JP2008227045A - 転写用導体の製造方法および電鋳母型 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、小型化、高インピーダンス化を図ることができる転写用導体の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の転写用導体の製造方法は、導電性を有するベース板２１上に、このベース板２１の表面の露出部２３を規定するパターンを有する感光性のフォトレジスト膜２２を形成する工程と、前記ベース板２１上の前記露出部２３にめっきをすることによって転写用導体２５を形成する工程と、前記転写用導体２５を被転写体２６に転写する工程とを備え、前記フォトレジスト膜２２を形成した後、転写用導体２５を形成する前に、前記フォトレジスト膜２２に紫外線を照射するようにしたものである。
【選択図】図３

Description

本発明は、デジタル機器やＡＶ機器、情報通信端末等の各種電子機器に使用される積層型電子部品に用いられる転写用導体の製造方法および電鋳母型に関するものである。

従来のこの種の転写用導体の製造方法は、図４（ａ）に示すように、ベース板１上に、このベース板１の表面の露出部１ａを規定するパターンを有する樹脂からなるフォトレジスト膜２を形成し、そしてこのフォトレジスト膜２を加熱して硬化させた後、図４（ｂ）に示すように、ベース板１上の露出部１ａにめっきをすることによって転写用導体３を形成していた。

そしてまた、この転写用導体３は、図４（ｃ）に示すように、被転写体４に転写し、そして図４（ｄ）に示すように、ベース板１およびフォトレジスト膜２を転写用導体３から剥がすことにより、被転写体４上に転写用導体３を形成していた。

なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
特開平８−１６２３５２号公報

上記した従来の転写用導体の製造方法においては、フォトレジスト膜２を樹脂で形成し、かつこのフォトレジスト膜２を加熱して硬化させているため、フォトレジスト膜２のパターン表面のエッジ部分がだれてしまい、これにより、転写用導体３の厚みを厚くするとその線幅が太くなり、かつ線間距離も短くなるため、転写用導体３を高アスペクト比、狭ピッチで形成できず、その結果、小型化、高インピーダンス化を図ることができないという課題を有していた。

本発明は上記従来の課題を解決するもので、小型化、高インピーダンス化を図ることができる転写用導体の製造方法および電鋳母型を提供することを目的とするものである。

上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。

本発明の請求項１に記載の発明は、導電性を有するベース板上に、このベース板の表面の露出部を規定するパターンを有する感光性のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記ベース板上の前記露出部にめっきをすることによって転写用導体を形成する工程と、前記転写用導体を被転写体に転写する工程とを備え、前記フォトレジスト膜を形成した後、転写用導体を形成する前に、前記フォトレジスト膜に紫外線を照射するようにしたもので、この製造方法によれば、フォトレジスト膜に紫外線を照射することによりフォトレジスト膜を硬化させるようにしているため、フォトレジスト膜は加熱されずに硬化することになり、これにより、フォトレジスト膜のパターンのエッジ部分がだれることはなくなるため、転写用導体を高アスペクト比、かつ狭ピッチに形成することができ、これにより、小型化、高インピーダンス化を図ることができるという作用効果が得られるものである。

本発明の請求項２に記載の発明は、特に、紫外線をフォトレジスト膜に照射した後、転写用導体を形成する前に、前記フォトレジスト膜を加熱するようにしたもので、この製造方法によれば、転写用導体を形成する前に、フォトレジスト膜を硬くすることができるため、電鋳母型の繰り返し使用時においても、フォトレジスト膜に割れや傷が発生しにくくなるという作用効果が得られるものである。

本発明の請求項３に記載の発明は、導電性を有するベース板と、このベース板の表面に設けられ、かつベース板の表面の露出部を規定するパターンを有する感光性のフォトレジスト膜とを備え、前記フォトレジスト膜に紫外線を照射することにより前記フォトレジスト膜を硬化させるようにしたもので、この構成によれば、フォトレジスト膜に紫外線を照射することによりフォトレジスト膜を硬化させるようにしているため、フォトレジスト膜は加熱されずに硬化することになり、これにより、フォトレジスト膜のパターンのエッジ部分がだれることはなくなるため、転写用導体を高アスペクト比、かつ狭ピッチに形成することができ、これにより、小型化、高インピーダンス化を図ることができるという作用効果が得られるものである。

