JP2003068555A

JP2003068555A - 電子部品の導体パターン形成方法及びコモンモードチョークコイル

Info

Publication number: JP2003068555A
Application number: JP2001254448A
Authority: JP
Inventors: Akio Takayama; 昭夫高山; Masashi Norizuki; 正志法月
Original assignee: Minebea Co Ltd
Current assignee: Minebea Co Ltd
Priority date: 2001-08-24
Filing date: 2001-08-24
Publication date: 2003-03-07

Abstract

(57)【要約】【課題】電子部品の導体パターン形成方法、及び当該パ
ターン形成方法において用いる樹脂凹版を作製する方法
と前記方法を用いて作製するコモンモードチョークコイ
ルを提供する。【解決手段】導体パターンに対応した凹凸を有する樹脂
凹版を作製する工程と、前記樹脂凹版に導電性ペースト
を充填し、前記樹脂凹版に充填された導電性ペーストの
パターンをセラミック基板１１に転写する導体パターン
１２の形成工程とからなる。前記樹脂凹版を作製する工
程は、マスター型を作製する第１工程１と前記マスター
型に樹脂を充填、硬化する第２工程２とからなる。前記
マスター型を作製する第１工程１で、導体パターンに対
応した凹凸を形成する。レジストと反対の凹凸パターン
をもつ電鋳型３０を作製してマスター型を作製する。前
記マスター型から外して樹脂凹版４０を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の導体パ
ターン形成方法、及び当該パターン形成方法において用
いる樹脂凹版を作製する方法と、前記方法を用いて作製
するコモンモードチョークコイルに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子部品の小型化に伴い部品内部
の導体パターンの高密度化が進んできている。このよう
な部品では線幅および線間スペースが微細な導体パター
ンを形成する必要がある。また、導体の抵抗を下げるた
めに導体パターンの膜厚を厚くすることが要求される。
電子部品の導体パターンを形成する方法としては、図５
に示すスクリーン印刷、図６に示す凹版印刷、図７に示
すフォトリソグラフィー技術などによる方法がある。

【０００３】図５における導体パターンの形成方法で
は、導体パターンに対応して形成されたスクリーン４１
を導体パターンが形成される基板４０に重ねる。そして
導体となる導電性ペースト４３をスクリーン４１の上か
らスキージを用いて塗り、乾燥、硬化させて前記基板４
０に導体パターンを形成する。

【０００４】図６における導体パターンの形成方法で
は、導体パターンに対応して形成された凹版を用いる。
即ち、凹版４５に導体となる導電性ペースト４３を充填
する。前記導電性ペースト４３が充填された凹版４５と
導体パターンが形成される基板４０を対向して配置し、
熱ローラ４４ａ、４４ｂにより圧力を加えて導体パター
ンを転写し、焼成することによって導体パターンが形成
される。前記の凹版を作製する方法として、例えば特開
平７−１６９６３５号公報に開示されている凹版作製方
法がある。係る凹版作製方法は、板状に硬化されている
樹脂フィルムをレーザー加工することにより導体パター
ンに対応した溝を形成して凹版を作製する。

【０００５】図７における導体パターンの形成方法で
は、フォトリソグラフィー技術を利用した導体パターン
の作製方法である。線幅や線の間隔が非常に微細な電子
部品の場合には、係る方法が用いられる場合もある。こ
の方法では、図７に示すように、導体パターンに対応し
てフォトマスク４８を作製する（処理ａ）。導体パター
ンが形成される基板４０の表面に金属膜４６とレジスト
４７を形成する（処理ｂ）。前記フォトマスク４８をレ
ジスト４７の上に重ねて露光する（処理ｃ）。前記露光
処理後に現像して、露光されているレジスト４７以外の
レジストを除去する（処理ｄ）。更に、導体パターンの
金属膜４６以外の金属膜４６をエッチング処理して除く
（処理ｅ）。最後に金属膜４６の上に残されたレジスト
４７を剥離して所望する導体パターンを形成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
導体パターンの形成方法には以下のような問題点があっ
た。即ち、図５に示したスクリーン印刷を用いたパター
ンの形成方法は、設備が比較的安価であり、また必要な
工程数は少なく簡単である。しかし、パターンの線幅や
パターン間隔が微細な導体パターンを形成することが困
難であった。

