JP2019016616A - インプリントモールド及びその製造方法、並びに配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】側壁に沿って樹脂層が盛り上がってしまったとしても、当該盛り上がり部分を硬化させずに、略平坦なパターン層を形成可能なインプリントモールド及びその製造方法、並びに配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】インプリントモールドは、第１面、第１面に対向する第２面、及び第１面の外周縁に連続し、第２面側に向かってテーパー状に延伸する側壁面を有する透明基材と、側壁面に設けられてなる遮光層と、第１面に形成されてなる凹凸パターンとを備える。【選択図】図１

Description

本開示は、インプリントモールド及びそれを製造する方法、並びに配線基板を製造する方法に関する。

近年、電子機器の小型化、薄型化、軽量化、高機能化等が進展する中で、電子機器を構成する各種電子部品の小型化や薄型化等とともに、これらの電子部品が実装されるプリント配線基板についても高密度実装を可能とする技術開発が盛んに行われている。

特に、ＬＳＩ等の半導体チップを高密度に実装することができ、かつ高速信号処理回路にも対応可能な多層配線構造の回路基板の新たな提案が要望されている。このような多層配線回路基板においては、微細な配線ピッチで形成された複数層の配線パターン間の高い電気的接続信頼性、優れた高周波特性等を備えていることが重要である。

このような多層配線基板の製造方法として、以下の方法が知られている。まず、配線パターン３３０を形成するための凹部２００Ｃと、ビア３４０及びランド３５０を形成するための階段状の貫通孔２００Ｄとが形成された絶縁膜（樹脂膜）２００上に、スパッタ、無電解めっき等により金属層３１０を形成する（図１９（Ａ）参照）。次に、凹部２００Ｃ及び貫通孔２００Ｄ内に電解銅めっき処理により導体としての銅３２０を埋設させ（図１９（Ｂ）参照）、研磨処理を施す（図１９（Ｃ）参照）。これにより、配線パターン３３０、ビア３４０及びランド３５０を含む配線層を複数積層してなる多層配線基板を製造することができる。

上記凹部２００Ｃ及び貫通孔２００Ｄを有する絶縁膜（樹脂膜）２００は、例えば、配線パターン３３０を形成するための凹部２００Ｃに対応する第１凸状パターン１０１と、ビア３４０及びランド３５０を形成するための貫通孔２００Ｄに対応する第２及び第３凸状パターン１０２，１０３とを有するインプリントモールド１００（図２０（Ａ）参照）を用い、基板３００上に形成された樹脂層２００’にインプリントモールド１００を押し当て、当該樹脂層２００’に光を照射することで樹脂層２００’を硬化させた後、インプリントモールド１００を引き離すことで作製され得る（図２０（Ｂ）参照）。

米国特許第７，１６８，９３６号明細書

しかしながら、上記インプリントモールド１００を用いて絶縁層２００を形成する過程において、樹脂層２００’にインプリントモールド１００を押し当てたとき、インプリントモールド１００の側壁１２３に沿って樹脂層２００’が盛り上がることがある（図２１（Ａ）参照）。当該側壁１２３に沿って盛り上がった樹脂層２００’は、光の照射により盛り上がった状態のまま硬化するため、インプリントモールド１００が硬化した樹脂層２００’から引き離されると、絶縁層２００に盛り上がり部分２００Ａが生じる（図２１（Ｂ）参照）。

絶縁層２００に盛り上がり部分２００Ａが生じたままの状態で凹部２００Ｃ及び貫通孔２００Ｄ内に電解銅めっき処理により導体としての銅３２０を埋設させ（図２１（Ｃ）参照）、研磨処理を施すと（図２１（Ｄ）参照）、銅３２０が研磨されて盛り上がり部分２００Ａが露出した後、銅３２０と絶縁層２００とのエッチングレートの相違により、当該盛り上がり部分２００Ａがエッチングされ、研磨処理後に絶縁層２００に凹部２００Ｅが形成されてしまう（図２１（Ｄ）参照）。この凹部２００Ｅの形成により、多層に積層する配線層の平坦性を確保し難くなり、各配線層間の電気的接続信頼性に問題が生じ得る。

上記課題に鑑みて、本開示は、側壁に沿って樹脂層が盛り上がってしまったとしても、当該盛り上がり部分を硬化させずに、略平坦なパターン層を形成可能なインプリントモールド及びその製造方法、並びに配線基板の製造方法を提供することを一目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の一実施形態として、第１面、前記第１面に対向する第２面、及び前記第１面の外周縁から前記第２面側に向かってテーパー状に延伸する側壁面を有する透明基材と、前記側壁面に設けられてなる遮光層と、前記第１面に形成されてなる凹凸パターンとを備えるインプリントモールドが提供される。

前記遮光層は、前記第１面の外周縁及び前記側壁面が連続する第１部分と、前記第１部分から前記第２面側に向かう方向における前記側壁面上に位置する第２部分との間に設けられていてもよいし、前記側壁面の全面に設けられていてもよい。前記インプリントモールドの側面視において、前記遮光層の設けられている領域の前記第１面に平行な方向における長さは、１０００μｍ〜３０００μｍであればよい。

本発明の一実施形態として、上記インプリントモールドを製造する方法であって、第１面、前記第１面に対向する第２面、及び前記第１面の外周縁から前記第２面側に向かってテーパー状に延伸する側壁面を有する透明基材を準備する工程と、前記第１面に凹凸パターンを形成する工程と、前記側壁面に遮光層を形成する工程とを含むインプリントモールドの製造方法が提供される。

