CN109642320A - 用于施加薄膜涂层的真空装置和用该真空装置施加光学涂层的方法 - Google Patents

Abstract

本组发明涉及真空处理装置和使用该装置施加具有特定光学特性的薄膜涂层的方法。所述真空装置包括负载锁定室，其附接到输送系统并且能够与垂直布置在其内部的鼓式基板托架一起或者在没有鼓式基板托架的情况下移动并且能够通过位于处理室下方的水平高真空闸门连接到处理室。通过高密度等离子体中的化学沉积，薄膜光学涂层的施加在处理室的操作区中进行，其中涂层的施加涉及等离子体生成系统，其中电感耦合等离子体源沿着一垂直轴线布置，而且操作空间通过高真空泵送系统和防护屏被分成多个操作区域。本发明允许设备的紧凑配置和将高可用性的薄膜光学涂层施加到各种类型和尺寸的挠性实心基板上的高性能和经济的方法。

Description

用于施加薄膜涂层的真空装置和用该真空装置施加光学涂层 的方法

技术领域

本组发明涉及用于施加涂层的技术设备领域，即用于施加具有给定的光学、电学和其它特性的薄膜涂层的真空处理设备。

背景技术

从现有技术中已知用于将薄膜涂层施加到工件上的各种方法和用于实施这些方法的装置。

具体而言，要求保护的装置和用于施加薄膜涂层的方法的类似情况是已知的[1]。所述参考文献描述了一种批处理装置，该装置包括：鼓式基板托架，在其产生线上安装并固定有基板；进给室和排放室，其彼此隔离并且位于垂直处理室的侧面上，所述垂直处理室包括磁控管用于施加薄膜和等离子体发生器用于它们的氧化，所述磁控管位于基板托架周围的处理室周边上。在这种情况下，处理室中的基板的处理区域被挡板分开，并且被配置为从气体等离子体捕获诸如电子和离子的带电粒子的栅格被安置在基板托架与等离子体发生器之间的处理区域中，该基板托架具有位于处理室的中心的基板。

根据所述专利的用于施加薄膜涂层的方法包括将薄膜涂层真空施加到置于旋转鼓上的基板上及其氧化。

在这种情况下，基板多次移动通过每个处理区域。

所指定的装置和方法的缺点如下：

真空装置的低性能和产品的相当大的制造成本；

由于需要输入和输出负载锁定室，所以存在用于将鼓式基板托架转移和进给到负载锁定室和处理室的复杂机构；

使用有限数量的处理装置的能力，因为鼓式基板托架向处理室的水平进给需要用于输入和输出负载锁定室的空间；

由于存在用于传送、进给和连接到驱动机构的装置而导致的基板托架的高制造成本；

真空处理装置的使用寿命缩短，原因在于装置内部存在机械和驱动机构以及低质量的最终薄膜涂层。

关于要求保护的装置和用于施加薄膜涂层的方法的最接近的类似情况[2]，描述了用于将薄膜涂层施加到工件上的真空处理线，该真空处理线包括串联布置的输入负载锁定室、输入缓冲室、其中安装有处理装置的处理室、输出缓冲室、输出负载锁定室和高真空泵以及基板托架，该基板托架被配置成旋转鼓形式，通过轴承安装在滑架上，可以通过输送系统导轨沿着室移动。在这种情况下，在基板托架轴的端部安装有可释放的磁性耦合元件以用于传递旋转，并且安置在托架的框架上的电致动器用于使基板托架旋转。处理装置沿着基板托架的运动被安装在托架上，并且操作处理区域被定义为沿着运动的区域。

根据所述专利的方法包括施加薄膜涂层，其中基板位于鼓基板托架上，该鼓基板托架随着基板连续地移动通过与鼓的旋转轴线平行的处理室并且以相等恒定的线性和角速度旋转。在这种情况下，在处理室中，通过位于处理区中的处理装置来施加涂层。在实施工艺过程时，基板托架与基板通过负载锁定室、处理室、缓冲室和处理线区域。当施加薄层然后氧化时，重复处理的基板的每个点连续通过用于施加超薄材料层的装置。

