CN106435502B - 一种沉积透明导电薄膜的方法 - Google Patents

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Abstract

一种沉积透明导电薄膜的方法，把直流偏压器和射频电源或者中频电源并联连接到磁控溅射系统靶头上，利用直流偏压器调节溅射透明导电薄膜的靶材偏压，步骤如下：第一步，把衬底置于室温下不加热，或者把衬底加热，使衬底温度稳定在室温到700℃之间；第二步，向磁控溅射腔室通入氩气或者氩气和氧气的混合气体；第三步，打开射频电源或者中频电源；第四步，打开直流偏压器，使靶材偏压为‐10到‐300V，并开始溅射长膜。

Description

一种沉积透明导电薄膜的方法
技术领域
本发明涉及一种透明导电薄膜的沉积方法。
背景技术
透明导电薄膜同时具备透明和导电的功能，在可见光范围内具有极好的透光性，具有低的导电性能，广泛应用于平板显示器、透明电磁屏蔽材料、荧光材料、气体传感器、紫外光探测器、发光二极管和太阳电池等领域应用。透明导电薄膜包括掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、掺硼氧化锌(BZO)、掺铟氧化锌(IZO)、掺钛氧化锌(TZO)、掺锆氧化锌(ZZO)、摻铌氧化锌(NZO)、锡酸镉(CTO)、掺铌氧化钛(TiO2:Nb)、掺锡氧化铟(ITO)、掺钼氧化铟(IMO)等，都可以利用射频和中频磁控溅射沉积。射频磁控溅射和中频磁控溅射是极具潜力的制备透明导电薄膜的方法，该种方法操作简单、沉积的透明导电薄膜电阻率低，易于在生产线上推广。在射频和中频磁控溅射透明导电薄膜靶材的过程中，靶材的厚度随着溅射时间的增加而逐渐变薄，导致在固定靶基距、沉积气压和射频功率等所有溅射参数设置下所沉积的薄膜的光电特性发生变化。发生这种变化的主要原因是靶材变薄时衬底和透明导电薄膜靶材之间的电压减低，变化的电压使射频和中频溅射过程中等离子体相对透明导电薄膜靶材所具有的能量发生变化，从而影响到等离子体轰击靶材的力度以及离开靶材的粒子的能量，从而影响到衬底上沉积所得的透明导电薄膜的微观结构和光电性能。这种现象使实验和生产过程中射频和中频磁控溅射所沉积到的薄膜的质量的可重复性受到严重影响。同时，由于靶材偏压绝对值变小后靶材和衬底之间的电压差值变小，射频和中频磁控溅射中等离子体轰击靶材的力度减小，导致单位时间内靶材上被等离子体有效轰击而离开靶材的粒子数减小，衬底上透明导电薄膜的长膜速率降低。
目前在射频和中频磁控溅射沉积透明导电薄膜的生产和实验中还没有见到控制靶材偏压，从而改善薄膜沉积过程中质量稳定性和提升薄膜沉积速率方面的报道。
目前关于射频和中频磁控溅射沉积透明导电薄膜的研究主要集中在讨论磁控溅射的各种设置参对薄膜光电性质的影响上，研究者研究过磁控溅射中衬底温度[ZhiyunZhang,Chonggao Bao,Wenjing Yao,Shengqiang Ma,Lili Zhang,Shuzeng Hou.Influenceof deposition temperature on the crystallinity of Al-doped ZnO thin films atglass substrates prepared by RF magnetron sputtering method.Super latticesand Microstructures 49(2011)644–653]、射频功率[Y.M.Lu,W.S.Hwang,W.Y.Liu,J.S.Yang.Effect of RF power on optical and electrical properties of ZnO thinfilm by magnetron sputtering.Materials Chemistry and Physics 72(2001)269–272][BoenHoung,Chi ShiungHsi,Bing Yi Hou,Shen Li Fu.Effect of process parameterson the growth and properties of impurity-doped zinc oxide transparentconducting thin films by RF magnetron sputtering.Vacuum 83(2009)534–539]、中频功率[C.May,J.ITO coating by reactive magnetron sputtering-comparison of properties from DC and MF processing.Thin Solid Films 351(1999)48-52]、沉积气压[BoenHoung,Chi ShiungHsi,Bing Yi Hou,Shen Li Fu.Effect ofprocess parameters on the growth and properties of impurity-doped zinc oxidetransparent conducting thin films by RF magnetron sputtering.Vacuum 83(2009)534–539]、氧气分压[Takashi Tsuji,MitsujiHirohashi.Influence of oxygen partialpressure on transparency and conductivity of RF sputtered Al-doped ZnO thinfilms.Applied Surface Science 157 2000 47–51][Jung Hyun Lee,Sang Ho Sohn,JiHyun Moon,Myung Sub Park,and Sang Gul Lee.Characteristics of ITO Thin Filmsfor the Plasma Display Panel Prepared by a MF Dual Magnetron Sputtering inthe Oxygen Atmosphere.Mol.Cryst.Liq.Cryst.499(2009)178[500]–184[506]]、靶基距[Fatma Z.Tepehan,Ferhad E.Ghodsi,Nilgun Ozer,Galip G.Tepehan.Opticalproperties of sol-gel dip-coated Ta2O5 films for electrochromicapplications.Solar Energy Materials&Solar Cells 59(1999)265-275]和薄膜厚度[J.Mass,P.Bhattacharya,R.S.Katiyar.Effect of high substrate temperature onAl-doped ZnO thin films grown by pulsed laser deposition.Materials Scienceand Engineering B103(2003)9-15]等对薄膜的影响规律，没有涉及到靶材偏压的影响。申请人在实验中发现磁控溅射中，随着靶材变薄，靶材偏压绝对值也减小，固定衬底温度、靶基距、沉积气压等因素则所沉积的薄膜电学性质会发生变化，薄膜的沉积速率也相应减小，假如通过调节功率密度等溅射的参数从新调节薄膜的电学性质，则需要做大量的实验才能达到目的。
发明内容
本发明的目的是克服现有射频和中频磁控溅射过程中靶材变薄时沉积所得到的薄膜的质量发生变化和薄膜沉积速率降低的缺点，提出一种制备薄膜的方法。
本发明在射频和中频磁控溅射过程中通过直流偏压电源调节透明导电薄膜靶材的偏压，在确定各种沉积参数时，利用直流偏压设备提升靶材偏压，保证每次射频和中频溅射时靶材的偏压恒定，在不同靶材厚度下以及其它沉积参数恒定的情况下，保证溅射沉积出的薄膜光电特性很接近，从而改善射频和中频磁控溅射的可重复性；并在一定程度上加快沉积速率，降低生产成本。