前記第１面の外周縁及び前記側壁面が連続する第１部分と、前記第１部分から前記第２面側に向かう方向における前記側壁面上に位置する第２部分との間に前記遮光層を形成してもよいし、前記側壁面の全面に前記遮光層を形成してもよい。前記透明基材の側面視において、前記第１面の外周縁を起点とした前記第１面に平行な方向における１０００μｍ〜３０００μｍの領域内に前記遮光層を形成してもよい。

本発明の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する透明基材と、前記透明基材の前記第１面上に設けられてなる凸構造部と、前記凸構造部の上面に形成されている凹凸パターンと、前記透明基材の前記第１面上における前記凸構造部の周囲に設けられてなる遮光層とを備え、前記凸構造部は、活性エネルギー線硬化性樹脂材料により構成されるインプリントモールドが提供される。

本発明の一実施形態として、上記インプリントモールドを製造する方法であって、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する透明基材、並びに前記凸構造部の前記凹凸パターンに対応する凹凸パターンを有するマスターモールドを準備する工程と、前記透明基材の前記第１面における前記凸構造部の形成予定領域の周囲に前記遮光層を形成する工程と、前記遮光層が形成されてなる前記透明基材の前記第１面上に活性エネルギー線硬化性樹脂層を形成する工程と、前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に前記マスターモールドの前記凹凸パターンを押し当てた状態で、前記透明基材の前記第２面側から前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に活性エネルギー線を照射することで、前記活性エネルギー線硬化性樹脂層を硬化させる工程と、前記硬化させた前記活性エネルギー線硬化性樹脂層から前記マスターモールドを引き離す工程と、前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に現像処理を施す工程とを含むインプリントモールドの製造方法が提供される。

本発明の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する透明基材と、前記透明基材の前記第１面上に設けられてなる凸構造部と、前記凸構造部の上面に形成されている凹凸パターンと、前記透明基材の前記第２面上に設けられてなる遮光層とを備え、前記凸構造部は、活性エネルギー線硬化性樹脂材料により構成され、前記遮光層は、前記凸構造部を前記第２面上に投影した投影領域の周囲に設けられてなるインプリントモールドが提供される。

本発明の一実施形態として、上記インプリントモールドを製造する方法であって、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する透明基材、並びに前記凸構造部の前記凹凸パターンに対応する凹凸パターンを有するマスターモールドを準備する工程と、前記透明基材の前記第１面における前記凸構造部の形成予定領域を前記第２面側に投影した投影領域の周囲に前記遮光層を形成する工程と、前記第２面に前記遮光層が形成されてなる前記透明基材の前記第１面上に活性エネルギー線硬化性樹脂層を形成する工程と、前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に前記マスターモールドの前記凹凸パターンを押し当てた状態で、前記透明基材の前記第２面側から前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に活性エネルギー線を照射することで、前記活性エネルギー線硬化性樹脂層を硬化させる工程と、前記硬化させた前記活性エネルギー線硬化性樹脂層から前記マスターモールドを引き離す工程と、前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に現像処理を施す工程とを含むインプリントモールドの製造方法が提供される。

本発明の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基板を準備し、前記基板の前記第１面上に活性エネルギー線硬化性樹脂層を形成する工程と、請求項１〜６のいずれかに記載のインプリントモールドの前記凹凸パターンを前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に押し当てた状態で活性エネルギー線を照射し、前記凹凸パターンを反転させた転写パターンを前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に形成する工程と、前記転写パターンが形成された前記感光性樹脂層に現像処理を施す工程と、前記現像処理が施された前記感光性樹脂層上に金属めっき層を形成する工程とを含む配線基板の製造方法が提供される。

本発明の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、前記第２面の所定の領域に遮光層が設けられてなる透明基板を準備し、前記透明基板の前記第１面上に活性エネルギー線硬化性樹脂層を形成する工程と、第１面、当該第１面に対向する第２面及び前記第１面に形成されてなる凹凸パターンを有するインプリントモールドを準備し、前記インプリントモールドの前記第１面の前記凹凸パターンを前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に押し当てる工程と、前記凹凸パターンが押し当てられた状態の前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に、前記透明基板の前記第２面側から活性エネルギー線を照射し、前記凹凸パターンを反転させた転写パターンを前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に形成する工程と、前記転写パターンが形成された前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に現像処理を施す工程と、前記現像処理が施された前記活性エネルギー線硬化性樹脂層上に金属めっき層を形成する工程とを含み、前記遮光層は、前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に前記インプリントモールドの前記第１面が押し当てられる予定の領域を前記透明基板の前記第２面上に投影した投影領域の周囲に設けられてなる配線基板の製造方法が提供される。

前記配線基板は、複数の配線層が積層されてなる多層配線基板であり、前記複数の配線層のそれぞれを、前記配線基板の製造方法により形成することができる。

本開示によれば、側壁に沿って樹脂層が盛り上がってしまったとしても、当該盛り上がり部分を硬化させずに、略平坦なパターン層を形成可能なインプリントモールド及びその製造方法、並びに配線基板の製造方法を提供することができる。