所述生产线和方法的缺点如下：

需要使用线设备的大型生产设施和其高材料消耗，特别是在施加复杂和精密涂层的情况下，因为它需要增加处理室的数量并且施加复杂的控制和调整系统；

当施加多层涂层时长期工艺的经济效率低下，因为如果需要连续施加多层，则产品的长时间间隔停留在处理区域中迫使或者降低旋转输送和移动装置的速度，或根据处理实施的时间得出所用装置的大小，这需要使用非常大且昂贵的机构；

存在用于在真空室内用旋转装置安装和移动基板的复杂装置，并且相应地由于真空装置内部存在机械结构而导致低质量的最终薄膜涂层。

发明内容

本发明提供一种用于将薄膜涂层施加到各种形状因数的基板上的紧凑型工业真空装置，其适用于复杂和长期的工艺过程，能够使用大范围的技术和技术装置，以及用该装置施加薄膜光学涂料的一种高性能且经济的方法，该方法将增加薄膜涂层的使用性能。

使用用于施加薄膜涂层的真空装置来解决问题，该真空装置包括：包括处理装置和高真空泵送系统的至少一个处理室；至少一个负载锁定室；将处理室连接到负载锁定室的高真空闸门；可绕其轴线旋转的鼓式基板托架；以及用于移动鼓式基板托架的输送系统，问题被解决是由于负载锁定室被安装在输送系统上并且被配置成与其内部垂直布置的鼓式基板托架一起或者在没有鼓式基板托架的情况下沿着输送系统或借助于输送系统移动并且经由位于处理室下方的水平高真空闸门连接到处理室，其中处理室中的操作空间由于高真空泵送系统和防护屏的使用而被分成多个操作区域。

而且，由于用于移动和旋转鼓式基板托架的装置位于负载锁定室和处理室外部，所以解决了设定问题。

鼓式基板托架具有至少六个用于安装各种形状因数的基板的可移除接收装置或用于安装挠性基板的可移除圆柱形表面。

而且，由于输送系统设置有附接到其上并且沿着线性导轨进行往复运动的一个负载锁定室或者至少有附接到其上的两个负载锁定室，所以解决了设定问题，于是输送系统是转盘。

在真空装置的最优选实施例中，安装在处理室中的至少一个处理装置是高密度等离子体生成系统，其包括至少两个电感耦合等离子体源，每个电感耦合等离子体源在其轴上都设置有永久电磁体。

由于垂直布置的鼓式基板托架的输送在安装在输送系统上并且经由水平高真空闸门从下方连接到处理室的负载锁定室中输送，要求保护的用于施加薄膜光学涂层的方法的设定问题被解决，所述要求保护的用于施加薄膜光学涂层的方法的特征在于，将薄膜涂层施加到基板上，附接到在处理室中以恒定角速度旋转的鼓式基板托架，使用输送系统使鼓式基板托架从负载锁定室移动进入处理室。在这种情况下，通过在高密度等离子体中的化学沉积将薄膜光学涂层施加在处理室的操作区中。使用至少一个等离子体生成系统来施加涂层，其中感应耦合等离子体源沿着与鼓式基板托架的旋转轴线平行的垂直轴线一个接一个地位于处理室的内侧表面上或相对于所述轴线以交错布置的方式偏移。操作空间通过高真空泵系统和防护屏被分成操作区。在施加涂层并且从处理室中取出鼓式基板托架后，对鼓式基板托架进行清洁。

在该方法的最优选实施例中，在施加光学涂层之前，旋转基板的表面在氧和氢等离子体中被清洁和激活。

当施加薄膜光学涂层时，由电感耦合等离子体源传递给等离子体的功率密度超过0.1W/cm³。

在操作等离子体形成区域中的工作气体由于感应强度为0.1-3mT的外部永久磁场而被电离，其中磁场由永久电磁体形成，永久电磁体安置在感应耦合等离子体源的轴线上的处理室的外部。

