及高频电源65。
壳体61具有闭塞形成于真空容器11的壁面的开口11a的形状，其按照以螺栓(未图示)闭塞真空容器11的开口11a的方式固定着。通过将壳体61固定在真空容器11的壁面，将等离子体发生单元60安装在真空容器11的壁面。在本实施方式中，壳体61由不锈钢制成。
电介质板62由板状的电介质形成。在本实施方式中，电介质板62是由石英形成的，但作为电介质板62的材质并不仅限于这样的石英，其也可以由Al2O3等陶瓷材料来形成。电介质板62通过未图示的固定框固定在壳体61上。通过将电介质板62固定在壳体61上，在由壳体61和电介质板62所围绕的区域形成天线容纳室61A。
固定在壳体61上的电介质板62藉由开口11a面向真空容器11的内部(反应处理区域60A)进行设置。此时，天线容纳室61A与真空容器11的内部相分离。即，天线容纳室61A与真空容器11的内部以用电介质板62隔开的状态形成独立的空间。此外，天线容纳室61A与真空容器11的外部以用壳体61间隔的状态形成独立的空间。在本实施方式中，在如此以独立空间的形式形成的天线容纳室61A中设置天线63。需要说明的是，在天线容纳室61A与真空容器11的内部之间、天线容纳室61A与真空容器11的外部之间分别用圆形环保持气密。
在本实施方式中，配管16a-2自配管16a-1分叉。该配管16a-2与天线容纳室61A相连接，在对天线容纳室61A的内部进行排气使之呈真空状态时，其具备作为排气管的作用。
在配管16a-1上，在由真空泵15a连通至真空容器11的内部的位置设有阀V1、V2。此外，在配管16a-2上，在由真空泵15a连通至天线容纳室61A的内部的位置设有阀V3。通过关闭阀V2、V3的任意一个阀，来阻止天线容纳室61A的内部与真空容器11的内部之间的气体的移动。真空容器11的内部的压力及天线容纳室61A的内部的压力以真空计(未图示)进行测定。
在本实施方式中，在薄膜形成装置1中具备控制装置(未图示)。在该控制装置中输入真空计的输出。控制装置基于所输入的真空计的测定值对经真空泵15a进行的排气进行控制，具有对真空容器11的内部或天线容纳室61A的内部的真空度进行调整的功能。在本实施方式中，通过控制装置控制阀V1、V2、V3的开闭，可使真空容器11的内部与天线容纳室61A的内部同时或独立地进行排气。
天线63为由高频电源65接受电力供给而在真空容器11的内部(反应处理区域60A)产生感应电场、在反应处理区域60A产生等离子体的单元。本实施方式的天线63具备由铜形成的圆管状的本体部以及被覆本体部的表面的由银形成的被覆层。即，天线63的本体部采用低成本、易于加工、且电阻也低的铜形成为圆管状，天线63的表面利用电阻低于铜的银进行被覆。由此降低天线63对高频的阻抗，通过向天线63高效率流通电流而产生等离子体的效率得到提高。
本实施方式的薄膜形成装置1采用如下构成：由高频电源65向天线63施加频率1～27MHz的交流电压、在反应处理区域60A中产生反应性气体的等离子体。
天线63藉由容纳有匹配性电路的匹配箱64与高频电源65相连接。在匹配箱64内设有未图示的可变电容器。
天线63藉由导线部与匹配箱64相连接。导线部由与天线63同样的材料形成。在壳体61中形成有用于插通导线部的插通孔，天线容纳室61A内侧的天线63与天线容纳室61A外侧的匹配箱64藉由插通在插通孔上的导线部相连接。在导线部与插通孔之间设有密封部件，在天线容纳室61A的内外保持气密。
在天线63与旋转鼓13之间设有作为离子湮灭单元的格栅66。格栅66用于湮灭天线63中产生的离子的一部分或电子的一部分。格栅66为由导电体形成的中空部件，其接地。为了向由中空部件形成的格栅66的内部流通冷却介质(例如冷却水)，在格栅66的端部连接有供给冷却介质的软管(未图示)。
