CN105951053A - 一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法及铌掺杂二氧化钛透明导电膜 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法及铌掺杂二氧化钛透明导电膜，该制备方法包括1)以氩气为等离子体气源，氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在衬底上溅射沉积薄膜得半成品；溅射靶材中Nb的原子数为Nb、Ti原子总数的2％～8％；氧气的体积流量为氩气体积流量的5％～20％，等离子体发射源功率为1100～2000W，靶材加速偏压功率为1300～1510W；2)将所得半成品进行晶化退火处理。所得透明导电膜致密均匀，平均可见光透过率高，电阻率低，具有良好的化学稳定性、机械强度和光电性能；本发明的制备方法溅射速度快，温度低，可重复性好，耗能低，具有广阔的市场前景。

Description

一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法及铌掺杂二氧化钛透明导电膜

技术领域

本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体涉及一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，同时还涉及一种上述制备方法所得的铌掺杂二氧化钛透明导电膜。

背景技术

透明导电氧化物(transparent conductive oxide，简称TCO)是一种重要的半导体功能材料，作为光电器件的透明电极，广泛应用于太阳能电池、触摸屏与平板显示、发光器件和智能窗等领域。近年来，半导体制造产业发展迅猛，新兴电子产品层出不穷，透明导电氧化物电极的市场需求也迅速膨胀。同时，电子产业的多样化也对透明导电氧化物电极提出了新的要求。目前，市场上主流的透明导电氧化物材料是氧化铟锡，即锡掺杂三氧化二铟(ITO)。ITO电阻率可达10^-4Ω·cm量级，透光性能优异，目前占据了超过85％的市场份额。但在实际应用中，ITO主要成分铟资源匮乏，若以现有消耗速度，全球铟资源将在短时间内消耗殆尽，ITO已不能满足日益增长的市场需求，因此寻找资源丰富，性能优异的新型透明导电氧化物电极材料迫在眉睫。

目前研究应用较多的新型氧化物体系是基于TiO₂、ZnO和SnO₂的一元或多元氧化物体系。ZnO体系对酸碱的耐受力低，在CO₂环境中易被腐蚀，大大影响器件性能和寿命。SnO₂系统的掺杂元素F及Sb等有毒。相较而言，Ti资源在三者中最为丰富，成本低，且掺杂的TiO₂基透明导电薄膜表现出优异的光电性能，被广泛应用于发光二极管、平板显示、太阳能电池器件等领域。目前，研究最多，性能较好的TiO₂基透明导电薄膜掺杂剂是Nb如CN103325913A公开的发光二极管中复合透明导电层用到高价金属原子(Nb)掺杂的氧化钛层；CN102239564A公开的一种包括至少一个薄膜太阳能电池和导电透明氧化物层的太阳能电池器件中，所述导电透明氧化物层可为Nb-TiO₂；CN101036200B公开的透明导体由金属氧化物构成，所述金属氧化物为具有锐钛矿型结晶结构的Nb:TiO₂。其理论透光率和电阻率可与ITO媲美，可应用于目前ITO适用的大部分领域，成本更低，同时也克服了ITO环境及化学稳定性低、易破碎等缺点，具有更广阔的应用前景。