该方法的一个实施例在于使用至少两个生成系统，其中使用一个等离子体生成系统施加涂层并且使用另一个等离子体生成系统氧化涂层。在这种情况下，氧化不仅意味着实际氧化，还意味着氮化、氟化等。

附图说明

通过下面的附图说明本发明的本质：

图1表示安装在框架上的处理室的侧视图；图2表示框架上的处理室的平面图；图3表示输送系统，是一个带有两个负载锁定室的转盘；图4表示鼓式基板托架的整体视图；图5表示四件式转盘输送系统的整体视图；图6表示具有三个处理室、四件式转盘输送系统和带有鼓式基板托架的负载锁定室的真空处理设备的平面图，鼓式基板托架位于输送系统的一个位置内；图7表示用于实施要求保护的用于施加光学涂层的方法的真空处理室中的装置的布置图；图8示出了具有低反射涂层的玻璃基板的表面反射系数和照明波长之间的相关性图。

具体实施方式

用于施加薄膜涂层的真空装置(图1、图2、图3)包括：处理室1，其安装在框架2上；在处理室1的侧面上安置有处理装置3；高真空泵4，其在执行处理操作时用于提供和支持真空，以及将关于气体的操作空间分为操作区域；旋转鼓式基板托架5，其中基板托架5的旋转驱动器6安装在处理室1的盖子上，在处理室内具有高真空旋转运动馈通(未示出)。具有与其附接的至少一个负载锁定室8的输送系统7被配置为将负载锁定室连同其内的垂直布置的基板托架5从进料/排放区域移动到处理室1下方的操作位置。在处理室1的下侧上设置有水平的高真空浇口9，通过该水平高真空浇口9，基板托架5从负载锁定室8移动到处理室1中并返回。为了在负载锁定室8的外面下方移动基板托架5，具有高真空运动馈通(未示出)的基板托架的进给装置10被安装在负载锁定室的内部。

当执行处理操作时，鼓式基板托架5在处理室1内，而且处理装置3围绕基板托架5的垂直旋转轴线位于处理室1的周边上。在将基板托架5进给到处理室1内之后，基板托架5的旋转驱动器6驱动基板托架5。

基板托架5的旋转驱动器6和用于将其进给到处理室1中的进给装置10位于处理室和负载锁定室之外，相应地，这允许避免室内的操作空间的污染，这进而提供了工艺过程的清洁并且因此提高了所施加的涂层的质量。

鼓式基板托架5(图4)具有用于基板13的不同形状因数的至少六个可移除接收装置(面)12或用于安装挠性基板的圆柱形表面。基板13的变化，面12随基板的变化或者基板托架5本身的变化可以在基板托架5上的进给/排放位置中进行。这种多用途的进料可能性使得可以在真空装置中处理各种形状因数的挠性(箔、玻璃、金属)和实心平坦(铌酸锂、钽酸锂、玻璃、硅、蓝宝石、珍珠等)基板。

真空装置可以配备有两种类型的输送系统7：往复运动输送系统，在一个负载锁定室的情况下，或转盘(旋转器)(在两个或多个负载锁定室的情况下)。真空装置中的一个负载锁定室8沿着线性导轨从处理室1往复运动到进给/排放位置大体上简化了真空装置结构并且减少了设备材料消耗。如果需要执行用于施加薄膜涂层的复杂工艺过程，那么输送系统7就可以被配置成多件式转盘(图5)的形式，借助于该输送系统，可以在多个处理室1中实施用于施加薄膜涂层的操作或用于控制、清洁、洗涤等的操作。

图6示出了具有三个处理室1的真空装置的平面图，在整个处理流程期间，在这三个处理室1之间，四件式转盘输送系统7使负载锁定室8随基板托架5移动，直到获得最终产品。在这种情况下，输送系统7与负载锁定室8和/或进给/排放区域一起可以位于清洁区域A中，其中在手动和自动模式下都可以将基板13进给到基板托架5并且排放最终产品。