另外，在反应处理区域60A的内部及其周边设有反应性气体供给单元70。在本实施方式中，反应性气体供给单元70具备储藏作为反应性气体的氧气的氧气储气瓶71、对由氧气储气瓶71供给的氧气的流量进行调整的质量流量控制器72、以及将反应性气体导入至反应处理区域60A的配管75a作为主要构成要件。此外，在将氧气与氩气混合后导入的情况下，也可以按照设有氩气的供给单元并同时可根据需要对氧气和氩气的导入量进行调整的方式进行构成。
需要说明的是，氧气储气瓶71和质量流量控制器72可以采用与薄膜形成处理区域20A的溅射气体储气瓶32和质量流量控制器31同样的装置。
另外，作为反应性气体，并不限于氧气，也可以为氮气、氟气、臭氧气体等。
在氧气由氧气储气瓶71流通过配管75a而导入至反应处理区域60A的状态下，若由高频电源65向天线63供给电力，则在面向反应处理区域60A内的天线63的区域产生等离子体，膜原料物质等经反应处理成为氧化物或不完全氧化物。
具体地说，在前处理工序中，将基板S与异物的连结基团氧化而分解。另外，在反应工序中，若产生由反应性气体供给单元70导入的氧气的等离子体，则由于等离子体中产生的氧自由基的作用，作为膜原料物质的铌(Nb)和硅(Si)发生氧化，生成铌和硅的完全氧化物——氧化铌(Nb2O5)和二氧化硅(SiO2)或不完全氧化物(NbxOy、SiOx(此处，0＜x＜2、0＜y＜5))。
此处，所谓氧自由基指的是O2 +(氧分子离子)、O(原子态氧)、O*(内壳电子为激发状态的氧自由基)等比氧分子更有活性的基团。
本实施方式的薄膜形成装置1的特征如下：如上述那样，通过溅射进行膜原料物质的供给的薄膜形成处理区域20A与进行膜原料物质与反应性气体的反应的反应处理区域60A分开处于真空容器11内的相分离的位置的状态而形成。
在现有通常的反应性溅射装置中，由于在进行溅射的薄膜形成处理区域20A内进行反应性气体与膜原料物质的反应，因而靶材22a，22b与反应性气体相接触而发生反应，从而具有在靶材22a，22b上发生异常放电这样的问题。因此，需要通过降低反应性气体的供给量或减小等离子体的产生密度来抑制靶材22a，22b与反应性气体的反应、防止异常放电的发生。在这种情况下，附着在基板S上的膜原料物质与反应性气体的反应不易充分进行，因此为了提高反应性有必要升高基板S的温度。
另一方面，对于本实施方式的薄膜形成装置1，由于薄膜形成处理区域20A与反应处理区域60A分开处于相分离的位置的状态，因而不会发生靶材22a，22b与反应性气体发生反应而产生异常放电的现象。因此，能够在低温下充分进行反应，而无需如现有技术那样升高基板S的温度来提高反应性。由此，即使对于由耐热性低的玻璃材料或塑料材料构成的基板S等，也能够充分地进行反应，可形成膜质良好的薄膜。
本实施方式的薄膜形成装置1并不具备用于控制基板S的温度的温度控制单元，但是即使不具备温度控制单元，基于上述理由，也无需升高基板S的温度，因而能够在100℃以下的低温下进行薄膜的形成。
另外，不用说，也可以设置控制基板S的温度的温度控制单元而使基板S的温度为预定的温度。在这种情况下，优选的是，对温度控制单元进行控制以使温度低于基板S的耐热性温度。具体地说，优选的是，设置升高温度的加热单元以及降低温度的冷却单元这二者，同时在配置基板S的位置设置温度传感器，基于经该温度传感器检知的温度反馈控制温度控制单元。
接下来，基于图5对在基板S的表面形成以氧化铌(Nb2O5)、二氧化硅(SiO2)为材料的薄膜的滤光器的制造方法进行说明。
本实施方式的滤光器的制造工序由清洗工序P1、真空化工序P2、前处理工序P3、以及包括溅射工序P4和反应工序P5的薄膜形成工序来构成。另外，在前处理工序P3、溅射工序P4、反应工序P5之间进行基板传送工序P7，基板传送工序P7将基板传送至实施各自的处理的区域。进一步地，根据需要来进行检查工序P6，检查工序P6对成膜后的滤光器的脱膜等缺陷进行检查。