在实际生产应用中，材料的开发潜力还与制备方法密切相关。简单、易控、高效、低能耗的制备方法是材料市场化的关键一环。美国PPG公司在CN102858706B中公开了采用化学气相沉积(CVD)法制备Nb掺杂二氧化钛(Nb:TiO_x，x为1.8～2.1)导电膜，具体是使用铌前体乙醇铌和钛前体四异丙醇钛涂覆加热的平坦玻璃板。该方法工作温度高，能耗高，薄膜与衬底结合力低，且反应过程涉及多种高活性有机/无机气体源，不易控制，易产生环境有害中间物质，需增加尾气处理环节，使生产成本增加。CN102181825B公开了一种籽晶层辅助的高性能TiO₂基透明导电薄膜，在籽晶层上利用该籽晶层诱导生长掺杂TiO₂覆盖层，覆盖层中掺杂元素总量为Ti元素的0.25mol％～20mol％，掺杂元素包括Nb。该技术方案优选薄膜透光率和电阻率均可达应用要求，但由于此方法必须采用溶胶-凝胶法制备籽晶层，导致厚度不宜控制，薄膜总厚度过大(800nm～1.8μm)，且薄膜致密度低，与衬底的界面质量差，不满足光电器件对TCO电极质量的要求。CN102931285A公开了一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，是先制备TiO₂与Nb2O5共掺的氧化物陶瓷靶材，再采用磁控溅射法制备铌掺杂二氧化钛透明导电膜。该方法采用氧化物陶瓷靶，生产效率低，且需要在550-650℃的溅射温度镀膜，增加对衬底的耐高温的要求，不适用于普通玻璃衬底，且沉积效率低，其需要在高真空下退火也大大限制了该方法的进一步应用。

发明内容

本发明的目的是提供一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，获得具有优越的光电性能的透明导电膜，同时生产效率高，生产成本低，能耗低。

本发明的第二个目的是提供一种上述制备方法所得的铌掺杂二氧化钛透明导电膜。

为了实现以上目的，本发明所采用的技术方案是：

一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

1)以氩气为等离子体气源，以氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在衬底上溅射沉积薄膜，得半成品；所用溅射靶材中，Nb的原子数为Nb、Ti原子总数的2％～8％；溅射过程中，氧气的体积流量为氩气体积流量的5％～20％，等离子体发射源功率为1100～2000W，靶材加速偏压功率为1300～1510W；

2)将步骤1)所得半成品在280～400℃条件下进行晶化退火处理，即得。

远源等离子体溅射技术(HiTUS)是一种高靶材利用率的溅射技术，它是通过靶材远处产生的高密度等离子体完成溅射的。现有技术中，与之相对应的远源等离子体溅射系统在其真空室(溅射腔室)侧壁固定有等离子体发射系统(The Plasma Launch System，PLS)，即石英玻璃管外缠绕有射频线圈天线；等离子体由此产生并经PLS出口处的发射电磁圈放大，并由聚束电磁线圈完成等离子体方向的聚焦与控制。通过对每一个电磁线圈电流进行精密控制，可以对等离子体束进行导向，这样能够覆盖靶材的全部表面。这种条件下，靶材表面氩离子处于低能(30～50eV)高密度(离子数10¹²～10¹⁴/cm³)状态。因此靶材得到了均匀的刻蚀，与常规的磁控溅射相比大大减轻了靶中毒的现象，同时也大大提高了溅射沉积薄膜的沉积速率。

等离子体束打在靶材上轰击出的粒子并不能直接溅射到有一定距离的衬底上，而是停留悬浮在靶材表面附近，需要给这些带电离子施加一个合适的加速电压，让它们飞向衬底表面。步骤1)中所述溅射可以是反应溅射，是指在溅射过程中不断通入氧气作为反应气体，和溅射出的靶材粒子在空中结合并发生反应，在给靶材底部提供的加速偏压的作用下，以反应产物的形式飞向衬底并粘附在衬底表面上，沉积形成一层致密的纳米薄膜。

本发明的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，利用射频等离子发射系统产生高密度低能量等离子体，并利用溅射功率控制当量靶材偏压，以加速等离子体中的重离子，实现高效溅射。

所述衬底为透明材料衬底。优选的，步骤1)所述衬底为玻璃衬底或石英衬底。所述衬底使用前经过清洗；将清洗后的衬底固定在远源等离子体溅射系统的溅射腔体内，准备进行溅射。

溅射之前，将溅射腔体内抽真空真空度低于1×10^-3Pa。然后向腔室内通入一定流量的氩气，待腔室内的压强保持稳定后，调节射频等离子体源(PLS)的功率，以产生低能量高密度等离子体(<50eV)。所用的氩气为纯度不低于99.999％的高纯气体。所述射频等离子体源的每单位源截面(1cm²)5～50W。