清洁区域是设施的一部分，其中气溶胶颗粒的浓度被控制，并且被设计并且用于最小化在隔室内的颗粒的输入、产生和积聚，并且如果需要，可以控制其中的其它参数例如温度、湿度和压力。

为了提供通过在真空中施加薄膜涂层产生的高质量产品，当将处理设备安置在技术生产线中时，需要将清洁区安置在处理流的上游和下游，在进给基板和排放最终产品的位置中。通过为装置配备位于圆圈内的处理室(图6)，将从处理室的底部进给位于垂直位置的基板托架，可以仅组织一个清洁区域A，因为进给和排放位置可以匹配。

位于处理室周边的高真空泵送系统4(图7)和防护屏18将处理室1中的操作空间分成几个操作区域，从而为各种类型的处理装置的稳定操作创造了条件。使用各种操作区域将处理装置定位在一个真空室中使得当执行复杂的多阶段工艺过程时可以节省由设备占据的生产设施，为此，对于线性类型的装置来说，在单独的处理室中执行每个操作是标准的。

在要求保护的装置上用于施加薄膜光学涂层的方法如下。基板13在负载锁定室8之外附接到基板托架5，然后借助于进给装置10，处于垂直位置的基板托架自动下降进入附接到输送系统7的负载锁定室8中。通过输送系统7将负载锁定室8连同鼓式基板托架5移动到处理室1。在负载锁定室8在处理室1之下占据其操作位置之后，移动停止并且负载锁定室被提升并且压靠在水平高真空闸门9上。负载锁定室由低真空泵11泵送至2Pa的压力，然后打开高真空闸门9，并且通过进给装置10将基板托架5提升到处理室1中以将其连接到旋转驱动器6。

通过高真空泵4将内部具有基板托架的处理室1泵送至压力小于0.003Pa的高真空，然后将基板托架5旋转并且加速至实施施加涂层过程所需的速度。

在施加光学涂层的过程之前，进行等离子体剥离过程并且通过电感耦合等离子体激活基板的表面以去除分子颗粒、吸附的气体、聚合物碎片、水蒸汽，并且还原子级地激活基板表面上的表面结合层，以改善施加层的附着力。在这种情况下，氧等离子体中的清洁除去有机污染物，并且氢等离子体中的清洁使表面氢化，从而钝化表面结合。为了清洁和活化过程，通过多区域气体供应系统14(图7)将氧气供应到真空处理室1中，压力被调节并且高密度等离子体生成系统15被激活。根据预定的时间间隔处理基板。然后通过气体供应系统14将氢气供应到操作室1中，并且停止氧气供应，调节压力并且继续清洁。一旦清洁结束，等离子体生成系统15关闭并且氢气供应停止。

在清洁和激活过程之后，通过在高密度等离子体中的化学气相沉积将薄膜光学涂层施加到基板的制备表面。

高密度等离子体中的化学气相沉积提供了具有更少缺陷的涂层的生成，更好且更广泛地控制化学计量和低机械应力。薄膜中的低机械应力是由化学沉积产生的薄膜结构以及产品使用的施用温度与操作温度之间的温差最小且不超过100度的事实引起的。在这种情况下，受控的化学计量使得有可能改善具有较少施加层的涂层的性能。

此外，制造高质量薄膜的过程变得更具成本效益，因为气体净化比在反应磁控溅射法[1]中使用的磁控溅射系统的固体靶的净化便宜[1]，反应磁控溅射法目前是化学气相沉积法的直接竞争者，因为反应磁控溅射法目具有相称的沉积速率和足够高质量的涂层。

根据具有一个或两个等离子体生成系统15的涂层的特定光学特性来施加光学涂层。在这种情况下，高真空泵送系统4和防护屏18将处理室1中的操作空间分为多个操作区域为处理装置的稳定操作创造条件。

高密度等离子体生成系统15包括至少两个电感耦合等离子体源16(ICP)，其以13.56MHz的工业频率操作，并且沿着与基板托架的旋转轴线平行的垂直轴线一个接一个地定位或者相对于所述轴线以交错布置的方式偏移。具有电感耦合等离子体源的指定位置的等离子体生成系统的使用使得可以在整个基板托架的整个高度上获得涂层的均匀性。

