CN112965334A - 一种amoled用的掩膜版制作方法及掩膜版 - Google Patents

一种amoled用的掩膜版制作方法及掩膜版 Download PDF

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杨波
洪明
王有明
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Abstract

本发明属于掩膜版技术领域，尤其是涉及一种AMOLED用的掩膜版制作方法及掩膜版，包括掩膜版基板，掩膜版基板的一端板面上设有图形块，掩膜版基板与图形块之间设有透明板，透明板与图形块和掩膜版基板均固定连接，掩膜版基板背离透明板的一侧设有涂层，掩膜版基板中嵌合有多道与图形块相对应的金属条，金属条的上端贯穿涂层设置，多条金属条相互连接，且其两端分别有端头平行伸出掩膜版基板的断层外，通过端头可与外部电源的正负极相连接。优点在于：可通过对多余散射光线进行吸收防反射的方式来使得光源的光线更好的配合图形来进行照射作用，从而提高了掩膜版作业的质量。

Description

一种AMOLED用的掩膜版制作方法及掩膜版
技术领域
本发明属于掩膜版技术领域，尤其是涉及一种AMOLED用的掩膜版制作方法及掩膜版。
背景技术
AMOLED有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体是一种显示屏技术，其中OLED(有机发光二极体)是描述薄膜显示技术的具体类型：有机电激发光显示；AM(有源矩阵体或称主动式矩阵体)是指背后的像素寻址技术，目前AMOLED技术主要用于智能手机[1]，并继续朝低功耗、低成本、大尺寸方向发展。
AMOLED有源矩阵有机发光二极体在制作的过程中一般通过掩膜版来进行小尺寸的面板制作，而掩膜版在使用时其遮光的效果往往跟随产品的精确程度相挂钩，如散射光源和普通的掩膜版基板对于光照的影响会间接的导致照射出来的图形轻微形变，继而影响产品的质量。
为此，我们提出一种AMOLED用的掩膜版制作方法及掩膜版来解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是针对上述问题，提供一种可降低作业时的次品率的一种掩膜版及其制作方法。
为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：一种掩膜版，包括掩膜版基板，所述掩膜版基板的一端板面上设有图形块，所述掩膜版基板与图形块之间设有透明板，所述透明板与图形块和掩膜版基板均固定连接，所述掩膜版基板背离透明板的一侧设有涂层，所述掩膜版基板中嵌合有多道与图形块相对应的金属条，所述金属条的上端贯穿涂层设置，多条所述金属条相互连接，且其两端分别有端头平行伸出掩膜版基板的断层外，通过端头可与外部电源的正负极相连接。
进一步的，所述透明板为透明硬质胶状，所述透明板与图形块的接触面凹凸不平，所述透明板与掩膜版基板通过胶接粘接。
进一步的，所述透明板厚度为10-20μm。
进一步的，所述涂层为全黑色，涂料为梵塔黑材质，所述涂层与图形块相对应，其与多个图形块之间的间隙为无色。
进一步的，所述金属条垂直插入至掩膜版基板中，且其端头呈楔形状，所述金属条的表面还电镀有铬层。
进一步的，所述金属条的宽度小于对应的图形块，且其上端延长的长度为10-15nm。
一种AMOLED用的掩膜版制作方法，包括以下步骤：
S1：夹持固定，将掩膜版基板进行夹持固定，并将金属条夹持安放在掩膜版基板上，将其与之嵌合；
S2：遮挡保护，将掩膜版基板的图形块部分用薄膜进行遮盖；
S3：镀层，预先将遮挡物放置在多道金属条之间，将梵塔黑涂料涂设在掩膜版基板的表面；
S4：遮挡物剥离，在晾至一段时间后，将掩膜版基板整体平移他处进行短暂烘干，随后将薄膜和遮挡物剥离。