本发明采用的射频或者中频磁控溅射装置为常规的射频或中频磁控溅射装置，在射频或者中频功率的输出端，即靶头的输入端并联一个直流偏压器，在直流偏压器的输出端连接一个高频滤波器。常规射频磁控溅射电路由射频发生器、功率匹配器和发射射频功率的靶头组成，三者相互串联。射频发生器产生射频功率并将射频功率传输到功率匹配器，功率匹配器的输出端将射频功率输送到靶头，靶头将射频功率发射到靶材上。中频溅射电路的输出端连接到安装靶材的靶头上。施加直流偏压时，直流偏压电源串联高频滤波器后与射频或者中频磁控溅射装置的靶头并联。高频滤波器的作用是消除射频对直流偏压电源的干扰。通过恒流模式调节偏压器的电压，当偏压器上的电压高于靶材的自偏压时，靶材上的偏压为直流偏压电源的偏压值，直流偏压电源的负极和靶材相连，正极和衬底相连。调节电源的输出电流便可达到调节靶材偏压的目的。
所述的透明导电薄膜包括掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、掺硼氧化锌(BZO)、掺铟氧化锌(IZO)、掺钛氧化锌(TZO)、掺锆氧化锌(ZZO)、摻铌氧化锌(NZO)、锡酸镉(CTO)、掺铌氧化钛(TiO2:Nb)、掺锡氧化铟(ITO)、和掺钼氧化铟(IMO)等，均可以用本发明的方法沉积。
本发明具体方法如下：
第一步，把衬底置于室温下不加热，或者把衬底加热，使衬底温度稳定在室温到700℃之间；
第二步，向磁控溅射装置的腔室通入氩气或者氩气和氧气的混合气体；
第三步，打开射频电源或中频电源进行预溅射；
第四步，在预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压为-10V到-300V，并开始溅射长膜。根据具体膜厚的需要确定溅射时间。
采用本发明方法沉积透明导电薄膜，能够有效稳定和提升掺透明导电薄膜的电导率和光透过，并且明显地提高薄膜的沉积速率，避免射频磁控溅射过程中靶材变薄时重新调节溅射参数的繁重工作，节约生产成本。调节靶材偏压不会明显改变薄膜的表面形貌。
附图说明
图1直流偏压电源接入射频溅射系统中的示意图；
图2直流偏压电源接入中频溅射系统中的示意图；
图3 272℃衬底温度下、0.5帕沉积气压、2.19和3.94W/cm2射频功率密度下不同偏压所沉积的AZO薄膜电阻率；
图4 272℃衬底温度下、0.5帕沉积气压、2.19和3.94W/cm2射频功率密度下不同偏压所沉积的AZO薄膜沉积速率；
图5典型的AZO薄膜原子力显微镜所测量的形貌，其中：图5a为272℃衬底温度下、0.5帕沉积气压、2.19W/cm2射频功率密度-72伏特靶材偏压下的表面形貌；图5b为272℃衬底温度下、0.5帕沉积气压、3.92W/cm2射频功率密度-112伏特靶材偏压下的表面形貌。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式进一步说明本发明。
如图1和图2所示，射频或者中频磁控溅射装置为常规的射频或中频磁控溅射电路和装置。在射频或者中频功率的输出端，即靶头的输入端并联一个直流偏压器，直流偏压器的输出端连接一个高频过滤波器。常规射频磁控溅射电路由射频发生器、功率匹配器和发射射频功率的靶头组成，三者相互串联。射频发生器产生射频功率并将射频功率传输到功率匹配器，功率匹配器的输出端将射频功率输送到靶头，靶头将射频功率发射到靶材上。中频溅射电路的功率输出端连接到安装靶材的靶头上。施加直流偏压时，直流偏压电源通过串联高频过滤波器后并联连接到靶头上。通过恒流模式调节偏压器的电压。当偏压器上的电压高于靶材的自偏压时，靶材上的偏压为直流偏压电源的偏压值，直流偏压电源的负极和靶材相连，正极和衬底相连。通过直流偏压器调节透明导电薄膜靶材偏压，从而改变所沉积薄膜的性质并提升薄膜的沉积速率。
本发明沉积透明导电薄膜方法的步骤如下：
第一步，把衬底置于室温下，或者加热衬底，使衬底温度稳定在室温到700℃之间；
第二步，向磁控溅射装置的腔室通入氩气或氩气和氧气的混合气体；
第三步，打开射频电源或中频电源进行预溅射；
第四步，在预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压为-10V到-300V，并开始溅射长膜。根据具体膜厚的需要确定溅射时间。
实施例1
利用射频磁控溅射系统溅射较厚的AZO靶沉积AZO薄膜，步骤如下：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在272℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.5帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.94W/cm2；
4、不打开直流偏压器，开始溅射，沉积薄膜。靶材的自偏压为-112V，利用霍尔效应测试仪测量所沉积的薄膜电阻率为5.62×10-4Ωcm，结合台阶仪和沉积时间得沉积速率为41.06nm/min。
实施例2
利用射频磁控溅射系统溅射较薄的AZO靶沉积AZO薄膜，步骤如下：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在272℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.5帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.94W/cm2；
4、不打开直流偏压器，开始溅射，沉积薄膜。靶材的自偏压为-86V，利用霍尔效应测试仪测量所沉积的薄膜电阻率为7.73×10-4Ωcm，结合台阶仪和沉积时间得沉积速率为24.81nm/min。和实施例1相比，靶材较薄时相同射频溅射参数下所沉积的薄膜电阻率和沉积速率均发生了变化。
实施例3
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在272℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.5帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.94W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，开始溅射长膜，使靶材偏压调节到-92V。利用霍尔效应测试仪测量所沉积的薄膜电阻率为6.00×10-4Ωcm，结合台阶仪和沉积时间得沉积速率为34.48nm/min。
实施例4
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在272℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.5帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.94W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，开始溅射长膜，使靶材偏压调节到-102V。利用霍尔效应测试仪测量所沉积的薄膜电阻率为5.72×10-4Ωcm，结合台阶仪和沉积时间得沉积速率为41.76nm/min。
实施例5
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在272℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.5帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.94W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，开始溅射长膜，使靶材偏压调节到-112V。利用霍尔效应测试仪测量所沉积的薄膜电阻率为5.53×10-4Ωcm，结合台阶仪和沉积时间得沉积速率为46.33nm/min。
实施例6
利用射频磁控溅射系统溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在272℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.5帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为2.19W/cm2；
