CN101880863A - 多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备 - Google Patents
多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101880863A CN101880863A CN2009100835081A CN200910083508A CN101880863A CN 101880863 A CN101880863 A CN 101880863A CN 2009100835081 A CN2009100835081 A CN 2009100835081A CN 200910083508 A CN200910083508 A CN 200910083508A CN 101880863 A CN101880863 A CN 101880863A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- etching
- ion beam
- source
- ion source
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 72
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 19
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 2
- -1 Ar + Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,包括:一真空腔室;一溅射沉积与刻蚀工件台,设置于该真空腔室的顶部正中位置,其下表面与水平面平行;一刻蚀离子源,设置于该真空腔室的底部正中位置,与溅射沉积与刻蚀工件台相对;二溅射靶台,设置于该真空腔室的下部,左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向;二溅射离子源,设置于该真空腔室的中部,左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向,发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角;一辅助清洗离子源,设置于该真空腔室的中部,发射的离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。该设备兼备各种功能,可用于介质和金属材料的溅射沉积刻蚀抛光减薄和热处理。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜沉积设备技术领域,具体地说,涉及一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备。
背景技术
离子束溅射沉积(IBSD)是半导体工艺中薄膜制备的重要方式之一,根据溅射原理,利用低能量聚焦离子束对靶材表面进行轰击,溅射的靶材淀积到衬底表面并牢固地附着在衬底表面。离子枪中的灯丝在高压下产生热电子,热电子使氩气电离成Ar+,在电场下加速从而形成离子束。
在局部氧压或氧离子束轰击下可以进行反应离子束溅射沉积(RIBD),以制备氧化物薄膜。
在薄膜淀积过程中,采用离子束轰击正在淀积的薄膜,可以将结合力不强的成分去掉,改变薄膜的机械和电特性,从而形成质量更好的薄膜,这就是离子束辅助溅射沉积(IASD)。
离子束溅射主要用于制备金属、半导体、绝缘体的单质、合金和化合物薄膜,主要优点包括:高致密膜层结构、薄膜特性对环境稳定、较高而且稳定的膜层沉积速率、薄膜纯度高且化学成分稳定、可沉积超薄薄膜、电离辐射和损伤较小(溅射所需的电压比电子束蒸发小一个数量级)。
离子束刻蚀(IBE)是半导体刻蚀工艺中的一种,主要是物理刻蚀,根据溅射原理,利用低能量平行离子束对基片表面进行轰击,表面上未被掩膜覆盖部分的材料被溅射出,从而达到刻蚀的目的,主要用于集成电路、元器件、传感器等领域的微细图形制备。通常的离子束刻蚀采用的是惰性气体离子如Ar+,属于纯物理刻蚀,因而可以刻蚀任何材料,可将三维掩模图形高保真地转移为衬底表面三维图形;而反应离子束刻蚀(RIBE)则是通入反应气体形成反应离子进行刻蚀。离子束刻蚀属于原子级加工手段,特别是Ar+刻蚀不存在侧向腐蚀,具有顶级刻蚀分辨率,理论上认为可以刻蚀几个原子尺寸的结构,而且可以实现优秀的刻蚀均匀性。
离子束还可以实现清洗功能,通过离子束轰击衬底、靶材表面可以去除表面层,离子束清洗是材料表面净化的最彻底的方法,可以获得原子级清洁表面。对于清洗金属材料不存在任何问题;对于清洗合金、化合物和多元材料,采用改变离子束入射角和添加其它气体,可以在保持清洗材料表面元素化学标准配比不变条件下快速减薄和抛光表面,离子束抛光可以获得极低的材料表面微粗糙度。
由于离子束具有离子束溅射沉积、离子束辅助溅射、离子束刻蚀、离子束清洗、离子束抛光、离子束减薄等多种功能,国际上多家真空设备生产商都在对离子束溅射沉积和刻蚀设备进行开发生产,但所研制生产的设备大多功能单一,如不具备共溅射功能、加温功能、不能同时溅射和刻蚀等。
发明内容
(一)要解决的技术问题
针对上述现有技术存在的不足,本发明的主要目的在于提出一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,同时具有离子束溅射/共溅射沉积、离子束共溅射、离子束辅助溅射、通入反应气体的反应离子束溅射、溅射中的衬底加温和原位退火、离子束刻蚀、反应离子束刻蚀、化学辅助离子束刻蚀、衬底反溅清洗、离子束抛光、离子束减薄等功能,可用于高质量、多层、超薄的介质和金属薄膜材料的溅射沉积、刻蚀加工、抛光减薄和热处理。