所用溅射靶材为铌钛合金、铌钛金属组合靶或铌钛金属氧化物混合靶。所述铌钛金属组合靶为钛金属靶与铌金属靶的组合，由相对金属靶的有效面积的比例调节薄膜金属元素相对含量。

步骤1)的溅射过程中，溅射腔体内的压力为0.35～0.4Pa。等离子体稳定后，调节靶材直流功率，以大幅度增加等离子体溅射源中氩离子的能量；向腔室内通入氧气，待靶材电流和气压均稳定后，开始溅射沉积薄膜。其中，调节靶材功率使当量靶材偏压为-200～-1000V。所用氧气为纯度>99.99％的高纯气体。

溅射过程中，薄膜沉积速率为12～250nm/min，沉积时间为2～20min。薄膜沉积速度快，大大提高了生产效率。

溅射沉积薄膜过程中，沉积温度为常温，衬底的温度不超过300℃。一般情况下，沉积过程衬底无需加热。

步骤2)中，所述晶化退火处理的保温时间为3～30min。对非晶薄膜进行晶化退火处理，能进一步提高其透光率及电导率。退火时间极短，退火温度低，能耗低，降低了生产成本。优选的，所述晶化退火处理的温度为280～320℃。

该晶化退火过程可在大气中进行，也可在保护气氛下进行。所述保护气氛为氮气。

一般的，所述晶化退火处理在大气环境下进行。无需进行特殊气氛保护，工艺简单，效果更佳。

一种由上述的制备方法制备所得的铌掺杂二氧化钛透明导电膜。所得薄膜成分中，Nb的原子数为Nb、Ti原子总数的2％～8％，氧原子数占薄膜总原子数的62％～66％。所得薄膜为锐钛矿结构、非晶结构或晶体及非晶体的混合结构。利用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜进行化学态分析显示，铌以正五价和正四价的混合价形式存在，Ti元素基本为正四价，少量为正三价。

本发明的铌掺杂二氧化钛透明导电膜(TNO)的制备方法，是采用远源等离子体溅射技术在衬底上溅射沉积薄膜，后经过晶化退火处理制成的，通过独立控制射频等离子体发生单元和靶材溅射单元的功率，调节氧气和氩气的体积比，来控制溅射沉积薄膜成分，从而控制其光电性能；其中Nb元素以+4和+5价共同存在；该铌掺杂二氧化钛透明导电膜致密且均匀，具有良好的化学稳定性和机械强度，载流子浓度数量级达10²¹cm^-3，平均可见光透过率达85％以上，电阻率可低至6.4×10^-4Ω·cm，在可见光范围内透光率高，电阻率低，具有良好的光电性能，完全满足目前市场对TCO薄膜的要求，可广泛用于太阳能电池和光电显示器件领域。

与目前应用较多的磁控溅射相比，该制备方法中，等离子体源(PLS)和靶材功率可控范围大，沉积速度极快，在可比能耗下，大大提高沉积效率(2分钟远源等离子体溅射沉积时间对等于磁控溅射3小时以上)；更重要的是，远源等离子体溅射产生的等离子体密度高，离子能量均匀，等离子流方向可控，不存在磁控溅射由于磁力线分布不均所引起的对靶材的不均匀溅射，即所谓靶材的“沟道”溅射现象(“沟道”现象引起极低靶材利用率，<30％)，将靶材利用率提高到90％以上，大大节约材料成本。

本发明的铌掺杂二氧化钛透明导电膜(TNO)的制备方法，精确可控，靶材利用率高；溅射沉积速度快，可重复性好；所得薄膜致密、成分均匀，与衬底结合质量高，镀膜速度快，可大幅度提高生产效率，节约生产时间，降低生产成本；溅射温度低，耗能低，TNO原材料资源丰富，生产过程中无任何有害物质产生，整个过程绿色环保，环境友好；采用该方法制备的TNO薄膜可广泛应用与太阳能电池，平板显示，发光器件等诸多领域，具有广阔的市场前景，适合推广应用。