4、不开直流偏压器，开始溅射，沉积薄膜。靶材的自偏压为-72V，利用霍尔效应测试仪测量所沉积的薄膜电阻率为9.82×10-4Ωcm，结合台阶仪和沉积时间得沉积速率为10.54nm/min。
实施例7
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在272℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.5帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为2.19W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，开始溅射长膜，使靶材偏压调节到-86V。利用霍尔效应测试仪测量所沉积的薄膜电阻率为7.53×10-4Ωcm，结合台阶仪和沉积时间得沉积速率为14.79nm/min。
实施例8
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在272℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.5帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为2.19W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，开始溅射长膜，使靶材偏压调节到-92V。利用霍尔效应测试仪测量所沉积的薄膜电阻率为6.39×10-4Ωcm，结合台阶仪和沉积时间得沉积速率为17.52nm/min。
实施例9
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在272℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.5帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为2.19W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，开始溅射长膜，使靶材偏压调节到-102V。利用霍尔效应测试仪测量所沉积的薄膜电阻率为6.23×10-4Ωcm，结合台阶仪和沉积时间得沉积速率为19.97nm/min。
实施例10
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在272℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.5帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为2.19W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，开始溅射长膜，使靶材偏压调节到-112V。利用霍尔效应测试仪测量所沉积的薄膜电阻率为5.98×10-4Ωcm，结合台阶仪和沉积时间得沉积速率为25.14nm/min。
实施例1到实施例10中薄膜的电阻率和靶材偏压绝对值之间的关系如图3所示；实施例1到实施例10中薄膜的沉积速率和靶材偏压绝对值之间的关系如图4所示。从图3可见，靶材偏压绝对值升高时所沉积的薄膜电阻率降低，当靶材偏压为-112V时，不同情况下所得到的薄膜电阻率非常接近。从图4中可以看出，薄膜的沉积速率随靶材偏压绝对值的升高而增加。如图5所示，在相同气压和衬底温度下的各种靶材偏压所沉积的薄膜表面形貌没有发生大的变化。
实施例11
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.3帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例12
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为0.3帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例13
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为1.0帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例14
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为1.0帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例15
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例16
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射较薄的AZO靶，沉积AZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例17
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射CTO(锡酸镉)靶，沉积CTO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例18
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射CTO(锡酸镉)靶，沉积CTO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例19
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射CTO靶，沉积CTO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例20
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射CTO靶，沉积CTO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例21
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射CTO靶，沉积CTO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例22
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射CTO靶，沉积CTO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例23
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ITO(掺锡氧化铟)靶，沉积ITO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例24
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ITO(掺锡氧化铟)靶，沉积ITO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例25
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ITO靶，沉积ITO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例26
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ITO靶，沉积ITO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例27
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ITO靶，沉积ITO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例28