(二)技术方案
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,该设备包括:
一真空腔室;
一溅射沉积与刻蚀工件台,用于装载基片,设置于该真空腔室的顶部正中位置,其下表面与水平面平行;
一刻蚀离子源,设置于该真空腔室的底部正中位置,与溅射沉积与刻蚀工件台相对,采用射频离子源或直流离子源,竖直向上发射离子束,并且离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面垂直;
二溅射靶台,设置于该真空腔室的下部,左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向,用于装载靶材;
二溅射离子源,设置于该真空腔室的中部,左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向,采用射频离子源或直流离子源发射离子束,发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角;
一辅助清洗离子源,设置于该真空腔室的中部,用于基片的清洗或溅射过程中的辅助轰击,采用射频离子源或直流离子源,辅助清洗离子源斜向上发射离子束,并且发射的离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。
上述方案中,所述溅射沉积与刻蚀工件台为多子台行星结构,每个子台都能够公转和自转。
上述方案中,所述溅射沉积与刻蚀工件台安装有电阻加热器用于实现加热功能,并安装有水冷装置用于实现水冷功能。
上述方案中,所述电阻加热器在单一离子束溅射、离子束共溅射、离子束辅助溅射过程中开启能够实现溅射中的衬底加温,在溅射完成后开启能够实现溅射生长的薄膜材料的原位退火。
上述方案中,所述二溅射靶台包括第一可旋转四靶台和第二可旋转四靶台,二者均可同时装载4片靶材。
上述方案中,所述二溅射离子源包括第一溅射离子源和第二溅射离子源,采用射频离子源来溅射介质薄膜,或者采用直流离子源来溅射金属薄膜;第一溅射离子源斜向下发射离子束,离子束与第一可旋转四靶台的一个靶材表面成45°角;第二溅射离子源斜向下发射离子束,离子束与第二可旋转四靶台的一个靶材表面成45°角。
上述方案中,单独开启所述第一溅射离子源和第二溅射离子源其中之一能够实现单一离子束溅射,同时开启所述第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束共溅射,同时开启所述辅助清洗离子源、第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束辅助溅射。
上述方案中,所述单一离子束溅射或离子束共溅射在通入O2、N2反应性气体中的一种或几种时能够实现反应离子束溅射,反应性气体通过以下三种方式中的任意一种通入:
通过所述真空腔室腔壁中的气路法兰通入至真空腔室中;或者
通过所述第一溅射离子源或第二溅射离子源通入;或者
通过所述辅助清洗离子源通入。
上述方案中,从所述刻蚀离子源中通入惰性气体氩气能够实现普通的氩离子束刻蚀;从所述刻蚀离子源中通入反应性气体O2、CHF3、SF6中的一种或几种时能够实现反应离子束刻蚀;在氩离子束刻蚀过程中从所述真空腔室腔壁中的气路法兰接口通入反应性气体O2、CHF3、SF6中的一种或几种至真空腔室中能够实现化学辅助离子束刻蚀。
上述方案中,单独开启所述辅助清洗离子源或者所述刻蚀离子源能够实现基片的反溅清洗、抛光或减薄。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出,本发明具有以下有益效果:
1、利用本发明制造的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,同时具有离子束溅射/共溅射沉积、离子束共溅射、离子束辅助溅射、通入反应气体的反应离子束溅射、溅射中的衬底加温和原位退火、离子束刻蚀、反应离子束刻蚀、化学辅助离子束刻蚀、衬底反溅清洗、离子束抛光、离子束减薄等功能,可用于高质量、多层、超薄的介质和金属薄膜材料的溅射沉积、刻蚀加工、抛光减薄和热处理。
2、利用本发明制造的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,具有结构简单、易于制造、成本低的优点,非常适合于大规模生产,非常有利于本发明的广泛推广和应用。
附图说明
图1是本发明提供的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备的布局图(前视图);
图2是六子台式行星式结构样品工件台的结构示意图(顶视图);
图3是采用预真空室和六子台式行星式结构样品工件台并采用两套抽真空装置的的离子束溅射沉积与刻蚀设备的结构示意图(顶视图)。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
图1是本发明提供的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备的布局图(前视图),该多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备包括:
一真空腔室;
一溅射沉积与刻蚀工件台,用于装载基片,设置于该真空腔室的顶部正中位置,其下表面与水平面平行;
一刻蚀离子源,设置于该真空腔室的底部正中位置,与溅射沉积与刻蚀工件台相对,采用射频离子源或直流离子源,竖直向上发射离子束,并且离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面垂直;