附图说明

图1为具体实施方式中所用远源等离子体溅射系统的结构示意图；

图2为反应溅射沉积薄膜过程的微观示意图；

图3为实施例2所得铌掺杂二氧化钛透明导电膜在晶化退火处理前后的可见光透过率检测结果示意图；

图4为实施例2所得铌掺杂二氧化钛透明导电膜在晶化退火处理前后的XRD图谱；

图5为铌掺杂二氧化钛透明导电膜透明导电膜在不同温度下晶化退火的电学性能检测结果示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。

具体实施方式中，所用的远源等离子体溅射系统如图1所示，主要由等离子体源发射系统1、真空系统、等离子体聚束电磁铁、衬底样品架3、靶材加速偏压电源、反应气体气路4、水冷系统、空气压缩机等构成。真空系统由真空腔室9、机械泵、分子泵构成，在对系统抽真空时，需要先使用机械泵抽到一定的真空度，然后启动分子泵，用分子泵直接抽出真空腔室中的气体，而机械泵在分子泵工作时抽分子泵，两个真空泵传递着把真空腔室9中的气体抽到大气中，这样才能保证腔室中有一个高的真空度。

如图1所示，真空腔室9的左侧连通等离子体源发射系统1；所述等离子体源发射系统1由射频天线线圈2和石英管10组成，射频天线线圈2均匀地缠绕在石英管10的外围，并距离石英管10有一定的均匀距离。当需要产生等离子体的时候，往真空腔室9中持续通入一定流量的高纯氩气，使腔室中的气压稳定在所需压强，然后给射频天线线圈2通电，在高频的射频电源作用下，石英管10内的电子和中性粒子保持高的碰撞率，从而氩气分子被电离，在石英管10的内部会产生淡紫色的等离子体。

在等离子体源发射系统1的石英管10靠近真空腔室9的一侧，和靶材6的下方，分别安装了一个电磁铁5，用来控制等离子体束的形状和运动方向，称为等离子体聚束电磁铁线圈。在打开射频电源产生等离子体之前，要启动真空腔室一侧的电磁铁5，从而产生所需的磁力线分布，这样一来就能把等离子体源产生的等离子体源源不断地输送到真空腔室9。当靶材下方的电磁铁5不工作时，产生的等离子体是弥散地分布在整个真空腔室9，当给电磁铁5通电并产生磁场时，有效区域内的磁力线的形状发生变化，等离子体会根据磁场的导向作用而沿着磁力线运动，整体看来等离子体会变成一个均匀的光束，并随着磁场发生弯曲，直接集中地打到靶材6表面。通过调节两个电磁铁5到合适的电流，来精确控制磁力线的形状，从而可以引导等离子体束正好完全准确地覆盖住靶材6的整个区域面积。由于等离子体打在靶材表面会使得靶材6产生较多热量，为了保护靶材，防止被融化，在靶材下方的铜板8中源源不断地流动着循环水7，将热量带走，而循环水7则通过外接的水冷机散热，保持在室温的水平。

等离子体束打在靶材上的能量大约为10eV，轰击出的粒子并不能直接溅射到有一定距离的衬底上，而是停留悬浮在靶材表面附近，所以需要给这些带电粒子施加一个合适的加速电压，让他们飞向衬底表面。本发明用的方法是反应溅射法，如图2所示，在溅射过程中通入反应气体，和溅射出的靶材微粒在空中结合并发生反应，并在给靶材底部提供的加速偏压的作用下以反应产物的形式飞向衬底并粘附在衬底表面上，经过一定的时间，便可形成一层致密的纳米薄膜。