図１は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。 図２は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールドの側壁面の周辺の概略構成を示す部分拡大側面図である。 図３は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールドの他の態様における側壁面周辺の概略構成を示す部分拡大側面図である。 図４は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す平面図である。 図５は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールドの他の態様の概略構成を示す切断端面図である。 図６は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールドの他の態様の概略構成を示す切断端面図である。 図７は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。 図８は、本開示の第２の実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。 図９（Ａ）は、本開示の第２の実施形態に係るインプリントモールドの他の態様の概略構成を示す切断端面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示すインプリントモールドの第２面側から見た平面図である。 図１０は、本開示の第２の実施形態に係るインプリントモールドの他の態様の概略構成を示す切断端面図である。 図１１（Ａ）は、本開示の第２の実施形態に係るインプリントモールドの他の態様の概略構成を示す切断端面図であり、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）に示すインプリントモールドの第２面側から見た平面図である。 図１２（Ａ）〜（Ｄ）は、本開示の第２の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。 図１３（Ａ）〜（Ｃ）は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールドを用いた多層配線基板の製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図（その１）である。 図１４（Ａ）〜（Ｄ）は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールドを用いた多層配線基板の製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図（その２）である。 図１５は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールドを用いて絶縁膜に盛り上がり部分が形成される様子を説明するための部分拡大切断端面図である。 図１６は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールドを用いて絶縁膜に形成される盛り上がり部分が硬化されない様子を説明するための部分拡大切断端面図である。 図１７は、本開示の第２の実施形態に係るインプリントモールドを用いて絶縁膜に盛り上がり部分が形成される様子を説明するための部分拡大切断端面図である。 図１８は、本開示の第２の実施形態に係るインプリントモールドを用いて絶縁膜に形成される盛り上がり部分が硬化されない様子を説明するための部分拡大切断端面図である。 図１９（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の配線基板の製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。 図２０（Ａ）及び（Ｂ）は、従来の配線基板の製造過程でインプリントモールドを用いて凹部及び貫通孔を有する絶縁膜を形成する工程を切断端面にて示す工程フロー図である。 図２１（Ａ）〜（Ｄ）は、従来の配線基板の製造過程でインプリントモールドを用いて凹部及び貫通孔を有する絶縁膜を形成する工程における課題を説明するための工程フロー図である。

本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
当該図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりして示している場合がある。本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。

〔第１の実施形態〕
［インプリントモールド］
図１は、第１の実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図であり、図２は、第１の実施形態に係るインプリントモールドの側壁面の周辺の概略構成を示す部分拡大側面図であり、図３は、第１の実施形態に係るインプリントモールドの他の態様における側壁面周辺の概略構成を示す部分拡大側面図であり、図４は、第１の実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す平面図であり、図５及び図６は、第１の実施形態に係るインプリントモールドの他の態様の概略構成を示す切断端面図である。

図１及び図２に示すように、第１の実施形態に係るインプリントモールド１は、第１面２１、第１面２１に対向する第２面２２、及び側壁面２３を有する透明基材２と、側壁面２３に設けられてなる遮光層３とを備える。側壁面２３は、第１面２１の外周縁２１Ｅに連続し、第２面２２側に向かってテーパー状に延伸するように構成される。透明基材２の第１面２１には、凹凸パターン４が形成されている。

透明基材２としては、インプリントモールド用基材として一般的なもの、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。なお、第１の実施形態において「透明」とは、波長３００ｎｍ〜４５０ｎｍの光線の透過率が７０％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上である。

透明基材２の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状、略円形状等が挙げられる。透明基材２が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるものである場合、通常、透明基材２の平面視形状は略矩形状である。

透明基材２の大きさも特に限定されるものではないが、透明基材２が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、透明基材２の第２面２２の大きさは４０ｍｍ×４０ｍｍ程度である。また、透明基材２の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、０．３ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。

透明基材２は、第１面２１と、第１面２１に対向する第２面２２と、第１面２１の外周縁２１Ｅに連続し、第２面２２側に向かって延伸する側壁面２３とを有する。側壁面２３は、第１面２１の外周縁２１Ｅから第２面２２に向かって、所定の角度θで傾斜するテーパー面として構成される。

側壁面２３には、遮光層３が設けられている。遮光層３は、側壁面２３の全面に設けられていてもよいし（図１、図２参照）、側壁面２３のうちの第１面２１の外周縁２１Ｅに連続する第１部分Ｐ１と、当該第１部分Ｐ１から第２面２２に向かう方向における側壁面２３上に位置する第２部分Ｐ２との間に設けられていてもよい（図３参照）。遮光層３により構成される遮光領域の幅Ｗ₃は、１０００μｍ以上であればよく、１０００μｍ〜３０００μｍ程度であるのが好ましい。遮光領域の幅Ｗ₃が１０００μｍ未満であると、インプリント処理時にインプリントモールド１を介して照射される紫外線Ｌの回り込みにより、インプリントモールド１の側壁面２３に沿って形成される盛り上がり部分２０Ａに紫外線Ｌが照射されてしまうおそれがある。なお、遮光領域は、インプリントモールド１の平面視において、第１面２１を囲むようにして遮光層３が設けられている領域であって、遮光領域の幅Ｗ₃は、略方形状の第１面２１の外周縁２１Ｅと遮光層３の外周縁との間の長さにより定義される（図４（Ａ），（Ｂ）参照）。

透明基材２の第１面２１に形成されている凹凸パターン４は、第１の実施形態に係るインプリントモールド１を用いて作製される配線基板８０における配線パターン３３（図９（Ｄ）参照）に対応するラインアンドスペース状の第１凹凸パターン４１と、ビア３４に対応する平面視略円形状の第２凹凸パターン４２と、ランド３５に対応する平面視略円形状の第３凹凸パターン４３とを含む。インプリントモールド１の平面視において、第２凹凸パターン４２は、第３凹凸パターン４３に物理的に包含され得る大きさを有し、第３凹凸パターン４３の略中央に位置する。

第１凹凸パターン４１の寸法（ライン幅）は、配線基板８０における配線パターン３３の寸法に対応し、例えば、０．５μｍ〜１０μｍ程度に適宜設定される。第２凹凸パターン部４２の寸法（直径）は、配線基板８０におけるビア３４の寸法に対応し、例えば、５μｍ〜２５μｍ程度に適宜設定される。第３凹凸パターン４３の寸法（直径）は、配線基板８０におけるランド３５の寸法に対応し、例えば、１０μｍ〜５０μｍ程度に適宜設定される。第１凹凸パターン４１及び第３凹凸パターン４３の高さは、例えば、０．５μｍ〜１０μｍ程度に適宜設定され、第２凹凸パターン４２の高さ（第３凹凸パターン４３からの突出高さ）は、例えば、０．５μｍ〜１０μｍ程度に適宜設定される。

