JPS63307460A - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS63307460A JPS63307460A JP62144249A JP14424987A JPS63307460A JP S63307460 A JPS63307460 A JP S63307460A JP 62144249 A JP62144249 A JP 62144249A JP 14424987 A JP14424987 A JP 14424987A JP S63307460 A JPS63307460 A JP S63307460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin oxide
- oxide film
- exposure mask
- mask
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
プリント配線基板、液晶表示用素子に用いられる透明電
極等の大判の基板の製造工程において精密なパターンが
必要な場合ホトリソグラフィーの技法が多用されている
。特に液晶用表示素子の場合、例えばテレビ用ディスプ
レイ等の更に微細な精度を要求する用途が増加してきて
いる。従ってこれに使用される透明電極に関しても、そ
のパターンは益々微細化する傾向にある。従来より、こ
の様な精細なパターンを有する透明電極を製造するには
、硝子又はポリエステル等の透明基板上に酸化錫膜、Ｉ
ＴＯ膜等の透明導電膜を全面に付着せしめ、その上にホ
ト・レジスト材を塗布し乾燥させた後、露光用マスクを
通過させた紫外線を照射してホト・レジスト材に化学変
化をおこさしめ現像することにより酸化錫、ＩＴＯの除
去すべき不要部分を露出させ、塩酸等の酸によって除去
するエツチング工程により所要のパターンを有する透明
電極を製造している。
極等の大判の基板の製造工程において精密なパターンが
必要な場合ホトリソグラフィーの技法が多用されている
。特に液晶用表示素子の場合、例えばテレビ用ディスプ
レイ等の更に微細な精度を要求する用途が増加してきて
いる。従ってこれに使用される透明電極に関しても、そ
のパターンは益々微細化する傾向にある。従来より、こ
の様な精細なパターンを有する透明電極を製造するには
、硝子又はポリエステル等の透明基板上に酸化錫膜、Ｉ
ＴＯ膜等の透明導電膜を全面に付着せしめ、その上にホ
ト・レジスト材を塗布し乾燥させた後、露光用マスクを
通過させた紫外線を照射してホト・レジスト材に化学変
化をおこさしめ現像することにより酸化錫、ＩＴＯの除
去すべき不要部分を露出させ、塩酸等の酸によって除去
するエツチング工程により所要のパターンを有する透明
電極を製造している。
本発明は上記工程中で必要とされる露光マスクに関する
ものである。
ものである。
露光マスクは通常透明な硝子板、又は透明なポリエステ
ルシート等の片面に紫外線を通過せしめない遮光材を所
要のパターンに付着させた遮光面を形成することにより
作られている。この遮光面トハターンを形成すべき基板
硝子のホト・レジストの塗布された面を密着し重ね合わ
せて露°光するコンタクト法、５０μｍ程度離して露光
するノンコンタクト法が行われている。このノンコンタ
クト法はマスク面とホト・レジスト面の間隙に起因する
光の散乱によるパターン精度の低下の影響があり、１０
０μｍ程度の電極巾、同程度の電極間隔のパターン迄が
実用限度であり、それ以上の精度が要求される場合には
コンタクト法に頼らざるを得ない。一方コンタクト法に
も幾つかの欠点があり、本発明はかかる欠点を排除した
露光マスクを提供するものである。
ルシート等の片面に紫外線を通過せしめない遮光材を所
要のパターンに付着させた遮光面を形成することにより
作られている。この遮光面トハターンを形成すべき基板
硝子のホト・レジストの塗布された面を密着し重ね合わ
せて露°光するコンタクト法、５０μｍ程度離して露光
するノンコンタクト法が行われている。このノンコンタ
クト法はマスク面とホト・レジスト面の間隙に起因する
光の散乱によるパターン精度の低下の影響があり、１０
０μｍ程度の電極巾、同程度の電極間隔のパターン迄が
実用限度であり、それ以上の精度が要求される場合には
コンタクト法に頼らざるを得ない。一方コンタクト法に
も幾つかの欠点があり、本発明はかかる欠点を排除した
露光マスクを提供するものである。
以下、所謂ポジ型ホト・レジスト材を使用した場合につ
いて説明を行うが、ネガ型ホト・レジスト材の場合も全
く同様である。コンタクト法に使用する露光マスクの欠
点の一つに表面に傷がつき易いことがある。この傷はプ
リント配線基板の場合は端面から出るフェノール、エポ
キ’ｉ 等（Ｄ 樹脂の微粉末、硝子基板の場合には端
面から出る硝子の微粉末及びほこり等でこすられること
により生ずる。この傷はその部分で光を散乱させ、恰も
その部分が遮光した様に働き、現象した時その部分のレ
ジスト材が残ってしまうため、次のエツチング工程でそ
の部分の導電膜が除去されずに残ったままになり、その
結果本来絶縁されているべき二つの部分が此の残存部に
より短絡され、機能が阻害される結果となる。同様の事
が露光マスクの表面に付着した、はこりによっても光の
散乱が起こり、機能が阻害される。このほこりは、露光
マスクが帯電することによる静電気により、強くマスク
表面に吸着されており、例えば空気圧により除去しよう
としても、簡単には離れない。しかも露光マスク自体が
硝子、ポリエステル等の絶縁物で出来ており帯電し易い
性質をもっている。
いて説明を行うが、ネガ型ホト・レジスト材の場合も全
く同様である。コンタクト法に使用する露光マスクの欠
点の一つに表面に傷がつき易いことがある。この傷はプ
リント配線基板の場合は端面から出るフェノール、エポ
キ’ｉ 等（Ｄ 樹脂の微粉末、硝子基板の場合には端
面から出る硝子の微粉末及びほこり等でこすられること
により生ずる。この傷はその部分で光を散乱させ、恰も
その部分が遮光した様に働き、現象した時その部分のレ
ジスト材が残ってしまうため、次のエツチング工程でそ
の部分の導電膜が除去されずに残ったままになり、その
結果本来絶縁されているべき二つの部分が此の残存部に
より短絡され、機能が阻害される結果となる。同様の事
が露光マスクの表面に付着した、はこりによっても光の
散乱が起こり、機能が阻害される。このほこりは、露光
マスクが帯電することによる静電気により、強くマスク
表面に吸着されており、例えば空気圧により除去しよう
としても、簡単には離れない。しかも露光マスク自体が
硝子、ポリエステル等の絶縁物で出来ており帯電し易い
性質をもっている。
本発明による表面の酸化錫膜上に遮光材を付着せしめた
露光マスクはこの欠点を確実に除去するものである。
露光マスクはこの欠点を確実に除去するものである。
酸化錫膜は周知のごとく導電性をもっており、露光工程
に不必要な露光マスクの端の部分に例えば導電接着材を
用いて電極をつけこれをアースすることにより露光マス
クの帯電は完全になくなり、＃電気による、はこりの付
着は確実にこれを防止することが出来る。
に不必要な露光マスクの端の部分に例えば導電接着材を
用いて電極をつけこれをアースすることにより露光マス
クの帯電は完全になくなり、＃電気による、はこりの付
着は確実にこれを防止することが出来る。
又、酸化錫膜は著しく硬度が高くその表面を硝子の破断
面でこすっても傷がつかない程である。
面でこすっても傷がつかない程である。
その為マスク表面が樹脂、硝子等の微粉末にょうてこす
られても殆ど傷の発生は見られない様になり、傷による
不良は激減する。
られても殆ど傷の発生は見られない様になり、傷による
不良は激減する。
これらの効果により、製造工程の歩留の向上は著しく、
露光マスクの使用可能回数も１０倍程度に一ヒ昇した。
露光マスクの使用可能回数も１０倍程度に一ヒ昇した。
第１図 従来の露光マスクの断面図
（１）硝子又はポリエステル基板
（２）遮光材
第２図 本発明による露光マスクの断面図（１）硝子又
はポリエステル基板 （２）遮光材 （３）酸化錫膜 第１目
はポリエステル基板 （２）遮光材 （３）酸化錫膜 第１目
Claims (1)
- 透明な硝子又は、ポリエステル基板上に酸化錫膜を付
着せしめ、その上に遮光用パターンを形成したことを特
徴とする露光用マスク
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62144249A JPS63307460A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62144249A JPS63307460A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307460A true JPS63307460A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15357707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62144249A Pending JPS63307460A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63307460A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112965334A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-06-15 | 江苏高光半导体材料有限公司 | 一种amoled用的掩膜版制作方法及掩膜版 |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP62144249A patent/JPS63307460A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112965334A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-06-15 | 江苏高光半导体材料有限公司 | 一种amoled用的掩膜版制作方法及掩膜版 |
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