所述衬底样品架用于固定衬底，所述衬底样品架的下方设有可开启或关闭挡板，用于紧贴衬底下表面以控制在衬底表面上进行反应溅射沉积的开始或结束。

靶材在溅射过程中会发热，直接施加给靶材过高的偏压会使得靶材发热过多产生热胀冷缩现象，甚至有可能使得靶材开裂报废，为了延长靶材寿命和保护靶材，在反应溅射沉积薄膜之前需要对靶材进行预溅射，对靶材施加的偏压要从较低的数值(靶材功率50W)开始，然后逐步升高，中间间隔50W，直到升高至所需要的靶材偏压功率为止。对靶材的预溅射也起到了清洗靶材的作用，把靶材表面可能出现的氧化层或污染物溅射掉，保证了原材料的纯度。

实施例1

本实施例的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

1)将清洁后的玻璃衬底固定在远源等离子体溅射系统的溅射腔体内的样品台上，以氩气为等离子体气源，以氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在玻璃衬底上反应溅射沉积薄膜，具体为：

反应溅射之前，将溅射腔室内抽真空至真空度低于9×10^-4Pa后，向腔室内通入70sccm的高纯氩气(纯度>99.999％)，待腔室内的压强稳定后，调节等离子体发射源(PLS)的功率为1100W，产生等离子体；

等离子体稳定后，调节靶材直流功率为1300W(直径3英寸靶材)，向腔室内通入5.3sccm的高纯氧气(纯度>99.999％，氧气的体积流量为氩气体积流量的7.6％)，溅射腔体内的压力为0.37Pa；待靶材电流和气压稳定后，开始进行反应溅射沉积薄膜，沉积温度与玻璃衬底的温度为常温，薄膜沉积速率为12nm/min，沉积时间为20min，得半成品；

其中，溅射靶材为直径3英寸高纯铌钛合金(纯度为99.99％)，Nb的原子数为Nb、Ti原子总数的6％；

2)在氮气保护条件下，将步骤1)所得半成品于400℃下进行晶化退火处理，晶化退火时间为5min，后随炉冷却，即得所述铌掺杂二氧化钛透明导电膜。

经检测，本实施例所得铌掺杂二氧化钛透明导电膜为多晶锐钛矿相，薄膜厚度为240nm，平均透光率为85％，电阻率低至8.8×10^-4Ω·cm。

实施例2

本实施例的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

1)将清洁后的玻璃衬底固定在远源等离子体溅射系统的溅射腔体内的样品台上，以氩气为等离子体气源，以氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在玻璃衬底上反应溅射沉积薄膜，具体为：

反应溅射之前，将溅射腔室内抽真空至真空度低于9×10^-4Pa后，向腔室内通入220sccm的高纯氩气(纯度>99.999％)，待腔室内的压强稳定后，调节等离子体发射源(PLS)的功率为1600W，产生等离子体；

等离子体稳定后，调节靶材直流功率为1510W(直径4英寸靶材)，向腔室内通入34.5sccm的高纯氧气(纯度>99.999％，氧气的体积流量为氩气体积流量的15.7％)，溅射腔体内的压力为0.40Pa；待靶材电流和气压稳定后，开始进行反应溅射沉积薄膜，沉积温度与玻璃衬底的温度为常温，薄膜沉积速率为222.5nm/min，沉积时间为2min，得半成品；

其中，溅射靶材为4英寸高纯铌钛合金(纯度为99.99％)，Nb的原子数为Nb、Ti原子总数的6.5％；

2)在大气环境下，将步骤1)所得半成品于280℃下进行晶化退火处理，晶化退火时间为30min，后随炉冷却，即得所述铌掺杂二氧化钛透明导电膜。

对本实施例的铌掺杂二氧化钛透明导电膜进行检测，结果如图3、4所示，图中“制备态”为步骤1)所得半成品(晶化退火处理之前)，“280℃退火”为最终所得铌掺杂二氧化钛透明导电膜(以镀膜玻璃的形式进行检测)。从图3可以看出，TNO镀膜的可见光透过率在85％以上；从图4可以看出，薄膜退火之前的原始态(半成品)为非晶相(高分辨电镜分析证明其中有少量纳米晶存在)，经晶化退火之后，铌掺杂二氧化钛透明导电薄膜为多晶锐钛矿相。利用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜进行化学态分析显示，铌以正五价和正四价的混合价形式存在，Ti元素基本为正四价，少量为正三价。