在操作等离子体形成区域17中的工作气体电离度的增加通过具有0.1-3mT的感应的外部永久磁场来达到。其中，磁场在感应耦合等离子体源的轴线上相对于处理室1位于外部的永久电磁体19形成。

氧化物、氮化物或其它材料的沉积可以通过一个等离子体生成系统来进行。在这种情况下，工作气体通过多区域气体供应系统14被供应到等离子体形成区域17中，在那里它们被激活、被移动到基板并且形成涂层。

如果用两个等离子体生成系统15执行层沉积，则在等离子体生成系统15的一个等离子体形成区域17中沉积薄层的半导体材料或金属。在旋转过程中，基板进入另一个等离子体生成系统15的工作范围，在该工作范围内发生氧化物、氮化物、氟化物等的形成。分离沉积处理和氧化处理(在这种情况下，氧化被理解为实际氧化、以及氮化、氟化等)改善了所形成的涂层的均匀性，简化了沉积均匀性的调整并且允许更灵活地控制层化学计量。

在施加具有特定光学性质的涂层之后，停止基板托架5的旋转，基板托架进给装置10将基板托架移入负载锁定室8，高真空闸门9被锁定并且空气被迫进入负载锁定室，压力与大气压力平衡，此后具有基板托架5的负载锁定室8从处理室1断开并且由输送系统7移动到进给/排放区域中，在此处基板被改变。

在最终产品排放之后，处理室1经受等离子体化学清洁以部分去除室内设备中的沉积材料。处理室清洁按如下进行。在鼓式基板托架5排放之后，工作气体NF₃被供应到处理室1并且高密度等离子体生成系统15被激活。在指定的时间内继续清洁。高密度等离子体生成系统关闭，停止供应工作气体，准备好装置以执行工艺过程的下一个循环。在完成施加涂层的每次循环之后处理室清洁减少了涂层中的缺陷量，这反过来又提供了高质量的涂层并且增加了服务设备维护之间的间隔。

高密度等离子体[3，4]中的等离子体化学沉积的现有装置允许以1.5-2％的均匀性将电介质涂层施加到基板上。这些装置被配置为逐一处理样品，不适用于大规模生产光学产品。要求保护的工艺真空装置使得当在大规模生产中对1m的处理面积以0.5-1nm/s的施加速度施加光学涂层并且连续运行循环为持续时间的90％时可达到不小于0.5％的均匀性。这些参数可通过将基板安置在旋转鼓式基板托架上，使用具有用于每个ICP的独立电磁体的电感耦合等离子体源系统和多区域气体供应系统来实现。

基板托架的旋转使得可以将调节均匀性的自由度的数目沿着基板托架的垂直轴线减少到一个。对电感耦合等离子体源系统的使用使得可以增加沿着垂直轴线的等离子体产生的均匀性，并且增加在排放中积分的功率密度，将其集中在小体积中-操作等离子体形成区域，其增加工作气体离解程度并且改善涂层光学参数。安置在电感耦合等离子体源的轴线上的永久电磁体也被配置为增加等离子体浓度。

在薄膜中的低机械应力由在低温下高密度等离子体中的等离子体化学沉积产生的涂层结构引起。在这种涂层中，机械应力主要由膜和基板材料的热膨胀系数的差异引起。由于在要求保护的方法中，施加温度低于100℃，所以机械应力也显著低于通过电容放电等离子体[3，4]中的等离子体化学沉积获得的膜中的机械应力，其中沉积温度需要超过300℃。与物理沉积法[1，2]不同，由要求保护的方法获得的薄膜没有结构应力，这降低了薄膜中的整体机械应力。而低机械应力又能改善薄膜涂层对物理冲击的稳定性，并且允许将薄膜施加到由于涂层中的张力而能够弯曲的薄基板上。

