CN102453868A - 镀膜件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种镀膜件,其包括基材及形成于基材表面的透明导电薄膜,该透明导电薄膜为Me掺杂TiO2薄膜,其中Me为钒、铌及钽中的两种或两种以上。本发明所述镀膜件在基材的表面沉积透明导电薄膜,该透明导电薄膜通过高价态的V5+、Nb5+及Ta5+中的两种或两种以上取代部分Ti4+,从而产生自由电子,获得较高的导电率。该透明导电薄膜具有良好的稳定性,可有效地提高镀膜件的使用寿命。另外该透明导电薄膜还具有高透光性。此外,本发明还提供一种上述镀膜件的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀膜件及该镀膜件的制备方法。
背景技术
透明导电薄膜由于具有良好的导电性和可见光透过率,在光电池和液晶显示等领域有着广泛的应用。氧化铟锡(ITO)薄膜是目前研究和应用最广泛的透明导电薄膜。由于ITO薄膜含有贵金属铟,成本较高,研究者开始寻求另外的替代产品。
TiO2原料丰富,价格便宜,无毒且稳定性高,因此TiO2薄膜是目前最有开发潜力的薄膜材料之一。将TiO2薄膜镀覆于基材上形成镀膜件,但是TiO2薄膜的电导率较低,从而限制了此类镀膜件的进一步应用。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种有效解决上述问题的镀膜件。
另外,还有必要提供一种制备上述镀膜件的方法。
一种镀膜件,包括基材及形成于基材表面的透明导电薄膜,该透明导电薄膜为Me掺杂二氧化钛薄膜,其中Me为钒、铌及钽中的两种或两种以上。
一种镀膜件的制备方法,其包括如下步骤:
提供基材;
在基材表面形成透明导电薄膜,该透明导电薄膜为Me掺杂二氧化钛薄膜,其中Me为钒、铌及钽中的两种或两种以上。
本发明所述镀膜件在基材的表面沉积透明导电薄膜,该透明导电薄膜通过在二氧化钛薄膜中引入钒(V)、铌(Nb)及钽(Ta)中的两种或两种以上,通过高价态的V5+、Nb5+及Ta5+中的两种或两种以上取代部分Ti4+,从而产生自由电子,获得较高的导电率。该透明导电薄膜具有良好的稳定性,可有效地提高镀膜件的使用寿命。另外该透明导电薄膜还具有高透光性。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例镀膜件的示意图。
主要元件符号说明
镀膜件 10
基材 11
透明导电薄膜 13
具体实施方式
请参阅图1,本发明一较佳实施方式镀膜件10包括基材11、形成于基材11表面的透明导电薄膜13。
该基材11可为玻璃或陶瓷。
该透明导电薄膜13为Me掺杂二氧化钛(TiO2)薄膜,其中Me可为钒(V)、铌(Nb)及钽(Ta)中的两种或两种以上,其中掺杂的V的质量百分含量可为1~5%,掺杂的Nb的质量百分含量可为1~3%,掺杂的Ta的质量百分含量可为1~3%。
该透明导电薄膜13可以磁控溅射或蒸镀的方式形成。该透明导电薄膜13的厚度可为300~600nm。
本发明一较佳实施方式的镀膜件10的制备方法,其包括以下步骤:
提供一基材11,该基材11可为玻璃或陶瓷。
将基材11放入无水乙醇中进行超声波清洗,以去除基材11表面的污渍,清洗时间可为5~10min。
对经上述处理后的基材11的表面进行氩气等离子体清洗,以进一步去除基材11表面的油污,以及改善基材11表面与后续涂层的结合力。该等离子体清洗的具体操作及工艺参数可为:将基材11放入一磁控溅射镀膜机(图未示)的镀膜室内,将该镀膜室抽真空至1.0~2.0×10-5Torr,然后向镀膜室内通入流量为100~300sccm(标准状态毫升/分钟)的氩气(纯度为99.999%),并施加-100~-300V的偏压于基材11,对基材11表面进行氩气等离子体清洗,清洗时间为10~20min。
采用磁控溅射法在经氩气等离子体清洗后的基材11上溅镀一透明导电薄膜13,该透明导电薄膜13可为Me掺杂TiO2薄膜,其中Me可为V、Nb及Ta中的两种或两种以上。溅镀该透明导电薄膜13在所述磁控溅射镀膜机中进行。使用含有V、Nb及Ta中的两种或两种以上成份的合金靶及Ti靶为靶材,以氧气为反应气体,氧气流量可为50~200sccm,以氩气为工作气体,氩气流量可为100~300sccm。溅镀时对基材11施加-100~-300V的偏压,并加热所述镀膜室使基材11的温度为200~400℃,镀膜时间可为45~60min。该透明导电薄膜13的厚度可为300~600nm。
本发明较佳实施方式镀膜件10在基材11的表面沉积透明导电薄膜13,该透明导电薄膜13通过在TiO2薄膜中引入V、Nb及Ta中的两种或两种以上,通过高价态的V5+、Nb5+及Ta5+中的两种或两种以上取代部分Ti4+,从而产生自由电子,获得较高的导电率。该透明导电薄膜13具有良好的稳定性,可有效地提高镀膜件10的使用寿命。另外,该透明导电薄膜13还具有高透光性。
Claims (9)
1.一种镀膜件,包括基材及形成于基材表面的透明导电薄膜,其特征在于:该透明导电薄膜为Me掺杂二氧化钛薄膜,其中Me为钒、铌及钽中的两种或两种以上。
2.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于:所述基材为玻璃或陶瓷。
3.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于:所述透明导电薄膜中掺杂的钒的质量百分含量为1~5%。
4.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于:所述透明导电薄膜中掺杂的铌的质量百分含量为1~3%。
5.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于:所述透明导电薄膜中掺杂的钽的质量百分含量为1~3%。
6.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于:所述透明导电薄膜以磁控溅射或蒸镀的方式形成。
7.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于:所述透明导电薄膜的厚度为300~600nm。
8.一种镀膜件的制备方法,其包括如下步骤:
提供基材;
在基材表面形成透明导电薄膜,该透明导电薄膜为Me掺杂二氧化钛薄膜,其中Me为钒、铌及钽中的两种或两种以上。
9.如权利要求8所述的镀膜件的制备方法,其特征在于:所述形成透明导电薄膜的步骤采用如下方式实现:采用磁控溅射法,使用含有钒、铌及钽中的两种或两种以上成份的合金靶以及钛靶为靶材,以氧气为反应气体,氧气流量为50~200sccm,以氩气为工作气体,氩气流量为100~300sccm,基材偏压为-100~-300V,加热使基材的温度为200~400℃,镀膜时间为45~60min。
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