经检测，本实施例所得铌掺杂二氧化钛透明导电膜为多晶锐钛矿相，薄膜厚度为445nm，平均透光率为86％，电阻率低至6.4×10^-4Ω·cm。

实施例3

本实施例的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

1)将清洁后的玻璃衬底固定在远源等离子体溅射系统的溅射腔体内的样品台上，以氩气为等离子体气源，以氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在玻璃衬底上反应溅射沉积薄膜，具体为：

反应溅射之前，将溅射腔室内抽真空至真空度低于9×10^-4Pa后，向腔室内通入220sccm的高纯氩气(纯度>99.999％)，待腔室内的压强稳定后，调节等离子体发射源(PLS)的功率为2000W，产生等离子体；

等离子体稳定后，调节靶材直流功率为1510W(直径4英寸靶材)，向腔室内通入35sccm的高纯氧气(纯度>99.999％，氧气的体积流量为氩气体积流量的15.9％)，溅射腔体内的压力为0.35Pa；待靶材电流和气压稳定后，开始进行反应溅射沉积薄膜，沉积温度与玻璃衬底的温度为常温，薄膜沉积速率为222.5nm/min，沉积时间为2min，得半成品；

其中，溅射靶材为4英寸高纯铌钛合金(纯度为99.99％)，Nb的原子数为Nb、Ti原子总数的6.5％；

2)在大气环境下，将步骤1)所得半成品于320℃下进行晶化退火处理，晶化退火时间为30min，后随炉冷却，即得所述铌掺杂二氧化钛透明导电膜。

经检测，本实施例所得铌掺杂二氧化钛透明导电膜为多晶锐钛矿相，薄膜厚度为445nm，平均透光率为85％，电阻率低至6.6×10^-4Ω·cm。

实验例

本实验例对实施例2和实施例3所得铌掺杂二氧化钛透明导电膜的电学性能进行检测，结果如图5所示。其中对比例1-4的晶化退火温度分别为200℃、220℃、240℃、260℃，其余同实施例2。

图5中，对比例1-4分别对应横坐标为200℃、220℃、240℃、260℃的点，实施例2、3分别对应横坐标为280℃和320℃的点。从图5可以看出，晶化退火温度在280℃-320℃，引起载流子浓度及迁移率的大幅度增加和电阻率的大幅度降低，证明对应的铌掺杂二氧化钛透明导电膜具有优异的电学性能。

Claims (10)

1.一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)以氩气为等离子体气源，以氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在衬底上溅射沉积薄膜，得半成品；所用溅射靶材中，Nb的原子数为Nb、Ti原子总数的2％～8％；溅射过程中，氧气的体积流量为氩气体积流量的5％～20％，等离子体发射源功率为1100～2000W，靶材加速偏压功率为1300～1510W；

2)将步骤1)所得半成品在280～400℃条件下进行晶化退火处理，即得。

2.根据权利要求1所述的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤1)所述衬底为玻璃衬底或石英衬底。

3.根据权利要求2所述的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，其特征在于：所用溅射靶材为铌钛合金、铌钛金属组合靶或铌钛金属氧化物混合靶。

4.根据权利要求1所述的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，其特征在于：溅射之前，将溅射腔体内抽真空真空度低于1×10^-3Pa。

5.根据权利要求1所述的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤1)的溅射过程中，溅射腔体内的压力为0.35～0.4Pa。

6.根据权利要求1所述的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，其特征在于：溅射过程中，薄膜沉积速率为12～250nm/min，沉积时间为2～20min。

7.根据权利要求1所述的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，其特征在于：溅射过程中，溅射温度为常温，衬底的温度不超过300℃。

8.根据权利要求1所述的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述晶化退火处理的时间为3～30min。

9.根据权利要求8所述的铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述晶化退火处理在大气环境下进行。

10.一种由权利要求1所述的制备方法制备所得的铌掺杂二氧化钛透明导电膜。