JP2002189286A - フォトマスクの静電気による破壊を防止する方法 - Google Patents
フォトマスクの静電気による破壊を防止する方法Info
- Publication number
- JP2002189286A JP2002189286A JP2000389468A JP2000389468A JP2002189286A JP 2002189286 A JP2002189286 A JP 2002189286A JP 2000389468 A JP2000389468 A JP 2000389468A JP 2000389468 A JP2000389468 A JP 2000389468A JP 2002189286 A JP2002189286 A JP 2002189286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- photomask
- transparent conductive
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスクの静電気による破壊を簡易にか
つ確実に防止する方法を提供すること。 【解決手段】 ガラス基板の片面にクロム膜と酸化クロ
ム膜をこの順に積層した後、所定の遮光膜パターンを形
成したフォトマスクの該遮光膜パターンを有する面の表
面に透明導電性膜を形成し、相互に離間した遮光膜同士
を該透明導電性膜により接合することを特徴とする。
つ確実に防止する方法を提供すること。 【解決手段】 ガラス基板の片面にクロム膜と酸化クロ
ム膜をこの順に積層した後、所定の遮光膜パターンを形
成したフォトマスクの該遮光膜パターンを有する面の表
面に透明導電性膜を形成し、相互に離間した遮光膜同士
を該透明導電性膜により接合することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジストを
露光する際に使用するフォトマスクの静電気による破壊
を防止する方法に関する。
露光する際に使用するフォトマスクの静電気による破壊
を防止する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィ法による半導体集積
回路や液晶表示板の製造において、フォトレジストを露
光する際に使用するフォトマスクは、一般に、ソーダラ
イムガラスや石英ガラスや低膨張ガラスなどからなるガ
ラス基板の片面にクロム膜と酸化クロム膜をこの順に積
層した後、所定の遮光膜パターンを形成したものであ
る。現在、ガラス基板としては石英ガラスからなる基板
が主に使用されている。その理由としては、石英ガラス
はナトリウムの析出がないこと、光透過率が大きいこ
と、熱膨張係数が小さいこと、耐水性・耐酸性・耐アル
カリ性など化学的安定性に優れること、比重が小さいこ
とやヤング率が小さいことなどのように機械的特性に優
れることなどの利点を有するからである。遮光膜として
クロム膜の表面に酸化クロム膜を積層したものを使用す
るのは、クロム膜は遮光性に優れるので膜厚を薄くでき
ること、エッチング性がよいことなどの利点を有するか
らである。クロム膜の表面に酸化クロム膜を積層するの
は、遮光性を高めるために光学濃度を高める（約２．８
以上）ためや、クロム膜は光の反射率が大きいので反射
率を下げるためや、更に分光波長域（４００ｎｍ〜７０
０ｎｍ）での反射率に均一性とフラット性をもたせるた
めである。このようなフォトマスクは、先ず、ガラス基
板の片面の全面にクロム膜と酸化クロム膜をこの順に積
層して遮光膜を形成し、その後、酸化クロム膜の表面に
電子線レジストなどのレジストを塗布して電子線露光法
などによりパターニングし、次に、このレジストパター
ンをエッチングマスクとして使用して遮光膜をエッチン
グして遮光膜パターンを形成した後、レジストパターン
を除去して製造される。
回路や液晶表示板の製造において、フォトレジストを露
光する際に使用するフォトマスクは、一般に、ソーダラ
イムガラスや石英ガラスや低膨張ガラスなどからなるガ
ラス基板の片面にクロム膜と酸化クロム膜をこの順に積
層した後、所定の遮光膜パターンを形成したものであ
る。現在、ガラス基板としては石英ガラスからなる基板
が主に使用されている。その理由としては、石英ガラス
はナトリウムの析出がないこと、光透過率が大きいこ
と、熱膨張係数が小さいこと、耐水性・耐酸性・耐アル
カリ性など化学的安定性に優れること、比重が小さいこ
とやヤング率が小さいことなどのように機械的特性に優
れることなどの利点を有するからである。遮光膜として
クロム膜の表面に酸化クロム膜を積層したものを使用す
るのは、クロム膜は遮光性に優れるので膜厚を薄くでき
ること、エッチング性がよいことなどの利点を有するか
らである。クロム膜の表面に酸化クロム膜を積層するの
は、遮光性を高めるために光学濃度を高める（約２．８
以上）ためや、クロム膜は光の反射率が大きいので反射