なお、第１の実施形態に係るインプリントモールド１は、第２凹凸パターン４２を有していなくてもよく、例えば、図５及び図６に示すように、配線基板８０（図９（Ｄ）参照）を製造する際に、ビア３４に対応する貫通孔２０Ｄを絶縁膜２０に形成可能な遮光パターン４２’が透明基材２の第１面２１側（第３凹凸パターン４３の上面）又は第２面２２側に設けられていてもよい。

遮光層３及び遮光パターン４２’は、それらによって遮光される絶縁膜２０上の所定の領域を硬化させない程度に遮光可能な光学特性を有していればよく、例えば、ＯＤ値が２以上であればよい。遮光層３及び遮光パターン４２’を構成する材料としては、例えば、クロム、窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系材料；タンタル、窒化タンタル、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル系材料；チタン、アルミニウム、銀、モリブデン等の金属材料やそれらのうちの少なくとも１種を含む合金材料；ニッケル系材料等を単独で、又は任意に選択した２種以上を用いることができる。

遮光パターン４２’の形状（平面視形状）は、特に限定されるものではなく、上記配線基板８０（図９（Ｄ）参照）におけるビア３４の形状に対応する形状、例えば、平面視略円形状等である。遮光パターン４２’の寸法（直径）は、配線基板８０におけるビア３４の寸法に応じ、例えば、５μｍ〜２５μｍ程度に適宜設定される。

遮光層３及び遮光パターン４２’の厚みは、所望とする光学特性が奏され得る限りにおいて特に制限はない。例えば、遮光層３及び遮光パターン４２’を構成する材料がクロムである場合、遮光層３及び遮光パターン４２’の厚みは、５０ｎｍ以上であればよく、５０ｎｍ〜１５０ｎｍであるのがより好ましい。

第１の実施形態において、透明基材２の第１面２１上に、第１面２１（凹凸パターン４）を被覆する離型層が設けられていてもよい。離型層が設けられていることで、第１の実施形態に係るインプリントモールド１を用いたインプリント処理時に、インプリントモールド１の離型性を向上させることができる。

［インプリントモールドの製造方法］
上記構成を有するインプリントモールド１の製造方法を説明する。図７は、第１の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。

第１面２１、第１面２１に対向する第２面２２及び側壁面２３を有し、第１面２１に凹凸パターン４（第１〜第３凹凸パターン４１〜４３）が形成されてなる透明基材２を用意し、当該透明基材２の第１面２１上に、当該第１面２１を被覆する保護層５を形成する（図７（Ａ）参照）。なお、透明基材２の第１面２１に凹凸パターン４（第１〜第３凹凸パターン４１〜４３）を形成する方法としては、例えば、当該凹凸パターン４に対応する凹凸パターンを有するモールドを用いたインプリントリソグラフィー法、当該凹凸パターン４に対応するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法等が挙げられる。

保護層５としては特に制限はなく、例えば、フォトレジスト膜、ドライフィルムレジスト膜、スパッタ膜、真空蒸着膜、保護テープ等が用いられ得る。第１面２１上に保護層５を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、フォトリソグラフィー法、スパッタリング法、真空蒸着法、テープマウンター等が挙げられる。

次に、第１面２１上に保護層５が形成された透明基材２の側壁面２３に遮光層３を形成する（図７（Ｂ）参照）。遮光層３を形成する方法としては、従来公知の成膜法を採用すればよく、例えば、スパッタリング法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等を採用することができる。

遮光層３を形成する場合に、第１面２１の外周縁２１Ｅ（外周縁２１Ｅと側壁面２３との連続する第１部分）と、第１部分から第２面２２側に向かう方向における側壁面２３上に位置する第２部分との間に遮光層３を形成するようにしてもよいし、側壁面２３の全面に遮光層３を形成するようにしてもよい。いずれの場合においても、透明基材２の側面視において、第１面２１の外周縁２１Ｅを起点とした第１面２１に平行な方向における１０００μｍ〜３０００μｍの領域内に遮光層３を形成すればよい。

側壁面２３に遮光層３を形成した後、第１面２１上の保護層５を除去する（図７（Ｃ）参照）。このとき、保護層５上に形成された遮光材料層も、保護層５とともに除去される。このようにして、第１の実施形態に係るインプリントモールド１が製造される。

〔第２の実施形態〕
［インプリントモールド］
図８、図９（Ａ）、図１０及び図１１（Ａ）は、第２の実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図であり、図９（Ｂ）及び図１１（Ｂ）は、それぞれ、図９（Ａ）及び図１１（Ａ）に示すインプリントモールドの第２面側から見た平面図である。

図８〜１１に示すように、第２の実施形態に係るインプリントモールド１’は、第１面２１’及び当該第１面２１’に対向する第２面２２’を有する透明基材２’と、透明基材２’の第１面２１’上に設けられてなる凸構造部４０’と、凸構造部４０’の上面に形成されている凹凸パターン４’と、遮光層３’とを備える。

透明基材２’は、第１の実施形態に係るインプリントモールド１と同様、インプリントモールド用基材として一般的なもの、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。なお、第２の実施形態において「透明」とは、波長３００ｎｍ〜４５０ｎｍの光線の透過率が７０％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上である。

透明基材２’の大きさも特に限定されるものではないが、透明基材２’が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、透明基材２’の平面視における大きさは４０ｍｍ×４０ｍｍ程度である。また、透明基材２’の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、０．３ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。