(清洗工序P1)
清洗工序P1通过利用清洗管线对基板S依次进行处理来进行，清洗管线是串联排列清洗槽、自来水槽、纯水槽与温风槽而成的。
清洗槽为含有弱碱性洗剂溶液的PH8左右的液槽，在将基板S浸渍在该清洗槽中的状态下进行超声波清洗。结束经清洗槽进行清洗的基板依次浸渍在自来水槽和纯水槽中，以洗去在清洗槽中所附着的清洗液。在自来水槽和纯水槽中也进行超声波清洗。另外，通过使自来水槽和纯水槽分别由1～3槽来构成，可得到高清洗效果。在本实施方式中，自来水槽由2槽构成、纯水槽由3槽构成。在纯水槽中进行清洗后，将基板S送至温风槽中进行干燥。在温风槽中，利用流通过HEPA过滤器(高效颗粒空气过滤器，High Efficiency Particulate Air Filter)的温风对基板S进行干燥。在清洗管线的各槽中的处理时间分别为2～5分钟左右。
另外据认为，作为产生脱膜部的原因的异物中的大多数为该清洗工序中使用的清洗液的矿物质成分或洗剂成分，这些成分藉由OH基键附着在基板S的薄膜形成面上。
(真空化工序P2)
接下来，在真空容器11之外将基板S安装于旋转鼓13，容纳至真空容器11的加载互锁室11B内。并且，将旋转鼓13沿着未图示的轨道移动至薄膜形成室11A。在门11C和门11D闭合的状态下使真空容器11内密闭，使用真空泵15a使真空容器11内为10-1～10-5Pa左右的高真空状态。
(基板传送工序P7)
随后，旋转旋转鼓13将基板S由加载互锁室11B传送至反应处理区域60A。另外，在进行后述的反应工序P5的反应处理区域60A与进行溅射工序P4的薄膜形成处理区域20A之间也逐次进行基板S的传送。
需要说明的是，在将基板S由加载互锁室11B传送至反应处理区域60A之前，在由反应性气体供给单元70向反应处理区域60A的内部导入氧气以及根据需要导入氩气的状态下，由高频电源65在天线63上施加交流电压，在反应处理区域60A的内部产生氧气的等离子体，准备进行前处理工序P3。
(前处理工序P3)
由于在反应处理区域60A的内部产生氧气的等离子体，因而使传送至反应处理区域60A的基板S进行等离子体处理。对于前处理工序P3的时间，根据反应气体的流量在1～30分钟左右的范围内选择适当的时间。对于氧气的流量，也同样地在70～500sccm左右的范围内适当确定，由高频电源65供给的电力也在1.0～5.0kW的范围内适当确定。为了稳定产生氧气的等离子体，优选使导入至反应处理区域60A的氧气的压力(薄膜形成压力)为0.3～0.6Pa左右。氧气流量可利用质量流量控制器72进行调整，由高频电源65供给的电力可利用匹配箱64进行调整。
在前处理工序P3中，为了防止由反应处理区域60A流通至薄膜形成处理区域20A的氧气对靶材22a，22b的表面进行氧化，向薄膜形成处理区域20A内导入氩气。氩气的流量通常为200～1000sccm左右。在该前处理工序P3中，由于未由交流电源24向磁控管溅射电极21a，21b供给电力，因而靶材22a，22b未发生溅射。
异物在清洗工序P1中附着在基板表面上，将异物结合在基板表面的OH基键经由该前处理工序P3与氧气的等离子体(自由基)发生反应而被切断，因而异物自基板表面被去除。另外，除了OH基键以外，例如CO基键也为使异物附着于基板表面的连结基团，但通过氧等离子体处理，可使该CO基键的C与氧自由基发生反应而将连结基团分解。即，与OH基键的情况同样地，前处理工序P3在除去藉由CO基键而附着的异物的方面也具有效果。
(溅射工序P4)
