KR20060117874A - 포토마스크 및 영상 디바이스의 제조방법 - Google Patents

포토마스크 및 영상 디바이스의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060117874A
KR20060117874A KR1020057025451A KR20057025451A KR20060117874A KR 20060117874 A KR20060117874 A KR 20060117874A KR 1020057025451 A KR1020057025451 A KR 1020057025451A KR 20057025451 A KR20057025451 A KR 20057025451A KR 20060117874 A KR20060117874 A KR 20060117874A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
photomask
light
shielding film
reflectance
Prior art date
Application number
KR1020057025451A
Other languages
English (en)
Inventor
요시노리 이와나가
Original Assignee
호야 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 호야 가부시키가이샤 filed Critical 호야 가부시키가이샤
Publication of KR20060117874A publication Critical patent/KR20060117874A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/52—Reflectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

투광성 기판의 표면의 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 디바이스 패턴이 형성된 포토 마스크에 있어서, 상기 포토마스크는, 주변부의 비(非) 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 제품 식별 패턴 등의 비 디바이스 패턴(non-device pattern)을 가지며, 적어도 상기 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 위치와 마주보는 투광성 기판의 이면에, 상기 투광성 기판의 이면의 주변부로부터 입사하는 노광광의 투과를 감소시키는 광투과 감소수단으로서, 광투과 감소박막을 설치하였다.

Description

포토마스크 및 영상 디바이스의 제조방법{PHOTOMASK AND VIDEO DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 패턴 전사에 이용되는 포토마스크 및 그 포토마스크를 이용한 영상 디바이스의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 디바이스, 및 촬상 디바이스, 표시 디바이스 등의 영상 디바이스 등의 제조공정에서는, 축소 투영 노광장치 등의 노광장치를 이용하여, 포토마스크를 통해 노광광을 조사하여, 디바이스 기판상의 감광성 재료에 패턴을 전사하는 공정을 가진다. 이때 이용되는 포토마스크로는, 직사각형 유리 등의 투광성 기판상에 차광성 막 패턴을 가지는 것이 일반적이다. 차광성 막 패턴으로는, 크롬을 주체로 하는 것, 몰리브덴실리사이드를 주체로 하는 것 등이 있다.
상술한 노광장치에서, 통상적으로 패턴의 전사는, 포토마스크의 표면(차광성 막 패턴면)을 하측을 향하도록 배치하고, 포토마스크의 이면(유리면)으로부터 노광광을 조사하여 행해진다. 이 때문에, 포토마스크 표면의 반사율이 높으면, 피전사면과 포토마스크와의 사이에서 다중 반사에 의해 미광(迷光; stray light)이 발생하여, 결상특성을 저하시키는 문제가 발생하므로, 차광성 막 표면은 저반사로 제어되고 있다. 예를 들어, 크롬을 주체로 하는 포토마스크의 경우, 크롬막의 반사율 은 노광광(200nm∼500nm) 부근에서 40∼50% 정도로 높기 때문에, 그 위에 산화크롬계의 반사방지막을 형성함으로써, 반사율이 약 15% 정도로 억제되고 있다. 또한, 유리면의 반사율은 8% 부근이다. 또한, 포토마스크의 이면과 조명 시스템 간의 다중 반사를 감소시키기 위해 기판측에도 반사방지막이 형성된 양면 반사 방지 타입의 포토마스크도 있다.
또한, 포토마스크는 통상, 중앙부에 설치된 피전사체상에 전사할 패턴이 형성된 전사영역과, 그 주변부에 설치된 비(非) 전사영역을 가진다. 주변부의 비 전사영역에는, 예컨대 육안으로 식별하기 위한 포토마스크의 제품명이나, 예컨대 일본 특허 공개 공보 제2000-99619호에 기재된 바와 같은 포토마스크의 식별방법에 의해 포토마스크를 식별하기 위한 바코드 등의 제품 식별 정보를 나타내는 차광성 막 패턴이 형성되어 있다. 그리고, 이와 같은 포토마스크를 이용하여 패턴을 전사할 때에는, 노광광이 비 전사영역에 조사되지 않도록 노광광을 차단하는 블라인드가 이용된다. 상기 블라인드로서는, 포토마스크 이면의 수직 상방에 배치되는 것과, 포토마스크의 패턴과 동일면에 실상(實像; real image)을 연결하는 결상식 블라인드가 있다.