【０００７】又、図６に示した凹版印刷を用いたパター
ンの形成方法では、導体となるペーストの転写時に基板
と凹版が剥離しやすいように凹版として用いられる材料
として低価格の樹脂が使用できる。又、設備が安価で工
数も少なく、ある程度微細かつ厚膜の導体パターンを形
成することが可能であった。しかし、前記樹脂の凹版は
磨耗したり損傷しやすいために、頻繁に新しいものに取
り替えて使う必要がある。従って、量産時には同一形状
の樹脂の凹版を多数用意する必要がある。一方、前記、
特開平７−１６９６３５号公報に記載の凹版作製方法で
は、樹脂凹版をレーザー加工で作製するので量産時に時
間やコストがかかることが課題であった。

【０００８】又、図７に示したフォトリソグラフィー技
術を利用した方法では、パターンの線幅やパターン間隔
が微細な導体パターンの形成が可能であるが、導体膜厚
を厚くするためには成膜時間が長くかかる等の問題があ
る。更に、この方法による導体パターン形成にはフォト
マスクの製作、レジスト塗布、露光、現像、エッチング
及びレジスト剥離といった多くの工程が必要である。そ
のために工程が複雑で時間がかかり、使用する装置設備
も高価であり、製造コストが高くなるという問題点があ
った。

【０００９】本発明は、上記の課題を解決することを目
的としてなされたものであり、凹版印刷を用いた導体パ
ターンの形成方法において、前記導体パターンを形成す
るために用いる樹脂凹版を形成する方法、及び前記の樹
脂凹版を用いて微細で厚膜の導体パターンを低コストで
高品質に形成することのできる導体パターンの形成方法
を提供し、該方法により作製されたコモンモードチョー
クコイルを提供する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、請求項１記載の電子部品の導体パターン
形成方法では、導体パターンに対応した凹凸を有する樹
脂凹版を作製する工程と、前記樹脂凹版に導電性ペース
トを充填し、前記樹脂凹版に充填された導電性ペースト
のパターンをセラミック基板に転写する導体パターンの
形成工程とからなる電子部品の導体パターン形成方法に
おいて、前記樹脂凹版を作製する工程は、マスター型を
作製する第１工程と前記マスター型に樹脂を充填、硬化
する第２工程とからなることを特徴とする。

【００１１】請求項２記載の電子部品の導体パターン形
成方法では、前記マスター型を作製する第１工程は、基
板上の感光性レジストにフォトリソグラフィーにより前
記導体パターンに対応した凹凸を形成し、前記基板及び
前記感光性レジストの表面に無電解メッキまたはスパッ
タリングによって金属層を形成し、該金属層の表面に電
鋳を行ない、レジストと反対の凹凸パターンをもつ電鋳
型を作製することにより、前記導体パターンに対応した
凹凸を有するマスター型を作製することを特徴とする。

【００１２】請求項３記載の電子部品の導体パターン形
成方法では、前記樹脂を充填、硬化する第２工程は、前
記マスター型に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を透過
して酸素を遮断する付着性のある可撓性シートで前記紫
外線硬化樹脂を覆い、前記可撓性シート側から紫外線を
前記紫外線硬化樹脂に照射して硬化させた後、硬化した
前記紫外線硬化樹脂を前記マスター型から外して前記樹
脂凹版を作製することを特徴とする。

【００１３】請求項４記載のコモンモードチョークコイ
ルでは、中心から一方向に卷回されるように形成された
導体パターンの上に形成された絶縁層と、該絶縁層の上
に形成された前記導体パターンの中心部を外部に引き出
す導体パターンと、更にその上に絶縁層を形成する構造
の電子回路パターンが、セラミック基板上にＮ層、積層
され（Ｎは２の倍数）、前記積層された電子回路パター
ンの上にセラミック基板を設けてなる積層基板の側面に
は、前記導体パターンを外部回路に接続する電極が設け
られたことを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明は、導体パターンに対応し
た凹凸を有する樹脂凹版に導電性ペーストを充填し、前
記樹脂凹版に充填された導電性ペーストのパターンをセ
ラミック基板に転写する、凹版印刷を用いた電子部品の
導体パターンの形成方法である。以下、本発明の実施の
形態について図面を用いて説明する。図１は、本発明の
実施の形態についての全体の処理の流れを説明する図で
ある。図２は、図１における処理の説明図であって、各
工程で作製される部分の断面を表している。