率を下げるためや、更に分光波長域（４００ｎｍ〜７０
０ｎｍ）での反射率に均一性とフラット性をもたせるた
めである。このようなフォトマスクは、先ず、ガラス基
板の片面の全面にクロム膜と酸化クロム膜をこの順に積
層して遮光膜を形成し、その後、酸化クロム膜の表面に
電子線レジストなどのレジストを塗布して電子線露光法
などによりパターニングし、次に、このレジストパター
ンをエッチングマスクとして使用して遮光膜をエッチン
グして遮光膜パターンを形成した後、レジストパターン
を除去して製造される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体集積回路
や液晶表示板の小型化などに伴い、フォトマスクについ
て、優れた微細加工技術による遮光膜パターンの微細化
が進んでいる。しかしながら、ガラス基板は電気的絶縁
性が高く静電気が発生しやすいという性質を有する。そ
のため、フォトマスクが帯電していたり、ガラス基板か
らなるワークが帯電していたりすると、例えば、プロキ
シミティー露光装置を使用し、一定のフォトマスクとワ
ークの間隔（プロキシミティーギャップ）をもって露光
する際、遮光膜と遮光膜との間や遮光膜とワークとの間
でスパークし、遮光膜パターンが破壊されることがあ
る。遮光膜パターンの欠陥は転写パターンの欠陥を引き
起こし、ひいては不良品の発生を招く。このようなフォ
トマスクの静電気による破壊は、各種工程においてフォ
トマスクをハンドリングする際に起こり得る。そこで本
発明は、フォトマスクの静電気による破壊を簡易にかつ
確実に防止する方法を提供することを目的とする。
や液晶表示板の小型化などに伴い、フォトマスクについ
て、優れた微細加工技術による遮光膜パターンの微細化
が進んでいる。しかしながら、ガラス基板は電気的絶縁
性が高く静電気が発生しやすいという性質を有する。そ
のため、フォトマスクが帯電していたり、ガラス基板か
らなるワークが帯電していたりすると、例えば、プロキ
シミティー露光装置を使用し、一定のフォトマスクとワ
ークの間隔（プロキシミティーギャップ）をもって露光
する際、遮光膜と遮光膜との間や遮光膜とワークとの間
でスパークし、遮光膜パターンが破壊されることがあ
る。遮光膜パターンの欠陥は転写パターンの欠陥を引き
起こし、ひいては不良品の発生を招く。このようなフォ
トマスクの静電気による破壊は、各種工程においてフォ
トマスクをハンドリングする際に起こり得る。そこで本
発明は、フォトマスクの静電気による破壊を簡易にかつ
確実に防止する方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の点に基づいてなさ
れた本発明のフォトマスクの静電気による破壊を防止す
る方法は、請求項１記載の通り、ガラス基板の片面にク
ロム膜と酸化クロム膜をこの順に積層した後、所定の遮
光膜パターンを形成したフォトマスクの該遮光膜パター
ンを有する面の表面に透明導電性膜を形成し、相互に離
間した遮光膜同士を該透明導電性膜により接合すること
を特徴とする。また、請求項２記載の方法は、請求項１
記載の方法において、前記透明導電性膜の膜厚を１０ｎ
ｍ〜１００ｎｍとすることを特徴とする。また、請求項
３記載の方法は、請求項１または２記載の方法におい
て、前記透明導電性膜がＩＴＯ膜であることを特徴とす
る。また、本発明のフォトマスクは、請求項４記載の通
り、ガラス基板の片面にクロム膜と酸化クロム膜をこの
順に積層した後、所定の遮光膜パターンを形成したフォ
トマスクの該遮光膜パターンを有する面の表面に透明導
電性膜を形成し、相互に離間した遮光膜同士を該透明導
電性膜により接合したことを特徴とする。
れた本発明のフォトマスクの静電気による破壊を防止す
る方法は、請求項１記載の通り、ガラス基板の片面にク
ロム膜と酸化クロム膜をこの順に積層した後、所定の遮
光膜パターンを形成したフォトマスクの該遮光膜パター
ンを有する面の表面に透明導電性膜を形成し、相互に離
間した遮光膜同士を該透明導電性膜により接合すること
を特徴とする。また、請求項２記載の方法は、請求項１
記載の方法において、前記透明導電性膜の膜厚を１０ｎ
ｍ〜１００ｎｍとすることを特徴とする。また、請求項
３記載の方法は、請求項１または２記載の方法におい
て、前記透明導電性膜がＩＴＯ膜であることを特徴とす
る。また、本発明のフォトマスクは、請求項４記載の通
り、ガラス基板の片面にクロム膜と酸化クロム膜をこの
順に積層した後、所定の遮光膜パターンを形成したフォ
トマスクの該遮光膜パターンを有する面の表面に透明導
電性膜を形成し、相互に離間した遮光膜同士を該透明導
電性膜により接合したことを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のフォトマスクの静電気に
よる破壊を防止する方法は、ガラス基板の片面にクロム
膜と酸化クロム膜をこの順に積層した後、所定の遮光膜
パターンを形成したフォトマスクの該遮光膜パターンを
有する面の表面に透明導電性膜を形成し、相互に離間し
た遮光膜同士を該透明導電性膜により接合することを特
徴とするものである。フォトマスクの遮光膜パターンを
有する面の表面に透明導電性膜を形成し、相互に離間し
た遮光膜同士を該透明導電性膜により接合することで、
遮光膜間の電位差が解消され、静電気の発生による遮光
膜パターンの破壊を防止することができる。
よる破壊を防止する方法は、ガラス基板の片面にクロム
膜と酸化クロム膜をこの順に積層した後、所定の遮光膜
パターンを形成したフォトマスクの該遮光膜パターンを
有する面の表面に透明導電性膜を形成し、相互に離間し
た遮光膜同士を該透明導電性膜により接合することを特
徴とするものである。フォトマスクの遮光膜パターンを
有する面の表面に透明導電性膜を形成し、相互に離間し
た遮光膜同士を該透明導電性膜により接合することで、
遮光膜間の電位差が解消され、静電気の発生による遮光
膜パターンの破壊を防止することができる。
【０００６】透明導電性膜は透明かつ導電性を有する膜
を意味するが、膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの場合にお
いて、光透過率が９０％以上、面積抵抗値が１０００Ω
／ｓｑ以下の特性を有するもの、具体的にはＩＴＯ（イ
ンジウム錫酸化物）膜やＳｎＯ２（酸化錫（ＩＶ））膜
などが好適に使用される。
を意味するが、膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの場合にお
いて、光透過率が９０％以上、面積抵抗値が１０００Ω
／ｓｑ以下の特性を有するもの、具体的にはＩＴＯ（イ
ンジウム錫酸化物）膜やＳｎＯ２（酸化錫（ＩＶ））膜
などが好適に使用される。
【０００７】フォトマスクの遮光膜パターンを有する面
の表面への透明導電性膜の形成は真空蒸着法やスパッタ
リング法などの公知の成膜法によって行えばよい。
の表面への透明導電性膜の形成は真空蒸着法やスパッタ
リング法などの公知の成膜法によって行えばよい。
【０００８】透明導電性膜の形成は相互に離間した遮光
膜間の電位差を解消するために遮光膜同士が接合される
ように形成しさえすれば、フォトマスクの遮光膜パター
ンを有する面の全面に形成してもよいし、スパークが発
生しやすい遮光膜の端部の表面だけに形成してもよい。
本発明においては、透明導電性膜をフォトマスクの最表
面に形成するので、フォトリソグラフィ法などにより任
意のパターンで形成することができる。
膜間の電位差を解消するために遮光膜同士が接合される
ように形成しさえすれば、フォトマスクの遮光膜パター
ンを有する面の全面に形成してもよいし、スパークが発
生しやすい遮光膜の端部の表面だけに形成してもよい。
本発明においては、透明導電性膜をフォトマスクの最表
面に形成するので、フォトリソグラフィ法などにより任
意のパターンで形成することができる。
【０００９】透明導電性膜の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎ
ｍとすることが望ましい。膜厚が１０ｎｍよりも小さい
と静電気の発生を効果的に抑制することができない恐れ
があり、膜厚が１００ｎｍを超えると光透過率の低下に
よる製品パターン精度への影響を招く恐れがあるからで
ある。
ｍとすることが望ましい。膜厚が１０ｎｍよりも小さい
と静電気の発生を効果的に抑制することができない恐れ
があり、膜厚が１００ｎｍを超えると光透過率の低下に
よる製品パターン精度への影響を招く恐れがあるからで
ある。
【００１０】なお、ガラス基板の片面にクロム膜と酸化
クロム膜をこの順に積層した後、所定の遮光膜パターン
を形成したフォトマスクは公知の方法により製造するこ
とができる。クロム膜とガラス基板の密着性を補うため
や、遮光性を高めるために光学濃度を高めるためや、分
光波長域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）での反射率の低減
とその均一性とフラット性を補うためなどに両者の間に
酸化クロム膜を挿入形成してもよい。また、酸化クロム
膜の表面にさらに酸化クロム膜を形成して三層化すると
いったように多層化してもよい。
クロム膜をこの順に積層した後、所定の遮光膜パターン
を形成したフォトマスクは公知の方法により製造するこ
とができる。クロム膜とガラス基板の密着性を補うため
や、遮光性を高めるために光学濃度を高めるためや、分
光波長域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）での反射率の低減
とその均一性とフラット性を補うためなどに両者の間に
酸化クロム膜を挿入形成してもよい。また、酸化クロム
膜の表面にさらに酸化クロム膜を形成して三層化すると
いったように多層化してもよい。
【００１１】本発明の一実施の形態について図１と図２
に示すとともに以下に記述する。図１は本発明の一実施
の形態となるＩＴＯ膜が表面に形成されたフォトマスク
Ａの平面図である。図２は図１のＸ−Ｘ’断面図であ
る。
に示すとともに以下に記述する。図１は本発明の一実施
の形態となるＩＴＯ膜が表面に形成されたフォトマスク
Ａの平面図である。図２は図１のＸ−Ｘ’断面図であ
る。
【００１２】図１と図２に示すように、フォトマスクＡ
は、ガラス基板１の片面にクロム膜２と酸化クロム膜３
をこの順に積層した後、所定の遮光膜パターンを形成し
たフォトマスクの相互に離間した遮光膜１０、１０’同
士をＩＴＯ膜４で接合することにより、遮光膜間の電位
差を解消し、静電気の発生による遮光膜パターンの破壊
を防止したものである。
は、ガラス基板１の片面にクロム膜２と酸化クロム膜３
をこの順に積層した後、所定の遮光膜パターンを形成し
たフォトマスクの相互に離間した遮光膜１０、１０’同
士をＩＴＯ膜４で接合することにより、遮光膜間の電位
差を解消し、静電気の発生による遮光膜パターンの破壊
を防止したものである。
【００１３】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明する
が、本発明は以下の記載に何ら制限されるものではな
い。
が、本発明は以下の記載に何ら制限されるものではな
い。
【００１４】（実施例）５ｍｍの厚みの石英ガラスから
なるガラス基板の片面にクロム膜と酸化クロム膜をこの
順に積層した後（総膜厚１６０ｎｍ）、所定の遮光膜パ
ターンを形成したフォトマスクの該遮光膜パターンを有
する面の全面に膜厚が１２ｎｍ〜１６ｎｍのＩＴＯ膜を
形成し、相互に離間した遮光膜同士を該ＩＴＯ膜により
接合したフォトマスクを製造した。前記膜厚のＩＴＯ膜
は光透過率が９８．８％、面積抵抗値が３３５Ω／ｓｑ
〜３７７Ω／ｓｑであった。このようにして製造された
フォトマスクを装着したプロキシミティー露光装置を使
用し、無アルカリガラス（１７３７：コーニング社製）
からなるガラス基板の片面に樹脂ブラックレジスト（Ｖ
−２５９ＢＫＩＳ：新日鐵化学社製）をスピンコートし
てプリベークし、樹脂ブラックレジストの膜厚を１．４
μｍとしたワークの露光をプロキシミティーギャップ２
００μｍで行った。その結果、ワークを１００枚連続処
理しても静電気による遮光膜パターンの破壊は起こらな
かった。また、ＩＴＯ膜に起因する光透過率の低下によ
る製品パターン精度への影響はなかった。
なるガラス基板の片面にクロム膜と酸化クロム膜をこの
順に積層した後（総膜厚１６０ｎｍ）、所定の遮光膜パ
ターンを形成したフォトマスクの該遮光膜パターンを有
する面の全面に膜厚が１２ｎｍ〜１６ｎｍのＩＴＯ膜を
形成し、相互に離間した遮光膜同士を該ＩＴＯ膜により
接合したフォトマスクを製造した。前記膜厚のＩＴＯ膜
は光透過率が９８．８％、面積抵抗値が３３５Ω／ｓｑ
〜３７７Ω／ｓｑであった。このようにして製造された
フォトマスクを装着したプロキシミティー露光装置を使
用し、無アルカリガラス（１７３７：コーニング社製）
からなるガラス基板の片面に樹脂ブラックレジスト（Ｖ
−２５９ＢＫＩＳ：新日鐵化学社製）をスピンコートし
てプリベークし、樹脂ブラックレジストの膜厚を１．４
μｍとしたワークの露光をプロキシミティーギャップ２
００μｍで行った。その結果、ワークを１００枚連続処
理しても静電気による遮光膜パターンの破壊は起こらな
かった。また、ＩＴＯ膜に起因する光透過率の低下によ
る製品パターン精度への影響はなかった。
【００１５】（比較例）実施例においてＩＴＯ膜を形成
する前段階のフォトマスクを装着したプロキシミティー
露光装置を使用し、実施例と同様のワークの連続処理を
行ったところ、８枚目までは問題なく処理を行うことが
できた。しかしながら、９枚目で静電気による遮光膜パ
ターンの破壊が起こった結果、９枚目のワークはフォト
マスクの遮光膜パターンの欠陥がそのまま露光転写され
てしまい、露光不良パターンとなってしまった。
する前段階のフォトマスクを装着したプロキシミティー
露光装置を使用し、実施例と同様のワークの連続処理を
行ったところ、８枚目までは問題なく処理を行うことが
できた。しかしながら、９枚目で静電気による遮光膜パ
ターンの破壊が起こった結果、９枚目のワークはフォト
マスクの遮光膜パターンの欠陥がそのまま露光転写され
てしまい、露光不良パターンとなってしまった。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、ガラス基板の片面にク
ロム膜と酸化クロム膜をこの順に積層した後、所定の遮
光膜パターンを形成したフォトマスクの該遮光膜パター
ンを有する面の表面に透明導電性膜を形成し、相互に離
間した遮光膜同士を該透明導電性膜により接合するとい
う簡易な方法で、遮光膜間の電位差を解消し、静電気の
発生による遮光膜パターンの破壊を確実に防止すること
ができる。
ロム膜と酸化クロム膜をこの順に積層した後、所定の遮
光膜パターンを形成したフォトマスクの該遮光膜パター
ンを有する面の表面に透明導電性膜を形成し、相互に離
間した遮光膜同士を該透明導電性膜により接合するとい
う簡易な方法で、遮光膜間の電位差を解消し、静電気の
発生による遮光膜パターンの破壊を確実に防止すること
ができる。
【図１】 本発明の一実施の形態となるＩＴＯ膜が表面
に形成されたフォトマスクの平面図である。
に形成されたフォトマスクの平面図である。
【図２】 図１のＸ−Ｘ’断面図である。
Ａ フォトマスク １ ガラス基板 ２ クロム膜 ３ 酸化クロム膜 ４ ＩＴＯ膜 １０、１０’ 相互に離間した遮光膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡邊 英春 福島県いわき市内郷高坂町四方木田145番 １ 株式会社アンデスインテック内 Ｆターム(参考） 2H095 BC17
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス基板の片面にクロム膜と酸化クロ
ム膜をこの順に積層した後、所定の遮光膜パターンを形
成したフォトマスクの該遮光膜パターンを有する面の表
面に透明導電性膜を形成し、相互に離間した遮光膜同士
を該透明導電性膜により接合することを特徴とするフォ
トマスクの静電気による破壊を防止する方法。 - 【請求項２】 前記透明導電性膜の膜厚を１０ｎｍ〜１
００ｎｍとすることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記透明導電性膜がＩＴＯ膜であること
を特徴とする請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 ガラス基板の片面にクロム膜と酸化クロ
ム膜をこの順に積層した後、所定の遮光膜パターンを形
成したフォトマスクの該遮光膜パターンを有する面の表
面に透明導電性膜を形成し、相互に離間した遮光膜同士
を該透明導電性膜により接合したことを特徴とするフォ
トマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000389468A JP2002189286A (ja) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | フォトマスクの静電気による破壊を防止する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000389468A JP2002189286A (ja) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | フォトマスクの静電気による破壊を防止する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002189286A true JP2002189286A (ja) | 2002-07-05 |
Family
ID=18856013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000389468A Withdrawn JP2002189286A (ja) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | フォトマスクの静電気による破壊を防止する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002189286A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014134667A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Nikon Corp | フォトマスク用基板およびフォトマスク |
| KR20190111779A (ko) * | 2018-03-23 | 2019-10-02 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크, 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
| KR20200058705A (ko) * | 2018-11-20 | 2020-05-28 | 주식회사 셀코스 | 내화학성 및 고투과율을 가지는 대전방지 포토마스크 및 그 제조방법 |
-
2000
- 2000-12-21 JP JP2000389468A patent/JP2002189286A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014134667A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Nikon Corp | フォトマスク用基板およびフォトマスク |
| KR20190111779A (ko) * | 2018-03-23 | 2019-10-02 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크, 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
| KR102193506B1 (ko) | 2018-03-23 | 2020-12-21 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크, 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
| KR20200058705A (ko) * | 2018-11-20 | 2020-05-28 | 주식회사 셀코스 | 내화학성 및 고투과율을 가지는 대전방지 포토마스크 및 그 제조방법 |
| KR102120819B1 (ko) | 2018-11-20 | 2020-06-09 | 주식회사 셀코스 | 내화학성 및 고투과율을 가지는 대전방지 포토마스크 및 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100759627B1 (ko) | 박막의 패턴닝 방법 및 그것을 이용한 tft 어레이 기판 및그 제조 방법 | |
| US8414783B2 (en) | Method of forming double-sided patterns in a touch panel circuit | |
| US4440841A (en) | Photomask and photomask blank | |
| KR101031123B1 (ko) | 포토마스크 및 포토마스크의 제조 방법과, 패턴 전사 방법 | |
| WO2013058385A1 (ja) | 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2008241921A (ja) | フォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 | |
| US20130162552A1 (en) | Touch devices and fabrication methods thereof | |
| TWI587076B (zh) | 遮罩胚體及光罩 | |
| JP6475400B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP2009086384A (ja) | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 | |
| KR100779956B1 (ko) | 포토마스크 블랭크 및 포토마스크 제조방법 | |
| TWI226965B (en) | Semi-transmission type liquid crystal display and fabrication method thereof | |
| JP2002189286A (ja) | フォトマスクの静電気による破壊を防止する方法 | |
| JPH01214859A (ja) | マスク | |
| KR20060117874A (ko) | 포토마스크 및 영상 디바이스의 제조방법 | |
| KR100526527B1 (ko) | 포토마스크와 그를 이용한 마스크 패턴 형성 방법 | |
| TWI710850B (zh) | 光罩、光罩基底、光罩之製造方法、及電子元件之製造方法 | |
| KR20240014357A (ko) | 고투과율을 가지는 대전방지 포토마스크 | |
| KR102120819B1 (ko) | 내화학성 및 고투과율을 가지는 대전방지 포토마스크 및 그 제조방법 | |
| JP6065549B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| WO2016161707A1 (zh) | 一种灰色调掩膜及其制作方法 | |
| US7501071B2 (en) | Method of forming a patterned conductive structure | |
| JPH03271738A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| KR20230047004A (ko) | 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| JP2013093395A (ja) | 反射型露光用マスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080304 |