WO2017018831A1 - 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 - Google Patents

포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2017018831A1
WO2017018831A1 PCT/KR2016/008299 KR2016008299W WO2017018831A1 WO 2017018831 A1 WO2017018831 A1 WO 2017018831A1 KR 2016008299 W KR2016008299 W KR 2016008299W WO 2017018831 A1 WO2017018831 A1 WO 2017018831A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
unit
mask pattern
photomask
light shielding
substrate
Prior art date
Application number
PCT/KR2016/008299
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
손용구
이기석
이승헌
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to JP2017559568A priority Critical patent/JP6458972B2/ja
Priority to US15/580,241 priority patent/US10747101B2/en
Priority to CN201680033687.6A priority patent/CN107710071A/zh
Priority to EP16830864.1A priority patent/EP3330795B1/en
Publication of WO2017018831A1 publication Critical patent/WO2017018831A1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48—Protective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

Definitions

  • the present specification relates to a photomask, a laminate including the photomask, a manufacturing method of the photomask, and a pattern forming method using the photomask.
  • a photoresist is uniformly coated on a substrate, and a pattern on the photomask is exposed using an exposing device and a photomask, followed by developing and post-baking. It refers to all processes of forming a pattern.
  • the photoresist layer is a positive resist layer, chemical change of the resist layer material occurs in the exposed areas, and the material may fall away from the resist layer upon development. In contrast, if the photoresist layer is a negative resist layer, the unexposed material falls off during development.
  • a transparent substrate on which a mask pattern is formed is disposed as a photomask, and light is irradiated onto the photomask to form a resist pattern having a predetermined shape in the resist film.
  • the present specification provides a photomask, a laminate including the photomask, a manufacturing method of the photomask, and a pattern forming method using the photomask.
  • first unit comprising a first light shielding mask pattern provided on a first substrate; A second unit including a second light shielding mask pattern provided on the second substrate; An intermediate layer disposed between a surface on which the first shading mask pattern of the first unit is provided and a surface on which the second shading mask pattern of the second unit is provided; And a transparent flat layer positioned on a surface opposite to the surface on which the intermediate layer of the second unit is provided.
  • the present specification includes a first unit including an exposure object including a photoresist layer provided on a base plate and a first light shielding mask pattern provided on a first substrate; A second unit including a second light shielding mask pattern provided on the second substrate; An intermediate layer disposed between a surface on which the first shading mask pattern of the first unit is provided and a surface on which the second shading mask pattern of the second unit is provided; And a photomask including a transparent flat layer disposed on a surface opposite to a surface on which the intermediate layer of the second unit is provided, wherein the photoresist layer of the exposed object contacts the transparent flat layer of the photomask.
  • the present specification comprises the steps of preparing a first unit including a first shading mask pattern provided on the first substrate and a second unit including a second shading mask pattern provided on the second substrate; Stacking a second unit on the intermediate layer after forming an intermediate layer on a surface having the first light shielding mask pattern of the first unit; And forming a transparent flat layer on a surface opposite to the surface on which the intermediate layer of the second unit is provided.
  • the present specification comprises the steps of preparing an exposure object including a photoresist layer provided on a base plate;
  • a first unit includes a first light shielding mask pattern provided on a first substrate, a second unit including a second light shielding mask pattern provided on a second substrate, and a first light shielding mask pattern of the first unit.
  • the photomask comprising an intermediate layer positioned between the surface of the second unit and the surface provided with the second light shielding mask pattern of the second unit, and a transparent flat layer positioned opposite to the surface provided with the intermediate layer of the second unit. Laminating the flat layer to contact the photoresist layer of the object to be exposed; An exposure step of irradiating light from the first substrate side of the photomask; And separating the photomask from the exposure object after exposure.
  • the photomask according to the present disclosure can manufacture a large area or wide photomask.
  • the photomask according to the present disclosure may prevent contamination caused by contact between the photoresist layer of the object to be exposed and the light shielding pattern layer by applying the transparent flat layer.
  • FIG. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a photomask according to an exemplary embodiment of the present specification.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating a light shielding mask pattern of a photomask according to an exemplary embodiment of the present specification.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating a pattern forming method using a photomask according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 4 is a pattern image manufactured using a photomask according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the photomask of Comparative Example 1.
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the photomask of Comparative Example 2.
  • first unit comprising a first light shielding mask pattern provided on a first substrate; A second unit including a second light shielding mask pattern provided on the second substrate; An intermediate layer disposed between a surface on which the first shading mask pattern of the first unit is provided and a surface on which the second shading mask pattern of the second unit is provided; And a transparent flat layer positioned on a surface opposite to the surface on which the intermediate layer of the second unit is provided.
  • the first unit may include a first shading mask pattern provided on a first substrate
  • the second unit may include a second shading mask pattern provided on a second substrate.
  • the material of the first substrate and the second substrate is not particularly limited, it is preferable that the adhesion between the light shielding mask pattern and the intermediate layer is good, and the substrate having the photomask may have minimal influence on the light passing through the photomask. .