【００１５】図１において、電子部品の導体パターン
は、樹脂凹版を作製する工程（マスター型を作製する第
１工程１と前記マスター型に樹脂を充填、硬化する第２
工程２）と導体パターンの形成工程３により作製され
る。図１における工程の概略は以下のようである。即
ち、樹脂凹版を作製する工程は、マスター型を作製する
第１工程１において導体パターンに対応した凹凸を有す
るマスター型を作製する。前記マスター型に樹脂を充
填、硬化する第２工程２において、前記第１工程１で作
製されたマスター型を用いて樹脂凹版を作製する。次
に、導体パターンの形成工程３において、前記樹脂凹版
に導電性ペーストを充填し、充填された導電性ペースト
のパターンをセラミック基板に転写する。

【００１６】前記各工程の詳細説明を図２により説明す
る。なお、図１と図２における同一工程には同一の符号
を付してある。図２において、マスター型を作製する第
１工程１は処理（イ）〜処理（ホ）である。マスター型
に樹脂を充填、硬化する第２工程２は処理（ヘ）及び処
理（ト）である。導体パターンの形成工程３は処理
（チ）〜処理（ル）である。

【００１７】マスター型を作製する第１工程１について
説明する。処理（イ）において、シリコン基板１１の表
面に半導体の作製工程で周知の方法により感光性レジス
ト１２を塗布する。次に、形成しようとするコイルの導
体パターンに対応した所望のマスクパターンが描画され
ているフォトマスク２１（ガラスマスク）を通して、紫
外線２３を感光性レジスト１２に照射する。処理（ロ）
において、前記紫外線２３で感光した感光性レジスト１
２の現像処理を行い、不要なレジストを除去する。これ
によりフォトマスク２１のパターンがレジスト１２に転
写されてレジスト１２に所望のパターンが描画され、図
２（ｂ）に示すように導体パターンに相当する部分に溝
ｍが形成される。

【００１８】前記、処理（ロ）において、シリコン基板
１１上に形成されたレジスト１２と凹凸が反対のマスタ
ー型を電鋳により以下のようにして作製する。まず、電
鋳を行なうために必要な導電体をシリコン基板１１およ
びレジスト１２（以下、シリコン基板２０と称す）に付
与するために、処理（ハ）において、前記レジストパタ
ーンが形成されたシリコン基板２０を図示していない無
電解メッキ浴に浸漬して無電解メッキを行ない、図２
（ｃ）のように無電解Ｎｉメッキ層１３をシリコン基板
２０の表面に形成する。

【００１９】次に、処理（ニ）において、レジストパタ
ーンが形成されたシリコン基板２０を電解浴に浸漬し
て、図２（ｄ）のように無電解Ｎｉメッキ層１３の上に
ニッケル電鋳１４を行なう。処理（ホ）において、前記
無電解Ｎｉメッキ層１３の上にニッケル電鋳１４が施さ
れた部分を剥離して取り出すと、図２（ｅ）に示すよう
にニッケル電鋳１４の上に無電解Ｎｉメッキ層１３が施
された電鋳型３０が得られる。これがマスター型となり
コイルのパターンの導体部分２４が凸になっている。本
実施例ではマスター型の作製方法を電鋳で作製したが、
このマスター型は、これ以外の方法、例えばエッチング
や機械切削加工等により作製することもできる。

【００２０】次にマスター型に樹脂を充填、硬化する第
２工程２について説明する。処理（ヘ）において、図２
（ｆ）に示すように、前記マスター型を作製する第１工
程で作製した電鋳型３０に、例えばアクリル系の紫外線
硬化樹脂１５を半導体の作製工程で周知の方法により、
所定の厚さ、例えば１００μｍ塗布する。前記、紫外線
硬化樹脂１５は、酸素に触れていると硬化しにくいの
で、酸素を遮断して硬化を容易にする。そのために前記
紫外線硬化樹脂１５の上にシート１６を載せ、前記紫外
線硬化樹脂１５とシート１６を付着する。

