CN111370854B - 天线及其制作方法、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种天线及其制作方法、电子设备,该天线制作方法包括以下步骤:提供透明基材;在透明基材的一个表面设置光阻层;在光阻层形成沟槽,沟槽底端露出透明基材;在光阻层远离透明基材的表面以及沟槽通过电镀工艺形成导电层;及将光阻层远离透明基材表面的导电层以及光阻层去除,形成天线图案;将天线图案分离成天线区域以及无效区域,以形成天线。通过将天线制作成金属网格透明天线,使其具备低阻抗、透明的特性,同时天线具有更宽的可选择放置的区域。
Description
技术领域
本发明涉及天线技术领域,特别涉及一种天线及其制作方法、电子设备。
背景技术
随着网络技术的不断发展,无线通讯技术已有2G/3G发展到了目前广泛应用的4G;4G及其之前的通讯技术,对天线的要求为单支天线收发无线电信号,实现音频、视频等多媒体信号的实时传输,5G网络通信是要实现更加清晰的、数据量更大视频信号的实时传输。无限电信号的传输,如果不对天线结构做改变,为了实现更大数据量的传输,只能通过提高无线电信号的频率和提高信号编码的压缩率来提高,基于这种方式的发展,高频信号的传输距离短、穿透力差,5G网络需要铺设数十倍于4G网络的基站来提高信号覆盖区域,在技术成本和环境兼容性上是无法接受的。因此,5G网络的技术核心,在不改变现有4G网络技术基站方案的基础上,在终端设备上(手机、手环、电子手表、平板电脑等),增加天线的个数,由单支天线变化为多支天线组成的阵列,实现对网络信号的接收和发送,提高信号传输的速率,成为更加可行的5G网络核心方案。
现有的4G单支天线,以手机为例,是设置在前盖板的黑框下方或者手机后盖上下部位的。但是随着全面屏和无线充电技术的应用,留给天线的空间越来越小,如果将天线由单支变化为5G天线阵列,天线可以布置的空间将更小。
发明内容
基于此,有必要提供一种低阻抗、透明的天线及其制作方法。
此外,还提供了一种电子设备。
一种制作天线的方法,包括以下步骤:
提供透明基材;
在所述透明基材的一个表面设置光阻层;
在所述光阻层形成沟槽,所述沟槽底端露出透明基材;
在所述光阻层远离透明基材的表面以及所述沟槽通过电镀工艺形成导电层;
将所述光阻层表面远离透明基材的导电层以及所述光阻层去除,形成天线图案。
采用上述方法制作而成的天线同时具备低阻抗、透明的特性,采用电镀的工艺形成的导电层更平整、均匀,从而使得制成的天线质量更高和表面平整性更好,可以设置在电子设备表面,实现对无线电信号的收发,为电子产品的天线,提供了更宽的可选择放置的区域;即天线可以布置的空间更大,可解决现有的天线可以布置的空间过于狭窄,同时解决了现有搭载在显示屏幕上的透明天线因电阻太高难以实现天线最基本的要求,且该制作方法操作简便、工艺简单。
在其中一些实施例中,在所述光阻层远离所述透明基材的表面以及沟槽通过电镀工艺形成导电层的步骤包括:
在所述光阻层远离透明基材的表面以及所述沟槽通过蒸镀工艺形成第一导电层;
在所述沟槽处的第一导电层远离所述透明基材的表面通过蒸镀以外的电镀工艺形成第二导电层。
通过设有第一导电层,再设置第二导电层,能够降低透明线路面阻,提高导电性。
在其中一些实施例中,所述第一导电层的厚度小于150nm,所述第二导电层的厚度为0.5μm~10μm。通过先设置先设置有较薄的第一导电层,再设置较厚的第二导电层,较薄的导电层通常通过蒸镀的工艺形成,由于蒸镀加厚需很长时间,如做到更厚N倍以上的时间制作及蒸镀导电材料过厚易导致材料起皱;电镀的效率高,但水镀、溅镀或PVD需接电,故需先蒸镀一层较薄的导电材料通电;可以减少电镀所用的时间,提升效率;另外,可避免直接电镀过厚易导致导电层起皱。
在其中一些实施例中,所述第一导电层与第二导电层的材料为Cu、Cu-Ni合金、Ag、Al、Cu-ITO、Au和Ni中的一种。导电层选用导电性能优异的金属或合成金属,以获得较佳的导电性能。
