JP5485754B2 - 電鋳型とその製造方法 - Google Patents
電鋳型とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5485754B2 JP5485754B2 JP2010065129A JP2010065129A JP5485754B2 JP 5485754 B2 JP5485754 B2 JP 5485754B2 JP 2010065129 A JP2010065129 A JP 2010065129A JP 2010065129 A JP2010065129 A JP 2010065129A JP 5485754 B2 JP5485754 B2 JP 5485754B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- substrate
- photoresist layer
- contact
- opposite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 title claims description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 125
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 88
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 240000000220 Panda oleosa Species 0.000 description 11
- 235000016496 Panda oleosa Nutrition 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 210000003423 ankle Anatomy 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
本発明に係る電鋳型は、紫外線に対して透過性を有する基板と、前記基板の表面に形成され、導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜と、前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面の一部に形成された金属膜と、他方の面に貫通孔を有する第1のフォトレジスト層と、を備えることを特徴とする。
図1は、本発明の第1の実施形態の電鋳型の断面を示す図である。
図3(a)は、紫外線を透過する基板を示す図である。図3(a)に示す基板8は、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラス、無機ガラスなどのガラスなどで形成されている。また、アクリルやポリカーボなどの透明なプラスチックや、石英やサファイアなどの透明なセラミックなどでも形成することができる。
図4(b)は、導電膜の基板に接する面と反対の面及び金属膜の導電膜に接する面と反対の面に第1のフォトレジスト層を形成する第1のフォトレジスト層形成工程を示す図である。この工程では、例えばエポキシ系の化学増幅型のネガタイプフォトレジストをスピンコートによりコートする。その後、加熱により溶剤成分を蒸発することにより約50μm〜2mmの厚みを有する第1のフォトレジスト層14を形成する。なお、化学増幅型のフォトレジストを用いない場合、加熱する必要がなくなる。
まず、図5(a)に示すように、電鋳型20の貫通孔に硬化部17を超える程度にニッケル電鋳物21を形成する。図5(b)に示すように、電鋳表面の研削と研磨を行うことにより、厚み約50μm〜2mmで、十分な平坦度を有する電鋳体22を形成する。次いで、図5(c)に示すように、硬化部17を除去し、さらに、金属膜のパターン12と電鋳体22の界面で金属膜のパターン12を構成する金属膜の表面に形成された酸化層による密着力の低下を利用することにより引き剥がし、カナ7を得る。
図6(b)は、紫外線を透過する基板23の第1の表面24に導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜25を形成する導電膜形成工程を示す図である。
図7(b)は、導電膜の基板に接する面と反対の面及び金属膜の導電膜に接する面と反対の面に第1のフォトレジスト層を形成する第1のフォトレジスト層形成工程を示す図である。この工程では、例えばエポキシ系の化学増幅型のネガタイプフォトレジストをスピンコートによりコートする。その後、加熱により溶剤成分を蒸発することにより約50μm〜2mmの厚みを有する第1のフォトレジスト層30を形成する。なお、化学増幅型のフォトレジストを用いない場合、加熱する必要がなくなる。
まず、図8(a)に示すように電鋳型36の貫通孔に硬化部33を超える程度にニッケル電鋳物37を形成する。次に、図8(b)に示すように、電鋳表面の研削と研磨を行う。これにより、厚み約50μm〜2mmで、十分な平坦度を有する電鋳体38を形成する。次いで、硬化部33を除去する。さらに、金属膜のパターン28と電鋳体38の界面で電鋳体38を金属膜のパターン28を構成するニッケル層表面に形成された酸化層による密着力の低下を利用することにより引き剥がし、カナ7を得る。
2、8、23 基板
3、10、25 導電膜
4、27 金属膜
5 第1のフォトレジスト層
6、19、35 貫通孔
7 カナ
9、24 基板の第1の表面
11 金属膜
12 金属膜のパターン
13、29 フォトマスクを兼ねた基板
14、30 第1のフォトレジスト層
15、31 基板の第2の表面
16、32 紫外線光
17、33 第1のフォトレジスト層の硬化部
18、34 第1のフォトレジスト層の未硬化部
21、37 電鋳物
22、38 電鋳体
26 第2のフォトレジスト層
27 金属膜
28 金属膜のパターン
Claims (11)
- 紫外線に対して透過性を有する基板と、
前記基板の表面に形成され、導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜と、
前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面の一部に形成された金属膜と、
前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面又は前記金属膜の前記導電膜に接する面と反対の面のうち一方の面に形成されるとともに、他方の面に貫通孔を有する第1のフォトレジスト層と、
を備えることを特徴とする電鋳型。 - 前記第1のフォトレジスト層は、前記基板の表面に対して垂直な前記貫通孔側の側面を有することを特徴とする請求項1に記載の電鋳型。
- 前記第1のフォトレジスト層はネガタイプのフォトレジストで形成され、かつ前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面に形成され、前記貫通孔は前記金属膜の前記導電膜に接する面と反対の面に形成されることを特徴とする請求項2に記載の電鋳型。
- 前記第1のフォトレジスト層はポジタイプのフォトレジストで形成され、かつ前記金属膜の前記導電膜に接する面と反対の面に形成され、前記貫通孔は前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面に形成されることを特徴とする請求項2に記載の電鋳型。
- 前記金属膜が、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、シリコン、タングステン、モリブデン、又はこれらの金属を含む合金のいずれかで形成されることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電鋳型。
- 前記導電膜が酸化インジウムを含む透明導電膜であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電鋳型。
- 紫外線を透過する基板の表面に導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面の一部に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面及び前記金属膜の前記導電膜に接する面と反対の面に第1のフォトレジスト層を形成する第1のフォトレジスト層形成工程と、
前記基板の表面と反対の面より紫外線による露光を行う露光工程と、