【００２１】係るシート１６は、付着性を強くするカッ
プリング層が形成されている。更に、硬化した紫外線硬
化樹脂１５とそれに付着されたシート１６を前記電鋳型
３０から容易に剥離するためには、紫外線硬化樹脂１５
とシート１６は可撓性の材料であることが好ましい。更
に、紫外線硬化樹脂１５を硬化させるために照射される
紫外線を通過させる特性（例えば透明）を有することが
必要である。係るシート１６として、例えばアクリル
系、ビニール系、ポリプロピレン系、ポリエチレンテレ
フタレート系のシートが市販されている。

【００２２】更に処理（ヘ）においてシート１６が付着
された前記紫外線硬化樹脂１５のシート１６側から紫外
線２３を照射して紫外線硬化樹脂１５を硬化させる。硬
化した紫外線硬化樹脂１５を処理（ト）において電鋳型
３０から外すと、図２（ｇ）に示すように電鋳型３０の
凹凸が転写された樹脂凹版４０が得られる。この樹脂凹
版４０ではコイルのパターンの導体部分が凹型の溝Ｐに
なっている。なお、この樹脂凹版の作製工程２によっ
て、電鋳型３０を何度も繰り返し使用して、同一形状の
樹脂凹版４０を作製することができる。

【００２３】次に導体パターンの形成工程３について説
明する。処理（チ）において、図２（ｈ）に示すよう
に、前記樹脂を充填、硬化する第２工程２で作製した樹
脂凹版４０の溝Ｐの表面に界面張力の小さい、例えばフ
ッ化炭素系単分子膜、またはフッ素樹脂等の剥離層２２
を形成する。係る処理は、前記フッ化炭素系単分子膜、
またはフッ素樹脂等を溶媒に溶かして、前記個所に塗布
した後に乾燥して溶媒を揮発させることにより行われ
る。

【００２４】前記剥離層の形成は、後述する導電性ペー
ストが樹脂凹版４０から容易に離れて、後述するセラミ
ック基板への転写を容易にするために行う。又、前記で
は、剥離層２２は樹脂凹版４０の溝Ｐの表面にのみに形
成したが、工程を簡略にするために、紫外線硬化樹脂１
５の表面全体に前記剥離層２２を形成してもよい。

【００２５】次に、前記剥離層２２の形成された樹脂凹
版４０の溝ＰにＡｇペーストなどの導電性ペースト１７
を充填する。まず、図２（ｈ）に示すように、表面に剥
離層２２が形成された樹脂凹版４０の溝Ｐの表面に、導
電性ペーストとしてＡｇペースト１７を充填する。そし
て、スキージを用いて紫外線硬化樹脂１５の表面の余分
なＡｇペースト１７を掻き取る。更に、図示していない
ドライヤーによってＡｇペースト１７の上部から熱を加
えて乾燥させ、Ａｇペースト１７内部に含まれる有機溶
剤を蒸発させる。Ａｇペースト１７を乾燥させると体積
が少し減少するため、再度Ａｇペースト１７を樹脂凹版
４０の溝Ｐへ充填する。係る処理によってＡｇペースト
１７の膜厚が樹脂凹版４０の溝Ｐの深さとほぼ等しくな
るようにする。

【００２６】処理（チ）に続いて処理（リ）において、
前記樹脂凹版４０と導体パターンを形成するセラミック
基板１９（例えばフェライト基板）を以下のようにして
貼り合わせる。ここで、熱可塑性樹脂層１８がセラミッ
ク基板１９の表面全体に形成されている。係る熱可塑性
樹脂層１８は、溶媒に溶かして前記セラミック基板１９
の表面に塗布した後に乾燥して、溶媒を揮発させること
により形成され、前記セラミック基板１９にＡｇペース
ト１７を転写する時の接着層（付着層）として機能す
る。