二溅射靶台,设置于该真空腔室的下部,左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向,用于装载靶材;
二溅射离子源,设置于该真空腔室的中部,左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向,采用射频离子源或直流离子源发射离子束,发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角;
一辅助清洗离子源,设置于该真空腔室的中部,用于基片的清洗或溅射过程中的辅助轰击,采用射频离子源或直流离子源,辅助清洗离子源斜向上发射离子束,并且离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。
图2是一种六子台式行星式结构样品工件台的结构示意图的顶视图。溅射沉积与刻蚀工件台为多子台行星结构,每个子台都能够公转和自转。溅射沉积与刻蚀工件台安装有电阻加热器用于实现加热功能,并安装有水冷装置用于实现水冷功能。电阻加热器在单一离子束溅射、离子束共溅射、离子束辅助溅射过程中开启能够实现溅射中的衬底加温,在溅射完成后开启能够实现溅射生长的薄膜材料的原位退火。图2中最下面的一个子台用于溅射,溅射时其它子台被遮住以防污染。图2中最上面的一个子台用于刻蚀,刻蚀时其它子台被遮住以防污染。
二溅射靶台包括第一可旋转四靶台和第二可旋转四靶台,二者均可同时装载4片靶材。
二溅射离子源包括第一溅射离子源和第二溅射离子源,采用射频离子源来溅射介质薄膜,或者采用直流离子源来溅射金属薄膜;第一溅射离子源斜向下发射离子束,离子束与第一可旋转四靶台的一个靶材表面成45°角;第二溅射离子源斜向下发射离子束,离子束与第二可旋转四靶台的一个靶材表面成45°角。
单独开启所述第一溅射离子源和第二溅射离子源其中之一能够实现单一离子束溅射,同时开启所述第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束共溅射,同时开启所述辅助清洗离子源、第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束辅助溅射。
单一离子束溅射或离子束共溅射在通入O2、N2反应性气体中的一种或几种时能够实现反应离子束溅射,反应性气体通过以下三种方式中的任意一种通入:
1)、通过所述真空腔室腔壁中的气路法兰通入至真空腔室中;或者
2)、通过所述第一溅射离子源或第二溅射离子源通入;或者
3)、通过所述辅助清洗离子源通入。
从所述刻蚀离子源中通入惰性气体氩气能够实现普通的氩离子束刻蚀;从所述刻蚀离子源中通入反应性气体O2、CHF3、SF6中的一种或几种时能够实现反应离子束刻蚀;在氩离子束刻蚀过程中从所述真空腔室腔壁中的气路法兰接口通入反应性气体O2、CHF3、SF6中的一种或几种至真空腔室中能够实现化学辅助离子束刻蚀。
单独开启所述辅助清洗离子源或者所述刻蚀离子源能够实现基片的反溅清洗、抛光或减薄。
图3是采用预真空室、六子台式行星式结构样品工件台和两套抽真空装置的的离子束溅射沉积与刻蚀设备的结构示意图(顶视图)。图中数字所对应的部件名称为:1溅射/刻蚀室,2样品交换室,3溅射/刻蚀室与交换室之间的样品传输部件,4溅射/刻蚀室与交换室之间的闸板阀,5闸板阀,6分子泵,7机械泵,8闸板阀,9分子泵,10机械泵,11六子台式行星式结构样品工件台,12溅射沉积样品子台,13刻蚀样品子台,14-17其它被遮住的子台,18-19溅射/共溅射用离子枪及电源,20清洗或辅助轰击用离子枪及电源,21刻蚀用离子枪及电源,22交换室样品台,23观察窗,24观察窗,25引入Ar的法兰接口,26引入O2的法兰接口,27引入其它反应性气体的法兰接口,28用于引入电阻加热器的引线法兰,29用于引入照明的引线法兰,30-31放气截止阀。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,其特征在于,该设备包括:
一真空腔室;
一溅射沉积与刻蚀工件台,用于装载基片,设置于该真空腔室的顶部正中位置,其下表面与水平面平行;
一刻蚀离子源,设置于该真空腔室的底部正中位置,与溅射沉积与刻蚀工件台相对,采用射频离子源或直流离子源,竖直向上发射离子束,并且离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面垂直;
二溅射靶台,设置于该真空腔室的下部,左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向,用于装载靶材;
二溅射离子源,设置于该真空腔室的中部,左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向,采用射频离子源或直流离子源发射离子束,发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角;
一辅助清洗离子源,设置于该真空腔室的中部,用于基片的清洗或溅射过程中的辅助轰击,采用射频离子源或直流离子源,辅助清洗离子源斜向上发射离子束,并且发射的离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。
2.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,其特征在于,所述溅射沉积与刻蚀工件台为多子台行星结构,每个子台都能够公转和自转。
3.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,其特征在于,所述溅射沉积与刻蚀工件台安装有电阻加热器用于实现加热功能,并安装有水冷装置用于实现水冷功能。