在前处理工序P3终止后，在由溅射气体供给单元30向薄膜形成处理区域20A内导入氩气的状态下，由交流电源24向磁控管溅射电极21a，21b供给电力，使靶材22a，22b发生溅射。对于氩气的流量，在200～1000sccm左右的范围内设定适当的流量。在该状态下，对旋转鼓13进行旋转将结束了前处理工序P3的基板S传送至薄膜形成处理区域20A，使作为膜原料物质的铌(Nb)或者硅(Si)堆积在基板S的表面。
另外，可以在旋转鼓13与靶材22a，22b之间设置移动式或旋转式的遮蔽板，进行溅射工序P4的开始和停止。在这种情况下，在溅射工序P4开始前，遮蔽板的位置配置在自靶材22a，22b移动的膜原料物质到不达基板S的屏蔽位置，在溅射工序P4开始时，使遮蔽板移动至自靶材22a，22b移动的膜原料物质到达基板S的非屏蔽位置。
(反应工序P5)
随后，对旋转鼓13进行旋转将基板S传送至反应处理区域60A。由于在反应处理区域60A的内部产生了氧气的等离子体，因而通过溅射工序P4附着在基板S的表面的膜原料物质铌(Nb)或者硅(Si)与该氧气发生反应而被氧化。在本实施方式中，在前处理工序P3中等离子体处理时所导入的氧气流量被设定为多于在反应工序P5中等离子体处理时所导入的氧气流量。
如此，在前处理工序P3和反应工序P5中可分别产生适当的等离子体。具体地说，通过增多前处理工序P3中所导入的氧气流量，能够在短时间内有效切断异物与基板S的键合。
此外，进行前处理工序P3的场所与进行反应工序P5的场所并非为真空容器11内的另外的区域，两者采用与反应处理区域60A共同的区域。因此，无需在真空容器11的内部设置2个场所来进行前处理工序P3和反应工序P5。因而，能够简化薄膜形成装置1的装置构成，能够降低薄膜形成所需的成本。
另外，也可以采用在加载互锁室11B中设置安装有氧等离子体处理装置的氧等离子体处理区域，在加载互锁室11B内的氧等离子体处理区域进行前处理工序P3的构成。在这种情况下，即使前处理工序P3与反应工序P5的处理条件不同，也无需进行繁杂的处理条件变更作业，因而作业性得到提高。另外，由于可以在与薄膜形成室11A保持气密地相分隔开的加载互锁室11B内进行前处理工序P3，因而对于气氛、压力、温度等诸条件，也可以选择更适于前处理工序P3的条件，所以可更有效率地进行异物的除去。
使旋转鼓13连续旋转，依次反复进行溅射工序P4和反应工序P5，由此使中间薄膜多层层积，形成所期望厚度的最终薄膜。该工序相当于本发明的薄膜形成工序(P4、P5)。
需要说明的是，作为薄膜形成工序(P4、P5)，并不限于上述的磁控管溅射法，也可以为其他的薄膜形成方法。
(检查工序P6)
在直至上述的薄膜形成工序的工序结束时，停止旋转鼓13的旋转，解除真空容器11内部的真空状态，将旋转鼓13自真空容器11中取出。将基板保持板13a由框架13b取下，回收基板S。通过以上的工序完成本实施方式的滤光器的制造。
在检查工序P6中，利用放大镜或目视、或利用自动检查机在该制作的滤光器的表面上检查脱膜部等成膜面异常。在本实施方式中，由于所使用的基板S的尺寸(50×50×1t：单位为mm)为一定，因而脱膜部的检查结果记录为每块基板S所检出的脱膜部的数目。
利用本发明的滤光器的制造方法，能够在薄膜形成工序之前去除异物，异物是在清洗工序中藉由OH基键附着在基板表面上的，并且能够防止脱膜部的产生，因而其适用于制造高均一性的高品质滤光器。
此外，氧等离子体处理对于不通过OH基键而附着在基板上的异物的除去也有效果。即，由于活性氧自由基分解基板S与异物的结合而完成的。例如，在基于CO基的键合的情况下，由于等离子体中的氧自由基对CO基的C进行氧化，因而也能够对将异物附着于基板S的连结基团进行分解而除去异物。
如此地，利用本发明的滤光器的制造方法，可以防止作为缺陷的脱膜部的产生，因而成品率高，其结果可低成本地制造滤光器。
实施例
接下来，对利用本发明的滤光器的制造方法来实际制作滤光器的实施例进行说明。