在其中一些实施例中,第二导电层采用水镀或溅镀;采用电镀的工艺形成的导电层更平整、均匀,从而使得制成的天线质量更高和表面平整性更好。
在其中一些实施例中,所述透明基材的材料采用玻璃、PC板、PET、COP、PMMA板、PC与PMMA的复合板、TPU或POL。选用上述材质的透明基材110均为光学性能优异的材料,具有更高的强度和表面效果,更适用于大尺寸触控面板。
在其中一些实施例中,在所述透明基材的一个表面设置光阻层的步骤为采用涂布方式设置光阻层。
在其中一些实施例中,所述光阻层的厚度为1.5μm~10μm。此种厚度的设置,利于光阻层后续进行电镀的导电层,以及便于剥离,形成阻抗小的天线;光阻层过薄,再进行镀导电层需保证导电层比光阻层薄,否则光阻层上第一导电层会与沟槽内的第二导电层相连,后续剥离会导致沟槽内的第二导电层一起剥离,且过薄线路阻抗比较大,太厚会导致光阻层坍塌,影响后续沟槽制作。
在其中一些实施例中,所述沟槽的宽度为1.5μm~10μm;及/或,所述沟槽的深度为1.5μm~10μm。此种设置,能够形成阻抗较小的天线,且便于后续电镀导电层。
在其中一些实施例中,所述沟槽为网格形状,进一步地,所述网格形状为多边形,优选地,多边形为长方形、菱形或六边形。将沟槽设置为网格形状,制作而成的天线为透明金属网格天线,能够具有较低的方阻。
在其中一些实施例中,在所述光阻层形成沟槽的步骤包括:
对所述光阻层远离基材的表面进行曝光及显影制程,以使所述光阻层形成沟槽。
在其中一些实施例中,所述将光阻层表面的导电层以及光阻层去除方式采用剥离工艺去除,进一步地,采用剥离液异丙醇与超声剥离结合去除光阻层表面的导电层以及光阻层。该方法剥离效率高,且剥离比较彻底。
在其中一些实施例中,制作方法还包括采用镭射工艺将天线图案分离成天线区域以及无效区域,形成天线。
一种天线,采用上述的方法制作而成。该天线同时具备低阻抗、透明的特性,可以设置在电子设备表面,实现对无线电信号的收发,为电子产品的天线,提供了更宽的可选择放置的区域。
一种电子设备,包括上述的天线。
附图说明
图1为本发明一实施方式的制作天线的方法流程示意图;
图2为本发明一实施方式的天线图案的剖视示意图;
图3为本发明一实施方式的天线的制作流程图;
图4为本发明形成的透明金属网格天线示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。
如图1所示,一实施方式的一种天线的制作方法,能够制备透明度高、低阻抗的天线100。其中,天线100能够设置在电子设备表面,作为天线,实现对无线电信号的收发。具体地,请一并参阅图2,天线100的制作方法包括如下步骤S110~S160:
S110:提供透明基材110;
具体地,选用透明基材110制作形成的天线具有光透明的特性;透明基材110具有两个相对的表面,其中一个表面为安装面111。
在其中一些实施例中,透明基材110的材质可采用玻璃、PC板、PET、COP、PMMA板、PC与PMMA的复合板、TPU、POL等,选用上述材质的透明基材110均为光学性能优异的材料,具有更高的强度和表面效果,更适用于大尺寸触控面板;透明基材110可以为盖板,透明基材110的具体形状也不受特别的限制,具体例如3D圆弧的外壳,本领域技术人员可根据实际需要设计透明基材110的形状。
S120:在透明基材的一个表面设置光阻层;
在透明基材110的安装面111设置光阻层120,光阻层120完全覆盖安装面111;具体地,涂布的光阻根据需要选用正光阻剂或负光阻剂,所涂的光阻要涂布均匀,采用正光阻剂,曝光的部分在显影步骤被显影液去除;采用负光阻,未曝光的部分在显影步骤被显影液去除;在其中一个具体的示例中,所述安装面111上涂敷一层负光阻剂形成光阻层120。
