CN108251794A - 掩膜板的后处理方法及掩膜板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种掩膜板的后处理方法及掩膜板。掩膜板的后处理方法包括如下步骤:提供掩膜板,掩膜板的表面具有凸部;以及对至少部分凸部进行电解处理。本发明掩膜板的后处理方法能够有效去除或减薄位于掩膜板表面多余的凸起部分。本发明的掩膜板是采用上述的掩膜板的后处理方法制作处理得到,而通过减少位于掩膜板上开口的侧壁面上的凸部的至少部分,能够减少对蒸镀源的遮挡,能够增加蒸镀有效区域,有利于减少设计余量,增加开口率,有利于高PPI产品应用。此外,还可以减少毛刺和边角影响效应。

Description

掩膜板的后处理方法及掩膜板
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种掩膜板的后处理方法及掩膜板。
背景技术
[0002]平板显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的 平板显不器件主要包括有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode,AM0LED)及有机电致发光显示器件(〇rganic Light Emitting Display, OLED)。平板显示器件的制作涉及到在基底上形成薄膜图案的过程,即利用具有图案的蒸镀 掩膜板掩膜,并通过真空蒸镀方式在待蒸镀基板上形成所需要的图案。
[0003]传统的掩膜板的制作采用双面刻蚀工艺,请参见图i,制作得到的掩膜板100’中形 成有若干个开口,而每个开口均是通过对掩膜板的两面同时刻蚀至一定深度后贯穿形成, 这就使得每个开口的侧壁上都保留有双面刻蚀的痕迹,即位于两面的刻蚀痕迹交叠处的刻 蚀凸部。蒸镀时,将掩膜板100’与基板200’贴合,之后按照图1中箭头的方向(线源的蒸镀方 向)进行蒸镀。由于掩膜板100 ’存在刻蚀凸部(图1中圆圈位置),蒸镀时会对蒸镀源造成遮 挡。当先自左至右蒸镀一次,之后再自右至左蒸镀一次之后,第一区域11〇,能够被交叠蒸 镀,为理想膜厚区域,故为蒸镀有效区域。然而,由于刻蚀凸部的遮挡,第二区域120,只能蒸 镀一次,为非理想膜厚区域,不利于应用。
发明内容
[0004]本发明的目的是针对于现有技术的不足,提供一种掩膜板的后处理方法及掩膜 板,以减少或去除掩膜板表面多余的凸起部分。
[0005]为此,在本发明中提供了一种掩膜板的后处理方法,该方法包括如下步骤:提供掩 膜板,所述掩膜板的表面具有凸部;以及对至少部分所述凸部进行电解处理。
[0006]在其中一个实施例中,所述方法还包括以下步骤:在对至少部分所述凸部进行电 解处理之前,在所述掩膜板上形成保护层,所述保护层露出至少部分所述凸部;以及在对至 少部分所述凸部进行电解处理之后,去除所述保护层。
[0007]在其中一个实施例中,在所述掩膜板上形成保护层的步骤为:在所述掩膜板的表 面上形成光刻胶层;以及对所述凸部表面的光刻胶层进行曝光显影,以露出至少部分所述 凸部,以形成保护层。
[0008]在其中一个实施例中,所述掩膜板上形成有若干开口,所述凸部位于所述开口的 侧壁面上;
[0009]在其中一个实施例中,所述开口的侧壁面上形成有第一凸部和第二凸部,所述第 一凸部靠近所述掩膜板的蒸镀面,所述第二凸部远离所述掩膜板的蒸镀面。
[0010]在其中一个实施例中,所述凸部为形成在所述掩膜板外周侧壁面上的毛刺。
[0011]在其中一个实施例中,电解处理时采用的电解液的有效成分包括:
[0012] 第一组分,所述第一组分选自NaOH、KOH和LiOH中的至少一种;
[0013]弟二组分,所述第二组分选自碱金属的碳酸盐、碱金属的氯化物、碱金属的氮化物 和碱金属的磷酸盐中的至少一种,所述碱金属选自Na、K和Li中的至少一种;以及 [00M]第三组分,所述第三组分选自单质Fe和单质Ni中的至少一种。
[0015]在其中一个实施例中,所述电解液中第一组分、第二组份和第三组份的质量比为 100: (2.5〜10) : (0.0025〜0.025)。
[0016]在其中一个实施例中,所述电解液中第一组分的摩尔含量为o.oooi-O.lmol/L,优 选为0.001-0.05mol/L。
[0017]在其中一个实施例中,对至少部分所述凸部进行电解处理时,掩膜板作为电解反 应的阴极,电解反应的阳极选自石墨、铜和铂金中的至少一种。
[0018]在其中一个实施例中,对至少部分所述凸部进行电解处理时,掩膜板作为电解反 应的阳极,电解反应的阴极选自石墨、铜和铂金中的至少一种。