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ITO靶，沉积ITO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例29
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射GZO(掺镓氧化锌)靶，沉积GZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例30
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射GZO(掺镓氧化锌)靶，沉积GZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例31
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射GZO靶，沉积GZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例32
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射GZO靶，沉积GZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例33
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射GZO靶，沉积GZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、衬底不加热而保持在室温；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例34
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射GZO靶，沉积GZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、衬底不加热而保持在室温；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例35
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射BZO(掺硼氧化锌)靶，沉积BZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例36
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射BZO(掺硼氧化锌)靶，沉积BZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例37
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射BZO靶，沉积BZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例38
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射BZO靶，沉积BZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例39
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射BZO靶，沉积BZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例40
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射BZO靶，沉积BZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例41
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IZO(掺铟氧化锌)靶，沉积IZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例42
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IZO(掺铟氧化锌)靶，沉积IZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例43
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IZO靶，沉积IZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例44
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IZO靶，沉积IZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例45
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IZO靶，沉积IZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例46
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IZO靶，沉积IZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例47
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TZO(掺钛氧化锌)靶，沉积TZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例48
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TZO(掺钛氧化锌)靶，沉积TZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例49
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TZO靶，沉积TZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例50
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TZO靶，沉积TZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例51
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TZO靶，沉积TZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例52
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TZO靶，沉积TZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例53
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ZZO(掺锆氧化锌)靶，沉积ZZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例54
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ZZO(掺锆氧化锌)靶，沉积ZZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例55
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ZZO靶，沉积ZZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例56
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ZZO靶，沉积ZZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例57
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ZZO靶，沉积ZZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例58
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射ZZO靶，沉积ZZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例59
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射NZO(摻铌氧化锌)靶，沉积NZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例60
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射NZO(摻铌氧化锌)靶，沉积NZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例61
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射NZO靶，沉积NZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例62
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射NZO靶，沉积NZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例63
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射NZO靶，沉积NZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例64
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射NZO靶，沉积NZO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例65
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IMO(掺钼氧化铟)靶，沉积IMO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例66
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IMO(掺钼氧化铟)靶，沉积IMO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例67
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IMO靶，沉积IMO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例68
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IMO靶，沉积IMO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例69
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IMO靶，沉积IMO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例70
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射IMO靶，沉积IMO薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例71
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TiO2:Nb(掺铌氧化钛)靶，沉积TiO2:Nb薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例72
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TiO2:Nb(掺铌氧化钛)靶，沉积TiO2:Nb薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在700℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入Ar，调节沉积气压为5.00帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为0.90W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-10V，开始溅射沉积薄膜。
实施例73
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TiO2:Nb靶，沉积TiO2:Nb薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例74
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TiO2:Nb靶，沉积TiO2:Nb薄膜。按照以下步骤沉积：
1、加热衬底，使衬底温度稳定在300℃；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为0.30帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为3.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-300V，开始溅射沉积薄膜。
实施例75
射频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TiO2:Nb靶，沉积TiO2:Nb薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开射频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。
实施例76
中频磁控溅射系统中加入直流偏压电路，溅射TiO2:Nb靶，沉积TiO2:Nb薄膜。按照以下步骤沉积：
1、将衬底置于室温下；
2、向磁控溅射装置的腔室通入氩气和氧气的混合气体，调节沉积气压为2.0帕；
3、打开中频电源进行预溅射，设定射频功率密度为8.00W/cm2；
4、预溅射结束前打开直流偏压器，使靶材偏压调节到-200V，开始溅射沉积薄膜。

Claims (2)

1.一种沉积透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的沉积方法把直流偏压器和射频或者中频电源并联到磁控溅射装置的靶头上，利用直流偏压器调节溅射透明导电薄膜的靶材偏压，步骤如下：
第一步，把衬底置于室温下，或者加热衬底，使衬底温度稳定在室温到700℃之间；
第二步，向磁控溅射腔室通入氩气或者氩气和氧气混合气体；
第三步，打开射频电源或者中频电源进行预溅射；
第四步，溅射结束前同时打开直流偏压器，使靶材偏压为-10到-300V，并开始溅射长膜。
2.按照权利要求1所述的沉积透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的沉积透明导电薄膜为掺铝氧化锌(AZO)，或掺镓氧化锌(GZO)，或掺硼氧化锌(BZO)，或铟氧化锌(IZO)，或掺钛氧化锌(TZO)，或掺锆氧化锌(ZZO)，或摻铌氧化锌(NZO)，或锡酸镉(CTO)，或掺铌氧化钛(TiO2:Nb)，或掺锡氧化铟(ITO)，或掺钼氧化铟(IMO)。
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