第２の実施形態に係る透明基材２’は、第１の実施形態における透明基材２と異なり、その側面２３’が傾斜面により構成されず、第１面２１’及び第２面２２’に対する実質的な垂直面により構成される。

凸構造部４０’は、紫外線硬化性樹脂材料等の活性エネルギー線硬化性樹脂材料により構成され、特にインプリント処理に適したインプリント樹脂材料により構成されるのが好ましい。凸構造部４０’が活性エネルギー線硬化性材料、特にインプリント樹脂材料により構成されていることで、後述するように、凸構造部４０’と、凸構造部４０’の上面に形成されている凹凸パターン４’（第１〜第３凹凸パターン４１’〜４３’）とを、同時に、かつ第１面２１’上の所望とする領域に高精度に作製することができる。

凸構造部４０’の上面に形成されている凹凸パターン４’は、第２の実施形態に係るインプリントモールド１’を用いて作製され得る配線基板８０における配線パターン３３（図１４（Ｄ）参照）に対応するラインアンドスペース状の第１凹凸パターン４１’と、ビア３４に対応する平面視略円形状の第２凹凸パターン４２’と、ランド３５に対応する平面視略円形状の第３凹凸パターン４３’とを含む。インプリントモールド１’の平面視において、第２凹凸パターン４２’は、第３凹凸パターン４３’に物理的に包含され得る大きさを有し、第３凹凸パターン４３’の略中央に位置する。

第１凹凸パターン４１’の寸法（ライン幅）は、配線基板８０における配線パターン３３の寸法に対応し、例えば、０．５μｍ〜１０μｍ程度に適宜設定される。第２凹凸パターン部４２’の寸法（直径）は、配線基板８０におけるビア３４の寸法に対応し、例えば、５μｍ〜２５μｍ程度に適宜設定される。第３凹凸パターン４３’の寸法（直径）は、配線基板８０におけるランド３５の寸法に対応し、例えば、１０μｍ〜５０μｍ程度に適宜設定される。第１凹凸パターン４１’及び第３凹凸パターン４３’の高さは、例えば、０．５μｍ〜１０μｍ程度に適宜設定され、第２凹凸パターン４２’の高さ（第３凹凸パターン４３’上面からの突出高さ）は、例えば、０．５μｍ〜１０μｍ程度に適宜設定される。

第２の実施形態において、遮光層３’は、透明基材２’の第１面２１’上における凸構造部４０’の周囲に設けられていてもよいし（図８及び図１０参照）、凸構造部４０’を第２面２２’上に投影した投影領域ＡＰの周囲に設けられていてもよい（図９（Ａ），（Ｂ）及び図１１（Ａ），（Ｂ））。これらの場合において、遮光層３’は、第１面２１’又は第２面２２’上のみに設けられていてもよいし（図８、図９（Ａ））、第１面２１’又は第２面２２’から側面２３’にかけて連続するように設けられていてもよい（図１０、図１１（Ａ））。

遮光層３’は、それによって遮光される絶縁膜２０上の所定の領域を硬化させない程度に遮光可能な光学特性を有していればよく、例えば、ＯＤ値が２以上であればよい。遮光層３’を構成する材料としては、例えば、クロム、窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系材料；タンタル、窒化タンタル、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル系材料；チタン、アルミニウム、銀、モリブデン等の金属材料やそれらのうちの少なくとも１種を含む合金材料；ニッケル系材料等を単独で、又は任意に選択した２種以上を用いることができる。

遮光層３’の厚みは、所望とする光学特性が奏され得る限りにおいて特に制限はない。例えば、遮光層３’を構成する材料がクロムである場合、遮光層３’の厚みは、５０ｎｍ以上であればよく、５０ｎｍ〜１５０ｎｍであるのがより好ましい。

第２の実施形態において、凸構造部４０’の上面には、当該上面（凹凸パターン４’）を被覆する離型層が設けられていてもよく、また凸構造部４０’と透明基材２’の第１面２１’との間には密着層が設けられていてもよい。離型層や密着層が設けられていることで、第２の実施形態に係るインプリントモールド１’を用いたインプリント処理時に、インプリントモールド１’の離型性を向上させることができる。

［インプリントモールドの製造方法］
次に、上記構成を有するインプリントモールド１’の製造方法を説明する。図１２は、第２の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。なお、図１２においては、図８に示す構成を有するインプリントモールド１’の製造方法が示されているが、図９〜１１に示す構成を有するインプリントモールド１’においても同様にして製造され得る。

まず、第１面２１’及びそれに対向する第２面２２’を有する透明基材２’の第１面２１’上に、凸構造部４０’を形成するための領域の周囲を囲む遮光層３’を形成し、その上に活性エネルギー線硬化性樹脂材料により構成されるレジスト膜Ｒを形成する（図１２（Ａ）参照）。

遮光層３’は、例えば、クロム、窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系材料；タンタル、窒化タンタル、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル系材料；チタン、アルミニウム、銀、モリブデン等の金属材料やそれらのうちの少なくとも２種を含む合金材料；ニッケル系材料等を単独、又は任意に選択した２種以上により構成される遮光層形成用材料を、スパッタリング、ＰＶＤ、ＣＶＤ等の公知の成膜法により成膜し、従来公知の方法によりパターニングすることで形成され得る。

レジスト膜Ｒを構成する樹脂材料としては、インプリント処理等において一般的に用いられる紫外線硬化性樹脂材料であって、透明樹脂材料等を用いることができる。

レジスト膜Ｒの厚みは、特に制限されるものではないが、後述する工程（図１２（Ｂ），（Ｃ）参照）において、レジスト膜ＲにマスターモールドＭの凹凸パターンを転写して凸構造部４０’が形成される。したがって、レジスト膜Ｒの厚みは、凸構造部４０’の厚さ等を考慮して適宜設定され得る。具体的には、レジスト膜Ｒの厚みは、０．５μｍ〜１０μｍ程度に設定され得る。