(实施例1～6)
使用图1所示的薄膜形成装置1，在基板S的表面形成由氧化铌(Nb2O5)与二氧化硅(SiO2)的层积膜构成的薄膜。作为基板S，使用将作为玻璃性基板的D263玻璃(Schott社制造)制备成50×50×1t(单位mm)的尺寸而成的基板。对于前处理工序P3、薄膜形成工序(P4、P5)各工序中的气体流量等各种条件，如下文所示，分别在几种条件下进行。
薄膜的膜种：6层/600nm
<前处理工序P3>
前处理工序P3的时间：15、30分钟(2种条件)
由高频电源65供给至天线63的电能：3.0kW(1种条件)
导入至薄膜形成处理区域20A的氩气的流量(TG-Ar)：500sccm(1种条件)
导入至反应处理区域60A的氧气的流量(RS-O2)：0、200、400sccm(3种条件)
导入至反应处理区域60A的氩气的流量(RS-Ar)：0、200、500sccm(3种条件)
<薄膜形成工序(P4、P5)>
薄膜形成工序(P4、P5)的时间：计30分钟(1种条件)
由高频电源65供给至天线63的电能：3.0kW(1种条件)
导入至薄膜形成处理区域20A的氩气的流量(TG-Ar)：150sccm(1种条件)
导入至反应处理区域60A的氧气的流量(RS-O2)：80sccm(1种条件)
导入至反应处理区域60A中的氩气的流量(RS-Ar)：0sccm(1种条件)
在上述的实施条件下，将导入至薄膜形成处理区域20A的氩气的流量(TG-Ar)、导入至反应处理区域60A的氧气的流量(RS-O2)、导入至反应处理区域60A的氩气的流量(RS-Ar)、前处理工序P3的时间(前处理时间)汇总在表2中。另外，在表2中，一并记载有通过检查工序P6确认的脱膜部的数目。需要说明的是，由于能够利用1次处理来进行4张基板S的成膜，因而脱膜部的数目为经同一批次处理的4张基板S上确认到的脱膜部的数目的平均值。
(比较例1)
在比较例1中，使前处理工序P3的条件与薄膜形成工序(P4、P5)中的条件为相同处理条件。一并记于表2中。另外，基板S及脱膜部数目的计数方法与上述实施例相同。
薄膜的膜种：6层/600nm
<前处理工序P3>
前处理工序P3的时间：1分钟(1种条件)
由高频电源65供给至天线63的电能：3.0kW(1种条件)
导入至薄膜形成处理区域20A的氩气的流量(TG-Ar)：150sccm(1种条件)
导入至反应处理区域60A的氧气的流量(RS-O2)：80sccm(1种条件)
导入至反应处理区域60A的氩气的流量(RS-Ar)：0sccm(1种条件)
<薄膜形成工序(P4、P5)>
薄膜形成工序(P4、P5)的时间：计30分钟(1种条件)
由高频电源65供给至天线63的电能：3.0kW(1种条件)
导入至薄膜形成处理区域20A的氩气的流量(TG-Ar)：150sccm(1种条件)
导入至反应处理区域60A的氧气的流量(RS-O2)：80sccm(1种条件)
导入至反应处理区域60A的氩气的流量(RS-Ar)：0sccm(1种条件)
[表2]
Figure BDA0000048452350000221
由表2可知，与其他条件下相比较，实施例1、5、6中的脱膜部数目少。据推测，这是由于，在前处理工序P3中，在反应处理区域60A内对基板S进行等离子体处理，然而该等离子体中的氧自由基能够去除附着在基板S上的异物。
特别是在实施例1和实施例6中，确认到的脱膜部的数目减少到1～2处，与比较例相比将脱膜部的数目抑制到1/12～1/6。由此可以说，实施例1与实施例6中的前处理工序P3的条件在异物除去方面是有效的。
在实施例1、5、6中，由于均向反应处理区域60A中仅导入了氧气，因而据推测，在前处理工序P3中，等离子体中的氧自由基的密度高这一点是对异物的除去发挥出飞跃性效果的主要原因。