进一步的，所述薄膜为抗热性膜，抗热温度为100-150℃。
进一步的，所述S3中梵塔黑涂料通过喷涂法涂设至掩膜版基板的表面。
进一步的，所述薄膜包裹范围包括透明板和掩膜版基板的侧边。
与现有的技术相比，本一种掩膜版及其制作方法的优点在于：
本发明可通过利用透明板来充当图形块与掩膜版基板之间的连接基底，使得图形块在掩膜版基板上连接的更加紧密平稳，另外通过涂层的作用来使得对多余散射光线进行吸收防反射的方式来使得光源的光线更好的配合图形来进行照射作用，从而提高了掩膜版作业的质量，同时通电的金属条可形成一个有效的灰尘颗粒吸附场，从而使得其在进行清洗加工后，利用静电吸附的作用来将更多细小的灰尘进行粘附，从而达到保持掩膜版整体干净整洁的效果。
附图说明
图1是本发明提供的一种掩膜版的结构示意图；
图2是图1的背部结构示意图；
图3是图1的切面示意图；
图4是一种AMOLED用的掩膜版制作方法的流程示意图。
图中，1掩膜版基板、2图形块、3透明板、4涂层、5金属条。
具体实施方式
以下实施例仅处于说明性目的，而不是想要限制本发明的范围。
实施例1
一种掩膜版，包括掩膜版基板1，掩膜版基板1的一端板面上设有图形块2，掩膜版基板1与图形块2之间设有透明板3，透明板3与图形块2和掩膜版基板1均固定连接，透明板3为透明硬质胶状，透明板3与图形块2的接触面凹凸不平，透明板3与掩膜版基板1通过胶接粘接，透明板3厚度为10-20μm，掩膜版基板1背离透明板3的一侧设有涂层4，掩膜版基板1中嵌合有多道与图形块2相对应的金属条5，金属条5的上端贯穿涂层4设置，通电的金属条5可形成一个有效的灰尘颗粒吸附场，从而使得其在进行清洗加工后，利用静电吸附的作用来将更多细小的灰尘进行粘附，从而达到保持掩膜版整体干净整洁的效果，涂层4为全黑色，涂料为梵塔黑材质，涂层4与图形块2相对应，其与多个图形块2之间的间隙为无色，多条金属条5相互连接，金属条5垂直插入至掩膜版基板1中，且其端头呈楔形状，金属条5的表面还电镀有铬层，且其两端分别有端头平行伸出掩膜版基板1的断层外，通过端头可与外部电源的正负极相连接，金属条5的宽度小于对应的图形块2，且其上端延长的长度为10nm。
一种AMOLED用的掩膜版制作方法，包括以下步骤：
S1：夹持固定，将掩膜版基板1进行夹持固定，并将金属条5夹持安放在掩膜版基板1上，将其与之嵌合；
S2：遮挡保护，将掩膜版基板1的图形块2部分用薄膜进行遮盖，薄膜为抗热性膜，抗热温度为100-150℃，薄膜包裹范围包括透明板3和掩膜版基板1的侧边；
S3：镀层，预先将遮挡物放置在多道金属条5之间，将梵塔黑涂料涂设在掩膜版基板1的表面，梵塔黑涂料通过喷涂法涂设至掩膜版基板1的表面；
S4：遮挡物剥离，在晾至一段时间后，将掩膜版基板1整体平移他处进行短暂烘干，随后将薄膜和遮挡物剥离。
表一：涂层遮光度的影响
板面 方式 光源 散射程度
附着涂层 接近式曝光 激光 0.1％
不附着涂层 接近式曝光 激光 0.7％
实施例2
一种掩膜版，包括掩膜版基板1，掩膜版基板1的一端板面上设有图形块2，掩膜版基板1与图形块2之间设有透明板3，透明板3与图形块2和掩膜版基板1均固定连接，透明板3为透明硬质胶状，透明板3与图形块2的接触面凹凸不平，透明板3与掩膜版基板1通过胶接粘接，透明板3厚度为10-20μm，掩膜版基板1背离透明板3的一侧设有涂层4，掩膜版基板1中嵌合有多道与图形块2相对应的金属条5，金属条5的上端贯穿涂层4设置，涂层4为全黑色，涂料为梵塔黑材质，涂层4与图形块2相对应，其与多个图形块2之间的间隙为无色，多条金属条5相互连接，金属条5垂直插入至掩膜版基板1中，且其端头呈楔形状，金属条5的表面还电镀有铬层，且其两端分别有端头平行伸出掩膜版基板1的断层外，通过端头可与外部电源的正负极相连接，金属条5的宽度小于对应的图形块2，且其上端延长的长度为12nm，通电的金属条5可形成一个有效的灰尘颗粒吸附场，从而使得其在进行清洗加工后，利用静电吸附的作用来将更多细小的灰尘进行粘附，从而达到保持掩膜版整体干净整洁的效果，。
一种AMOLED用的掩膜版制作方法，包括以下步骤：
S1：夹持固定，将掩膜版基板1进行夹持固定，并将金属条5夹持安放在掩膜版基板1上，将其与之嵌合；
S2：遮挡保护，将掩膜版基板1的图形块2部分用薄膜进行遮盖，薄膜为抗热性膜，抗热温度为100-150℃，薄膜包裹范围包括透明板3和掩膜版基板1的侧边；
S3：镀层，预先将遮挡物放置在多道金属条5之间，将梵塔黑涂料涂设在掩膜版基板1的表面，梵塔黑涂料通过喷涂法涂设至掩膜版基板1的表面；
S4：遮挡物剥离，在晾至一段时间后，将掩膜版基板1整体平移他处进行短暂烘干，随后将薄膜和遮挡物剥离。
实施例3
一种掩膜版，包括掩膜版基板1，掩膜版基板1的一端板面上设有图形块2，掩膜版基板1与图形块2之间设有透明板3，透明板3与图形块2和掩膜版基板1均固定连接，透明板3为透明硬质胶状，透明板3与图形块2的接触面凹凸不平，透明板3与掩膜版基板1通过胶接粘接，透明板3厚度为10-20μm，掩膜版基板1背离透明板3的一侧设有涂层4，掩膜版基板1中嵌合有多道与图形块2相对应的金属条5，金属条5的上端贯穿涂层4设置，涂层4为全黑色，涂料为梵塔黑材质，涂层4与图形块2相对应，其与多个图形块2之间的间隙为无色，多条金属条5相互连接，金属条5垂直插入至掩膜版基板1中，且其端头呈楔形状，金属条5的表面还电镀有铬层，且其两端分别有端头平行伸出掩膜版基板1的断层外，通过端头可与外部电源的正负极相连接，金属条5的宽度小于对应的图形块2，且其上端延长的长度为13nm，通电的金属条5可形成一个有效的灰尘颗粒吸附场，从而使得其在进行清洗加工后，利用静电吸附的作用来将更多细小的灰尘进行粘附，从而达到保持掩膜版整体干净整洁的效果，。
一种AMOLED用的掩膜版制作方法，包括以下步骤：
S1：夹持固定，将掩膜版基板1进行夹持固定，并将金属条5夹持安放在掩膜版基板1上，将其与之嵌合；
S2：遮挡保护，将掩膜版基板1的图形块2部分用薄膜进行遮盖，薄膜为抗热性膜，抗热温度为100-150℃，薄膜包裹范围包括透明板3和掩膜版基板1的侧边；
S3：镀层，预先将遮挡物放置在多道金属条5之间，将梵塔黑涂料涂设在掩膜版基板1的表面，梵塔黑涂料通过喷涂法涂设至掩膜版基板1的表面；
S4：遮挡物剥离，在晾至一段时间后，将掩膜版基板1整体平移他处进行短暂烘干，随后将薄膜和遮挡物剥离。
实施例4
一种掩膜版，包括掩膜版基板1，掩膜版基板1的一端板面上设有图形块2，掩膜版基板1与图形块2之间设有透明板3，透明板3与图形块2和掩膜版基板1均固定连接，透明板3为透明硬质胶状，透明板3与图形块2的接触面凹凸不平，透明板3与掩膜版基板1通过胶接粘接，透明板3厚度为10-20μm，掩膜版基板1背离透明板3的一侧设有涂层4，掩膜版基板1中嵌合有多道与图形块2相对应的金属条5，金属条5的上端贯穿涂层4设置，涂层4为全黑色，涂料为梵塔黑材质，涂层4与图形块2相对应，其与多个图形块2之间的间隙为无色，多条金属条5相互连接，金属条5垂直插入至掩膜版基板1中，且其端头呈楔形状，金属条5的表面还电镀有铬层，且其两端分别有端头平行伸出掩膜版基板1的断层外，通过端头可与外部电源的正负极相连接，金属条5的宽度小于对应的图形块2，且其上端延长的长度为15nm，通电的金属条5可形成一个有效的灰尘颗粒吸附场，从而使得其在进行清洗加工后，利用静电吸附的作用来将更多细小的灰尘进行粘附，从而达到保持掩膜版整体干净整洁的效果，。
一种AMOLED用的掩膜版制作方法，包括以下步骤：
S1：夹持固定，将掩膜版基板1进行夹持固定，并将金属条5夹持安放在掩膜版基板1上，将其与之嵌合；
S2：遮挡保护，将掩膜版基板1的图形块2部分用薄膜进行遮盖，薄膜为抗热性膜，抗热温度为100-150℃，薄膜包裹范围包括透明板3和掩膜版基板1的侧边；
S3：镀层，预先将遮挡物放置在多道金属条5之间，将梵塔黑涂料涂设在掩膜版基板1的表面，梵塔黑涂料通过喷涂法涂设至掩膜版基板1的表面；
S4：遮挡物剥离，在晾至一段时间后，将掩膜版基板1整体平移他处进行短暂烘干，随后将薄膜和遮挡物剥离。
实施例5
一种掩膜版，包括掩膜版基板1，掩膜版基板1的一端板面上设有图形块2，掩膜版基板1与图形块2之间设有透明板3，透明板3与图形块2和掩膜版基板1均固定连接，透明板3为透明硬质胶状，透明板3与图形块2的接触面凹凸不平，透明板3与掩膜版基板1通过胶接粘接，透明板3厚度为10μm，掩膜版基板1背离透明板3的一侧设有涂层4，掩膜版基板1中嵌合有多道与图形块2相对应的金属条5，金属条5的上端贯穿涂层4设置，涂层4为全黑色，涂料为梵塔黑材质，涂层4与图形块2相对应，其与多个图形块2之间的间隙为无色，多条金属条5相互连接，金属条5垂直插入至掩膜版基板1中，且其端头呈楔形状，金属条5的表面还电镀有铬层，且其两端分别有端头平行伸出掩膜版基板1的断层外，通过端头可与外部电源的正负极相连接，金属条5的宽度小于对应的图形块2，且其上端延长的长度为15nm，通电的金属条5可形成一个有效的灰尘颗粒吸附场，从而使得其在进行清洗加工后，利用静电吸附的作用来将更多细小的灰尘进行粘附，从而达到保持掩膜版整体干净整洁的效果，。
一种AMOLED用的掩膜版制作方法，包括以下步骤：
S1：夹持固定，将掩膜版基板1进行夹持固定，并将金属条5夹持安放在掩膜版基板1上，将其与之嵌合；
S2：遮挡保护，将掩膜版基板1的图形块2部分用薄膜进行遮盖，薄膜为抗热性膜，抗热温度为100-150℃，薄膜包裹范围包括透明板3和掩膜版基板1的侧边；
S3：镀层，预先将遮挡物放置在多道金属条5之间，将梵塔黑涂料涂设在掩膜版基板1的表面，梵塔黑涂料通过喷涂法涂设至掩膜版基板1的表面；
S4：遮挡物剥离，在晾至一段时间后，将掩膜版基板1整体平移他处进行短暂烘干，随后将薄膜和遮挡物剥离。
实施例6
一种掩膜版，包括掩膜版基板1，掩膜版基板1的一端板面上设有图形块2，掩膜版基板1与图形块2之间设有透明板3，透明板3与图形块2和掩膜版基板1均固定连接，透明板3为透明硬质胶状，透明板3与图形块2的接触面凹凸不平，透明板3与掩膜版基板1通过胶接粘接，透明板3厚度为20μm，掩膜版基板1背离透明板3的一侧设有涂层4，掩膜版基板1中嵌合有多道与图形块2相对应的金属条5，金属条5的上端贯穿涂层4设置，涂层4为全黑色，涂料为梵塔黑材质，涂层4与图形块2相对应，其与多个图形块2之间的间隙为无色，多条金属条5相互连接，金属条5垂直插入至掩膜版基板1中，且其端头呈楔形状，金属条5的表面还电镀有铬层，且其两端分别有端头平行伸出掩膜版基板1的断层外，通过端头可与外部电源的正负极相连接，金属条5的宽度小于对应的图形块2，且其上端延长的长度为15nm，通电的金属条5可形成一个有效的灰尘颗粒吸附场，从而使得其在进行清洗加工后，利用静电吸附的作用来将更多细小的灰尘进行粘附，从而达到保持掩膜版整体干净整洁的效果，。
一种AMOLED用的掩膜版制作方法，包括以下步骤：
S1：夹持固定，将掩膜版基板1进行夹持固定，并将金属条5夹持安放在掩膜版基板1上，将其与之嵌合；
S2：遮挡保护，将掩膜版基板1的图形块2部分用薄膜进行遮盖，薄膜为抗热性膜，抗热温度为100-150℃，薄膜包裹范围包括透明板3和掩膜版基板1的侧边；
S3：镀层，预先将遮挡物放置在多道金属条5之间，将梵塔黑涂料涂设在掩膜版基板1的表面，梵塔黑涂料通过喷涂法涂设至掩膜版基板1的表面；
S4：遮挡物剥离，在晾至一段时间后，将掩膜版基板1整体平移他处进行短暂烘干，随后将薄膜和遮挡物剥离。
表二：金属条除尘效率测试
实施例 金属条长度 通电时间 通电电压 周边环境 灰尘除净率
1 10nm 2min 12v 真空 97.5％
2 12nm 2min 12v 真空 98.2％
3 13nm 2min 12v 真空 99.1％
4 15nm 2min 12v 真空 99.5％
由上述表1可知，涂层4可有效的去除吸收反射的方式来使得光源的光线更好的配合图形来进行照射作用，从而提高了掩膜版作业的质量。
由上述表2可知，其在带有金属条5的状态下可有效的对剩余灰尘进行吸附除去，从而再通过清洗的方式件将对应物质去除，此外实施例4中的作业效果最好。
尽管本文较多地使用了掩膜版基板1、图形块2、透明板3、涂层4、金属条5等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本发明的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本发明精神相违背的。

Claims (10)

1.一种掩膜版，包括掩膜版基板(1)，其特征在于，所述掩膜版基板(1)的一端板面上设有图形块(2)，所述掩膜版基板(1)与图形块(2)之间设有透明板(3)，所述透明板(3)与图形块(2)和掩膜版基板(1)均固定连接，所述掩膜版基板(1)背离透明板(3)的一侧设有涂层(4)，所述掩膜版基板(1)中嵌合有多道与图形块(2)相对应的金属条(5)，所述金属条(5)的上端贯穿涂层(4)设置，多条所述金属条(5)相互连接，且其两端分别有端头平行伸出掩膜版基板(1)的断层外，通过端头可与外部电源的正负极相连接。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述透明板(3)为透明硬质胶状，所述透明板(3)与图形块(2)的接触面凹凸不平，所述透明板(3)与掩膜版基板(1)通过胶接粘接。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述透明板(3)厚度为10-20μm。
4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述涂层(4)为全黑色，涂料为梵塔黑材质，所述涂层(4)与图形块(2)相对应，其与多个图形块(2)之间的间隙为无色。
5.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述金属条(5)垂直插入至掩膜版基板(1)中，且其端头呈楔形状，所述金属条(5)的表面还电镀有铬层。
6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述金属条(5)的宽度小于对应的图形块(2)，且其上端延长的长度为10-15nm。
7.一种AMOLED用的掩膜版制作方法，应用于权利要求1-6任一项所述的AMOLED用的掩膜版制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：夹持固定，将掩膜版基板(1)进行夹持固定，并将金属条(5)夹持安放在掩膜版基板(1)上，将其与之嵌合；
S2：遮挡保护，将掩膜版基板(1)的图形块(2)部分用薄膜进行遮盖；
S3：镀层，预先将遮挡物放置在多道金属条(5)之间，将梵塔黑涂料涂设在掩膜版基板(1)的表面；
S4：遮挡物剥离，在晾至一段时间后，将掩膜版基板(1)整体平移他处进行短暂烘干，随后将薄膜和遮挡物剥离。
8.根据权利要求7所述的AMOLED用的掩膜版制作方法，其特征在于，所述薄膜为抗热性膜，抗热温度为100-150℃。
9.根据权利要求7所述的AMOLED用的掩膜版制作方法，其特征在于，所述S3中梵塔黑涂料通过喷涂法涂设至掩膜版基板(1)的表面。
10.根据权利要求7所述的AMOLED用的掩膜版制作方法，其特征在于，所述薄膜包裹范围包括透明板(3)和掩膜版基板(1)的侧边。
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