4.根据权利要求3所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,其特征在于,所述电阻加热器在单一离子束溅射、离子束共溅射、离子束辅助溅射过程中开启能够实现溅射中的衬底加温,在溅射完成后开启能够实现溅射生长的薄膜材料的原位退火。
5.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,其特征在于,所述二溅射靶台包括第一可旋转四靶台和第二可旋转四靶台,二者均可同时装载4片靶材。
6.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,其特征在于,所述二溅射离子源包括第一溅射离子源和第二溅射离子源,采用射频离子源来溅射介质薄膜,或者采用直流离子源来溅射金属薄膜;第一溅射离子源斜向下发射离子束,离子束与第一可旋转四靶台的一个靶材表面成45°角;第二溅射离子源斜向下发射离子束,离子束与第二可旋转四靶台的一个靶材表面成45°角。
7.根据权利要求6所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,其特征在于,单独开启所述第一溅射离子源和第二溅射离子源其中之一能够实现单一离子束溅射,同时开启所述第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束共溅射,同时开启所述辅助清洗离子源、第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束辅助溅射。
8.根据权利要求7所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,其特征在于,所述单一离子束溅射或离子束共溅射在通入O2、N2反应性气体中的一种或几种时能够实现反应离子束溅射,反应性气体通过以下三种方式中的任意一种通入:
通过所述真空腔室腔壁中的气路法兰通入至真空腔室中;或者
通过所述第一溅射离子源或第二溅射离子源通入;或者
通过所述辅助清洗离子源通入。
9.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,其特征在于,从所述刻蚀离子源中通入惰性气体氩气能够实现普通的氩离子束刻蚀;从所述刻蚀离子源中通入反应性气体O2、CHF3、SF6中的一种或几种时能够实现反应离子束刻蚀;在氩离子束刻蚀过程中从所述真空腔室腔壁中的气路法兰接口通入反应性气体O2、CHF3、SF6中的一种或几种至真空腔室中能够实现化学辅助离子束刻蚀。
10.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备,其特征在于,单独开启所述辅助清洗离子源或者所述刻蚀离子源能够实现基片的反溅清洗、抛光或减薄。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009100835081A CN101880863A (zh) | 2009-05-06 | 2009-05-06 | 多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009100835081A CN101880863A (zh) | 2009-05-06 | 2009-05-06 | 多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101880863A true CN101880863A (zh) | 2010-11-10 |
Family
ID=43053001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009100835081A Pending CN101880863A (zh) | 2009-05-06 | 2009-05-06 | 多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101880863A (zh) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102465270A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 北大方正集团有限公司 | 导电膜及其制备设备及方法 |
CN102486465A (zh) * | 2010-12-06 | 2012-06-06 | 中国科学院微电子研究所 | 多功能离子束溅射与刻蚀及原位物性分析系统 |
CN105826220A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-08-03 | 华灿光电股份有限公司 | 一种干法刻蚀设备 |
CN108039332A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-05-15 | 刘成 | 双功能反应设备 |
CN108385110A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-08-10 | 西安工业大学 | 一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法 |
CN108774727A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-11-09 | 法德(浙江)机械科技有限公司 | 一种多弧离子刻蚀镀膜复合装置 |
CN110571122A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-13 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种采用双离子源的ibe刻蚀机及刻蚀方法 |