另外，与实施例5中的前处理工序P3的处理条件相比较，在异物除去方面显示出显著效果的实施例1和实施例6的条件为异物暴露在氧气的自由基中的频率更高。
进一步地，与实施例1相比，反应处理区域60A的氧气导入量(氧气分压)多的实施例6在短时间内获得了同等的效果。据推测，这是由于，通过增加反应处理区域60A的氧气导入量(氧气分压)，能够缩短前处理工序P3中所需要的处理时间。
即，在前处理工序P3中，通过将基板S暴露在氧气的等离子体中，能够有效去除在清洗工序P1中附着在基板S的表面上的异物。由此能够抑制制成的滤光器的表面所出现的脱膜部的发生，能够获得具有优异膜质的高品质的滤光器。
此外，通过改变反应处理区域60A的氧气导入量(氧气分压)，能够调整前处理工序P3中所需要的处理时间。由此能够以目标处理时间进行前处理工序P3，从而能够更有效地进行滤光器的制造。

Claims (4)

1.一种滤光器的制造方法，其是在基板的表面形成薄膜的滤光器的制造方法，该制造方法的特征在于，其具有：
对上述基板进行清洗的清洗工序、
利用氧气的等离子体对经上述清洗工序清洗后的基板的表面进行等离子体处理的前处理工序、以及
在经上述前处理工序进行了等离子体处理后的上述基板的表面形成薄膜的薄膜形成工序。
2.一种滤光器的制造方法，其具有
对基板进行清洗的清洗工序、
对经上述清洗工序清洗后的基板的表面进行等离子体处理的前处理工序、以及
在经上述前处理工序进行了等离子体处理后的上述基板的表面形成薄膜的薄膜形成工序，
该制造方法的特征在于：
在上述薄膜形成工序中，进行两次以上的由溅射工序、基板传送工序以及反应工序所构成的一系列工序；
在所述溅射工序中，在形成于真空容器内的薄膜形成处理区域内，溅射由至少一种金属构成的靶材，使由上述金属构成的膜原料物质附着在上述基板的表面；
在所述基板传送工序中，将上述基板传送至反应处理区域内，该反应处理区域在上述真空容器内形成于与上述薄膜形成处理区域相分离的位置；
在所述反应工序中，在向上述反应处理区域内导入了反应性气体的状态下产生上述反应性气体的等离子体，使上述反应性气体与上述膜原料物质发生反应，生成上述反应性气体与上述膜原料物质的化合物或不完全化合物；
上述前处理工序在产生了氧气的等离子体的上述反应处理区域内进行。
3.如权利要求2所述的滤光器的制造方法，其特征在于：
在上述前处理工序中，向上述反应处理区域中仅导入氧气，并且
在上述前处理工序中导入至上述反应处理区域中的氧气流量多于在上述薄膜形成工序中导入至上述反应处理区域中的氧气流量。
4.一种滤光器的制造方法，其具有
对基板进行清洗的清洗工序、
对经上述清洗工序清洗后的基板的表面进行等离子体处理的前处理工序、以及
在经上述前处理工序进行了等离子体处理后的上述基板的表面形成薄膜的薄膜形成工序，
该制造方法的特征在于：
在上述薄膜形成工序中，进行两次以上的由溅射工序、基板传送工序以及反应工序所构成的一系列工序；
在所述溅射工序中，在形成于真空容器内的薄膜形成处理区域内，溅射由至少一种金属构成的靶材，使由上述金属构成的膜原料物质附着在上述基板的表面；
在所述基板传送工序中，将上述基板传送至反应处理区域内，该反应处理区域在上述真空容器内形成于与上述薄膜形成处理区域相分离的位置；
在所述反应工序中，在向上述反应处理区域内导入了反应性气体的状态下产生上述反应性气体的等离子体，使上述反应性气体与上述膜原料物质发生反应，生成上述反应性气体与上述膜原料物质的化合物或不完全化合物；
上述前处理工序是通过在上述薄膜形成处理区域和上述反应处理区域均保持气密地被分隔开的氧等离子体处理区域内产生氧气的等离子体而进行的。
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