【００２７】処理（リ）において、図２（ｉ）に示すよ
うに、樹脂凹版４０のＡｇペースト１７が充填された側
を対向させて重ね合わせる。そして図示していない熱ロ
ーラを用いて、熱（熱可塑性樹脂１８が溶ける温度）と
熱可塑性樹脂１８に応じて所定の圧力をかけて、Ａｇペ
ースト１７を充填した樹脂凹版４０と熱可塑性樹脂層１
８が形成されているセラミック基板１９とを貼り合わせ
る。前記、貼り合わされた樹脂凹版４０と熱可塑性樹脂
層１８が形成されているセラミック基板１９の温度を室
温まで下げてから、処理（ヌ）において樹脂凹版４０と
熱可塑性樹脂層１８が形成されているセラミック基板１
９を所定の方法で分離する。分離した熱可塑性樹脂層１
８が形成されているセラミック基板１９の熱可塑性樹脂
層１８の上に、Ａｇペースト１７が導体パターンに対応
して図２（ｊ）に示すように転写されている。

【００２８】処理（ル）において、前記Ａｇペースト１
７の導体パターンが転写された熱可塑性樹脂層１８が形
成されているセラミック基板１９を電気炉内で所定の温
度（８００℃前後）で所定時間（熱可塑性樹脂層１８が
ほぼ完全に燃焼してＡｇペースト１７が金属化し、Ａｇ
ペースト１７の中に含まれているガラス成分がセラミッ
ク基板１９と接合されるまで）焼成する。前記Ａｇペー
スト１７に含まれている有機物成分を燃焼、脱離させる
ことにより、金属成分だけが残って金属化する。同時
に、セラミック基板１９表面に形成されている熱可塑性
樹脂１８を燃焼させて、Ａｇの導体パターン１７をセラ
ミック基板１９上に形成する。係る処理によって図２
（ｋ）に示すように、セラミック基板１９上に導体パタ
ーン１７が形成される。なお、Ａｇペースト１７とセラ
ミック基板１９の間に形成されていた熱可塑性樹脂層１
８は、ほぼ完全に燃焼する。その結果、Ａｇペースト１
７とセラミック基板１９は完全に接合し、セラミック基
板１９上に導体パターンが形成される。又、前記の焼成
によってＡｇペースト１７で形成された導体パターンの
線幅はほとんど変化しない。

【００２９】（実施例）図３は、前記図２を用いて説明
した導体パターンの形成方法により、セラミック基板と
してを用い、該セラミック基板上に導体パターン
を複数層（図３の実施例では２層）形成したコモンモー
ドチョークコイルの実施例である。図４は、図３におけ
るコモンモードチョークコイルを作製する処理手順の説
明図である。以下図３及び図４を用いて、コモンモード
チョークコイル及び該コモンモードチョークコイルを作
製する手順について説明する。

【００３０】図３は、コモンモードチョークコイル構造
の概要を説明する図であって、図３（ａ）はコモンモー
ドチョークコイルの上面図、図３（ｂ）は図３（ａ）に
おけるＡ−Ａ´部の断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）に
おけるＢ−Ｂ´部の断面図、図３（ｄ）は図３（ａ）に
おけるＣ方向から見た図である。但し、図３における本
実施例においては、一方の巻線を形成する第１層と他方
の巻線を形成する第２層を各々１層として図示してあ
る。又、図３（ａ）は、Ａ−Ａ´部の断面図のフェライ
ト基板２７ａ上に形成された図３（ｂ）における積層部
を図示してある。

【００３１】図３（ａ）乃至図３（ｄ）の図について説
明する。図３（ｂ）に示すように、前記コモンモードチ
ョークコイルは、導体パターン２８ａと絶縁層３１ａ、
３２ａ及び導体パターン２８ｂと絶縁層３１ｂ、３２ｂ
とからなる一対の導体パターンを、フェライト基板２７
ａ及び２７ｂで上下から挟んだ構造をしている。前記一
対の導体パターンは、間に形成された絶縁層３１ａ、３
２ａ及び３１ｂ、３２ｂにより互いに電気的に絶縁され
ている。