CN111058005A (zh) * | 2019-08-09 | 2020-04-24 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备及其应用 |
CN114164404A (zh) * | 2021-11-13 | 2022-03-11 | 东莞市华升真空镀膜科技有限公司 | 真空镀膜设备及镀膜方法 |
CN115354276A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-11-18 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于刻蚀及溅射的工件台 |
CN115424923A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-02 | 西南科技大学 | 一种半导体材料表面的离子束处理方法 |
CN115612980A (zh) * | 2022-09-02 | 2023-01-17 | 中核四0四有限公司 | 一种离子束清洗和离子束溅射镀膜两用的装置 |
CN116904955A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-10-20 | 上海超导科技股份有限公司 | 离子束辅助沉积镀膜装置及镀膜方法 |
CN118086842B (zh) * | 2023-07-27 | 2024-09-24 | 上海超导科技股份有限公司 | 用于离子束辅助沉积镀膜装置的镀膜系统 |
-
2009
- 2009-05-06 CN CN2009100835081A patent/CN101880863A/zh active Pending
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102465270A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 北大方正集团有限公司 | 导电膜及其制备设备及方法 |
CN102465270B (zh) * | 2010-11-12 | 2013-11-06 | 北大方正集团有限公司 | 导电膜及其制备设备及方法 |
CN102486465A (zh) * | 2010-12-06 | 2012-06-06 | 中国科学院微电子研究所 | 多功能离子束溅射与刻蚀及原位物性分析系统 |
CN102486465B (zh) * | 2010-12-06 | 2013-07-03 | 中国科学院微电子研究所 | 多功能离子束溅射与刻蚀及原位物性分析系统 |
CN105826220A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-08-03 | 华灿光电股份有限公司 | 一种干法刻蚀设备 |
CN108039332A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-05-15 | 刘成 | 双功能反应设备 |
CN108039332B (zh) * | 2017-12-29 | 2024-02-27 | 楚赟精工科技(上海)有限公司 | 双功能反应设备 |
CN108385110A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-08-10 | 西安工业大学 | 一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法 |
CN108385110B (zh) * | 2018-04-04 | 2019-07-12 | 西安工业大学 | 一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法 |
CN108774727A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-11-09 | 法德(浙江)机械科技有限公司 | 一种多弧离子刻蚀镀膜复合装置 |
CN111058005A (zh) * | 2019-08-09 | 2020-04-24 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备及其应用 |
CN110571122B (zh) * | 2019-09-17 | 2022-04-15 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种采用双离子源的ibe刻蚀机及刻蚀方法 |
CN110571122A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-13 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种采用双离子源的ibe刻蚀机及刻蚀方法 |
CN114164404A (zh) * | 2021-11-13 | 2022-03-11 | 东莞市华升真空镀膜科技有限公司 | 真空镀膜设备及镀膜方法 |
CN115354276A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-11-18 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于刻蚀及溅射的工件台 |