以上のように本発明の転写用導体の製造方法は、導電性を有するベース板上に、このベース板の表面の露出部を規定するパターンを有する感光性のフォトレジスト膜を形成した後、転写用導体を形成する前に、フォトレジスト膜に紫外線を照射するようにしているため、フォトレジスト膜は加熱されずに硬化することになり、これにより、フォトレジスト膜のパターンのエッジ部分がだれることはなくなるため、転写用導体を高アスペクト比、かつ狭ピッチに形成することができ、これにより、小型化、高インピーダンス化を図ることができるという優れた効果を奏するものである。

以下、本発明の一実施の形態における転写用導体の製造方法について、図面を参照しながら説明する。

図１は本発明の一実施の形態における転写用導体の製造方法を用いて得られた積層型電子部品の斜視図、図２は同積層型電子部品の分解斜視図である。

この積層型電子部品は、図１、図２に示すように、磁性材料からなる第１〜第５の絶縁層１１ａ〜１１ｅと、第１〜第４の絶縁層１１ａ〜１１ｄの上面にそれぞれ設けられた第１〜第４の導体パターン１２〜１５とを備え、そして第２の導体パターン１３と第３の導体パターン１４とを互いに対向させるとともに、これらを一体化して積層体１７を構成し、さらにこの積層体１７の両端部には第１〜第４の外部電極１８ａ〜１８ｄを形成しているものである。また、前記第２の絶縁層１１ｂには第１のビア１６ａを形成し、かつ第４の絶縁層１１ｄには第２のビア１６ｂを形成し、そして第１のビア１６ａを介して第１の導体パターン１２と第２の導体パターン１３とを接続し、さらに第２のビア１６ｂを介して第３の導体パターン１４と第４の導体パターン１５とを接続しているものである。

上記した積層型電子部品は、第１の導体パターン１２と第２の導体パターン１３とからなるコイルと、第３の導体パターン１４と第４の導体パターン１５とからなるコイルとを有し、そしてこれらの２つのコイルが磁気結合することによってコモンモードノイズを除去するコモンモードノイズフィルタを構成しているものである。

なお、上記した第１〜第５の絶縁層１１ａ〜１１ｅのうち、一部の絶縁層は非磁性材料で構成してもよい。

次に、本発明の一実施の形態における転写用導体の製造方法について、図３（ａ）〜（ｆ）に示す製造工程図にもとづいて説明する。

まず、図３（ａ）に示すように、可撓性を有するステンレス板（ＳＵＳ４３０等）からなるベース板２１の上面にストライクＮｉめっきおよび光沢Ｎｉめっき（図示せず）を施した後、さらにその上面に感光性のフォトレジスト膜２２をスピンコート法、スクリーン印刷法等により塗布して乾燥させる。

次に、図３（ｂ）に示すように、ベース板２１の表面の露出部２３が、第１〜第４の導体パターン１２〜１５と同形状となるようにフォトレジスト膜２２をパターンニングする。このパターンニングの方法としては、エキシマレーザを照射する方法や、フォトマスクを介して露光、現像する方法がある。

そして、パターンニングの後、約１００℃でフォトレジスト膜２２を乾燥させ、感光成分を除去する。この場合、この乾燥を１５０℃以上で行えば、フォトレジスト膜２２のパターンのエッジ部分がだれてしまう。

次に、図３（ｃ）に示すように、パターンニング後のフォトレジスト膜２２に真空紫外線を照射し、フォトレジスト膜２２を硬化させる。この真空紫外線はフォトレジスト膜２２のパターンニングではなく、フォトレジスト膜２２を硬化させるために使用される。このとき、フォトレジスト膜２２の温度が樹脂のガラス転移点以上にならないように制御する。

上記のように真空紫外線をフォトレジスト膜２２に照射すれば、フォトレジスト膜２２中のポリマーが架橋するため、フォトレジスト膜２２を硬化させることができる。

このようにして、転写用導体の製造に用いる電鋳母型２４が形成される。そして、この電鋳母型２４は繰り返し使用することができる。

次に、図３（ｄ）に示すように、Ａｇめっきを行うことにより、ベース板２１の露出部２３にＡｇからなる転写用導体２５を形成する。この場合、転写用導体２５は、フォトレジスト膜２２の上面から突き出ているもので、この転写用導体２５が第１〜第４の導体パターン１２〜１５となる。

なお、この転写用導体２５を形成する前に、フォトレジスト膜２２を約１５０℃で３０分間加熱するようにしてもよい。このようにすれば、フォトレジスト膜２２をより硬くすることができるため、電鋳母型２４の繰り返し使用時にフォトレジスト膜２２が割れたり、傷が発生することは少なくなるものである。