在其中一些实施例中,光阻层120的厚度为1.5μm~10μm,具体地,光阻层120的厚度为1.5μm、3.5μm、5μm、6μm、7.5μm或者10μm。此种厚度的设置,利于光阻层后续进行电镀的导电层,以及便于剥离,形成阻抗小的天线;光阻层120过薄,再进行镀导电层需保证导电层比光阻层薄,否则光阻层120上第一导电层会与沟槽内的第二导电层相连,后续剥离会导致沟槽内的第二导电层一起剥离,且过薄线路阻抗比较大,太厚会导致光阻层坍塌,影响后续沟槽制作。
具体地,在所述透明基材的一个表面设置光阻层的步骤,采用涂布方式将光阻层涂布于透明基材110的安装面111处,涂布采用本领域常用的涂布方法,具体地,涂布可以为静电喷涂、旋转涂布等方式涂布,以将光阻层120均匀地覆盖于透明基材110上。
S130:在光阻层120形成沟槽121,沟槽121底端露出透明基材110;
在其中一个实施例中,通过曝光显影的工艺在光阻层120形成沟槽121;曝光显影的工艺可以采用本领域常用的工艺实现。
具体地,在所述光阻层120形成沟槽121的步骤包括:在所述的安装面111涂敷的为负光阻剂时,利用一具有天线图案光罩上形成与天线图案相同大小的透光孔,进行曝光时,将透光孔对准光阻层远离透明基材的一面,光线经过透光孔照到光阻层远离透明基材的一面,将天线图案转印至光阻层,然后利用显影液除掉未曝光的光阻层120,露出透明基材110,形成沟槽121。当在所述安装面111上涂敷一层正光阻剂时,此时所使用的光罩的非透光区域的尺寸与天线图案尺寸相同,在进行曝光时,利用此光罩的非透光区域遮住所述光阻层远离透明基材的一面,光线没有照射到的地方能够将天线图案转印至光阻层120,然后利用显影液除掉曝光的光阻层120,露出透明基材110,形成沟槽121。
在其中一个实施例中,沟槽121为微纳米网格沟槽,沟槽121宽度为1.5μm~10μm。此种宽度的设置,能够形成阻抗较小的天线,且便于后续电镀导电层。具体地,沟槽121宽度可以为1.5μm、3.5μm、5μm、6μm、7.5μm或者10μm。
在其中一个实施例中,网格的形状可以为长方形、菱形、六边形、不规则四边形等多边形形状。
S140:在光阻层远离透明基材的表面以及沟槽处通过电镀工艺形成导电层;
在其中一个实施例中,导电层包括第一导电层130、第二导电层131,其中第一导电层设置在光阻层120远离透明基材110的表面,以及沟槽121的底端,即沟槽121处的露出的透明基材110的表面,第一导电层的厚度150nm以下,在具体的示例中,第一导电层的厚度可以为100nm、110nm、120nm。第二导电层131设置在沟槽处的第一导电层130的表面,第二导电层131的厚度为0.5μm~10μm;导电层的厚度选用在上述范围内,可获得阻抗较小的天线,到导电层过薄,导电性差,阻抗比较大;导电层过厚,容易引起导电层起皱,影响外观以及后续使用效果;在具体的示例中,第二导电层的厚度可以为0.5μm、1μm、1.5μm、3.5μm、5μm、6μm、7.5μm或者10μm。导电层通过先通过蒸镀工艺形成较薄的第一导电层130,再通过真空镀、水镀、溅镀或PVD形成较厚的第二导电层131,以便降低透明线路面阻,提高导电性。且相对于直接用蒸镀形成导电层,本实施方式先蒸镀形成一薄层的导电层,形成通电,再采用效率高的电镀方式形成第二导电层,可以减少整体电镀所用的时间,提升效率;另外,可避免直接蒸镀过厚易导致导电层起皱。
具体地,导电层的材质可以选用导电性能优异的金属或合成金属,具体例如Cu、Cu-Ni合金、Ag、Cu-ITO、Au、Ni、Al等。本领域技术人员可根据该天线所需要的发射和接收信号进行相应地选择。
采用电镀的工艺形成的导电层更平整、均匀,从而使得制成的天线质量更高和表面平整性更好。
S150:将光阻层120远离透明基材110表面的导电层以及光阻层去除,形成天线图案。
具体地,如图3所示,将光阻层120远离透明基材110表面的第一导电层130去除,只保留沟槽处的第一导电层和第二导电层,形成透明导电金属网格;通过激光等方式切割导电金属网格,形成天线图案。