【００３２】図３（ａ）に示すように、コモンモードチ
ョークコイルの一方の巻線を形成する導体パターン２８
ａが、前記した導体パターン形成方法によりフェライト
基板２７ａ上に形成されている。前記導体パターン２８
ａは、フェライト基板２７ａの中心から外に向かって一
方向に卷回するように形成され、最終端には外部電極３
３ｄと接続するための導体パターン２９ａ２が形成され
ている。又、導体パターン２８ａの中心は、後述するよ
うにして形成される導体パターン２６ａによって、外部
電極３３ｂと接続するための導体パターン２９ａ１に接
続されている。前記外部電極３３ｂと３３ｄとは、フェ
ライト基板２７の対向する側にそれぞれ設けられてい
る。

【００３３】なお、図３（ａ）は、図３（ｂ）に示す、
フェライト基板２７ａ上に形成された導体パターン２８
ａ及び導体パターン２６ａまでのコモンモードチョーク
コイルの一方の巻線を形成する第１層についてのみ上面
から見た図を示したものであって、コモンモードチョー
クコイルの他方の巻線を形成する第２層については、省
略してある。

【００３４】図３（ｂ）に示すように、前記導体パター
ン２８ａの上部には、ガラスペーストをスクリーン印刷
して形成した絶縁層３１ａが形成されている。更に前記
絶縁層３１ａの上には、外部電極と接続するための導体
パターン２９ａ１に接続される導体パターン２６ａが形
成されている。係る導体パターン２６ａを覆うようにガ
ラスペーストをスクリーン印刷して形成したガラス絶縁
層３２ａが形成されていて、コモンモードチョークコイ
ルの一方の巻線が形成される。

【００３５】同様にして、ガラス絶縁層３２ａの上には
コモンモードチョークコイルの他方の巻線が、以下のよ
うに形成されている。即ち、コモンモードチョークコイ
ルの他方の巻線を形成する導体パターン２８ｂが、前記
した導体パターン形成方法によりガラス絶縁層３２ａの
上に形成されている。前記導体パターン２８ｂは、図３
（ａ）に示したと同様に、ガラス絶縁層３２ａの中心か
ら外に向かってコモンモードチョークコイルの一方の巻
線と同一方向に卷回するように形成されている。そし
て、図示していない終端は、図３（ａ）に示したと同様
に、外部電極３３ａ、３３ｃと接続するための導体パタ
ーン（図示せず）が、前記コモンモードチョークコイル
の一方の巻線と同様に形成されている。又、導体パター
ン２８ｂの中心は、後述するようにして形成された導体
パターン２６ｂによって、外部電極３３ａ、３３ｃと接
続するための導体パターン（図示せず）に前記図３
（ａ）に示したと同様に接続されている。前記外部電極
３３ａと３３ｃとは、フェライト基板２７の対向する側
にそれぞれ設けられている。

【００３６】導体パターン２６ｂの上に形成されたガラ
ス絶縁層３２ｂの上部には、後述するようにしてフェラ
イト基板２７ｂが形成されている。前記の如き導体パタ
ーンの場合には、電極から取り出した巻線を互いに逆方
向に接続して、前記導体パターン２８ａと２８ｂが作る
磁極の方向が互いに逆になるようにしてコモンモードチ
ョークコイルが形成される。

【００３７】図３（ｃ）は、図３（ａ）におけるＢ−Ｂ
´部の断面図である。即ち、前記の如くして積層して形
成したコモンモードチョークコイルの側面には、導体パ
ターン２８ａを外部電子回路と接続するための電極３３
ｂ、３３ｄが形成されている。又、図３（ａ）に示すよ
うに前記電極３３ｂは導体パターン２９ａ１に、電極３
３ｄは導体パターン２９ａ２にそれぞれ接続されてい
る。同様にして、各電極は、外部電極と接続するための
各導体パターンにそれぞれ接続されている。

【００３８】図３（ｄ）は図３（ａ）におけるＣ方向か
ら見た図である。即ち、前記電極３３ｃ、３３ｄは、前
記のように形成された導体パターンを外部電極と接続す
るために必要な大きさで、積層して形成されたコモンモ
ードチョークコイルの側面に形成されている。

【００３９】次に、前記コモンモードチョークコイルの
作製方法について、図４の（ａ）乃至（ｊ）により説明
する。図４（ａ）に示すフェライト基板２７ａ上に、同
図（ｂ）のような導体パターン２８ａを、銀ペーストに
より、前記図２で説明した導体パターンの形成方法によ
り形成する。ここで、導体パターン２６１ａと２６１ｂ
は、他の導体パターンに比べて厚く形成されている。即
ち、導体パターン２６１ａは外部電極と接続するための
導体パターン２５ａ１及び２５ａ２に接続される部分で
あり、導体パターン２６１ｂは外部電極と接続するため
の導体パターンに接続される部分である。

【００４０】次に、同図（ｃ）に示すように、銀ペース
トによる導体パターン２８ａが形成されたフェライト基
板２７ａ上の表面に絶縁層３１ａを形成する。係る絶縁
層３１ａは、前記導体パターン２８ａを覆うようにガラ
スペーストをスクリーン印刷して形成する。前記絶縁層
３１ａの前記導体パターン２６１ａと２６１ｂの部分
は、導体パターン２６ａに接続するための図示していな
い貫通孔が形成されていて、前記絶縁層３１ａを形成し
たときに前記導体パターン２６１ａと２６１ｂの部分が
絶縁層３１ａから上になるようになっている。前記貫通
孔は、前記スクリーンの所定の位置に予め設けられてい
る。その後、８００℃前後で前記ガラスペーストを焼成
しガラス絶縁層３１ａを形成する。

【００４１】同図（ｄ）に示すように、前記絶縁層３１
ａの上に、一方（下層）のコモンモードチョークコイル
における中心部の前記導体パターン２６１ｂと外部電極
を接続するための導体パターン２５ａ１及び２５ａ２を
接続するための導体パターン２６ａを（前記図２で説明
した導体パターンの形成方法により）形成する。係る導
体パターンの形成により前記導体パターン２６１ａと２
６１ｂと導体パターン２６ａとは電気的に導通される。

【００４２】次に、同図（ｅ）に示すように、ガラスペ
ーストで絶縁層３２ａを形成する。係る絶縁層３２ａ
は、前記導体パターン２６ａを覆うように全体にガラス
ペーストをスクリーン印刷して作製する。その後８００
℃前後で前記ガラスペーストを焼成しガラス絶縁層３２
ａを形成する。

【００４３】その後、同図（ｆ）乃至（ｉ）に示すよう
に、コモンモードチョークコイルの他方（上層）を前記
（ｂ）（ｅ）の処理と同様にして作製する。更に、同図
（ｊ）に示すように絶縁層３２ｂの上にガラスペースト
を全面に塗布し、その上にフェライト基板２７ｂを載
せ、後８００℃前後で焼成する。

【００４４】前記コモンモードチョークコイルは、複数
個の導電パターンを樹脂凹版に作製し、一度に複数個の
コモンモードチョークコイルを作製することができる。
係る複数個のコモンモードチョークコイルの形成された
基板をスライサーで切断して分離する。その分離された
一つのコモンモードチョークコイルの側面に、図３に示
したように、外部電子回路と接続するための電極３３
ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄをスクリーン印刷によって
形成する。

【００４５】上記実施例として、フェライト基板上にコ
モンモードチョークコイルを作製する例を示したが、こ
れ以外に、同様な工程でアルミナなどのセラミック基板
上に上記実施例で示したような導体パターン、ガラスペ
ーストによる絶縁膜による電子回路用の多層基板を作製
できる。又、セラミックグリーンシート上に実施例に示
したような方法で導体パターンを形成し、前記セラミッ
クグリーンシートを積層して一体焼結することにより電
子回路用多層基板を作製することができる。

【００４６】

【発明の効果】本発明の電子部品の導体パターン形成方
法によれば、樹脂凹版を作製する工程において、第１工
程においてマスター型を作製し、該マスター型を繰り返
し用いて樹脂製凹版を作製することにより、前記樹脂凹
版が磨耗や破損により使用できなくなっても、繰り返し
利用できるマスター型から同一の樹脂凹版が何度も容易
に作製できるため、低コスト、短時間で量産性に優れた
樹脂製の凹版が得られるようになった。また、コモンモ
ードチョークコイルなどの電子部品の導体パターンを凹
版から転写する方法によって形成することにより、電子
部品の小型化を実現でき、導体パターンの形成工程を大
幅に短縮することができた。又、従来のスクリーン印刷
よりも微細、厚膜の導体パターンを形成できた。同様
に、従来のフォトリソグラフィーに比べて低コストで容
易に導体パターンを作製することができた。

【００４７】又、本発明のコモンモードチョークコイル
によれば、コモンモードチョークコイルを形成する一方
の巻線と他方の巻線の卷回方向を同一にした場合には、
導体パターンを形成するための樹脂凹版を一方の巻線と
他方の巻線の導体パターンを形成するのに共用できる利
点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態についての全体の処理の流
れを説明する図である。

【図２】図１における処理の説明図である。

【図３】本発明のコモンモードチョークコイルを説明す
る図であって、図３（ａ）は前記コモンモードチョーク
コイルの上面図、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＡ−
Ａ´部の断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）におけるＢ−
Ｂ´部の断面図、図３（ｄ）は図３（ａ）におけるＣ方
向から見た図である。

【図４】図３に示したコモンモードチョークコイルを作
製する工程を説明する図である。

【図５】従来のスクリーン印刷によって導体パターンを
形成する方法の説明図である。

【図６】従来の凹版印刷によって導体パターンを形成す
る方法の説明図である。

【図７】従来のフォトリソグラフィーによって導体パタ
ーンを形成する方法の説明図である。

【符号の説明】

１１シリコン基板１２感光性レジスト１３無電解Ｎｉメッキ層１４ニッケル電鋳１５紫外線硬化樹脂１６シート１７Ａｇペースト１８熱可塑性樹脂層１９セラミック基板２０シリコン基板２１フォトマスク３０電鋳型４０樹脂凹版

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/12 ６３０Ｈ０５Ｋ 3/12 ６３０ＺＦターム(参考） 2H084 AA30 BB02 BB13 CC20 CF06 DD04 5E062 FF01 5E070 AA01 AB02 BA12 CB03 CB13 CC01 5E343 AA23 BB72 DD02 FF02 GG08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体パターンに対応した凹凸を有する樹脂
凹版を作製する工程と、前記樹脂凹版に導電性ペースト
を充填し、前記樹脂凹版に充填された導電性ペーストの
パターンをセラミック基板に転写する導体パターンの形
成工程とからなる電子部品の導体パターン形成方法にお
いて、前記樹脂凹版を作製する工程は、マスター型を作
製する第１工程と前記マスター型に樹脂を充填、硬化す
る第２工程とからなることを特徴とする電子部品の導体
パターン形成方法。
【請求項２】前記マスター型を作製する第１工程は、基
板上の感光性レジストにフォトリソグラフィーにより前
記導体パターンに対応した凹凸を形成し、前記基板及び
前記感光性レジストの表面に無電解メッキまたはスパッ
タリングによって金属層を形成し、該金属層の表面に電
鋳を行ない、レジストと反対の凹凸パターンをもつ電鋳
型を作製することにより、前記導体パターンに対応した
凹凸を有するマスター型を作製することを特徴とする請
求項１に記載の電子部品の導体パターン形成方法。
【請求項３】前記樹脂を充填、硬化する第２工程は、前
記マスター型に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を透過
して酸素を遮断する付着性のある可撓性シートで前記紫
外線硬化樹脂を覆い、前記可撓性シート側から紫外線を
前記紫外線硬化樹脂に照射して硬化させた後、硬化した
前記紫外線硬化樹脂を前記マスター型から外して前記樹
脂凹版を作製することを特徴とする請求項１に記載の
電子部品の導体パターン形成方法。
【請求項４】中心から一方向に卷回されるように形成さ
れた導体パターンの上に形成された絶縁層と、該絶縁層
の上に形成された前記導体パターンの中心部を外部に引
き出す導体パターンと、更に前記導体パターンの中心部
を外部に引き出す導体パターンの上に絶縁層を形成する
構造の電子回路パターンが、セラミック基板上にＮ層、
積層され（Ｎは２の倍数）、前記積層された電子回路パ
ターンの上にセラミック基板を設けてなる積層基板の側
面には、前記導体パターンを外部回路に接続する電極が
設けられたことを特徴とするコモンモードチョークコイ
ル。