本发明的一个实施例如下：

在清洁区中，尺寸为220×280mm的钢化玻璃的透明基板13用特殊的双面胶带固定在基板托架5的十五个可移除的面12上。然后，在进给/排放位置，填充有基板的面12被安置在基板托架5中，此后，处于垂直位置的基板托架自动地下降到附接到输送系统7的负载锁定室8中。内部具有鼓式基板托架5的负载锁定室8通过输送系统7被移动到处理室1。在负载锁定室8到达处理室1下方的操作位置之后，移动停止并且负载锁定室8被自动提升而且压靠水平高真空闸门9。用低真空泵11将负载锁定室8泵送至20Pa的压力，然后打开高真空闸门9，并且通过进给装置10将基板托架5提升到处理室1中以将其连接到旋转驱动器6。

利用高真空泵4将内部具有基板托架5的处理室1泵送至低于0.003Pa的压力，然后旋转基板托架5并且将其加速到150rpm的速度。

为了通过多区域气体供应系统14清洁和激活基板14，将氧气供应到真空处理室1，压力达到0.7-3Pa，打开高密度等离子体产生系统15。基板进行至少1分钟的清洁。然后向操作室供应氢气，停止氧气供应，将压力维持在相同的范围。基板再经过1分钟的处理。

然后，将包含交替重复层的低反射涂层连续施加到钢化玻璃的透明基板13上，其中具有高H折射率的层之后是具有低L折射率的层。这两种类型的层数是八。表1中列出了层的序号、它们的厚度和折射率。

每个低反射涂层都用一个等离子体产生系统沉积。通过多区域气体供应系统14将工作气体供应到等离子体形成区域17中，在那里它们被激活、被移动到基板并形成涂层。

表1

图8示出了表1的低反射涂层的表面反射率系数与照明波长之间的相关性。

涂层形成如下。将用于低反射涂层形成的工作气体SiH₄、N₂通过气体供应系统14供应至处理室1。室中的压力达到0.5-3Pa，并且接通高密度等离子体生成系统15。沉积具有高折射率H的低反射涂层的奇数层。在这种情况下，该层是氮化硅SiNX。沉积的结束由断开RF功率的时刻决定。此外，改变气体介质的组成：通过气体供应系统14将工作气体SiH₄、O₂供应到室1，并且再次接通高密度等离子体生成系统15。沉积具有低L折射率的低反射涂层SiO_x的均匀层。

当沉积时，RF功率密度为≈0.2W/cm³时，鼓旋转频率为150rpm。这样的条件确保一次施加约0.15-0.5nm厚的层，对应于单分子层的2-6的厚度并且确保形成致密(无孔)和无缺陷涂层，同时具有最小的机械应力。

层L和H沉积重复4次，直到形成具有特定光学性质的低反射涂层(表1)，然后停止供应反应气体。

在施加具有特定光学特性的涂层之后，通过旋转驱动器6停止基板托架5的旋转，然后进给装置10将基板托架移动到负载锁定室8中，锁定高真空闸门9，空气被迫进入负载锁定室，并且压力与大气压力平衡，然后具有鼓式基板托架5的负载锁定室8由可旋转的双位置输送系统7移入清洁区域至进给/排放位置，在此处基板被改变。

处理室1如下进行清洁。在鼓式基板托架5从处理室1排放到负载锁定室8并且锁定高真空闸门9之后，工作气体NF₃被供应到处理室。工作压力达到1Pa，接通高密度等离子体生成系统15。在这种情况下，RF功率密度约为≈0.2W/cm³。清洁进行10分钟。然后断开高密度等离子体生成系统，停止供应工作气体。该装置准备重复下一批基板的处理流程。在这种情况下，工艺过程中传输光学控制的实施提供了其再现性。

要求保护的在处理室中使用位于垂直位置的旋转鼓式基板托架的用于施加薄膜涂层的真空装置使得可以使用安置在其侧表面上的各种处理装置。在这种情况下，通过将空间分为与气体有关的操作区域来达到室内每个处理装置的单独条件。