透明基材２’の第１面２１’上にレジスト膜Ｒを形成する方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、第１面２１’上にインプリント樹脂材料を、スピンコーター、スプレーコーター等の塗工機を用いて塗布する方法等が挙げられる。

次に、凸構造部４０’の上面に形成されている凹凸パターン４’（第１〜第３凹凸パターン４１’〜４３’）に対応する凹凸パターンを有するマスターモールドＭを用意し、当該マスターモールドＭの凹凸パターンをレジスト膜Ｒに押し当てる。そして、その状態で、透明基材２’の第２面２２’側から紫外線Ｌ’を照射する。

マスターモールドＭは、第２の実施形態に係るインプリントモールド１’の透明基材２’と同様、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等により構成され得る。

マスターモールドＭの凹凸パターン（第１〜第３凹状パターン）の形状、寸法等は、特に限定されるものではなく、第２の実施形態において製造されるインプリントモールド１’において要求される凹凸パターン４’（第１〜第３凸状パターン４１’〜４３’）の形状、寸法等に応じて、例えば、スペース状、ホール状等の形状や、０．５μｍ〜５０μｍ程度の寸法に設定され得る。なお、マスターモールドＭにおける凹凸パターン面側には、レジスト膜Ｒとの離型を容易にすることを目的として、離型層が設けられていてもよい。

透明基材２’の第１面２１’における凸構造部４０’を形成するための領域の周囲を囲むように遮光層３’が形成されていることで、当該領域内に位置するレジスト膜Ｒには紫外線Ｌ’が照射されるが、遮光層３’上のレジスト膜Ｒには遮光層３’により遮光されて紫外線Ｌ’が照射されない。

この状態において、マスターモールドＭをレジスト膜Ｒから引き離す（図１２（Ｃ）参照）。上述したように、遮光層３’上のレジスト膜Ｒには紫外線Ｌ’が照射されないことで当該レジスト膜Ｒは硬化しない。したがって、マスターモールドＭを引き離した後の透明基材２’に対し、所定の現像液を用いた現像処理を施すことで、未硬化のレジスト膜Ｒを除去することができる。これにより、第２の実施形態に係るインプリントモールド１’が製造され得る（図１２（Ｄ）参照）。

［配線基板の製造方法］
上述した構成を有する第１及び第２の実施形態に係るインプリントモールド１，１’を用いて配線基板を製造する方法を説明する。なお、以下においては、第１の実施形態に係るインプリントモールド１を用いる態様を例に挙げて説明するが、第２の実施形態に係るインプリントモールド１’を用いる態様において同様である。図１３及び図１４は、第１の実施形態に係るインプリントモールド１を用いて配線基板を製造する方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。

まず、第１配線層１０と、第１の実施形態に係るインプリントモールド１とを準備し、第１配線層１０上に絶縁膜２０を形成する（図１３（Ａ）参照）。絶縁膜２０を構成する材料としては、電気絶縁性を有する材料を用いることができ、例えば、エポキシ系樹脂材料、フェノール系樹脂材料、ポリイミド系樹脂材料、ポリスルホン系樹脂材料、ポリエステル系樹脂材料、ポリカーボネート系樹脂材料等が挙げられるが、紫外線の照射により硬化する紫外線硬化性樹脂を用いるのが好ましい。絶縁膜２０の厚さは、好ましくは３μｍ〜３０μｍ程度である。

次に、第１配線層１０上の絶縁膜２０にインプリントモールド１を押し当てながら、絶縁膜２０を硬化させる（図１３（Ｂ）参照）。絶縁膜２０を硬化させる方法としては、絶縁膜２０を構成する樹脂材料の硬化特性に応じて適宜選択すればよく、例えば、絶縁膜２０が紫外線硬化性樹脂により構成される場合、絶縁膜２０にインプリントモールド１を押し当てた状態で紫外線Ｌを照射することで、当該絶縁膜２０を硬化させることができる。

絶縁膜２０にインプリントモールド１を押し当てると、インプリントモールド１の側壁面２３に沿って絶縁膜２０を構成する樹脂材料が盛り上がり、盛り上がり部分２０Ａが形成されてしまう（図１５参照）。しかし、第１の実施形態に係るインプリントモールド１においては、その側壁面２３に遮光層３が設けられているため、絶縁膜２０の盛り上がり部分２０Ａは、遮光層３により遮光されて紫外線Ｌが照射されずに硬化しない（図１６参照）。この未硬化の盛り上がり部分２０Ａが、後工程（図１４（Ａ）参照）により除去されて貫通孔２０Ｂが形成される。

第２の実施形態に係るインプリントモールド１’を絶縁層２０に押し当てた場合も、第１の実施形態に係るインプリントモールド１と同様に、インプリントモールド１’の凸構造部４０’の側壁面に沿って絶縁膜２０を構成する樹脂材料が盛り上がり、盛り上がり部分２０Ａ’が形成されてしまう（図１７参照）。しかし、第２の実施形態に係るインプリントモールド１’においては、遮光層３’が凸構造部４０’の周囲を囲むように第１面２１’上に設けられていたり、第２面２２’側に凸構造部４０’を投影した投影領域ＡＰの周囲を囲むように第２面２２’上に設けられていたりするため、絶縁膜２０の盛り上がり部分２０Ａ’は、遮光層３’により遮光されて紫外線Ｌが照射されずに硬化しない（図１８参照）。