次に、図３（ｅ）に示すように、被転写体２６であるグリーンシートに、転写用導体２５が形成されたフォトレジスト膜２２を有するベース板２１を、転写用導体２５が被転写体２６に接するように張り合わせて、転写用導体２５の突き出た部分を被転写体２６に食い込ませ、この後、加熱と加圧を行う。なお、この場合、グリーンシート（被転写体２６）が第１〜第４の絶縁層１１ａ〜１１ｄとなる。

最後に、図３（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜２２を有するベース板２１と転写用導体２５、被転写体２６とを剥離し、転写用導体２５を被転写体２６に転写する。この結果、第１〜第４の絶縁性１１ａ〜１１ｄとなるグリーンシートの上面に、第１〜第４の導体パターン１２〜１５となる転写用導体２５が形成される。なお、前記ベース板２１は可撓性を有するため、簡単に剥離することができる。そして、転写後は、図３（ｃ）に示すように、パターンニングされたフォトレジスト膜２２を備えたベース板２１、すなわち電鋳母型２４が残ることになる。この電鋳母型２４は繰り返し使用できるため、生産性を向上させることができる。

上記した本発明の一実施の形態においては、フォトレジスト膜２２を形成した後、転写用導体２５を形成する前に、フォトレジスト膜２２に紫外線を照射するようにしているため、フォトレジスト膜２２を加熱することなく硬化することができ、これにより、フォトレジスト膜２２のパターンのエッジ部がだれる（エッジラフネスが大きくなる）ことはない。この結果、転写用導体２５を狭ピッチに形成でき、また転写用導体２５の厚みを厚くしても線幅を細くすることができるため、転写用導体２５を高アスペクト比に形成でき、これにより、小型化、高インピーダンス化を図ることができるものである。

このように、転写用導体２５の線幅を細くすることができるようになると、この転写用導体２５を用いて積層型電子部品を形成しようとした場合、より小さい面積に転写用導体２５を形成できるため、これにより、積層型電子部品の小型化が可能となる。また、同じ面積に、より多くのターン数の導体パターンを形成できるため、これにより、積層型電子部品の高インピーダンス化が可能となる。

さらに、転写用導体２５を狭ピッチに形成できるようになると、この転写用導体２５を用いて積層型電子部品を形成しようとした場合、より小さい面積に転写用導体２５を形成できるため、これにより、積層型電子部品の小型化が可能となる。また、同じ面積に、より多くのターン数の導体パターンを形成できるため、これにより、積層型電子部品の高インピーダンス化が可能となる。

なお、上記本発明の一実施の形態における転写用導体の製造方法を用いて得られた積層型電子部品としては、一例としてコモンモードノイズフィルタについて説明したが、他の積層型電子部品、例えば、積層型コンデンサ等の内部に絶縁層に設けられた導体を有するものにおいても、上記本発明の一実施の形態と同様の効果が得られるものである。

本発明に係る転写用導体の製造方法は、小型化、高インピーダンス化を図ることができるという効果を有するものであり、特にデジタル機器やＡＶ機器、情報通信端末等の各種電子機器に使用される積層型電子部品等において有用となるものである。

本発明の一実施の形態における転写用導体の製造方法を用いて得られた積層型電子部品の斜視図 同積層型電子部品の分解斜視図 （ａ）〜（ｆ）本発明の一実施の形態における転写用導体の製造方法の製造工程を示す断面図 （ａ）〜（ｄ）従来の転写用導体の製造方法の製造工程を示す断面図

符号の説明

２１ ベース板
２２ フォトレジスト膜
２３ 露出部
２４ 電鋳母型
２５ 転写用導体
２６ 被転写体

Claims (3)

1. 導電性を有するベース板上に、このベース板の表面の露出部を規定するパターンを有する感光性のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記ベース板上の前記露出部にめっきをすることによって転写用導体を形成する工程と、前記転写用導体を被転写体に転写する工程とを備え、前記フォトレジスト膜を形成した後、転写用導体を形成する前に、前記フォトレジスト膜に紫外線を照射するようにした転写用導体の製造方法。
2. 紫外線をフォトレジスト膜に照射した後、転写用導体を形成する前に、前記フォトレジスト膜を加熱するようにした請求項１記載の転写用導体の製造方法。
3. 導電性を有するベース板と、このベース板の表面に設けられ、かつベース板の表面の露出部を規定するパターンを有する感光性のフォトレジスト膜とを備え、前記フォトレジスト膜に紫外線を照射することにより前記フォトレジスト膜を硬化させるようにした電鋳母型。

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