  • the first substrate and the second substrate may be rigid substrates or flexible substrates, respectively.
  • the flexible substrate may be a plastic substrate or a plastic film.
  • the plastic substrate or the plastic film is not particularly limited, but for example, polyacrylate, polypropylene (PP, polypropylene), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene ether phthalate, Polyethylene phthalate, polybutylene phthalate, polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polystyrene (PS, polystyrene), polyether imide, poly It may include any one or more of polyether sulfone (polyether sulfone), polydimethyl siloxane (PDMS; polydimethyl siloxane), polyether ether ketone (PEEK; Polyetheretherketone) and polyimide (PI).
  • PP polypropylene
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PC polycarbonate
  • PS polysty
  • the first substrate and the second substrate may each be a substrate having high transparency, and the light transmittance of the first substrate and the second substrate may be 50% or more.
  • the refractive index of the first substrate and the second substrate is preferably less than the refractive index of the intermediate layer, respectively, the refractive index of the first substrate and the second substrate may be 1.45 to 1.65, respectively.
  • the first substrate and the second substrate may be made of the same or different materials, but the first substrate and the second substrate are preferably made of the same material.
  • the first shading mask pattern of the first unit partially overlaps the second shading mask pattern of the second unit, or the first shading mask pattern of the first unit does not overlap the second shading mask pattern of the second unit. You may not. In detail, the first shading mask pattern of the first unit may partially overlap the second shading mask pattern of the second unit.
  • the first light shielding mask pattern of the first unit may partially overlap the second light shielding mask pattern of the second unit.
  • the surface provided with the first shading mask pattern of the first unit and the surface provided with the second shading mask pattern of the second unit may face each other. As illustrated in FIG. 1, the surface provided with the first shading mask pattern of the first unit and the surface provided with the second shading mask pattern of the second unit may face each other.
  • the intermediate layer is positioned between the surface with the first light shielding mask pattern of the first unit and the surface with the second light shielding mask pattern of the second unit, and has an adhesive force capable of bonding the first unit and the second unit. It is desirable to have minimal impact on the light passing through the photomask.
  • the intermediate layer may include a silicone-based resin, specifically, may include a siloxane-based resin, and more specifically, may include PDMS (polydimethylsiloxane).
  • the intermediate layer may have a thickness of 1 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, but is not limited thereto.
  • the transparent flat layer is located on a surface opposite to the surface on which the intermediate layer of the second unit is provided, and the surface opposite to the surface on which the intermediate layer of the second unit is provided is a flat layer. It is preferable that the surface roughness Ra which shows the planarization degree of the opposite surface to the surface provided with the intermediate
  • the transparent flat layer is preferably not able to be blocked by the light shielding mask pattern and can minimally affect the light passing through the photomask.
  • the transparent flat layer may use a material having high transparency, and the light transmittance of the transparent flat layer may be 50% or more.
  • the refractive index of the transparent flat layer is preferably less than the refractive index of the first substrate, the second substrate and the intermediate layer, the refractive index of the transparent flat layer may be 1.43 or more and 1.49 or less.
  • the transparent flat layer may have a thickness of 1 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less. Specifically, the thickness of the transparent flat layer may be 1 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the transparent flat layer preferably has excellent coating properties, high light transmittance to form a flat layer, and has adhesiveness and mold release property to be attached to and separated from the surface of another object.
  • the transparent flat layer may include a silicone-based resin, specifically, may include a siloxane-based resin, and more specifically, may include polydimethylsiloxane (PDMS).
  • a silicone-based resin specifically, may include a siloxane-based resin, and more specifically, may include polydimethylsiloxane (PDMS).
  • PDMS polydimethylsiloxane
  • the transparent flat layer may include the same or different silicone-based resin as the intermediate layer. It is preferable that the said transparent flat layer contains the same silicone type resin as an intermediate
  • the present specification provides an exposure object including a photoresist layer provided on a base plate and a first unit including a first light shielding mask pattern provided on a first substrate; A second unit including a second light shielding mask pattern provided on the second substrate; An intermediate layer disposed between a surface on which the first shading mask pattern of the first unit is provided and a surface on which the second shading mask pattern of the second unit is provided; And a photomask including a transparent flat layer disposed on a surface opposite to a surface on which the intermediate layer of the second unit is provided, wherein the photoresist layer of the exposed object contacts the transparent flat layer of the photomask.
  • the material of the substrate is not particularly limited, but the substrate may be a rigid material or a flexible material.
  • the rigid material may include glass, metal, rigid plastic, or thick plastic.
  • the soft material may include a soft plastic or a thin plastic.
  • the thickness of the substrate may be 15 ⁇ m or more and 2 mm or less, but is not limited thereto.
  • the photoresist layer PR refers to a layer including a polymer that changes resistance to a developer by exposure to light, and the photoresist layer may be a positive photoresist layer or a negative photoresist layer. Specifically, the photoresist layer is preferably a positive photoresist layer.
  • the thickness of the photoresist layer may be 100 nm or more and 10 ⁇ m or less, but is not limited thereto.
  • the exposure object may further include a metal layer provided between the substrate and the photoresist layer.
  • the material of the metal layer is not particularly limited, but the metal layer may include at least one of copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al), molybdenum (Mo), nickel (Ni), gold (Au), and silver (Ag). It can be done as one.
  • Description of the photomask in the laminate may refer to the description of the photomask described above.
  • the present specification provides a method of preparing a semiconductor device, comprising: preparing a first unit including a first light shielding mask pattern provided on a first substrate and a second unit including a second light shielding mask pattern provided on a second substrate; Stacking a second unit on the intermediate layer after forming an intermediate layer on a surface having the first light shielding mask pattern of the first unit; And forming a transparent flat layer on a surface opposite to the surface on which the intermediate layer of the second unit is provided.
  • the method of manufacturing the photomask includes preparing a first unit including a first shading mask pattern provided on a first substrate and a second unit including a second shading mask pattern provided on a second substrate. can do.
  • the method of forming a first light shielding mask pattern and a second light shielding mask pattern on the first substrate and the second substrate may be inkjet printing, gravure printing, gravure offset printing, screen printing, reverse offset printing, and photolithography, respectively.
  • the method of forming the first light shielding mask pattern and the second light shielding mask pattern on the first substrate and the second substrate, respectively may be photolithography, depositing a light shielding mask metal and forming an etching resist pattern on the substrate. After that, the metal may be selectively removed through an etching process, and finally, the etching resist pattern on the shading mask pattern may be peeled off to form the shading mask pattern.
  • the description of the first unit and the second unit may refer to the above description.
  • the method of manufacturing the photomask may include forming an intermediate layer on a surface having the first light shielding mask pattern of the first unit and then stacking a second unit on the intermediate layer.
  • the method of forming the intermediate layer may include applying a composition for forming the intermediate layer on a surface with the first light shielding mask pattern of the first unit, and then drying and curing the composition.
  • the stacking of the second unit on the intermediate layer may include stacking the second substrate of the second unit on the intermediate layer so as to be in contact with each other, or the second substrate having the second light shielding mask pattern of the second unit on the intermediate layer. It can be laminated so that it may contact.
  • the second substrate on which the second light shielding mask pattern of the second unit is provided on the intermediate layer it is preferable to stack the second substrate on which the second light shielding mask pattern of the second unit is provided on the intermediate layer to be in contact with each other. That is, it is preferable that the surface provided with the first shading mask pattern of the first unit and the surface provided with the second shading mask pattern of the second unit face each other.
  • the method of manufacturing the photomask may include forming a transparent flat layer on a surface opposite to a surface on which the intermediate layer of the second unit is provided.
  • the forming of the transparent flat layer may include applying a composition for forming the transparent flat layer to a surface opposite to a surface provided with an intermediate layer of the second unit; And drying and curing the composition.
  • the coating, drying and curing methods may be used a method generally used in the art.
  • the composition for forming the transparent flat layer may include a silicone-based resin, specifically, may include a siloxane-based resin, and more specifically, may include PDMS (polydimethylsiloxane).
  • the composition for forming the intermediate layer and the composition for forming the transparent flat layer may each include a silicone resin, and the composition for forming the intermediate layer includes the same or different silicone resin as the composition for forming the transparent flat layer. can do.
  • the composition for forming the intermediate layer preferably comprises the same silicone resin as the composition for forming the transparent flat layer.
  • the composition for forming the intermediate layer and the composition for forming the transparent flat layer may each further include a curing agent.
  • the curing agent is not particularly limited, and a material generally used in the art may be selected.
  • a first unit includes a first light shielding mask pattern provided on a first substrate, a second unit including a second light shielding mask pattern provided on a second substrate, and a first light shielding mask pattern of the first unit.
  • the photomask comprising an intermediate layer positioned between the surface of the second unit and the surface provided with the second light shielding mask pattern of the second unit, and a transparent flat layer positioned opposite to the surface provided with the intermediate layer of the second unit. Laminating the flat layer to contact the photoresist layer of the object to be exposed; An exposure step of irradiating light from the first substrate side of the photomask; And separating the photomask from the exposure object after exposure.
  • the pattern forming method may further include forming a photoresist pattern by separating the photomask and developing the exposed object.
  • the photoresist pattern may be formed by applying a developer to the exposed object, or the photoresist pattern may be formed by immersing the exposed object in a developer.
  • the exposed object further includes a metal layer provided between the substrate and the photoresist layer, separating the photomask and developing the exposed exposed object to form a photoresist pattern; And forming a metal pattern by etching a portion of the metal layer in which the photoresist pattern is not formed.
  • the forming of the metal pattern may include etching an portion where the photoresist pattern of the metal layer is not formed; And removing the photoresist pattern after etching the metal layer.
  • a silicone-based resin composition is applied to a surface having a first light shielding mask pattern of a size of 500 mm X 500 mm using a baker applicator to a thickness of 100 ⁇ m, dried at 70 ° C. for 10 minutes, and finally an intermediate layer having a thickness of 30 ⁇ m. Formed.
  • said silicone type resin composition what mix
  • the second light blocking mask pattern of the second unit having a size of 500 mm ⁇ 500 mm was provided to face each other.
  • the first and second units were provided with an aluminum (Al) mesh pattern having a line width of 10 ⁇ m, a line distance of 300 ⁇ m, and a line height of 100 nm on a 100 ⁇ m thick PET substrate.
  • the silicon-based resin composition was applied to the surface opposite to the surface on which the intermediate layer of the second unit was provided to a thickness of 100 ⁇ m using a baker applicator, followed by drying and thermosetting at 100 ° C. for 10 minutes to finally form a transparent flat layer of 30 ⁇ m thickness To form a film photomask as shown in FIG.
  • a positive photoresist composed of a noblock resin and a diazonaphthoquinone derivative was applied to a 100 ⁇ m thick PET substrate using a slot die coater at a thickness of 1.5 ⁇ m.
  • the manufactured film photomask and the said exposure object were laminated
  • the film photomask was separated from the object to be exposed, and the object to be immersed for 50 seconds in a developer solution of 2.38wt% of tetramethyl ammounium hydroxide (TMAH). To form a photoresist pattern.
  • TMAH tetramethyl ammounium hydroxide
  • a film photomask was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the mesh patterns of the first unit and the second unit were overlapped as shown in FIG. 4, and the photoresist pattern was applied to the exposed object using the manufactured film photomask. Formed.
  • the line widths of the photoresist pattern formed by the first shading mask pattern of the first unit and the photoresist pattern formed by the second shading mask pattern of the second unit are the same.
  • Comparative Example 1 Except not forming a transparent flat layer in the Example, and was prepared in the same, the structure of Comparative Example 1 is shown in FIG.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 명세서는 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.

Description

포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
본 출원은 2015년 07월 28일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2015-0106833호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
디스플레이 장치의 패턴을 형성하는 경우에, 기판에 패턴을 형성하는 방법 중에서, 포토마스크를 이용한 포토리소그래피법이 많이 사용되고 있다.
상기 포토리소그래피법은 포토레지스트(photoresist)를 기재 상에 균일하게 도포하고, 노광(exposing) 장비와 포토마스크를 사용하여 포토마스크 상의 패턴을 노광시킨 후, 현상(developing), 포스트 베이크 과정을 거쳐 원하는 패턴을 형성시키는 모든 공정을 말한다.
상기 포토레지스트 층이 포지티브(positive) 레지스트 층이면, 노광된 영역에서 레지스트 층 재료의 화학적 변화가 일어나고, 상기 재료는 현상 시에 레지스트 층으로부터 떨어져 나갈 수 있다. 이에 반해, 포토레지스트 층이 네가티브(negative) 레지스트 층이면, 현상 시에 노광되지 않은 재료가 떨어져 나간다.
이때, 포토리소그래피법은 마스크패턴이 형성된 투과성 기판을 포토마스크로 배치하고 상기 포토마스크 상에 빛을 조사하여 레지스트막에 소정형상의 레지스트 패턴을 형성한다.
본 명세서는 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법을 제공하고자 한다.
본 명세서는 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛; 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 제공한다.
또한, 본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물 및 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛; 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 포함하고, 상기 노광대상물의 포토레지스트층은 포토마스크의 투명평탄층과 접촉하는 것인 적층체를 제공한다.
또한, 본 명세서는 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛 및 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛을 준비하는 단계; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 중간층을 형성한 후 상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물을 준비하는 단계; 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛, 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층, 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크의 투명평탄층과 상기 노광대상물의 포토레지스트층을 접촉하도록 라미네이트하는 단계; 상기 포토마스크의 제1 기판 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및 노광 후 상기 노광대상물로부터 상기 포토마스크를 분리하는 단계를 포함하는 것인 패턴형성방법을 제공한다.
본 명세서에 따른 포토마스크는 대면적 또는 광폭의 포토마스크를 제조할 수 있다.
본 명세서에 따른 포토마스크는 투명평탄층의 적용으로 노광대상물의 포토레지스트층과 차광패턴층의 접촉으로 발생하는 오염을 방지할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 포토마스크의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 포토마스크의 차광마스크패턴을 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 포토마스크를 이용한 패턴형성방법을 나타내는 순서도이다.
도 4는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 포토마스크를 이용하여 제조된 패턴이미지 이다.
도 5는 비교예 1의 포토마스크의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 6은 비교예 2의 포토마스크의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
이하에서 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서는 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛; 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 제공한다.
상기 제1 유닛은 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하며, 상기 제2 유닛은 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 차광마스크 패턴 및 중간층과의 접착성이 좋고, 포토마스크의 기판으로서 포토마스크를 투과하는 빛에 최소한으로 영향을 미칠 수 있는 것이 바람직하다.
상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각 강성 기판이거나 플렉서블 기판일 수 있다. 상기 플렉서블 기판은 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름일 수 있다. 상기 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름은 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone) 및 폴리이미드(PI; polyimide) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각 투명도가 높은 기판을 사용할 수 있으며, 상기 제1 기판 및 제2 기판의 광투과도는 50 % 이상일 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판의 굴절률은 각각 중간층의 굴절률과 차이가 적은 것이 바람직하며, 상기 제1 기판 및 제2 기판의 굴절률은 각각 1.45 이상 1.65 이하일 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판은 동일하거나 상이한 재질로 이루어질 수 있으나, 상기 제1 기판 및 제2 기판은 동일한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 일부가 겹치거나, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 겹치지 않을 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 일부가 겹칠 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 일부가 겹칠 수 있다.
상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주볼 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주볼 수 있다.
상기 중간층은 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하며, 제1 유닛과 제2 유닛을 접착할 수 있는 접착력을 가지고, 포토마스크를 투과하는 빛에 최소한으로 영향을 미칠 수 있는 것이 바람직하다.
상기 중간층은 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 실록산계 수지를 포함할 수 있고, 더 구체적으로, PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함할 수 있다.
상기 중간층의 두께는 1㎛이상 500㎛ 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 투명평탄층은 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하며, 제2 유닛의 중간층이 구비된 면의 반대면은 평탄한 층이다. 상기 투명평탄층 중 제2 유닛의 중간층이 구비된 면의 반대면의 평탄화도를 나타내는 표면거칠기(Ra)는 0.1nm 이상 20nm 이하인 것이 바람직하다.
상기 투명평탄층은 차광마스크 패턴에 의해 차단되지 않고 포토마스크를 투과하는 빛에 최소한으로 영향을 미칠 수 있는 것이 바람직하다. 상기 투명평탄층은 투명도가 높은 재료를 사용할 수 있으며, 상기 투명평탄층의 광투과도는 50 % 이상일 수 있다.
상기 투명평탄층의 굴절률은 제1 기판, 제2 기판 및 중간층의 굴절률과 차이가 적은 것이 바람직하며, 상기 투명평탄층의 굴절률은 1.43 이상 1.49 이하일 수 있다.
상기 투명평탄층의 두께는 1㎛ 이상 500㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 투명평탄층의 두께는 1㎛ 이상 50㎛ 이하일 수 있다.
상기 투명평탄층은 평탄층을 형성할 수 있도록 도포특성이 우수하고, 광투과도가 높으며, 다른 물체의 표면에 부착되고 분리될 수 있도록 점착성과 이형성을 갖는 것이 바람직하다.
상기 투명평탄층은 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 실록산계 수지를 포함할 수 있고, 더 구체적으로, PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함할 수 있다.
상기 투명평탄층은 중간층과 동일한 또는 상이한 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 상기 투명평탄층은 중간층과 동일한 실리콘계 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물 및 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛; 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 포함하고, 상기 노광대상물의 포토레지스트층은 포토마스크의 투명평탄층과 접촉하는 것인 적층체를 제공한다.
상기 기재의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 상기 기재는 강성 재질 또는 연성 재질일 수 있다.
상기 강성 재질은 유리, 금속, 강성 플라스틱 또는 두꺼운 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 연성 재질은 연성 플라스틱 또는 얇은 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 기재의 두께는 15㎛ 이상 2mm 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 포토레지스트층(PR, Photoresist)은 빛에 노출됨으로써 현상액에 대한 내성이 변화하는 고분자를 포함하는 층을 의미하며, 상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트층 또는 네가티브 포토레지스트층일 수 있다. 구체적으로, 상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트층인 것이 바람직하다.
상기 포토레지스트층의 두께는 100nm 이상 10㎛ 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 노광대상물은 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함할 수 있다.
상기 금속층의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 상기 금속층은 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 금(Au), 및 은(Ag) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 적층체에서 포토마스크에 대한 설명은 상술한 포토마스크에 대한 설명을 인용할 수 있다.
본 명세서는 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛 및 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛을 준비하는 단계; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 중간층을 형성한 후 상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법을 제공한다.
상기 포토마스크의 제조방법은 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛 및 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛을 준비하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판 상에 각각 제1 차광마스크 패턴 및 제2 차광마스크 패턴을 형성하는 방법은 각각 잉크젯프린팅, 그라비아프린팅, 그라비아오프셋프린팅, 스크린프린팅, 리버스오프셋프린팅, 및 포토리소그래피일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 기판 및 제2 기판 상에 각각 제1 차광마스크 패턴 및 제2 차광마스크 패턴을 형성하는 방법은 포토리소그래피일 수 있으며, 기판 상에 차광마스크 금속을 증착하고 에칭 레지스트 패턴을 형성한 후, 식각공정을 통해 에칭 레지스트 패턴이 구비되지 않은 영역의 금속을 선택적으로 제거하며 최종적으로 차광마스크 패턴 상의 에칭 레지스트 패턴을 박리하여 차광마스크 패턴을 형성할 수 있다.
상기 제1 유닛 및 제2 유닛에 대한 설명은 상술한 바를 인용할 수 있다.
상기 포토마스크의 제조방법은 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 중간층을 형성한 후 상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 중간층을 형성하는 방법은 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 중간층을 형성하기 위한 조성물을 도포한 후 상기 조성물을 건조 및 경화하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계는 상기 중간층 상에 제2 유닛의 제2 기판이 접촉하도록 적층하거나, 상기 중간층 상에 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 제2 기판의 면이 접촉하도록 적층할 수 있다. 구체적으로, 상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계는 상기 중간층 상에 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 제2 기판의 면이 접촉하도록 적층하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주보는 것이 바람직하다.
상기 포토마스크의 제조방법은 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 투명평탄층을 형성하는 단계는 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물을 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 도포하는 단계; 및 상기 조성물을 건조 및 경화시키는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 도포, 건조 및 경화방법은 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 방법을 채용할 수 있다.
상기 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물은 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 실록산계 수지를 포함할 수 있고, 더 구체적으로, PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함할 수 있다.
상기 중간층을 형성하기 위한 조성물 및 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물은 각각 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 상기 중간층을 형성하기 위한 조성물은 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물과 동일한 또는 상이한 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 상기 중간층을 형성하기 위한 조성물은 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물과 동일한 실리콘계 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 중간층을 형성하기 위한 조성물 및 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물은 각각 경화제를 더 포함할 수 있다. 상기 경화제는 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 재질을 선택할 수 있다.
본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물을 준비하는 단계; 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛, 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층, 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크의 투명평탄층과 상기 노광대상물의 포토레지스트층을 접촉하도록 라미네이트하는 단계; 상기 포토마스크의 제1 기판 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및 노광 후 상기 노광대상물로부터 상기 포토마스크를 분리하는 단계를 포함하는 것인 패턴형성방법을 제공한다.
상기 패턴형성방법에서, 상술한 설명과 중복되는 설명은 생략하며, 상술한 설명을 인용할 수 있다.
상기 패턴형성방법은 상기 포토마스크를 분리한 후 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 노광된 노광대상물을 현상하는 방법은 현상액을 노광된 노광대상물에 도포하는 방식으로 포토레지스트패턴을 형성하거나, 노광된 노광대상물을 현상액에 침지하는 방식으로 포토레지스트패턴을 형성할 수 있다.
상기 노광대상물이 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함하는 경우, 상기 포토마스크를 분리한 후 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속층의 포토레지스트패턴이 형성되지 않은 부분을 식각하여 금속패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 금속패턴을 형성하는 단계는 상기 금속층의 포토레지스트패턴이 형성되지 않은 부분을 식각하는 단계; 및 금속층을 식각한 후 포토레지스트패턴을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것일 뿐, 본 명세서를 한정하기 위한 것은 아니다.
[실시예]
[실시예 1]
필름 포토마스크 제조
500mm Ⅹ 500mm 크기의 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 실리콘계 수지 조성물을 베이커 어플리케이터를 이용하여 100㎛ 두께로 도포한 후 70℃에서 10분간 건조하여 최종적으로 30㎛ 두께의 중간층을 형성했다. 상기 실리콘계 수지 조성물은 신에츠社의 주제(제품명 KE-1606)와 경화제(제품명 CAT-RG)를 10:1.5 비율로 배합한 것을 사용했다.
상기 중간층 상에 500mm Ⅹ 500mm 크기의 제 2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면을 마주보게 합지했다.
상기 제1, 제2 유닛은 100㎛ 두께의 PET 기재 상에 선폭 10㎛, 선간거리 300㎛, 선고 100nm인 알루미늄(Al) 메쉬 패턴을 구비했다.
상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 상기 실리콘계 수지 조성물을 베이커 어플리케이터를 이용하여 100㎛ 두께로 도포한 후 100℃에서 10분간 건조 및 열경화하여 최종적으로 30㎛ 두께의 투명평탄층을 형성하여 도 1과 같은 필름 포토마스크를 제조했다.
노광 대상물 제조 및 패터닝
100㎛ 두께의 PET 기재 상에 노블락 수지와 다이아조나프토퀴논 유도체로 구성되어 있는 포지티브 포토레지스트를 슬롯다이 코터를 이용하여 1.5㎛ 두께로 도포했다.
제조된 필름 포토마스크와 상기 노광 대상물을 롤 라미네이터를 이용하여 도 3과 같이 합지했다.
상기 합지된 적층체를 콜리메이션 렌즈가 구비된 평행광 노광기를 이용하여 노광한 후 필름 포토마스크를 노광 대상물로부터 분리하고, Tetramethyl ammounium hydroxide (TMAH) 2.38wt% 농도의 현상액에 노광 대상물을 50초간 침지하여 포토레지스트 패턴을 형성했다.
[실시예 2]
제 1 유닛과 제2 유닛의 메쉬패턴이 도 4와 같이 겹치도록 배치한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 필름 포토마스크를 제조하고, 제조된 필름 포토마스크를 이용하여 노광 대상물에 포토레지스트 패턴을 형성했다.
그 결과 도 4와 같이 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴에 의해 형성된 포토레지스트 패턴과 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴에 의해 형성된 포토레지스트 패턴의 선폭이 동일한 것을 알 수 있다.
[비교예 1]
실시예에서 투명평탄층을 형성하지 않는 것을 제외하고, 동일하게 제조했으며, 비교예 1의 구조를 도 5에 도시했다.
비교예 1을 이용하는 경우, 포토마스크와 인쇄대상물의 포토레지스트와 접촉시 들뜸현상이 발생하고 표면오염이 발생했다.
[비교예 2]
실시예에서 중간층을 제2 유닛의 차광 패턴이 구비된 면의 반대면에 형성하는 것을 제외하고, 동일하게 제조했으며, 비교예 2의 구조를 도 6에 도시했다.
비교예 2를 이용하는 경우, 제1 차광 패턴에 의해 형성된 포토레지스트 패턴과 제2 차광 패턴에 의해 형성된 포토레지스트 패턴의 선폭이 상이해짐을 알 수 있다.

Claims (17)

  1. 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛;
    제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛;
    상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및
    상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 일부가 겹치는 것인 포토마스크.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 겹치지 않는 것인 포토마스크.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주보는 것인 포토마스크.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 중간층과 상기 투명평탄층은 각각 실리콘계 수지를 포함하는 것인 포토마스크.
  6. 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물 및
    제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛; 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 포함하고,
    상기 노광대상물의 포토레지스트층은 포토마스크의 투명평탄층과 접촉하는 것인 적층체.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트층인 것인 적층체.
  8. 청구항 6에 있어서, 상기 노광대상물은 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함하는 것인 적층체.
  9. 청구항 6에 있어서, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 일부가 겹치는 것인 적층체.
  10. 청구항 6에 있어서, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 겹치지 않는 것인 적층체.
  11. 청구항 6에 있어서, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주보는 것인 적층체.
  12. 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛 및 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛을 준비하는 단계;
    상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 중간층을 형성한 후 상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계; 및
    상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주보는 것인 포토마스크의 제조방법.
  14. 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물을 준비하는 단계;
    제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛, 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층, 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크의 투명평탄층과 상기 노광대상물의 포토레지스트층을 접촉하도록 라미네이트하는 단계;
    상기 포토마스크의 제1 기판 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및
    노광 후 상기 노광대상물로부터 상기 포토마스크를 분리하는 단계를 포함하는 것인 패턴형성방법.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 포토마스크를 분리한 후 상기 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 패턴형성방법.
  16. 청구항 14에 있어서, 상기 노광대상물은 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함하는 것인 패턴형성방법.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 포토마스크를 분리한 후 상기 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 금속층의 포토레지스트패턴이 형성되지 않은 부분을 식각하여 금속패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 패턴형성방법.
PCT/KR2016/008299 2015-07-28 2016-07-28 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 WO2017018831A1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017559568A JP6458972B2 (ja) 2015-07-28 2016-07-28 フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法
US15/580,241 US10747101B2 (en) 2015-07-28 2016-07-28 Photomask, laminate comprising photomask, photomask preparation method, and pattern forming method using photomask
CN201680033687.6A CN107710071A (zh) 2015-07-28 2016-07-28 光掩模、包含光掩模的积层体、光掩模的制造方法以及使用光掩模形成图案的方法
EP16830864.1A EP3330795B1 (en) 2015-07-28 2016-07-28 Photomask, laminate comprising photomask, photomask preparation method, and pattern forming method using photomask

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0106833 2015-07-28
KR1020150106833A KR102042872B1 (ko) 2015-07-28 2015-07-28 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017018831A1 true WO2017018831A1 (ko) 2017-02-02

Family

ID=57884776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2016/008299 WO2017018831A1 (ko) 2015-07-28 2016-07-28 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10747101B2 (ko)
EP (1) EP3330795B1 (ko)
JP (1) JP6458972B2 (ko)
KR (1) KR102042872B1 (ko)
CN (1) CN107710071A (ko)
WO (1) WO2017018831A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11294273B2 (en) * 2019-10-25 2022-04-05 Innolux Corporation Mask substrate and method for forming mask substrate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0566554A (ja) * 1991-09-09 1993-03-19 Sharp Corp フオトマスク
JPH0675358A (ja) * 1992-08-27 1994-03-18 Oki Electric Ind Co Ltd フォトマスクの製造方法
JP2005003949A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Renesas Technology Corp フォトマスクおよびその製造方法
KR100496520B1 (ko) * 2002-09-13 2005-06-22 주식회사 릿츠 포토리소그라피 방식을 이용한 스템퍼 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 스템퍼
KR20120034449A (ko) * 2010-10-01 2012-04-12 엘지이노텍 주식회사 탭 테이프 및 그 제조방법
JP5745979B2 (ja) * 2011-09-16 2015-07-08 三菱電機株式会社 マルチプルビュー液晶表示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5745979B2 (ko) 1973-05-09 1982-09-30
JPS5950444A (ja) 1982-09-16 1984-03-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 微細加工用ホトマスク
US6300042B1 (en) 1998-11-24 2001-10-09 Motorola, Inc. Lithographic printing method using a low surface energy layer
JP2000292905A (ja) 1999-04-12 2000-10-20 Hitachi Ltd パタンデータの作成方法および固体素子の製造方法
JP2001296650A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Nec Corp レチクル
US20050100798A1 (en) 2003-10-15 2005-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device and method for providing wavelength reduction with a photomask
US7259106B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Versatilis Llc Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet
KR20060079957A (ko) * 2005-01-04 2006-07-07 삼성에스디아이 주식회사 포토리소그래피용 연질 포토마스크, 그 제조방법, 이를채용한 패턴 형성 방법
JP4563949B2 (ja) 2005-10-21 2010-10-20 信越化学工業株式会社 マスクパターン被覆材料
JP4204583B2 (ja) 2005-10-24 2009-01-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
US7632609B2 (en) 2005-10-24 2009-12-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Fabrication method of photomask-blank
KR20090003601A (ko) 2007-07-03 2009-01-12 주식회사 엘지화학 플렉시블 포토마스크 및 이의 제조방법
US7858687B2 (en) 2008-07-30 2010-12-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company Polyimide resins for high temperature wear applications
JP2010107886A (ja) 2008-10-31 2010-05-13 Fujifilm Corp フォトマスク用ハードコート組成物、フォトマスク、及びその製造方法
WO2010146965A1 (ja) * 2009-06-20 2010-12-23 シャープ株式会社 露光用マスク、フォトリソグラフィ法、基板の製造方法、表示パネルの製造方法
CN202886836U (zh) 2012-11-14 2013-04-17 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版
US9304389B2 (en) 2013-10-31 2016-04-05 United Microelectronics Corp. Photomask and fabrication method thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0566554A (ja) * 1991-09-09 1993-03-19 Sharp Corp フオトマスク
JPH0675358A (ja) * 1992-08-27 1994-03-18 Oki Electric Ind Co Ltd フォトマスクの製造方法
KR100496520B1 (ko) * 2002-09-13 2005-06-22 주식회사 릿츠 포토리소그라피 방식을 이용한 스템퍼 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 스템퍼
JP2005003949A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Renesas Technology Corp フォトマスクおよびその製造方法
KR20120034449A (ko) * 2010-10-01 2012-04-12 엘지이노텍 주식회사 탭 테이프 및 그 제조방법
JP5745979B2 (ja) * 2011-09-16 2015-07-08 三菱電機株式会社 マルチプルビュー液晶表示装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3330795A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3330795B1 (en) 2023-01-11
EP3330795A1 (en) 2018-06-06
CN107710071A (zh) 2018-02-16
US10747101B2 (en) 2020-08-18
KR102042872B1 (ko) 2019-11-08
JP6458972B2 (ja) 2019-01-30
EP3330795A4 (en) 2019-03-27
JP2018521339A (ja) 2018-08-02
US20180164677A1 (en) 2018-06-14
KR20170013750A (ko) 2017-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017131497A1 (ko) 필름 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
WO2017018830A1 (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법, 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성장치 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
WO2016088983A1 (ko) 카메라 윈도우 제조 방법
KR20090003601A (ko) 플렉시블 포토마스크 및 이의 제조방법
WO2015174756A1 (ko) 인쇄층이 형성된 터치 스크린 패널용 커버 윈도우 및 터치 스크린 패널용 커버 윈도우에 인쇄층을 형성하는 방법
WO2013191341A1 (en) Method of manufacturing stamp for plasmonic nanolithography apparatus and plasmonic nanolithography apparatus
WO2015024321A1 (zh) 避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法
WO2017018692A1 (ko) 패턴을 갖는 투명 유리
US8480936B2 (en) Method of fabricating a mold
WO2017018831A1 (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
JP2011129272A (ja) 両面透明導電膜シートとその製造方法
WO2015183007A1 (ko) 입자 정렬을 이용한 코팅 방법
US20120125213A1 (en) Cliche and manufacturing method for the same
KR102092993B1 (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체 및 상기 포토마스크의 제조방법
WO2012087075A2 (ko) 레이저간섭 노광을 이용한 대면적 미세패턴 제작 방법, 상기 방법을 이용하여 제작된 미세패턴의 비평면적 전사 방법 및 이를 이용하여 미세 패턴을 전사한 물품
CN107107603B (zh) 用于胶版印刷的铅版的制造方法以及用于胶版印刷的铅版
KR20170013752A (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
WO2023068555A1 (ko) 보호 브리지가 구비된 미세 패턴 인쇄용 스텐실 제조방법
WO2023287171A1 (ko) 필름 마스크 및 그 제조방법
WO2017119706A1 (ko) 회로기판의 제조방법
WO2015108266A1 (ko) 보호글래스 제조 방법
KR102016616B1 (ko) 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐
WO2009131364A2 (ko) 전자 디바이스용 기판 및 그를 제조하는 방법
WO2011053093A2 (ko) 액정표시장치용 인쇄판 및 그 제조방법, 이를 이용한 복제용마스터몰드 및 복제 인쇄판의 제조방법
WO2013168875A1 (ko) 유연한 집적회로 및 유연한 집적회로 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16830864

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017559568

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15580241

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE