JPH09211842A - 光学的手段を用いた電子回路形成における光反射防止方法及びその装置とその製品 - Google Patents
光学的手段を用いた電子回路形成における光反射防止方法及びその装置とその製品Info
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- JPH09211842A JPH09211842A JP2235096A JP2235096A JPH09211842A JP H09211842 A JPH09211842 A JP H09211842A JP 2235096 A JP2235096 A JP 2235096A JP 2235096 A JP2235096 A JP 2235096A JP H09211842 A JPH09211842 A JP H09211842A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学手段を用いてのＩＣ、ＬＳＩなどの電子
回路形成において、フォトマスクなどの光透過体に反射
防止層を設けて照射光の透過率の向上と不要な反射光を
減少させる。 【構成】 ガラス基板の表面やガラス基板と遮光層の界
面に１５ｎｍ乃至１５０ｎｍの深さの微細な凹凸面を設
けて連続的に屈折率の変化する不均質層を形成する。
又、フォトレジスト層の表面に不均質層を形成すること
で照射光の反射率を低減し、精度のよい結像を可能にす
る。
回路形成において、フォトマスクなどの光透過体に反射
防止層を設けて照射光の透過率の向上と不要な反射光を
減少させる。 【構成】 ガラス基板の表面やガラス基板と遮光層の界
面に１５ｎｍ乃至１５０ｎｍの深さの微細な凹凸面を設
けて連続的に屈折率の変化する不均質層を形成する。
又、フォトレジスト層の表面に不均質層を形成すること
で照射光の反射率を低減し、精度のよい結像を可能にす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的手段を用いた電
子回路形成において照射光の光路内における光反射防止
方法とその装置及びその製品に関する。
子回路形成において照射光の光路内における光反射防止
方法とその装置及びその製品に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの製造工程において、
電子回路をフォトレジスト上に結像させるための方法と
して、密着、近接、等倍投影、縮小投影などの露光方法
がある。これらの方法は基本的には、回路設計に基づく
パターンを有するフォトマスクを、照射源よりの照射光
で照射し、所定のパターンを所定の光学系を通してフォ
トレジスト上に結像させるものである。パターンの介在
により照射光が透過する部分と遮蔽される部分が生じる
が、透過光は干渉光や回折光を含まない平行光線である
ことが望ましい。このためフォトマスクにはフィルムや
石英ガラス板を基材に用いているが、照射光が空気との
界面において反射する反射光は少なくとも４％は発生
し、反射の分だけ透過光量は減少する。更に透過する光
線が異なる物質間を透過する際にも反射光が不特定方向
へ散乱して干渉光を生じせしめるものである。したがっ
て少なくとも透明な基板とパターンを形成する遮光層と
の界面には光反射防止層が必要とされるものである。光
反射防止方法については、金属薄膜を多層状に界面に蒸
着して、各層での反射光を互いに干渉させることで反射
光の発生を防止する方法と、微細な凹凸面を界面に形成
して屈折率を連続的に変化させる不均質層を形成させる
ことで反射を防止する方法がある。後者の方法におい
て、その基本的な技術は特開平２−１７５６０１号に記
載され、ＳｉＯ2 の超微粒子を単層に配列することで微
細な凹凸面を構成している。更に本出願人は、超微粒子
面の表面形状を転写することで被転写物の表面の光反射
率を低減させる方法を特開平７−１８６１８９号に開示
している。
電子回路をフォトレジスト上に結像させるための方法と
して、密着、近接、等倍投影、縮小投影などの露光方法
がある。これらの方法は基本的には、回路設計に基づく
パターンを有するフォトマスクを、照射源よりの照射光
で照射し、所定のパターンを所定の光学系を通してフォ
トレジスト上に結像させるものである。パターンの介在
により照射光が透過する部分と遮蔽される部分が生じる
が、透過光は干渉光や回折光を含まない平行光線である
ことが望ましい。このためフォトマスクにはフィルムや
石英ガラス板を基材に用いているが、照射光が空気との
界面において反射する反射光は少なくとも４％は発生
し、反射の分だけ透過光量は減少する。更に透過する光
線が異なる物質間を透過する際にも反射光が不特定方向
へ散乱して干渉光を生じせしめるものである。したがっ
て少なくとも透明な基板とパターンを形成する遮光層と
の界面には光反射防止層が必要とされるものである。光
反射防止方法については、金属薄膜を多層状に界面に蒸
着して、各層での反射光を互いに干渉させることで反射
光の発生を防止する方法と、微細な凹凸面を界面に形成
して屈折率を連続的に変化させる不均質層を形成させる
ことで反射を防止する方法がある。後者の方法におい
て、その基本的な技術は特開平２−１７５６０１号に記
載され、ＳｉＯ2 の超微粒子を単層に配列することで微
細な凹凸面を構成している。更に本出願人は、超微粒子
面の表面形状を転写することで被転写物の表面の光反射
率を低減させる方法を特開平７−１８６１８９号に開示
している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする課題
は、光学手段を用いた電子回路形成において簡易な手法
でフォトマスクなどの光透過体やレジストなどの積層面
を構成する物質の界面に反射光を防止する機能を付与す
るための方法と装置を提供することである。
は、光学手段を用いた電子回路形成において簡易な手法
でフォトマスクなどの光透過体やレジストなどの積層面
を構成する物質の界面に反射光を防止する機能を付与す
るための方法と装置を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】集積回路を光学的手法に
より作成する場合、素地表面に構成する薄膜やレジスト
などからなる積層面に及び／又は照射源から前記積層面
に至る光路内に設けられるマスク、レンズなどの光透過
体の少なくとも一つの面に、連続して屈折率を変化せし
めうる、１５ｎｍ乃至１５０ｎｍの深さの微細な凹凸面
をスタンパなどの転写手段を用いて形成して、前記積層
面や前記光透過体での照射光や透過光の反射率を低減す
るものである。
より作成する場合、素地表面に構成する薄膜やレジスト
などからなる積層面に及び／又は照射源から前記積層面
に至る光路内に設けられるマスク、レンズなどの光透過
体の少なくとも一つの面に、連続して屈折率を変化せし
めうる、１５ｎｍ乃至１５０ｎｍの深さの微細な凹凸面
をスタンパなどの転写手段を用いて形成して、前記積層
面や前記光透過体での照射光や透過光の反射率を低減す
るものである。
【０００５】又、連続して屈折率を変化せしめるよう
な、１５ｎｍ乃至１５０ｎｍの深さの微細な凹凸面を投
影露光法を手段として形成する。
な、１５ｎｍ乃至１５０ｎｍの深さの微細な凹凸面を投
影露光法を手段として形成する。
【０００６】上述した方法を用いてＩＣあるいはＬＳＩ
などの集積回路を製造する露光装置と該露光装置を用い
て製造される集積回路と該集積回路を用いたチップを提
供する。
などの集積回路を製造する露光装置と該露光装置を用い
て製造される集積回路と該集積回路を用いたチップを提
供する。
【０００７】上述のような露光装置を用いて行われるレ
ジスト層のパターンは滲みの少ないパターンを描くこと
ができるので集積度の高いチップを得ることができる。
ジスト層のパターンは滲みの少ないパターンを描くこと
ができるので集積度の高いチップを得ることができる。
【０００８】
【実施例１】図１は、本発明の方法を適用してなる光透
過体の一つのマスクブランクの模式断面図である。１は
ガラス基板であり、２、２−１は微細な凹凸面を有する
光反射防止層、３は遮光層である。微細な凹凸面は、屈
折率が連続して変化する不均質層を形成するが、凹凸の
形状はその高低差には自ずと限界があって、１５ｎｍ乃
至１５０ｎｍの深さの範囲が有効であり、でき得れば針
状であることが望ましい。実現しうる一つの方法として
本例ではＳｉＯ2 の超微粒子を基板上に密に単層固定
し、該層の表面形状を転写して微細な凹凸面を形成す
る。
過体の一つのマスクブランクの模式断面図である。１は
ガラス基板であり、２、２−１は微細な凹凸面を有する
光反射防止層、３は遮光層である。微細な凹凸面は、屈
折率が連続して変化する不均質層を形成するが、凹凸の
形状はその高低差には自ずと限界があって、１５ｎｍ乃
至１５０ｎｍの深さの範囲が有効であり、でき得れば針
状であることが望ましい。実現しうる一つの方法として
本例ではＳｉＯ2 の超微粒子を基板上に密に単層固定
し、該層の表面形状を転写して微細な凹凸面を形成す
る。
【０００９】図２において、平滑に研磨されたガラス基
板１−１上にＳｉＯ2 の超微粒子を単層に固定するため
ディッピング液を調整する。液の混合方法としては、エ
チルシリケートをエタノールに溶解し、加水分解のため
のＨ2 Ｏと、触媒としてのＨＮＯ3 とを添加した溶液を
作り、この溶液に粒径８０ｎｍのＳｉＯ2 超微粒子を１
０ｗｔ％添加しＰＨを調整して分散させる。上記ガラス
板をディッピングして毎秒１ｍｍの速度で垂直に引き上
げ揮発成分を蒸発させたのち２００°Ｃ、３０分の加温
を行って乾燥させて母型５を得る。このようにして得ら
れるＳｉＯ2 の単層面は光の波長が４００ｎｍで０．８
％、５５０ｎｍで０．３％の反射率（片面）を示しガラ
スだけの場合は４％乃至５％の反射率（片面）を示すも
のであり、これをマスク用の基板として用いることもで
きるが、多量のガラス板を用意する場合、手間がかかり
すぎる欠点がある。
板１−１上にＳｉＯ2 の超微粒子を単層に固定するため
ディッピング液を調整する。液の混合方法としては、エ
チルシリケートをエタノールに溶解し、加水分解のため
のＨ2 Ｏと、触媒としてのＨＮＯ3 とを添加した溶液を
作り、この溶液に粒径８０ｎｍのＳｉＯ2 超微粒子を１
０ｗｔ％添加しＰＨを調整して分散させる。上記ガラス
板をディッピングして毎秒１ｍｍの速度で垂直に引き上
げ揮発成分を蒸発させたのち２００°Ｃ、３０分の加温
を行って乾燥させて母型５を得る。このようにして得ら
れるＳｉＯ2 の単層面は光の波長が４００ｎｍで０．８
％、５５０ｎｍで０．３％の反射率（片面）を示しガラ
スだけの場合は４％乃至５％の反射率（片面）を示すも
のであり、これをマスク用の基板として用いることもで
きるが、多量のガラス板を用意する場合、手間がかかり
すぎる欠点がある。
【００１０】次にガラス基板上に単層固定されたＳｉＯ
2 の超微粒子面を転写する手法について述べる。図３に
おいて、上述したようにして得られたガラス基板上にＳ
ｉＯ 2 の超微粒子を単層に固定した母型５を純水で洗浄
し乾燥後、真空蒸着機にてニッケルを蒸着し、蒸着面６
を電極として、電鋳法によりニッケル基板７を作製す
る。ニッケル基板７を離型して、別のガラス板８に接着
しスタンパ９を得る。このスタンパを第２の母型とし更
に転写することで第３の母型も作成することが可能であ
る。
2 の超微粒子面を転写する手法について述べる。図３に
おいて、上述したようにして得られたガラス基板上にＳ
ｉＯ 2 の超微粒子を単層に固定した母型５を純水で洗浄
し乾燥後、真空蒸着機にてニッケルを蒸着し、蒸着面６
を電極として、電鋳法によりニッケル基板７を作製す
る。ニッケル基板７を離型して、別のガラス板８に接着
しスタンパ９を得る。このスタンパを第２の母型とし更
に転写することで第３の母型も作成することが可能であ
る。
【００１１】転写に際しては、純水で洗浄されたガラス
基板１を用意し、スタンパ９の凹凸面側にシランカップ
リング材（ＫＢＭ４０３，信越化学（株）製）を薄く塗
布し、脱気してから、ガラス基板１に貼着し全面を強く
押圧して余剰のシランカップリング材を除去する。この
工程は、減圧可能なラミネータを用いるなどして空気を
巻き込まないように注意する。スタンパのニッケル面を
不活性化しておくことにより、シランカップリング材と
スタンパの離型は容易となり、ガラス面に密着するシラ
ンカップリング材は微細な凹凸面を形成して光反射防止
層２となる（図４）。このようにして得られるガラス基
板の表面反射率は４００ｎｍで１．２％乃至１．５％の
低反射率を示す。
基板１を用意し、スタンパ９の凹凸面側にシランカップ
リング材（ＫＢＭ４０３，信越化学（株）製）を薄く塗
布し、脱気してから、ガラス基板１に貼着し全面を強く
押圧して余剰のシランカップリング材を除去する。この
工程は、減圧可能なラミネータを用いるなどして空気を
巻き込まないように注意する。スタンパのニッケル面を
不活性化しておくことにより、シランカップリング材と
スタンパの離型は容易となり、ガラス面に密着するシラ
ンカップリング材は微細な凹凸面を形成して光反射防止
層２となる（図４）。このようにして得られるガラス基
板の表面反射率は４００ｎｍで１．２％乃至１．５％の
低反射率を示す。
【００１２】図５に示すように光反射防止層２の上面に
遮光層３としてＣｒを５０ｎｍ乃至１００ｎｍの厚さに
真空蒸着した。遮光層と光反射防止層２との界面は微細
な凹凸面を有して双方共不均質層を形成するからこの界
面での反射光は著しく減少し、反射率は２％以下とな
る。本例においてはガラス基板の入射光側にも同じ手法
で光反射防止層２−１を設けた。
遮光層３としてＣｒを５０ｎｍ乃至１００ｎｍの厚さに
真空蒸着した。遮光層と光反射防止層２との界面は微細
な凹凸面を有して双方共不均質層を形成するからこの界
面での反射光は著しく減少し、反射率は２％以下とな
る。本例においてはガラス基板の入射光側にも同じ手法
で光反射防止層２−１を設けた。
【００１３】
【実施例２】実施例１で得られるフォトマスクブランク
にレジスト層１０を形成して、減圧下にてスタンパ９を
押圧し表面に曲率半径４０ｎｍの微細な凹凸１１を構成
した（図６）。この微細な凹凸面は反射光を低減し吸光
性を良くする効果がある。フォトマスクを作成するため
に上記レジスト層上にハードマスクを密着し波長が４０
０ｎｍ〜４５０ｎｍの単色光を照射する。照射したあと
現象液にて現像し被照射部のレジストを除去して遮光層
３の一部を露出させ更に塩酸にてＣｒのエッチングを行
って光反射防止層３の一部を露出させる。この状態の模
式断面図を図７に示した。更に残存するレジストをアセ
トンで溶解し、充分な洗浄を行ってＣｒの微細パターン
が完成する。
にレジスト層１０を形成して、減圧下にてスタンパ９を
押圧し表面に曲率半径４０ｎｍの微細な凹凸１１を構成
した（図６）。この微細な凹凸面は反射光を低減し吸光
性を良くする効果がある。フォトマスクを作成するため
に上記レジスト層上にハードマスクを密着し波長が４０
０ｎｍ〜４５０ｎｍの単色光を照射する。照射したあと
現象液にて現像し被照射部のレジストを除去して遮光層
３の一部を露出させ更に塩酸にてＣｒのエッチングを行
って光反射防止層３の一部を露出させる。この状態の模
式断面図を図７に示した。更に残存するレジストをアセ
トンで溶解し、充分な洗浄を行ってＣｒの微細パターン
が完成する。
【００１４】上述のようにして得られるフォトマスクの
線巾は反射光や干渉光が少ないので精度のよいものが得
られるが、ハードマスクを密着してパターンの焼付を行
う関係上、線巾は５μｍ乃至１０μｍである。従って１
μｍ未満の線巾を必要とする現在のパターニングでは縮
小投影露光法を用いるのが適当であり、そのために照射
光の透過率を高め無用な反射光や干渉光を防止すること
が大切である。又、上述の微細な凹凸面はレジスト表面
の反射光を低減させるから、ウエハー上に構成させるレ
ジスト層の表面においても用いることができ滲みの少な
いパターンを焼き付けるから、精度のよい線巾をウエハ
ーに再現しうるものである。
線巾は反射光や干渉光が少ないので精度のよいものが得
られるが、ハードマスクを密着してパターンの焼付を行
う関係上、線巾は５μｍ乃至１０μｍである。従って１
μｍ未満の線巾を必要とする現在のパターニングでは縮
小投影露光法を用いるのが適当であり、そのために照射
光の透過率を高め無用な反射光や干渉光を防止すること
が大切である。又、上述の微細な凹凸面はレジスト表面
の反射光を低減させるから、ウエハー上に構成させるレ
ジスト層の表面においても用いることができ滲みの少な
いパターンを焼き付けるから、精度のよい線巾をウエハ
ーに再現しうるものである。
【００１５】
【実施例３】前出のスタンパ９を作製するための他の手
法について述べる。平滑に研磨されたガラス基板上にフ
ォトレジストをスピンコート法で最大０．５μｍの膜厚
に塗布しプリベーキングする。１／１０に縮小する露光
機により、線巾１μｍで１μｍ角の間隙をもつフォトマ
スクを用いて上記フォトレジスト上に結像する。光源に
紫外光を用いると像に滲みが生じるからフォトレジスト
は０．１μｍ間隔に強く露光された部分と弱く露光され
た部分、露光されない部分が生じる。次いでフォトレジ
ストを現像液で現像し露光された部分を除去する。この
状態の断面を模式図として図８に示した。１２はガラス
基板、１３はフォトレジスト層である。フォトレジスト
の膜厚はさほど正確に制御できないから、０．３μｍ乃
至０．５μｍに調整し露光により除去される部分の深さ
は最大０．３μｍにとどめる。現像後洗浄して再度９０
°Ｃで１０分程度のベーキングを行い除去された部分の
表面を安定な面となし、すでに述べたような手法により
スタンパを作成する。このようにして得られるスタンパ
１４は図９に示す断面を有するが、凹凸の寸法差は微視
的にはばらついている。このスタンパはＳｉＯ2 の超微
粒子の粒径１００ｎｍを単層に固定した表面を転写した
表面性状に類似し不均質層となる。従って本実施例で得
られるスタンパは本発明に用いられるほか、透明な樹脂
体の表面の反射光防止のために使用しうるものである。
紫外線に替えて電子線露光法などを用いれば更に微細な
凹凸面も作成することができる。
法について述べる。平滑に研磨されたガラス基板上にフ
ォトレジストをスピンコート法で最大０．５μｍの膜厚
に塗布しプリベーキングする。１／１０に縮小する露光
機により、線巾１μｍで１μｍ角の間隙をもつフォトマ
スクを用いて上記フォトレジスト上に結像する。光源に
紫外光を用いると像に滲みが生じるからフォトレジスト
は０．１μｍ間隔に強く露光された部分と弱く露光され
た部分、露光されない部分が生じる。次いでフォトレジ
ストを現像液で現像し露光された部分を除去する。この
状態の断面を模式図として図８に示した。１２はガラス
基板、１３はフォトレジスト層である。フォトレジスト
の膜厚はさほど正確に制御できないから、０．３μｍ乃
至０．５μｍに調整し露光により除去される部分の深さ
は最大０．３μｍにとどめる。現像後洗浄して再度９０
°Ｃで１０分程度のベーキングを行い除去された部分の
表面を安定な面となし、すでに述べたような手法により
スタンパを作成する。このようにして得られるスタンパ
１４は図９に示す断面を有するが、凹凸の寸法差は微視
的にはばらついている。このスタンパはＳｉＯ2 の超微
粒子の粒径１００ｎｍを単層に固定した表面を転写した
表面性状に類似し不均質層となる。従って本実施例で得
られるスタンパは本発明に用いられるほか、透明な樹脂
体の表面の反射光防止のために使用しうるものである。
紫外線に替えて電子線露光法などを用いれば更に微細な
凹凸面も作成することができる。
【００１６】
【実施例４】図１０は縮小投影露光装置の概略図であ
り、１５は照射源としての高圧水銀灯、１６はコンデン
サレンズ、１７はフォトマスク、１８はマスクマウン
ト、１９は縮小レンズ系、２０はウエハ、２１は上はウ
エハチャック、２２は位置決めを行うＸＹステージであ
り、２３はフォトレジスト層である。フォトマスクのパ
ターンが形成される側及び他の側には前述のように微細
な凹凸面が形成されており照射光の反射と干渉を軽減し
透過率を向上させる。更に縮小レンズ系は通常８〜１１
枚程度のレンズを組み合わせて種々の収差を除去するよ
うにしているが、レンズ表面の反射光並びに散乱光はパ
ターンのコントラストに悪影響を及ぼし透過光量も少な
くなる。照射源となる水銀灯の光の波長は３００ｎｍ〜
４５０ｎｍの範囲のある程度の巾を有するものであるが
できるだけ単波長が好ましい。従ってレンズは高解像度
よりはコントラストのよいレンズが要求される。
り、１５は照射源としての高圧水銀灯、１６はコンデン
サレンズ、１７はフォトマスク、１８はマスクマウン
ト、１９は縮小レンズ系、２０はウエハ、２１は上はウ
エハチャック、２２は位置決めを行うＸＹステージであ
り、２３はフォトレジスト層である。フォトマスクのパ
ターンが形成される側及び他の側には前述のように微細
な凹凸面が形成されており照射光の反射と干渉を軽減し
透過率を向上させる。更に縮小レンズ系は通常８〜１１
枚程度のレンズを組み合わせて種々の収差を除去するよ
うにしているが、レンズ表面の反射光並びに散乱光はパ
ターンのコントラストに悪影響を及ぼし透過光量も少な
くなる。照射源となる水銀灯の光の波長は３００ｎｍ〜
４５０ｎｍの範囲のある程度の巾を有するものであるが
できるだけ単波長が好ましい。従ってレンズは高解像度
よりはコントラストのよいレンズが要求される。
【００１７】本例においては、レンズの表面に微細な凹
凸面を形成して不均質層となし、連続的に屈折率を変化
させることで反射光の軽減をはかり、コントラストのよ
い結像を得るようにしている。微細な凹凸面は粒径が８
０ｎｍのＳｉＯ2 超微粒子を単層に密接して固定した面
を転写するものである。従って凹凸部の高低差は４０ｎ
ｍ未満であり、不均質層の厚さは４０ｎｍ未満である。
転写に際してはレンズの表面にあらかじめ上記超微粒子
を固定し、この面を金属モールドにコピーして型とすれ
ばよい。レンズ表面に転写面を形成するためには薄い樹
脂層が必要であり、このためにシランカップリング材を
使用したが、ポリエステル系、ウレタン系、エポキシ
系、フッ素系の樹脂も使用できる。エッチング液に対し
耐久性を有する樹脂が好ましい。。実際問題として、照
射源が紫外光であるため樹脂の劣化が問題となるが、一
回の照射時間は数秒であるから実用上差し支えない。
又、転写を用いることで修復も容易である。勿論ＳｉＯ
2 の超微粒子を直接単層で密に固定した母型自体を縮小
レンズ系に用いることができるがその場合は、４０ｎｍ
〜５０ｎｍの粒径を採用すべきである。
凸面を形成して不均質層となし、連続的に屈折率を変化
させることで反射光の軽減をはかり、コントラストのよ
い結像を得るようにしている。微細な凹凸面は粒径が８
０ｎｍのＳｉＯ2 超微粒子を単層に密接して固定した面
を転写するものである。従って凹凸部の高低差は４０ｎ
ｍ未満であり、不均質層の厚さは４０ｎｍ未満である。
転写に際してはレンズの表面にあらかじめ上記超微粒子
を固定し、この面を金属モールドにコピーして型とすれ
ばよい。レンズ表面に転写面を形成するためには薄い樹
脂層が必要であり、このためにシランカップリング材を
使用したが、ポリエステル系、ウレタン系、エポキシ
系、フッ素系の樹脂も使用できる。エッチング液に対し
耐久性を有する樹脂が好ましい。。実際問題として、照
射源が紫外光であるため樹脂の劣化が問題となるが、一
回の照射時間は数秒であるから実用上差し支えない。
又、転写を用いることで修復も容易である。勿論ＳｉＯ
2 の超微粒子を直接単層で密に固定した母型自体を縮小
レンズ系に用いることができるがその場合は、４０ｎｍ
〜５０ｎｍの粒径を採用すべきである。
【００１８】
【発明の効果】本発明方法によりなるフォトマスクブラ
ンクは、レジスト塗布、パターン焼付、エッチングなど
の処理工程を経てフォトマスクとして使用するが、ガラ
ス基板の表面、遮光層の表面からの不要な反射光を低減
することで干渉光の発生を極力排除することができ、鮮
明なパターンの露光が保証される。
ンクは、レジスト塗布、パターン焼付、エッチングなど
の処理工程を経てフォトマスクとして使用するが、ガラ
ス基板の表面、遮光層の表面からの不要な反射光を低減
することで干渉光の発生を極力排除することができ、鮮
明なパターンの露光が保証される。
【図１】本発明の露光装置の一部として使われるフォト
マスクブランクの模式断面図。
マスクブランクの模式断面図。
【図２】スタンパ作成工程を示す模式断面図。
【図３】スタンパの模式断面図。
【図４】光反射防止層がガラス基板に転写された状態を
示す模式断面図。
示す模式断面図。
【図５】図４のものに更に遮光層を蒸着した状態を示す
模式断面図。
模式断面図。
【図６】図５のものにレジスト層を形成した状態を示す
模式断面図。
模式断面図。
【図７】図６のものにエッチングを施して光反射防止層
の一部を露出させた状態を示す模式断面図。
の一部を露出させた状態を示す模式断面図。
【図８】別手法のスタンパ作成工程を示す模式断面図。
【図９】別手法のスタンパの模式断面図。
【図１０】縮小投影露光装置の一例を示す概略側面図。
１ ガラス基板 ２ 光反射防止層 ３、３−１ 遮光層 ５ 低反射ガラス基板 ６ 蒸着層 ７ ニッケル基板 ８ ガラス基板 ９ スタンパ １０ フォトレジスト層 １１ 微細な凹凸面 １２ ガラス基板 １３ 別の実施態様におけるレジスト層 １４ 別の実施態様におけるスタンパ １５ 照射源 １６ コンデンサレンズ １７ フォトマスク １８ マスクマウント １９ 縮小レンズ系 ２０ ウェハ ２１ ウェハチャック ２２ ＸＹステージ ２３ フォトレジスト層
Claims (5)
- 【請求項１】 集積回路を光学的手法により作成する場
合、素地表面に構成する薄膜やレジストなどから成る積
層面に及び／又は照射源から前記積層面に至る光路内に
設けられるマスク、レンズなどの光透過体の少なくとも
一つの面に、連続して屈折率を変化せしめうる、１５ｎ
ｍ乃至１５０ｎｍの深さの微細な凹凸面をスタンパなど
の転写手段を用いて形成し、前記積層面や前記光透過体
での照射光や透過光の反射率を低減させる方法。 - 【請求項２】 連続して屈折率を変化せしめる、１５ｎ
ｍ乃至１５０ｎｍの深さの微細な凹凸面を投影露光法を
手段として形成する方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２の方法を用いてＩ
ＣあるいはＬＳＩなどの集積回路を製造する露光装置。 - 【請求項４】 請求項１又は請求項２に記載の方法によ
り製造されたＩＣあるいはＬＳＩなどの集積回路。 - 【請求項５】 請求項４に記載の集積回路を用いたチッ
プ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2235096A JPH09211842A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 光学的手段を用いた電子回路形成における光反射防止方法及びその装置とその製品 |
| PCT/JP1996/000350 WO1996025677A1 (fr) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | Structure de surface convexe d'un grain ultra-fin |
| EP96902464A EP0757262A4 (en) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | CONVEX SURFACE STRUCTURE MADE OF ULTRAFINE PARTICLES |
| CN96190116A CN1146810A (zh) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | 凸超微粒子的表面结构 |
| KR1019960705880A KR970702504A (ko) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | 볼록 초미립자면 구조 |
| US08/732,482 US6075652A (en) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | Convex-microgranular surface structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2235096A JPH09211842A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 光学的手段を用いた電子回路形成における光反射防止方法及びその装置とその製品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211842A true JPH09211842A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12080218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2235096A Pending JPH09211842A (ja) | 1995-02-17 | 1996-02-08 | 光学的手段を用いた電子回路形成における光反射防止方法及びその装置とその製品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09211842A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6437918B1 (en) | 1996-07-22 | 2002-08-20 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method of manufacturing flat plate microlens and flat plate microlens |
| JP2002287906A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | タッチパネル |
| EP1496394A2 (en) * | 2003-07-10 | 2005-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle, semiconductor exposure apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method |
| WO2022044557A1 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 富士フイルム株式会社 | フォトマスク、露光方法、樹脂パターンの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
-
1996
- 1996-02-08 JP JP2235096A patent/JPH09211842A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6437918B1 (en) | 1996-07-22 | 2002-08-20 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method of manufacturing flat plate microlens and flat plate microlens |
| JP2002287906A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | タッチパネル |
| EP1496394A2 (en) * | 2003-07-10 | 2005-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle, semiconductor exposure apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method |
| EP1496394A3 (en) * | 2003-07-10 | 2006-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle, semiconductor exposure apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method |
| US7348107B2 (en) | 2003-07-10 | 2008-03-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle, semiconductor exposure apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method |
| WO2022044557A1 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 富士フイルム株式会社 | フォトマスク、露光方法、樹脂パターンの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
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