CN115354276B (zh) * | 2022-07-18 | 2024-04-26 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于刻蚀及溅射的工件台 |
CN115612980A (zh) * | 2022-09-02 | 2023-01-17 | 中核四0四有限公司 | 一种离子束清洗和离子束溅射镀膜两用的装置 |
CN115424923A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-02 | 西南科技大学 | 一种半导体材料表面的离子束处理方法 |
CN116904955A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-10-20 | 上海超导科技股份有限公司 | 离子束辅助沉积镀膜装置及镀膜方法 |
CN116904955B (zh) * | 2023-07-27 | 2024-04-30 | 上海超导科技股份有限公司 | 离子束辅助沉积镀膜装置及镀膜方法 |
CN118086842A (zh) * | 2023-07-27 | 2024-05-28 | 上海超导科技股份有限公司 | 用于离子束辅助沉积镀膜装置的镀膜系统 |
CN118086842B (zh) * | 2023-07-27 | 2024-09-24 | 上海超导科技股份有限公司 | 用于离子束辅助沉积镀膜装置的镀膜系统 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101880862B (zh) | 多功能离子束溅射设备 | |
CN101880863A (zh) | 多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备 | |
CN102486465B (zh) | 多功能离子束溅射与刻蚀及原位物性分析系统 | |
JP6060202B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法、スパッタリング装置及びスパッタリングターゲット | |
CN101910449B (zh) | 透明导电膜的成膜方法和成膜装置 | |
US9157145B2 (en) | Processing tool with combined sputter and evaporation deposition sources | |
KR20100102180A (ko) | 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법 | |
JP2009057605A (ja) | 酸化亜鉛薄膜、及びそれを用いた透明導電膜、及び表示素子 | |
US20160181066A1 (en) | Laminated materials, methods and apparatus for making same, and uses thereof | |
Kim et al. | Flexible and transparent IWO films prepared by plasma arc ion plating for flexible perovskite solar cells | |
JP2003158307A (ja) | 超伝導材料の製造方法 | |
CN110527948A (zh) | 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
JP4703782B2 (ja) | 半導体構成要素、特にソーラーセルの金属裏側コンタクトの製造方法 | |
US3418229A (en) | Method of forming films of compounds having at least two anions by cathode sputtering | |
CN2734774Y (zh) | 双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备 | |
US20140245947A1 (en) | Methods of producing large grain or single crystal films | |
US20130008380A1 (en) | Apparatus for fabricating ib-iiia-via2 compound semiconductor thin films | |
CN101736324B (zh) | 一种超硬氮化钛薄膜的微波等离子体制备方法 | |
CN101586227A (zh) | 采用离子镀在生长衬底上制备氮化铝材料的方法 | |
JP2017193755A (ja) | 透明導電膜の製造方法、及び透明導電膜 | |
Kaminski et al. | Blistering of magnetron sputtered thin film CdTe devices | |
JP3128573B2 (ja) | 高純度薄膜の形成方法 | |
Su et al. | Oxidation of copper during physical sputtering deposition: mechanism, avoidance and utilization | |
CN100400703C (zh) | 一种制备金属铪薄膜材料的方法 | |
CN109082634B (zh) | 一种质量厚度为500-1000μg/cm2自支撑镓薄膜及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20101110 |