硬化した絶縁膜２０からインプリントモールド１を剥離する（図１３（Ｃ）参照）。インプリントモールド１の剥離後、第２凸状パターン４２及び第３凸状パターン４３に対応して形成される凹部の底部に残膜が存在することがある。この場合、酸素プラズマ等を用いたアッシング処理等により当該残膜を除去すればよい。これにより、インプリントモールド１の第１凸状パターン４１に対応する凹部２０Ｃと、第２凸状パターン４２及び第３凸状パターン４３に対応する貫通孔２０Ｄと、未硬化の部分２０Ａとを有する絶縁膜２０が形成される。その後、現像液を用いた現像処理により未硬化の部分２０Ａを除去して貫通孔２０Ｂを形成する（図１４（Ａ）参照）。これにより、第１配線層５０上に貫通孔２０Ｂ、凹部２０Ｃ及び貫通孔２０Ｄを有する絶縁膜２０が作製される。

続いて、絶縁膜２０上に金属シード層３１を形成し、金属シード層３１上に、電気めっき法により、絶縁膜２０の貫通孔２０Ｂ、凹部２０Ｃ及び貫通孔２０Ｄを埋める銅めっき層等の金属めっき層３２を形成する（図１４（Ｂ）参照）。金属シード層３１を構成する材料（金属材料）としては、例えば、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ等が挙げられる。金属シード層３１の厚さは、特に限定されるものではないが、１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度に設定され得る。金属シード層３１を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング法、無電解めっき法等が挙げられる。

そして、金属めっき層３２に対し、絶縁膜２０を露出させ得る程度に研磨処理を施すことで、配線パターン３３と、第１配線層１０との間で電気的に接続するビア３４及びランド３５とを有する第２配線層３０が形成される（図１４（Ｃ）参照）。

上述した図１３（Ａ）〜図１４（Ｃ）に示す工程を繰り返し行って、第Ｎ−１配線層上に第Ｎ配線層（Ｎは２以上の整数である。）を形成することで、配線基板８０を製造することができる（図１４（Ｄ）参照）。なお、図１４（Ｄ）においては、第１配線層１０、第２配線層３０、第３配線層５０及び第４配線層７０がこの順に積層されてなる配線基板８０が例示されているが、配線層の積層数はこれに限定されるものではない。

上述したように、第１の実施形態に係るインプリントモールド１によれば、透明基材２の側壁面２３に遮光層３が設けられていることで、インプリントモールド１を用いたインプリント処理時に、側壁面２３に沿って絶縁膜２０が盛り上がってしまったとしても、その盛り上がり部分２０Ａを硬化させずに、後の現像処理（図１４（Ａ）参照）にて除去することができる。そのため、その後に形成される金属めっき層３２に研磨処理を施したときに、実質的に平坦な配線層を形成することができる。特に、複数の配線層を積層してなる多層配線基板を製造する場合（図１４（Ｄ）参照）、各配線層を実質的に平坦に形成することができるため、各配線層間の電気的接続信頼性を向上させることができる。

また、第２の実施形態に係るインプリントモールド１’によれば、遮光層３’が凸構造部４０’の周囲を囲むように第１面２１’上に設けられていたり、第２面２２’側に凸構造部４０’を投影した投影領域ＡＰの周囲を囲むように第２面２２’上に設けられていたりすることで、インプリントモールド１’を用いたインプリント処理時に、凸構造部４０’の側壁面に沿って絶縁膜２０が盛り上がってしまったとしても、その盛り上がり部分２０Ａ’を硬化させずに、後の現像処理（図１４（Ａ）参照）にて除去することができる。そのため、その後に形成される金属めっき層３２に研磨処理を施したときに、実質的に平坦な配線層を形成することができる。特に、複数の配線層を積層してなる多層配線基板を製造する場合（図１４（Ｄ）参照）、各配線層を実質的に平坦に形成することができるため、各配線層間の電気的接続信頼性を向上させることができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

第１及び第２の実施形態において、凹凸パターン４，４’は、第１凹凸パターン４１，４１’と、階段状の第２凹凸パターン４２，４２’及び第３凹凸パターン４３，４３’とを含む態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではなく、第２凹凸パターン４２，４２’及び第３凹凸パターン４３，４３’を含んでいなくてもよい。

第１及び第２の実施形態に係るインプリントモールド１，１’を用いて配線基板を製造する方法を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、石英基板等の基材又は当該基材の上面に形成されたハードマスク層上の樹脂膜に、第１及び第２の実施形態に係るインプリントモールド１，１’の凹凸パターン４，４’を転写して転写パターンを形成し、当該転写パターンをマスクとして基材又はハードマスク層をエッチングして凹凸構造体を製造する方法に、上記第１及び第２の実施形態に係るインプリントモールド１，１’を用いてもよい。これにより、製造される凹凸構造体の凹凸パターン面の平坦性を良好にすることができる。

１，１’…インプリントモールド
２，２’…透明基材
２１，２１’…第１面
２２，２２’…第２面
２３…側壁面
３，３’…遮光層
４，４’…凹凸パターン
４１，４１’…第１凹凸パターン
４２，４２’…第２凹凸パターン
４３，４３’…第３凹凸パターン
４０’…凸構造部

Claims (15)