[0019]同时,在本发明中还提供了一种掩膜板,该掩膜板采用根据本发明所述的掩膜板 的后处理方法处理得到。
[0020]本发明掩膜板的后处理方法能够有效去除或缩小位于掩膜板表面不被期待的、多 余的凸起部分。
[0021]本发明的掩膜板是采用上述的掩膜板的后处理方法制作得到,由于上述掩膜板的 后处理方法中,对凸部进行了电解处理,减少了凸部高度方向的至少部分。例如减少了位于 掩膜板上开口的侧壁面上的凸部的至少部分,此时采用本发明的掩膜板进行蒸镀,减少掩 膜板开口中侧壁面上凸部的至少部分,减少了对蒸镀源的遮挡,能够增加蒸镀有效区域,有 利于减少设计余量,增加开口率,有利于高PPI产品应用。此外,还可以减少毛刺和边角影响 效应。
附图说明
[0022]图1为采用传统的掩膜板进行蒸镀的示意图;
[0023]图2为本发明一实施方式的掩膜板的示意图;
[0024]图3为本发明一实施方式的在掩膜板上形成光刻胶的示意图;
[0025]图4为本发明一实施方式的对光刻胶曝光显影之后形成保护层的示意图;
[0026]图5为本发明一实施方式的对至少部分凸部进行电解处理的示意图;
[0027]图6为本发明一实施方式的对凸部进行电解处理之后的示意图;
[0028]图7为本发明一实施方式的掩膜板的示意图;
[0029]图8为采用本发明一实施方式的掩膜板与传统的掩膜板进行蒸镀的对比示意图。
具体实施方式
[0030]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明 的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发 明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不 违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。 [0031]请参见图2〜图5,一实施方式的掩膜板的后处理方法,包括如下步骤:
[0032] S10、提供掩膜板1〇〇,掩膜板1〇〇的表面具有凸部120。
[0033] 其中,掩膜板100的表面包括掩膜板100的蒸镀面、远离蒸镀面的另一面、以及掩膜 板100内部开口的侧壁面、以及所述掩膜板外周侧壁面等各个表面。
[0034] 请参见图2,本实施方式的掩膜板中,掩膜板100上设有若干开口 110,凸部120位于 开口 110的侧壁面上。具体地,在所述开口 110的侧壁面上形成有第一凸部121和第二凸部 122。其中,第一凸部121靠近掩膜板100的蒸镀面130,第二凸部122远离掩膜板100的蒸镀面 130〇
[0035]需要说明的是,本发明的掩膜板的后处理方法中的凸部120不限于本实施方式中 的顶端均为尖端的第一凸部121与第二凸部122,还可以为其他形式。例如,在其他实施方式 中,凸部120的顶端还可以为表面具有一定粗糙度的端部。此外,凸部120的个数还可以为一 个或者两个以上。
[0036] 此外,凸部120还可以位于掩膜板100的蒸镀面上;凸部还可以是形成在所述掩膜 板外周侧壁面上的毛刺。应用本发明的后处理方法适用于去除,或缩小掩膜板任意位置的 凸部120。
[0037] S20、在掩膜板100上形成保护层150,保护层150露出至少部分凸部120。
[0038] 较优的,在掩膜板100上形成保护层150的步骤为:
[0039] S21、在掩膜板100的表面上形成光刻胶层140,如图3所示。
[0040]可以采用涂布的方式在掩膜板100的表面上形成光刻胶层140。具体的,掩膜板100 的两个表面以及开口 110的壁上均形成有光刻胶层140。光刻胶层140的厚度可以根据实际 情况进行设置。
[0041] S22、对凸部120表面的光刻胶层140进行曝光显影,以露出至少部分凸部120,以形 成保护层150,如图4所示。
[0042]对凸部120表面的光刻胶层140进行曝光显影的区域根据凸部120的大小进行设 置,以露出至少部分凸部120为准。
[0043]需要说明的是,保护层150不限于上述实施方式中的光刻胶层140,还可以为其他 能够对掩膜板100起到保护作用的叠层。
[0044] S30、对至少部分凸部120进行电解处理。
[0045]其中,电解处理指的是将电流通过电解质溶液或熔融态电解质,(又称电解液),在 阴极和阳极上引起氧化还原反应的过程。
[0046]请参见图5,对至少部分凸部120进行电解处理时,将露出至少部分凸部120的掩膜 板100整体放入电解液200中,以对至少部分凸部120行电解处理。
[0047]其中,本实施方式中,对至少部分凸部1加进行电解处理时,掩膜板1〇〇与外部电池 的负极相连,作为电解反应的阴极。掩膜板100的材质优选为因瓦合金(invar),下面的电解 反应以因瓦合金为例,但掩膜板100的材质不限于此。
[0048]其中,石墨3〇0与外部电池的正极相连,作为电解反应的阳极。当然,阳极的材质不 限于此,亦可以为铜或铂金等其他能够起到导电作用的金属。
[0049]优选地,电解处理时采用的电解液200的有效成分包括:
[0050] 第一组分,第一组分选自Na0H、K0H和LiOH中的至少一种;
[0051]第二组分,第二组分选自碱金属的碳酸盐、碱金属的氯化物、碱金属的氮化物和碱 金属的磷酸盐中的至少一种,碱金属选自Na、K和Li中的至少一种;
[0052] 以及第三组分,第三组分选自单质Fe和单质Ni中的至少一种。
[0053] 其中,第一组分作为电解反应的主要成分。第一组分、第二组分与第三组分配合使 用,当第一组分与第二组分中的某一成分与第三组分的金属单质发生第一步反应之后,第 一组分与第二组分中另外的某一成分会和第一步反应后的产物继续反应,从而加剧第一步 的反应,能够避免反应溶液产生饱和,进而加剧反应。
[0054] 更优选地,所述电解液中第一组分、第二组份和第三组份的质量比为100: (2.5〜 10) : (0.0025〜0.025)。当电解液200包括上述质量份数的各个组分时,对因瓦合金材质的 掩膜板100的电解效果较好,能够在较短的时间即将至少部分凸部120电解掉。优选地,所述 第一组分、第二组份和第三组份的质量比为100:2.5:0.0025、为100:2.5:0.025、为100:10: 0-0025、为100:10:0.025、为100:5:0.001。
[0055] 更优选地,所述电解液中第一组分的摩尔含量为0.0001-0. lmol/L,优选为0.001 -0.05mol/L,优选为选自0_001mol/L、0_005mol/L、0.01mol/L、0_02mol/L、0_03mol/L、 0.04mol/L、或0.5mol/L中的任意数值。其中电解液中溶剂可以为水,也可以为有机溶剂的 混合物,所述有机溶剂选自碳酸丙烯酯(PC)、碳酸甲乙酯®MC)、碳酸乙烯酯(EC)、碳酸二甲 酯⑽C)。
[0056]当然,电解液的组分不限于此,亦可选自其他组合的碱性电解液,还可以选自其他 酸性电解液。
[0057]通电后,本实施方式的电解反应的原理为:
[0058] 阳极:40IT-4e_ = 〇2 丫+2H20
[0059] 阴极:4H20+4e_ = 2H2T+40H_
[0060] 总反应:2H20=2H2T+〇2t
[0061] 其中,在阴极能够产生大量氢气,在电极上形成高碱性,使掩膜板100表面的凸起 部分慢慢溶解。
[0062] 请参见图6,对至少部分凸部120进行电解处理之后,第一凸部121和第二凸部122 均由尖端变为平滑过渡端部,类似倒圆角的效果。
[0063]需要说明的是,本发明的掩膜板的后处理方法中,当掩膜板的材质不同时,可以选 择不同材质的元件作为阳极,以及可以根据阳极和阴极材质的不同,选择合适的电解液。 [0064]此外,电解时间可以根据电解反应的实际情况(例如电解液的浓度)进行设置,以 能够使掩膜板100的凸部120电解至所需要的程度为准。
[0065] 此外,在其他实施方式中,对至少部分凸部120进行电解处理时,掩膜板100亦可以 作为电解反应的阳极,电解反应的阴极选自石墨、铜和铂金中的至少一种。
[0066] S40、在对至少部分凸部120进行电解处理之后,去除保护层150,得到掩膜板400, 如图7所示。
[0067]请参见图7,与电解处理之前的掩膜板1〇〇相比,经过电解处理之后,掩膜板4〇〇的 第一凸部121与第二凸部122均为平滑过渡。
[0068]当然,本发明的掩膜板的后处理方法中,亦可不设置保护层150。此时,可以直接对 凸部120进行电解处理。
[0069]请参见图8,采用传统的掩膜板对基板200’进行蒸镀时,蒸镀有效区域的宽度为a。 而采用本发明一实施方式的掩膜板400对基板200’进行蒸镀时,蒸镀有效区域的宽度为b。 由图8可以明显看出,b大于a,因此,采用本发明一实施方式的掩膜板400对基板200,进行蒸 镀能够增加蒸镀有效区域。
[0070]本发明的掩膜板的后处理方法中,由于对开口侧壁面上凸部进行了电解处理,减 少了开口侧壁面上凸部对蒸镀源的遮挡。因此能够增加蒸镀有效区域,有利于减少设计余 量,增加开口率,有利于高PPI产品应用。
[0071]此外,本发明的掩膜板的后处理方法还可以减少毛刺和边角影响效应。
[0072]在本发明一实施方式中,掩膜板400采用上述的掩膜板的后处理方法制作得到。 [0073]本发明的掩膜板是采用上述的掩膜板的后处理方法制作得到,由于上述掩膜板的 后处理方法中,对凸部进行了电解处理,减少了凸部对蒸镀源的遮挡。因此采用本发明的掩 膜板进行蒸镀,能够增加蒸镀有效区域,有利于减少设计余量,增加开口率,有利于高PPI产 品应用。此外,还可以减少毛刺和边角影响效应。对至少部分凸部进行了化学研磨处理,减 少了凸部对蒸镀源的遮挡。因此采用本发明的掩膜板进行蒸镀,能够增加蒸镀有效区域,有 利于减少设计余量,增加开口率,有利于高PPI产品应用。此外,还可以减少毛刺和边角影响 效应。
[0074]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实 施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存 在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
[0075]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并 不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来 说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护 范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1. 一种掩膜板的后处理方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤: 提供掩膜板,所述掩膜板的表面具有凸部;以及 对至少部分所述凸部进行电解处理。
2. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括以下步骤: 在对至少部分所述凸部进行电解处理之前,在所述掩膜板上形成保护层,所述保护层 露出至少部分所述凸部;以及 在对至少部分所述凸部进行电解处理之后,去除所述保护层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述掩膜板上形成保护层的步骤为: 在所述掩膜板的表面上形成光刻胶层;以及 对所述凸部表面的光刻胶层进行曝光显影,以露出至少部分所述凸部,以形成保护层。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述掩膜板上形成有若干开口,所述凸部 位于所述开口的侧壁面上; 优选地,所述开口的侧壁面上形成有第一凸部和第二凸部,所述第一凸部靠近所述掩 膜板的蒸镀面,所述第二凸部远离所述掩膜板的蒸镀面。
5.根据权利要求1所述的掩膜板的后处理方法,其特征在于,电解处理时采用的电解液 的有效成分包括: 第一组分,所述第一组分选自NaOH、KOH和LiOH中的至少一种; 第二组分,所述第二组分选自碱金属的碳酸盐、碱金属的氯化物、碱金属的氮化物和碱 金属的磷酸盐中的至少一种,所述碱金属选自Na、K和Li中的至少一种;以及 第三组分,所述第三组分选自单质Fe和单质Ni中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的掩膜板的后处理方法,其特征在于,所述电解液中第一组分、 第二组份和第三组份的质量比为1〇〇: (2.5〜10) : (0.0025〜0.025)。
7. 根据权利要求6所述的掩膜板的后处理方法,其特征在于,所述电解液中第一组分的 摩尔含量为 〇 • 0001-0 • lmol/L,优选为 0 • 001-0. 〇5mol/L。
8. 根据权利要求1所述的掩膜板的后处理方法,其特征在于,对至少部分所述凸部进行 电解处理时,掩膜板作为电解反应的阴极,电解反应的阳极选自石墨、铜和铀金中的至少一 种。
9. 根据权利要求1所述的掩膜板的后处理方法,其特征在于,对至少部分所述凸部进行 电解处理时,掩膜板作为电解反应的阳极,电解反应的阴极选自石墨、铜和铂金中的至少一 种。
10. —种掩膜板,其特征在于,采用权利要求1〜9中任一项所述的掩膜板的后处理方法 处理得到。
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