将各种类型的处理装置安置在一个真空处理室中允许减小设备尺寸和材料消耗，以最小化泵送装置的数量并由此提供设施的设备空间节省。通常还通过将具有附接到其上的负载锁定室的传输系统安置在处理室下面来提供设备空间节省。

要求保护的装置和用该装置施加薄膜光学涂层的方法使得可以实施用于将薄膜涂层施加到各种形状因数的基板的复杂技术并且增加设备操作间隔。在这种情况下，要求保护的使用装置获得光学涂层的方法具有高性能，允许减少缺陷的数量并改善光学和物理涂层性能的均匀性。

信息来源：

1.于2001年8月14日公布的美国专利第6，274，014号

2.于2014年2月20日公布的俄国专利第2507308号

3.牛津仪器公司官方网站-访问方式：

http://www.oxford-instruments.com/products/etching-deposition-and-growth/processes/deposition-processes/dielectrics/sio2-deposition-访问日期：2016年2月12日。

4.Corial公司介绍《Corial 300 IL GaN和蓝宝石蚀刻ICP系统》-访问方式：http://www.corial.net/resources/13_300IL/Corial％20300IL.pdf-访问日期：2016年2月12日。

Claims (14)

1.一种用于施加薄膜涂层的真空装置，其包括：包括处理装置和高真空泵送系统的至少一个处理室；至少一个负载锁定室；将处理室连接到负载锁定室的高真空闸门；可绕其轴线旋转的鼓式基板托架；以及用于移动所述鼓式基板托架的输送系统，所述真空装置的特征在于，所述负载锁定室安装在所述输送系统上并且被配置为与负载锁定室内垂直布置的鼓式基板托架一起或者在没有鼓式基板托架的情况下移动并且经由位于处理室下方的水平高真空闸门连接到处理室；其中由于高真空泵送系统和防护屏的使用，所述处理室中的操作空间被分成多个操作区域。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，用于移动和旋转所述鼓式基板托架的装置位于所述负载锁定室和处理室的外部。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述鼓式基板托架具有用于安装各种形状因数的基板的可移除接收装置。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述鼓式基板托架具有至少六个用于基板的不同形状因数的可移除接收装置。

5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述鼓式基板托架具有用于安装挠性基板的可移除圆柱形表面。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，一个沿着线性导轨进行往复运动的负载锁定室安装在所述输送系统上。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述输送系统是具有安装在其上的至少两个负载锁定室的转盘。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，至少一个处理装置是高密度等离子体生成系统，其包括至少两个电感耦合等离子体源，每个电感耦合等离子体源在其轴线上设有永久电磁体。

9.一种用于施加薄膜光学涂层的方法，其中所述薄膜涂层被施加到基板上，所述基板附接到在处理室中以恒定角速度旋转的鼓式基板托架，所述鼓式基板托架通过输送系统从负载锁定室被移动到所述处理室中，所述方法的特征在于，所述垂直布置的鼓式基板托架在安装在所述输送系统上的负载锁定室中被输送，所述负载锁定室通过水平高真空闸门从下方连接到所述处理室；通过高密度等离子体中的化学沉积在处理室的操作区中执行薄膜光学涂层的施加，其中为了施加所述涂层，使用至少一个等离子体生成系统，感应耦合等离子体源沿着与所述鼓式基板托架的旋转轴线平行的垂直轴线或者相对于所述轴线以交错布置的方式位于所述至少一个等离子体生成系统中；其中在施加涂层并且移除所述鼓式基板托架之后，清洁处理室；操作空间通过高真空泵送系统和防护屏被分成多个操作区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在施加光学涂层之前，旋转的基板的表面在氧和氢等离子体中被清洁和激活。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，通过电感耦合等离子体源传递到等离子体的功率密度超过0.1W/cm³。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，操作等离子体形成区域中的工作气体由于感应强度为0.1-3mT的外部永久磁场而被电离。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，磁场由在感应耦合等离子体源的轴线上的处理室外部安置的永久电磁体形成。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，使用至少两个等离子体生成系统形成等离子体，其中使用一个等离子体生成系统施加涂层并且使用另一个等离子体生成系统氧化涂层。