1. 第１面、前記第１面に対向する第２面、及び前記第１面の外周縁に連続し、前記第２面側に向かってテーパー状に延伸する側壁面を有する透明基材と、
   前記側壁面に設けられてなる遮光層と、
   前記第１面に形成されてなる凹凸パターンと
   を備えるインプリントモールド。
2. 前記遮光層は、前記第１面の外周縁と前記側壁面との連続する第１部分と、前記第１部分から前記第２面側に向かう方向における前記側壁面上に位置する第２部分との間に設けられている請求項１に記載のインプリントモールド。
3. 前記遮光層は、前記側壁面の全面に設けられている請求項１に記載のインプリントモールド。
4. 前記インプリントモールドの側面視において、前記第１面に平行な方向における前記遮光層の長さは、１０００μｍ以上である請求項１〜３のいずれかに記載のインプリントモールド。
5. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する透明基材と、
   前記透明基材の前記第１面上に設けられてなる凸構造部と、
   前記凸構造部の上面に形成されている凹凸パターンと、
   前記透明基材の前記第１面上における前記凸構造部の周囲に設けられてなる遮光層と
   を備え、
   前記凸構造部は、活性エネルギー線硬化性樹脂材料により構成されるインプリントモールド。
6. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する透明基材と、
   前記透明基材の前記第１面上に設けられてなる凸構造部と、
   前記凸構造部の上面に形成されている凹凸パターンと、
   前記透明基材の前記第２面上に設けられてなる遮光層と
   を備え、
   前記凸構造部は、活性エネルギー線硬化性樹脂材料により構成され、
   前記遮光層は、前記凸構造部を前記第２面上に投影した投影領域の周囲に設けられてなるインプリントモールド。
7. 請求項１〜４のいずれかに記載のインプリントモールドを製造する方法であって、
   第１面、前記第１面に対向する第２面、及び前記第１面の外周縁に連続し、前記第２面側に向かってテーパー状に延伸する側壁面を有する透明基材を準備する工程と、
   前記第１面に凹凸パターンを形成する工程と、
   前記側壁面に遮光層を形成する工程と
   を含むインプリントモールドの製造方法。
8. 前記第１面の外周縁と前記側壁面との連続する第１部分と、前記第１部分から前記第２面側に向かう方向における前記側壁面上に位置する第２部分との間に前記遮光層を形成する請求項７に記載のインプリントモールドの製造方法。
9. 前記側壁面の全面に前記遮光層を形成する請求項７に記載のインプリントモールドの製造方法。
10. 前記透明基材の側面視において、前記第１面の外周縁を起点とした前記第１面に平行な方向における１０００μｍ〜３０００μｍの領域内に前記遮光層を形成する請求項７〜９のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
11. 請求項５に記載のインプリントモールドを製造する方法であって、
    第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する透明基材、並びに前記凸構造部の前記凹凸パターンに対応する凹凸パターンを有するマスターモールドを準備する工程と、
    前記透明基材の前記第１面における前記凸構造部の形成予定領域の周囲に前記遮光層を形成する工程と、
    前記遮光層が形成されてなる前記透明基材の前記第１面上に活性エネルギー線硬化性樹脂層を形成する工程と、
    前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に前記マスターモールドの前記凹凸パターンを押し当てた状態で、前記透明基材の前記第２面側から前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に活性エネルギー線を照射することで、前記活性エネルギー線硬化性樹脂層を硬化させる工程と、
    前記硬化させた前記活性エネルギー線硬化性樹脂層から前記マスターモールドを引き離す工程と、
    前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に現像処理を施す工程と
    を含むインプリントモールドの製造方法。
12. 請求項６に記載のインプリントモールドを製造する方法であって、
    第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する透明基材、並びに前記凸構造部の前記凹凸パターンに対応する凹凸パターンを有するマスターモールドを準備する工程と、
    前記透明基材の前記第１面における前記凸構造部の形成予定領域を前記第２面上に投影した投影領域の周囲に前記遮光層を形成する工程と、
    前記第２面に前記遮光層が形成されてなる前記透明基材の前記第１面上に活性エネルギー線硬化性樹脂層を形成する工程と、
    前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に前記マスターモールドの前記凹凸パターンを押し当てた状態で、前記透明基材の前記第２面側から前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に活性エネルギー線を照射することで、前記活性エネルギー線硬化性樹脂層を硬化させる工程と、
    前記硬化させた前記活性エネルギー線硬化性樹脂層から前記マスターモールドを引き離す工程と、
    前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に現像処理を施す工程と
    を含むインプリントモールドの製造方法。
13. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基板を準備し、前記基板の前記第１面上に活性エネルギー線硬化性樹脂層を形成する工程と、
    請求項１〜６のいずれかに記載のインプリントモールドの前記凹凸パターンを前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に押し当て、その状態で前記インプリントモールドを介して前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に活性エネルギー線を照射し、前記凹凸パターンを反転させた転写パターンを前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に形成する工程と、
    前記転写パターンが形成された前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に現像処理を施す工程と、
    前記現像処理が施された前記活性エネルギー線硬化性樹脂層上に金属めっき層を形成する工程と
    を含む配線基板の製造方法。
14. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、前記第２面の所定の領域に遮光層が設けられてなる透明基板を準備し、前記透明基板の前記第１面上に活性エネルギー線硬化性樹脂層を形成する工程と、
    第１面、当該第１面に対向する第２面及び前記第１面に形成されてなる凹凸パターンを有するインプリントモールドを準備し、前記インプリントモールドの前記第１面の前記凹凸パターンを前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に押し当てる工程と、
    前記凹凸パターンが押し当てられた状態の前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に、前記透明基板の前記第２面側から活性エネルギー線を照射し、前記凹凸パターンを反転させた転写パターンを前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に形成する工程と、
    前記転写パターンが形成された前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に現像処理を施す工程と、
    前記現像処理が施された前記活性エネルギー線硬化性樹脂層上に金属めっき層を形成する工程と
    を含み、
    前記遮光層は、前記活性エネルギー線硬化性樹脂層に前記インプリントモールドの前記第１面が押し当てられる予定の領域を前記透明基板の前記第２面上に投影した投影領域の周囲に設けられてなる配線基板の製造方法。
15. 前記配線基板は、複数の配線層が積層されてなる多層配線基板であり、
    前記複数の配線層のそれぞれを、前記配線基板の製造方法により形成する請求項１３又は１４に記載の配線基板の製造方法。

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