在其中一些实施例中,去除的方法采用本领域常规的剥离工艺,剥离通过化学试剂将光阻层和光阻层上的第一导电层130一起剥离即形成整面透明网格线路;在具体的一个示例中,剥离液采用异丙醇,并结合超声工艺进行剥离。该方法剥离效率高,且剥离比较彻底。
天线图案的具体种类不受特别的限制,具体例如手机天线的电路、NFC天线的电路回路等等,本领域技术人员可根据该天线的实际作用进行相应地选择和设计,在具体的示例中,天线图案为透明网格线路。
S160:将天线图案切割分离形成天线区域和无效区域,以形成天线。
具体地,通过采用镭射工艺工艺将天线图案切割分离形成天线区域和无效区域。
需要说明的是,制作天线的方法除了包括上述步骤以外,还可以包括其他步骤,具体例如包括清洗透明基材110的表面,以清洗透明基材110表面的氧化物、杂质、油质或水分子。
通过上述实施方式的天线制作方法中,如图4所示,将天线制作成金属网格透明天线,具备低阻抗、透明的特性,采用电镀的工艺形成的导电层更平整、均匀,从而使得制成的天线质量更高和表面平整性更好,可以设置在电子设备表面,作为天线,实现对无线电信号的收发,为电子产品的天线,提供了更宽的可选择放置的区域;天线可以布置的空间更大,且该制作方法操作简便、工艺简单。
通过上述实施方式的天线制作方法中,通过先设置有较薄的第一导电层130,再设置较厚的第二导电层131,较薄的导电层通常通过蒸镀的工艺形成,由于蒸镀加厚需很长时间,如做到更厚N倍以上的时间制作及蒸镀导电材料过厚易导致材料起皱;其它方式电镀(水镀)的效率高,但水镀需接电,故需先蒸镀一层较薄的导电材料通电;可以减少水镀所用的时间,提升效率;另外可避免直接蒸镀过厚易导致导电层起皱。
上述实施方式制作方法制作而成的天线100的具体种类不受特别的限制,具体例如5G天线、NFC天线,等等,本领域技术人员可根据该天线100的实际使用要求进行相应地选择,在此不再赘述。
一实施方式的电子设备,包括上述实施方式的制作方法制作而成的天线。电子设备的具体类型不受特别的限制,具体例如手机、平板电脑、智能手表等,本领域技术人员可根据该电子设备的具体用途进行相应地选择,在此不再赘述。需要说明的是,该电子设备除了包括上述的天线100以外,还包括其他必要的部件和结构,以手机为例,具体例如显示装置、处理器、存储器、电池、电路板、摄像头等等,本领域技术人员可根据该电子设备的具体种类进行相应地设计和补充,在此不再赘述。
以下为具体实施例部分。
实施例1
本实施例的天线的制作方法,包括以下步骤:
提供玻璃材质的透明基材110;透明基材110具有两个相对的表面,其中一个表面为安装面111。
在透明基材110的一个表面通过旋转涂布一层厚度为1.5μm的光阻层;
通过曝光显影出宽度为1.5μm的正方形网格沟槽121,露出透明基材110;
在光阻层远离透明基材的表面以及沟槽通过蒸镀铜形成第一导电层,第一导电层的厚度为100nm;在沟槽处的第一导电层130的表面进行水镀铜形成第二导电层131,第二导电层131的厚度为0.5μm。
通过化学试剂异丙醇,并结合超声工艺进将光阻层以及光阻层上的第一导电层一起剥离,只保留沟槽处的第一导电层130和第二导电层131,即形成整面透明网格线路;通过激光等方式切割导电金属网格,形成天线图案。
最后通过镭射工艺将天线图案切割分离形成天线区域和无效区域,将无效区域去除,以形成天线。
实施例2
本实施例的天线的制作方法,包括以下步骤:
提供PMMA板的透明基材110;透明基材110具有两个相对的表面,其中一个表面为安装面111。
在透明基材110的一个表面通过旋转涂布一层厚度为3.5μm的光阻层;
通过曝光显影出宽度为3.5μm的正方形网格沟槽121,露出透明基材110;
在光阻层远离透明基材的表面以及沟槽通过蒸镀铜形成第一导电层,第一导电层的厚度为110nm;在沟槽处的第一导电层130的表面再进行水镀铜形成第二导电层131,第二导电层131的厚度为3.5μm。
通过化学试剂异丙醇,并结合超声工艺进将光阻层以及光阻层上的第一导电层一起剥离,只保留沟槽处的第一导电层和第二导电层,即形成整面透明网格线路;通过激光等方式切割导电金属网格,形成天线图案。
最后通过镭射工艺将天线图案切割分离形成天线区域和无效区域,将无效区域去除,以形成天线。
实施例3
本实施例的天线的制作方法,包括以下步骤:
提供PC与PMMA复合板的透明基材110;透明基材110具有两个相对的表面,其中一个表面为安装面111。
在透明基材110的一个表面通过静电喷涂一层厚度为5μm的光阻层;
通过曝光显影出宽度为6μm的长方形网格沟槽121,露出透明基材110;
在光阻层远离透明基材的表面以及沟槽通过蒸镀Cu-Ni合金形成第一导电层,第一导电层的厚度为120nm;在沟槽处的第一导电层130的表面再进行溅镀Cu-Ni合金形成第二导电层131,第二导电层131的厚度为5μm。
通过化学试剂异丙醇,并结合超声工艺进将光阻层以及光阻层上的第一导电层一起剥离,只保留沟槽处的第一导电层和第二导电层,即形成整面透明网格线路;通过激光等方式切割导电金属网格,形成天线图案。
最后通过镭射工艺将天线图案切割分离形成天线区域和无效区域,将无效区域去除,以形成天线。
实施例4
本实施例的天线的制作方法,包括以下步骤:
提供PET材质的透明基材110;透明基材110具有两个相对的表面,其中一个表面为安装面111。
在透明基材110的一个表面通过旋转涂布一层厚度为7.5μm的光阻层;
通过曝光显影出宽度为6μm的长方形网格沟槽121,露出透明基材110;
在光阻层远离透明基材的表面以及沟槽通过溅镀Ag形成第一导电层,第一导电层的厚度为110nm;在沟槽处的第一导电层130的表面再进行溅镀Ag形成第二导电层131,第二导电层131的厚度为7.5μm。
通过化学试剂异丙醇,并结合超声工艺进将光阻层以及光阻层上的第一导电层一起剥离,只保留沟槽处的第一导电层和第二导电层,即形成整面透明网格线路;通过激光等方式切割导电金属网格,形成天线图案。
最后通过镭射工艺将天线图案切割分离形成天线区域和无效区域,将无效区域去除,以形成天线。
实施例5
本实施例的天线的制作方法,包括以下步骤:
提供PMMA板的透明基材110;透明基材110具有两个相对的表面,其中一个表面为安装面111。
在透明基材110的一个表面通过旋转涂布一层厚度为10μm的光阻层;
通过曝光显影出宽度为10μm的菱形网格沟槽121,露出透明基材110;
在光阻层远离透明基材的表面以及沟槽通过真空镀Ni形成第一导电层,第一导电层的厚度为110nm;在沟槽处的第一导电层130的表面再进行真空镀Ni形成第二导电层131,第二导电层131的厚度为10μm。
通过化学试剂异丙醇,并结合超声工艺进将光阻层以及光阻层上的第一导电层一起剥离,只保留沟槽处的第一导电层和第二导电层,即形成整面透明网格线路;通过激光等方式切割导电金属网格,形成天线图案。
最后通过镭射工艺将天线图案切割分离形成天线区域和无效区域,将无效区域去除,以形成天线。
对比例1
本对比例与实施例1的区别仅在于,光阻层的厚度为1μm。
对比例2
本对比例与实施例2的区别仅在于,所述第二导电层的厚度为0.25μm。
对比例3
本对比例采用现有ITO材质制作的透明导电膜制作天线。
测试:
测定实施例1~5及对比例1~3制备而成的天线的透过率和方阻,测定结果详见表1。
其中,采用常规方法测定天线的透过率和方阻。
表1
透过率(%) | 方阻(Ω) | |
实施例1 | 96 | 4.5 |
实施例2 | 92 | 4.2 |
实施例3 | 90 | 3.3 |
实施例4 | 95 | 3.0 |
实施例5 | 92 | 2.1 |
对比例1 | 95 | 10 |
对比例2 | 92 | 7.8 |
对比例3 | 93 | 13 |
从表1可以看出,本发明制作得到的天线具备低阻抗、透过率高的特性;对比例1的光阻层厚度低于本申请,由于再进行镀导电层需保证导电层比光阻层薄,否则光阻层上第一导电层会与沟槽内的第二导电层相连,后续剥离会导致沟槽内的第二导电层一起剥离,需要制作薄的导电层,而过薄线路阻抗比较大;对比例2的方阻大于本申请,是由于导电层过薄,导电性差,阻抗比较大;
对比例3采用现有的导电薄膜天线,从测试结果可知,其阻抗大,性能不如本发明的方法制作得到的天线。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (14)
1.一种制作天线的方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供透明基材;
在所述透明基材的一个表面设置光阻层;
在所述光阻层形成沟槽,所述沟槽底端露出透明基材;
在所述光阻层远离透明基材的表面以及所述沟槽通过蒸镀工艺形成第一导电层;
在所述沟槽处的第一导电层远离所述透明基材的表面通过水镀或溅镀工艺形成第二导电层;
采用剥离液异丙醇与超声工艺结合将所述光阻层远离透明基材表面的第一导电层以及所述光阻层剥离,形成天线图案;
其中,所述第一导电层的厚度小于150nm,所述第二导电层的厚度为0.5µm~10µm;所述光阻层的厚度为1.5µm~10µm。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一导电层与第二导电层的材料为Cu、Cu-Ni合金、Ag、Al、Cu-ITO、Au和Ni中的一种。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述透明基材的材料采用玻璃、PC板、PET、COP、PMMA板、PC与PMMA的复合板、TPU或POL。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光阻层的材料为正光阻剂或负光阻剂中的一种;
当所述光阻层材料为正光阻剂时,曝光的部分在显影步骤被显影液去除;或当所述光阻层材料为负光阻剂时,未曝光的部分在显影步骤被显影剂去除。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述透明基材的一个表面设置光阻层的步骤为采用涂布方式设置光阻层。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述涂布方式为静电涂布或旋转涂布。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述沟槽的宽度为1.5µm~10µm。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述沟槽为网格形状,所述网格形状为多边形。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述多边形为长方形、菱形或六边形。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述光阻层形成沟槽的步骤包括:
对所述光阻层远离基材的表面进行曝光及显影制程,以使所述光阻层形成沟槽。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括采用镭射工艺将天线图案分离成天线区域以及无效区域,形成天线的步骤。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括清洗透明基材的表面的步骤。
13.一种天线,其特征在于,采用权利要求1~12任一项所述的方法制作而成。
14.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求13所述的天线。
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