前記第1のフォトレジスト層を現像して、前記第1のフォトレジスト層に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
を備えることを特徴とする電鋳型の製造方法。 - 前記第1のフォトレジスト形成工程において、前記第1のフォトレジスト層がネガタイプのフォトレジストで形成され、前記貫通孔形成工程において、前記貫通孔が前記金属膜の前記導電膜に接する面と反対の面に形成されることを特徴とする請求項7に記載の電鋳型の製造方法。
- 前記第1のフォトレジスト形成工程において、前記第1のフォトレジスト層がポジタイプのフォトレジストで形成され、前記貫通孔形成工程において、前記貫通孔が前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面に形成されることを特徴とする請求項7に記載の電鋳型の製造方法。
- 前記金属膜形成工程は、前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面に前記金属膜を形成する工程と、前記金属膜の前記導電膜に接する面と反対の面の一部に第2のフォトレジスト層を形成する工程と、前記金属膜の前記導電膜に接する面と反対の面のうち露出した部分をエッチングにより除去する工程と、前記第2のフォトレジスト層を除去する工程と、を備えることを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載の電鋳型の製造方法。
- 前記金属膜形成工程は、前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面の一部に前記第2のフォトレジスト層を形成する工程と、前記導電膜の前記基板に接する面と反対の面のうち露出した面に電気めっき法により前記金属膜を形成する工程と、前記第2のフォトレジスト層を除去する工程と、を備えることを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載の電鋳型の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010065129A JP5485754B2 (ja) | 2010-03-19 | 2010-03-19 | 電鋳型とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010065129A JP5485754B2 (ja) | 2010-03-19 | 2010-03-19 | 電鋳型とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011195910A JP2011195910A (ja) | 2011-10-06 |
JP5485754B2 true JP5485754B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=44874495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010065129A Active JP5485754B2 (ja) | 2010-03-19 | 2010-03-19 | 電鋳型とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5485754B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5646192B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-12-24 | セイコーインスツル株式会社 | 電鋳型とその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1269342A (en) * | 1984-04-30 | 1990-05-22 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Method of electroforming articles using a photomask mandrel |
JPH1161477A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-05 | Citizen Watch Co Ltd | 微細電鋳部品の製造方法 |
WO2001071065A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Citizen Watch Co., Ltd. | Structure à trous et procédé de fabrication |
JP5646191B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-12-24 | セイコーインスツル株式会社 | 電鋳型とその製造方法 |
JP5646192B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-12-24 | セイコーインスツル株式会社 | 電鋳型とその製造方法 |
-
2010
- 2010-03-19 JP JP2010065129A patent/JP5485754B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011195910A (ja) | 2011-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4281773B2 (ja) | 微細成形モールド及び微細成形モールドの再生方法 | |
CN105573046B (zh) | 光掩模、光掩模的制造方法以及图案的转印方法 | |
TWI819878B (zh) | 光罩基底、轉印用光罩之製造方法、反射型光罩之製造方法、壓印模具之製造方法、及半導體裝置之製造方法 | |
TWI694302B (zh) | 光罩及顯示裝置之製造方法 | |
KR102089835B1 (ko) | 필름 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
JP3248526B2 (ja) | 回折光学素子及びそれを有した光学系 | |
EP2983043B1 (en) | Mask for photolithography and method of manufacturing the same | |
JP2008090254A (ja) | フォトマスク用基板及びフォトマスク並びにその製造方法 | |
JP2009127105A (ja) | 電鋳部品の製造方法 | |
JP5485754B2 (ja) | 電鋳型とその製造方法 | |
JPS62202518A (ja) | X線露光用マスク | |
JP2024001250A (ja) | 大型フォトマスク | |
JP5646191B2 (ja) | 電鋳型とその製造方法 | |
JP2015169803A (ja) | マスク及びパターン形成方法 | |
JP5646192B2 (ja) | 電鋳型とその製造方法 | |
JP2012122119A (ja) | 電鋳体の製造方法 | |
JP2006305800A (ja) | 成形用型、及び樹脂成形体の製造方法 | |
CN108267928A (zh) | 光罩的制作方式 | |
JP5597119B2 (ja) | 電鋳型の製造方法 | |
KR20090006703A (ko) | 고종횡비 미세구조물 제조방법 | |
JP6722421B2 (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
TW201245812A (en) | Method of manufacturing a photomask, pattern transfer method and method of manufacturing a display device | |
JP2004255680A (ja) | 微細金型及びその製造方法 | |
JP6027919B2 (ja) | 被加工体の製造方法及び近接露光用フォトマスク | |
JPH09211842A (ja) | 光学的手段を用いた電子回路形成における光反射防止方法及びその装置とその製品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5485754 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |