CN202886836U - 掩膜版 - Google Patents

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李伟
刘富军
朱杰
魏崇喜
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Abstract

本实用新型属于电子和显示制造技术领域,公开了一种掩膜版。通过在形成在透明衬底表面上的遮光层上覆盖透明的防护层,使得在近接曝光形式的曝光过程中,待曝光器件上的光刻胶挥发出的升华物凝结在防护层表面,易于清洗,同时还可以有效防止待曝光器件上的硬质颗粒划伤遮光层,造成掩膜版难以修复的损伤。由于防护层仅覆盖在掩膜版中部的图案区,能够避免掩膜版在搬运过程中损坏防护层。且防护层的厚度为0.1mm左右,相较于掩膜版的厚度(一般为13mm),防护层对光线的吸收可以忽略,不会对曝光过程产生影响。其中,防护层的材质可以为石英玻璃,使得曝光过程中防护层对光线的反射和散射很小,可以忽略,不会影响曝光时的光线分布。

Description

掩膜版
技术领域
本实用新型涉及电子和显示制造技术领域,特别是涉及一种掩膜版。
背景技术
目前,掩膜版被广泛应用于电子行业与显示行业,利用曝光设备将掩膜版上的图案投影在涂覆有感光材料(如光刻胶)的待曝光器件上,通过显影、刻蚀等工艺可以在待曝光器件上形成图案化膜层。如图1所示,一般通过在掩膜版7的透明的衬底1上形成图案化的遮光层2(如铬遮光层)来实现曝光时的图形化遮挡。对于采用近接曝光形式的曝光过程,如液晶显示装置中彩色滤光片的生产,掩膜版7和涂有光刻胶4的待曝光器件3仅有250微米左右的距离,由于掩膜版7与待曝光器件3的间距非常小,导致掩膜版7的铬遮光层2极易被光刻胶4挥发出的升华物污染,凝结在掩膜版7上,特别是凝结在铬遮光层2与掩膜版7的交界处,影响曝光时的光线分布,从而影响曝光形成的图案,且光刻胶4挥发出的升华物很难清洗干净。同时,待曝光器件3上的硬质颗粒也极易划伤脆弱的铬遮光层2,而造成掩膜版7难以修复的损坏。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
本实用新型提供一种掩膜版,用以解决近接曝光形式的曝光过程中掩膜版的遮光层易被光刻胶挥发出的升华物污染,从而影响曝光图案的形成,且不易清洗干净,同时,待曝光器件上的硬质颗粒极易划伤遮光层,造成掩膜版难以修复的损坏的问题。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种掩膜版,包括透明的衬底和形成在所述衬底表面上的图案化遮光层,还包括覆盖在所述遮光层上的透明的防护层。
如上所述的掩膜版,优选的是,所述防护层通过涂覆在防护层四周边缘处的密封胶,贴合覆盖在遮光层上。
如上所述的掩膜版,优选的是,所述衬底、遮光层和防护层之间的气压小于大气压。如上所述的掩膜版,优选的是,所述防护层的厚度为0.1±0.01mm。
如上所述的掩膜版,优选的是,所述防护层为石英玻璃板。
如上所述的掩膜版,优选的是,所述遮光层为铬遮光层。
(三)有益效果
本实用新型所提供的掩膜版通过在形成在透明的衬底表面上的遮光层上覆盖透明的防护层,使得在近接曝光形式的曝光过程中,待曝光器件上的光刻胶挥发出的升华物凝结在防护层表面,易于清洗,同时还可以有效防止待曝光器件上的硬质颗粒划伤遮光层,造成掩膜版难以修复的损伤。由于防护层仅覆盖在掩膜版中部的图案区,能够避免掩膜版在搬运过程中损坏防护层。且防护层的厚度为0.1mm左右,相较于掩膜版的厚度(一般为13mm),防护层对光线的吸收可以忽略,不会对曝光过程产生影响。其中,防护层的材质可以为石英玻璃,使得曝光过程中防护层对光线的反射和散射很小,可以忽略,不会影响曝光时的光线分布。
附图说明
图1为现有技术中掩膜版的曝光示意图;
图2为本实用新型实施例中掩膜版的结构示意图;
图3为图2中掩膜版的俯视图;
图4为本实用新型实施例中掩膜版的制造工艺示意图;
图5为本实用新型实施例中掩膜版的曝光示意图;
其中,1:衬底;2:遮光层;3:待曝光器件;4:光刻胶;5:防护层;6:密封胶;7、8:掩膜版。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
图2所示为本实用新型实施例中掩膜版的结构示意图。如图2所示,本实用新型实施例中的掩膜版8包括形成在透明的衬底1(如玻璃基板)表面上的图案化的遮光层2,一般为铬遮光层,在曝光过程中作为遮挡,用于实现对待曝光器件3上光刻胶4的选择性曝光(结合图5所示),然后通过显影、刻蚀等工艺可以在待曝光器件3上形成特定的图案。其中,掩膜版8还包括覆盖在遮光层2上的透明的防护层5,在近接曝光形式的曝光过程中,待曝光器件3上光刻胶4挥发出的升华物会凝结在防护层5上,易于清洗,有效防止升华物凝结在遮光层2上造成污染,影响曝光时的光线分布,从而影响曝光图案的形成,还可以降低掩膜版的清洗频率,提高生产的稼动率。同时,防护层5还能保护遮光层2免于与待曝光器件3上的硬质颗粒摩擦,从而保护掩膜版不易被损坏,延长使用寿命,降低生产成本。
在掩膜工艺中,以掩膜版作为图形化遮挡,一般通过紫外线照射待曝光器件3上的光刻胶4,使得光刻胶4被选择性的曝光。其中,掩膜版对光线透过率的影响直接影响曝光图案的形成。由于在遮光层2上又覆盖了透明的防护层5,为了减少防护层5对光线透过率的影响,本实施例中优选防护层5的厚度为0.1±0.01mm,因为掩膜版的厚度远大于0.1mm,如彩色滤光片曝光过程中使用的掩膜版厚度一般为13mm,与掩膜版相比,透明的防护层5对光线的吸收可以忽略。影响光线透过率的因素不只有对光线的吸收,还有对光线的反射和散射。为了减小防护层5对光线的反射和散射作用,本实施例中的防护层5可以选择石英玻璃板,因为石英玻璃对光线的反射一般为10%,对于曝光过程这个反射值是可以接受的,且石英玻璃对光线的散射比较小,一般可以忽略。
其中,将透明的防护层5覆盖在遮光层2上的方式有很多种,例如:通过密封胶6将防护层5覆盖在遮光层2上,使得防护层5和遮光层2可以紧密贴合,避免防护层5和遮光层2之间存在间隙,对光线的透过率产生影响。具体可以为,在衬底1的具有遮光层2一侧的表面,对应于防护层5四周边缘处预先涂密封胶6,如:玻璃胶,在低真空环境下(气压<100Pa),将防护层5通过密封胶6与衬底1进行贴合,贴合时采取防护层5由中间向两端贴合的方式,如图4中箭头方向所示,保证防护层5和遮光层2之间完全没有间隙,紧密贴合。贴合后在低真空环境下(气压<100Pa)保持,使密封胶6完全固化。由于衬底1、遮光层2和防护层5之间的气压小于外界大气压(一般101000Pa),完全可以将遮光层2和防护层5紧密压合在一起,形成掩膜板8。由于防护层5很薄(仅0.1±0.01mm),所以在大气压下作用下掩膜版8具有遮光层2的一面朝下不会造成防护层5和遮光层2产生间隙而脱离,如图2和图3所示。
本实用新型实施例中掩膜版的曝光具体曝光过程为:
如图5所示,曝光时紫外线垂直掩膜版8入射(图5中的箭头方向即为光线的入射方向),不会产生光线折射,掩膜版8上的遮光层2作为图形化遮挡,使待曝光器件3上的光刻胶4被选择性曝光,如:掩膜版上没有遮光层2的区域下方的光刻胶4被曝光,掩膜版上有遮光层2的区域下方的光刻胶4未被曝光,然后进行显影、刻蚀等工艺,可以在待曝光器件3上形成特定的图案。
由以上实施例可以看出,本实用新型所提供的掩膜版通过在形成在衬底表面上的遮光层上覆盖一透明的防护层,使得在近接曝光形式的曝光过程中,待曝光器件上的光刻胶挥发出的升华物凝结在防护层表面,易于清洗,同时还可以有效防止待曝光器件上的硬质颗粒划伤遮光层,造成掩膜版难以修复的损伤。由于防护层仅覆盖在掩膜版中部的图案区,还能够避免掩膜版在搬运过程中损坏防护层。且防护层的厚度为0.1mm左右,相较于掩膜版的厚度(一般为13mm),防护层对光线的吸收可以忽略,不会对曝光过程产生影响。其中,防护层的材质可以为石英玻璃,使得曝光过程中防护层对光线的反射和散射很小,可以忽略,不会影响曝光时的光线分布。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (6)

1.一种掩膜版,其特征在于,包括透明的衬底和形成在所述衬底表面上的图案化的遮光层,还包括覆盖在所述遮光层上的透明的防护层。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述防护层通过涂覆在防护层四周边缘处的密封胶,贴合覆盖在遮光层上。
3.根据权利要求2所述的掩膜版,其特征在于,所述衬底、遮光层和防护层之间的气压小于大气压。
4.根据权利要求1-3任一所述的掩膜版,其特征在于,所述防护层的厚度为0.1±0.01mm。
5.根据权利要求1-3任一所述的掩膜版,其特征在于,所述防护层为石英玻璃板。
6.根据权利要求1-3任一所述的掩膜版,其特征在于,所述遮光层为铬遮光层。
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