KR20130075291A - 포토마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

포토마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20130075291A KR1020110143606A KR20110143606A KR20130075291A KR 20130075291 A KR20130075291 A KR 20130075291A KR 1020110143606 A KR1020110143606 A KR 1020110143606A KR 20110143606 A KR20110143606 A KR 20110143606A KR 20130075291 A KR20130075291 A KR 20130075291A
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김재훈
양충모
이진욱
홍상수
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Abstract

본 발명은 포토마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에 따른 포토마스크는, 투명부재 및 상기 투명부재의 양면에 각각 패턴 형성된 제1 마스크 및 제2 마스크를 포함한다.

Description

포토마스크 및 그 제조방법{PHOTOMASK AND THE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 포토마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체, LCD 및 터치패널 제조시 기판에 미세 전극을 형성시키위해 포토그라피(photolithography) 공정을 이용하고 있다.
여기서, 포토마스크(potomask)는 포토리소그라피(photolithography) 공정의 중요한 요소 중 하나로서, 전극형성을 위하여 기판에 도금된 감광부가 선택적으로 노광되도록 하여 기판에 전극이 선택적으로 형성시키는 작용을 한다.
또한, 균일한 노광을 위해 노광기의 광원을 조절하는 하거나 포토마스크를 통해 균일한 노광이 가능하도록 한다.
그리고, 종래의 포토마스크는 단면 마스크로 이루어져 컨택(contact) 노광 등으로 회절, 확산되는 빛을 제어해왔다.
하지만, 종래의 포토마스크는 지지기재에 한 층의 포토마스크 만을 형성시켜, 노광시 회절 또는 확산되는 빛을 극히 일부만 제어하는 문제가 있다.
이로 인해, 노광의 정확도가 떨어지고, 전극을 정밀하게 형성시키지 못하는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 노광시 광의 회절을 감소시키는 포토마스크 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 포토마스크의 양면에 동일한 패턴의 마스크를 형성시켜 노광시 포토마스크의 일면을 통해 타면으로 통과하는 광의 회절을 효과적으로 감소시키는 포토마스크 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
아울러, 본 발명의 목적은 포토마스크의 일면 및 타면에 동일한 패턴의 마스크를 형성시키되, 일면에 형성된 마스크의 선폭 및 타면에 형성된 마스크의 선폭 을 다르게 형성시킨 포토마스크 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 포토마스크는, 투명부재 및 상기 투명부재의 양면에 각각 패턴 형성된 제1 마스크 및 제2 마스크를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 상호 동일한 패턴으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 선폭이 서로 상이하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 투명부재는 유리 또는 필름으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 금속으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 은염 유제층을 노광/현상하여 형성된 금속 은으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr) 또는 산화크롬 중에서 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면에 따른 포토마스크 제조방법은, 투명부재의 양면에 금속층을 적층시키는 금속층 형성단계와, 상기 금속층에 패턴화된 레지스트를 형성시키는 레지스트 형성단계 및 상기 레지스트를 통해 상기 금속층을 노광하여 패턴화된 제1 마스크 및 제2 마스크를 형성시키는 마스크 형성단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 레지스트 형성단계는, 상기 금속층에 레지스트 물질을 적층하고, 선택적으로 상기 레지스트 물질을 노광하여 경화시키는 노광단계 및 상기 레지스트 물질 중 경화되지 않은 부분을 선택적으로 제거하여 패턴화된 레지스트를 형성하는 패터닝단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 금속층은 은염 에멀전으로 이루어지되, 상기 마스크 형성단계는, 상기 은염 에멀전을 선택적으로 노광하여 경화된 금속 은을 선택적으로 형성시키는 경화단계 및 상기 은염 에멀전 중 경화되지 않은 부분을 제거하여 패턴화된 제1 마스크 및 제2 마스크를 형성시키는 패터닝단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 마스크 형성단계를 거친 후 상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크에 적층된 상기 레지스트를 분리하는 레지스트 제거 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 마스크 형성단계는 상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크를 상호 동일한 패턴으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 마스크 형성단계는 상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크의 선폭을 서로 상이하게 형성시킬 수 있다.
또한, 상기 투명부재는 유리 또는 필름으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr) 또는 산화크롬 중에서 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 따르면, 노광시 광의 회절을 감소시켜 노광의 정확도를 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 포토마스크의 양면에 동일한 패턴의 마스크를 형성시켜 노광시 포토마스크의 일면을 통해 타면으로 통과하는 광의 회절을 효과적으로 감소시켜, 노광의 정확도를 높이고, 전극의 패턴 형성을 정밀하게 할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 포토마스크의 일면 및 타면에 동일한 패턴의 마스크를 형성시키되, 일면에 형성된 마스크의 선폭 및 타면에 형성된 마스크의 선폭 을 다르게 형성되시켜 광량을 조절할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예 따른 포토마스크를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 공정순서대로 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예 따른 포토마스크 제조방법으로 제조된 포토마스크를 나타낸 사용상태도이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예 및 다른 실시예에 따른 포토마스크를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크(100)는, 투명부재(110) 및 투명부재(110)의 양면에 형성되는 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)를 포함한다.
이하에서, 도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예인 포토마스크(100)에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 도 1을 참고하면, 투명부재(110)는 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)가 형성되는 지지부를 제공한다.
또한, 투명부재(110)는 유리 또는 필름으로 이루어질 수 있다.
여기서, 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 고리형 올레핀 고분자(COC), TAC(Triacetylcellulose) 필름, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol, PVA) 필름, 폴리이미드(Polyimide, PI) 필름, 폴리스틸렌(Polystyrene, PS), 이축연신폴리스틸렌(K레진 함유 biaxially oriented PS, BOPS) 등으로 형성될 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 투명부재(110)의 양면을 활성화시키기 위해서 고주파 처리 또는 프라이머(primer) 처리를 수행할 수 있다. 투명부재(110)의 양면을 활성화시킴으로써, 투명부재(110)와 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다.
그리고, 도 1을 참고하면, 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)는 투명부재(110)의 양면에 선택적으로 형성되어 노광시 빛을 선택적으로 차단한다.
이때, 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)는 패턴 형성되어 노광시 광을 선택적으로 차단함에 따라, 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)를 선택적으로 광이 통과한다.
이에 따라, 선택적으로 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)를 통과한 광에 의해 투명기판(10)에 형성된 전극층(20)을 선택적으로 패턴형성시킬 수 있다.
또한, 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)는 상호 동일한 패턴으로 형성되되, 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)의 선폭은 서로 상이하게 형성될 수 있다.
여기서, 제1 마스크(121)의 선폭은 제2 마스크(141)의 선폭보다 작게 형성될 수 있다. 이때, 예를 들어 제1 마스크(121)의 선폭은 제2 마스크(141)의 선폭 보다 12~20% 작게 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 마스크(121)의 선폭 및 제2 마스크(141)의 선폭이 여기에 반드시 한정되는 것은 아니다.
아울러, 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)는 금속으로 형성될 수 있다. 이때, 금속은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr) 또는 산화크롬(chrome oxide) 중에서 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
여기서, 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)가 구리(Cu)로 형성하는 경우, 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)의 표면은 흑화처리하여 광이 반사되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제1 마스크(121) 및 상기 제2 마스크(141)는 은염 유제층을 노광/현상하여 형성된 금속 은으로 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 포토마스크 제조방법은 투명부재(110)의 양면에 금속층(120,140)을 적층시키는 금속층 형성단계(S10)와, 금속층(120,140)에 레지스트(regist)(131,151)를 적층시키는 레지스트 형성단계(S20) 및 금속층(120,140)을 선택적으로 패턴화시켜 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)를 형성시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크(100)에 대한 제조방법에 관한 것으로서, 동일한 구성에 대하여는 동일한 도번 부호를 기재하기로 한다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 공정순서대로 나타낸 단면도이며, 도 7은 본 발명의 다른 실시예 따른 포토마스크 제조방법으로 제조된 포토마스크를 나타낸 사용상태도이다.
이하에서, 도 2 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예인 포토마스크 제조방법에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 금속층(120,140) 형성단계는 투명부재(110)의 양면에 금속층(120,140)을 적층하여 금속층(120,140)을 형성시킨다.
또한, 투명부재(110)는 유리 또는 필름으로 이루어질 수 있다.
여기서, 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 고리형 올레핀 고분자(COC), TAC(Triacetylcellulose) 필름, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol, PVA) 필름, 폴리이미드(Polyimide, PI) 필름, 폴리스틸렌(Polystyrene, PS), 이축연신폴리스틸렌(K레진 함유 biaxially oriented PS, BOPS) 등으로 형성될 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 투명부재(110)의 양면을 활성화시키기 위해서 고주파 처리 또는 프라이머(primer) 처리를 수행할 수 있다. 투명부재(110)의 양면을 활성화시킴으로써, 투명부재(110)와 금속층(120,140) 사이의 접착력을 향상시킴으로써, 금속층(120,140)을 패턴화 시킨 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 레지스트 형성단계(S20)는 노광단계 및 패터닝단계를 포함한다.
먼저, 도 3을 참조하면, 노광단계는 투명부재(110)의 양면에 각각 형성된 금속층(120,140)에 레지스트 물질(130,150)을 적층하여 형성시킨다.
또한, 노광기로 광(자외선)을 레지스트 물질(130,150) 방향으로 조사하여 투명부재(110)의 양측에 위치된 레지스트 물질(130,150)을 선택적으로 경화시킨다. 이때, 레지스트 물질(130,150)은 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.
도 4를 참조하면, 패터닝단계는 레지스트 물질(130,150) 중 경화되지 않은 부분을 탄산나트륨(Na2CO3) 또는 탄산칼륨(K2CO3)등의 현상액으로 용해시켜 제거한다.
여기서, 레지스트 물질(130,150)을 선택적으로 제거함으로써 개구부가 형성되도록 레지스트 물질(130,150)을 패터닝하여 패턴화된 레지스트(131,151)를 형성시킬 수 있다.
도 5를 참고하면, 마스크 형성단계(S30)는 레지스트(131,151)의 개구부를 통해서 노출된 금속층(120,140)을 선택적으로 노광하여 패턴화으로써 금속 재질의 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)를 형성시킬 수 있다.
또한, 노광을 통한 패턴화 방법은 금속층(120,140)이 은염 에멀전(은염 유제층)으로 이루어져서 노광기를 통해 은염 에멀전을 선택적으로 노광하여 패턴을 형성시킨다.
이때, 마스크 형성단계(S30)가 경화단계 및 패터닝단계를 포함하여 이루어진다.
여기서, 경화단계는 은염 에멀전을 선택적을 노광하여 경화시킴으로써, 은염 에멀전의 선택적을 노광된 부분에 금속 은이 형성된다.
아울러, 패터닝 단계는 은염 에멀전 중 경화되지 않은 부분을 제거함으로써, 경화된 부분에 제거되지 않은 금속 은이 패턴을 형성하여 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)를 형성한다.
한편, 도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법은 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)에 적층된 레지스트(131,151)를 분리하여 제거시키는 레지스트 제거단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)를 상호 동일한 패턴으로 형성하되, 상기 제1 마스크(121) 및 상기 제2 마스크(141)의 선폭을 서로 상이하게 형성시킬 수 있다.
여기서, 제1 마스크(121)의 선폭은 제2 마스크(141)의 선폭 보다 작게 형성될 수 있다. 이때, 제1 마스크(121)의 선폭은 제2 마스크(141)의 선폭 보다 12~20% 작게 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 마스크(121)의 선폭 및 제2 마스크(141)의 선폭이 여기에 반드시 한정되는 것은 아니다.
따라서, 그리고, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법은 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)가 동일한 패턴으로 투명부재(110)의 양면에 형성된 포토마스크(100)를 형성시킬 수 있다.
여기서, 포토마스크(100)는 패턴화된 전극(21)을 형성시키기 위해 투명기판(10)에 적층된 전극층(20)을 노광시, 투명기판(10)을 기준으로 광원방향에 위치되어 광을 선택적으로 통과시킨다.
한편, 금속층(120,140)이 금속으로 이루어짐에 따라 제1 마스크 및 제2 마스크도 동일한 금속으로 이루어진다.
이때, 금속은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr) 또는 산화크롬(chrome oxide) 중에서 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
이하에서 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법에 따른 포토마스크(100)의 작용을 설명하면,
먼저, 도 7을 참고하면, 투명기판(10)에 형성된 전극층(20)을 노광시 광이 포토마스크(100)의 제1 마스크(121)의 개구부(122)와 투명부재(110)를 거쳐 제2 마스크(141)의 개구부(142)를 통해 투명기판(10)에 적층된 전극층(20)에 주사된다.
이때, 광이 제1 마스크(121)의 개구부(122)를 통해 투명부재(110)를 통과시 직진하거나 굴절되는데, 많이 굴절(회절)되는 광은 제1 마스크(121)와 동일패턴으로 형성된 제2 마스크(141)에의해 반사되어 걸러질 수 있다.
이에 따라, 제1 마스크(121) 및 제2 마스크(141)가 양면에 이중으로 형성된 포토마스크(100)를 통해 정확하게 전극층(20)에 광을 조사할 수 있어 정밀하게 패턴화된 전극(21)을 형성시킬수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 포토마스크 및 그 제조방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
또한, 본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
10 : 투명기판 20 : 전극층
21 : 전극 100 : 포토마스크
110 : 투명부재 120,140 : 금속층
121 : 제1 마스크 122,142 : 개구부
130,150 : 레지스트 물질 141 : 제2 마스크
131,151 : 레지스트

Claims (15)

  1. 투명부재; 및
    상기 투명부재의 양면에 각각 패턴 형성된 제1 마스크 및 제2 마스크;
    를 포함하는 포토마스크.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 상호 동일한 패턴으로 형성되는 포토마스크.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 선폭이 서로 상이하게 형성되는 포토마스크.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 투명부재는 유리 또는 필름으로 이루어지는 포토마스크.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 금속으로 형성되는 포토마스크.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 은염 유제층을 노광/현상하여 형성된 금속 은으로 형성되는 포토마스크.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr) 또는 산화크롬 중에서 어느 하나 이상으로 형성되는 포토마스크.
  8. 투명부재의 양면에 금속층을 적층시키는 금속층 형성단계;
    상기 금속층에 패턴화된 레지스트를 형성시키는 레지스트 형성단계; 및
    상기 레지스트를 통해 상기 금속층을 노광하여 패턴화된 제1 마스크 및 제2 마스크를 형성시키는 마스크 형성단계;
    를 포함하는 포토마스크 제조방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 레지스트 형성단계는,
    상기 금속층에 레지스트 물질을 적층하고, 선택적으로 상기 레지스트 물질을 노광하여 경화시키는 노광단계; 및
    상기 레지스트 물질 중 경화되지 않은 부분을 선택적으로 제거하여 패턴화된 레지스트를 형성하는 패터닝단계;
    를 포함하는 포토마스크 제조방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 금속층은 은염 에멀전으로 이루어지되,
    상기 마스크 형성단계는, 상기 은염 에멀전을 선택적으로 노광하여 경화된 금속 은을 선택적으로 형성시키는 경화단계; 및
    상기 은염 에멀전 중 경화되지 않은 부분을 제거하여 패턴화된 제1 마스크 및 제2 마스크를 형성시키는 패터닝단계;
    를 포함하는 포토마스크 제조방법.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 마스크 형성단계를 거친 후
    상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크에 적층된 상기 레지스트를 분리하는 레지스트 제거 단계;
    를 더 포함하는 포토마스크 제조방법.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 마스크 형성단계는
    상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크를 상호 동일한 패턴으로 형성하는 포토마스크 제조방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 마스크 형성단계는
    상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크의 선폭을 서로 상이하게 형성시키는 포토마스크.
  14. 청구항 8에 있어서,
    상기 투명부재는 유리 또는 필름으로 이루어지는 포토마스크 제조방법.
  15. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 마스크 및 상기 제2 마스크는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr) 또는 산화크롬 중에서 어느 하나 이상으로 형성되는 포토마스크 제조방법.
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