그러나, 상술한 바와 같은 포토마스크 주변부의 비 전사영역에 형성된 제품 식별 정보를 나타내는 차광막 패턴 등의 비 디바이스 패턴(non-device pattern)이, 노광장치에 있어서 블라인드를 설치하였음에도 불구하고, 노광장치 내의 미광의 영향으로 인해, 피전사면에 해상(解像)되어 버린다는 문제점이 있었다.
또한, 촬상소자나 표시장치 등의 영상 디바이스를 제조할 때에는, 화소 패턴과 같은 단순한 반복 패턴을 전사하기 때문에, 불필요한 비 디바이스 패턴의 상이 해상되어 버린다. 그 결과, 화소 패턴의 패턴 선폭 오차가, 상기 비 디바이스 패턴의 형상의 경향과 일치되어 버려, 그 영상에 비 디바이스 패턴 형상의 얼룩이 발생될 우려가 있으므로, 특히 문제가 된다.
본 발명은, 상기의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 포토마스크의 비 전사영역에 형성된 비 디바이스 패턴이 피전사면에 해상되는 것을 방지할 수 있는 포토마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 영상에 포토마스크의 비 디바이스 패턴 형상의 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있는 영상 디바이스의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 다음과 같은 구성을 가진다.
(구성 1)
투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크로서, 상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 적어도 상기 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 위치와 마주보는 투광성 기판 이면에, 상기 투광성 기판 이면의 주변부로부터 입사하는 노광광의 투과를 감소시키는 광투과 감소수단을 설치한 것을 특징으로 하는 포토마스크.
(구성 2)
상기 광투과 감소수단은, 노광광의 투과를 감소시키는 작용을 갖는 박막 또는 필름으로 이루어진 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 포토마스크.
(구성 3)
상기 광투과 감소수단은, 기판면의 조면화(粗面化) 처리에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 포토마스크.
(구성 4)
투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크로서, 상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴이 피전사면상에서 해상되지 않도록, 상기 투광성 기판의 이면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이를 감소시키는 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
(구성 5)
투광성 기판의 이면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이가 감소되도록, 상기 노광광에 대한 상기 패턴부 또는 비 패턴부의 차광성 막의 반사율이 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 구성 4에 기재된 포토마스크.
(구성 6)
투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크로서, 상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴은, 그 패턴부 및 비 패턴부가, 포토마스크 표면으로부터 입사한 노광광에 대해서는 패턴부와 비 패턴부의 반사율이 다르지만, 포토마스크의 이면으로부터 입사한 노광광에 대해서는 패턴부와 비 패턴부의 실질적인 반사율 차이가 발생하지 않도록 차광성 막의 조합으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
(구성 7)
투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크로서, 상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴이 피전사면상에서 해상되지 않도록, 상기 포토마스크 표면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이를 감소시키는 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
(구성 8)
상기 포토마스크 표면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이가 감소되도록, 상기 노광광에 대한 상기 패턴부 또는 비 패턴부의 차광성 막의 반사율이 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 구성 7에 기재된 포토마스크.
(구성 9)
투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크로서, 상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴 상에 또는 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 영역에, 피전사면상에서 실질적으로 해상되지 않는 미세 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
(구성 10)
구성 1 내지 9 중 어느 하나에 기재된 포토마스크를 이용하여 패턴을 전사하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 영상 디바이스의 제조방법.
여기서, 본 발명의 차광성 막 패턴으로는, 크롬을 주체로 하는 것, 몰리브덴실리사이드를 주체로 하는 것 등을 이용할 수 있다. 또한, 포토마스크로는, 표면에 반사방지막을 구비한 2층 또는 다층구조인 것, 혹은 이면에도 반사방지막이 형성된 양면 반사방지 타입인 것이 이용된다.
상기 투광성 기판은, 합성 석영 유리 등의 유리 기판을 이용할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 비 디바이스 패턴이란, 포토마스크의 제품명 또는 제품 코드, 혹은 제품 식별을 위한 바코드 등의 제품 식별 패턴, 또는 얼라인먼트 마크 등의 각종 위치 정렬 마크를 포함한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토마스크를 나타낸 도면으로서, (a)는 평면도, (b)는 이면도 , (c)는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토마스크의 제조공정도이다.
도 3은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 포토마스크의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 포토마스크의 제조공정도이다.
도 5는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 포토마스크의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 포토마스크의 제조공정도이다.
도 7은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 포토마스크를 나타낸 도면으로서, (a)는 평면도, (b)는 부분확대도이다.
도 8은 노광장치의 모식적인 구성도이다.
이하에서는, 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토마스크는, 투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크에 있어서, 상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 적어도 상기 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 위치와 마주보는 투광성 기판 이면에, 상기 투광성 기판 이면의 주변부로부터 입사하는 노광광의 투과를 감소시키는 광투과 감소수단을 설치한 것을 특징으로 한다.
상기의 구성에 의하면, 포토마스크의 주변부의 이면으로부터 노광광이 입사하는 것을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 포토마스크의 주변부의 이면으로부터 입사한 노광광이 비 디바이스 패턴면에서 반사되고, 그 반사광이 미광이 되어 비 디바이스 패턴이 피전사면에 해상되어 버리는 것을 방지할 수 있다.
즉, 예를 들면, 결상식 블라인드를 갖는 노광장치를 이용한 경우, 도 8에 도시된 바와 같이 포토마스크(23)와 블라인드(21) 사이에 광학시스템(22)이 있기 때문에, 포토마스크(23)의 이면으로부터 입사되어 반사된 광은 미광이 되어, 다시 포토마스크에 도달한다. 그 미광은, 사광(斜光)이 되어 기판주변부에도 도달되는데 비 디바이스 패턴에 이르면, 그 비 디바이스 패턴을 해상한 광이 반사를 반복하면서 피전사체(27)의 피전사면에 도달하여, 피전사면에 해상되어 버리는 것을 생각할 수 있다. 이 때문에, 포토마스크 이면의 적어도 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 위치와 마주보는 위치에 광투과 감소수단을 설치하여, 포토마스크 주변부로부터의 광을 차단한다. 이에 따라, 비 디바이스 패턴에 광이 도달하는 것을 방지할 수 있으므로, 비 디바이스 패턴을 해상한 광이 미광이 되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 도 8은 노광장치의 모식적인 구성도로서, 도면 중, 도면부호 24는 포토마스크에서의 투명기판, 도면부호 25는 포토마스크에서의 차광성 막 패턴, 도면부호 26은 포토마스크 표면을 보호하는 페리클이다.
여기서, 광투과 감소수단이란, 통상 투광성 기판 이면(포토마스크의 이면)으로부터 입사하는 노광광에 대해, 투과를 감소시키는 작용을 가지는 수단으로서, 통상의 경우(광투과 감소수단을 설치하지 않은 경우)에 비해 8할 이하의 광을 투과하는 것이 바람직하다. 상기 광투과 감소수단에 의해, 노광광은, 흡수, 반사 또는 산란 중 어느 하나, 혹은 이들 중 2종류 이상이 이루어지므로, 포토마스크의 주변부의 이면으로부터 입사하는 노광광의 투과가 감소된다.
상기 광투과 감소수단으로서는, 노광광의 투과를 감소시키는 작용, 즉, 노광광을 흡수, 반사 또는 산란, 혹은 이들 중 2종류 이상의 작용을 가지는 박막 또는 필름(시트형상 재료도 포함), 혹은 레이저 등의 조사에 의해 개질(예를 들면, 조면화)된 기판면 등을 들 수 있다. 상기 박막으로서는 도포막, 증착막, 스퍼터링막 등을 예로 들 수 있고, 또한 재료로서는 상기의 작용을 가지는 것이라면 무엇이든 좋으며, 금속, 금속산화물, 질화물, 탄화물, 불화물 등의 금속화합물, 또는 이들의 혼합물, 카본, 유기수지 등을 예로 들 수 있다.
상기 제 1 실시예에서는, 하나의 포토마스크에 상기한 비 디바이스 패턴 중 복수 종류의 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 경우는, 전부 또는 선택된 비 디바이스 패턴에 대해서만, 광투과 감소수단을 설치하도록 할 수 있다. 또한, 어느 비 디바이스 패턴에 대해 부분적으로 문제가 발생한 경우는, 상기 비 디바이스 패턴의 일부분에 대해, 광투과 감소수단을 설치하도록 할 수 있다.
또한, 상기 제 1 실시예의 경우, 제품 식별 패턴 등의 비 디바이스 패턴은, 포토마스크 표면으로부터 인식가능함은 물론이다.
다음으로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토마스크는, 투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크에 있어서, 상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴이 피전사면상에서 해상되지 않도록, 상기 투광성 기판의 이면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이를 감소시키는 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기의 구성에 의하면, 포토마스크의 이면으로부터 직접 입사하거나, 혹은 피전사면으로부터의 반사광이 포토마스크 주변부의 이면으로부터 입사하여, 그 광이 반사되었다 하더라도, 그 반사광은 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이가 감소되어 있다. 이 때문에, 피전사면에 도달한 경우에 비 디바이스 패턴을 해상할 우려를 감소시킬 수 있다.
여기서, 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부는, 차광성 막 패턴의 제거 패턴에 의해 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 경우는, 제거 패턴부를 패턴부로 하고 그 주변의 기판부를 비 패턴부로 한다. 한편, 차광성 막 패턴의 잔류 패턴에 의해 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 경우는, 잔류 패턴부를 패턴부로 하고 그 주변의 기판부를 비 패턴부로 한다.
본 제 2 실시예에서는, 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이를 감소시키는 수단을 설치함으로써, 종래의 포토마스크에 비해 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이가 감소된다. 종래의 포토마스크에 대해, 반사율 차이가 8할 이하가 되는 것이 바람직하다. 종래의 포토마스크란, 표면에 반사방지막을 구비한 2층 또는 다층구조인 것이나, 혹은 이면에도 반사방지막이 형성된 양면 반사 방지 타입인 것이 포함된다. 노광장치의 종류 및 포토마스크의 종류에 따라, 비 디바이스 패턴의 피전사면으로의 해상 문제의 정도는 달라진다. 따라서, 노광장치와 포토마스크의 종류에 따라 문제가 발생한 경우에, 본 발명을 채용할 수 있다.
또한, 본 제 2 실시예에서도, 1개의 포토마스크에 상기한 비 디바이스 패턴 중 복수 종류의 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 경우는, 전부 또는 선택된 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 영역에 대해서만, 반사율 차이를 감소시키는 수단을 설치할 수 있다. 또한, 어느 비 디바이스 패턴에 대해 부분적으로 문제가 발생한 경우에는, 상기 비 디바이스 패턴의 일부분의 영역에 대해, 반사율 차이를 감소시키는 수단을 설치할 수 있다.
이와 같은 반사율 차이를 감소시키는 수단으로서는, 다음과 같은 방법을 예로 들 수 있다.
즉, 투광성 기판의 이면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이가 감소되도록, 노광광에 대한 상기 패턴부 또는 비 패턴부의 차광성 막의 반사율을 조정하는 방법이 있다. 구체적으로는, 패턴부 또는 비 패턴부의 차광성 막을 두께방향으로 부분적으로 에칭하여 투과성을 가지게 함으로써, 비 패턴부 또는 패턴부의 반사율이 투광성 기판의 반사율에 근접한 막 두께로 설정하는 방법이다. 상기의 경우, 제품 식별 패턴 등의 비 디바이스 패턴은, 포토마스크의 표면 또는 이면으로부터 식별이 가능하다.
다음으로, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 포토마스크는, 투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크에 있어서, 상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴은, 그 패턴부 및 비 패턴부가, 포토마스크 표면으로부터 입사한 노광광에 대해서는 패턴부와 비 패턴부의 반사율이 서로 다르지만, 포토마스크 이면으로부터 입사한 노광광에 대해서는 패턴부와 비 패턴부의 실질적인 반사율 차이가 생기지 않도록 차광성 막의 조합으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기한 구성에 의하면, 포토마스크 이면으로부터 입사한 노광광이 비 디바이스 패턴면에서 반사되더라도, 그 반사광은, 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부의 실질적인 반사율 차이가 생기지 않기 때문에, 피전사면에 도달한 경우에 비 디바이스 패턴을 해상할 우려가 없다. 또한, 포토마스크 표면으로부터 입사한 노 광광에 대해서는 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부의 반사율이 다르다. 그러나, 포토마스크의 통상적인 사용방법에서는, 포토마스크의 이면으로부터의 입사광이 압도적이기 때문에, 본 실시형태에서는, 비 디바이스 패턴이 피전사면에서 해상되기 어렵다. 포토마스크 표면으로부터 입사한 노광광에 대해서는 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부의 반사율 차이는, 제품 식별 패턴 등의 비 디바이스 패턴이 포토마스크 표면으로부터 육안으로 인식가능한 정도인 것이 적당하다.
본 실시예의 포토마스크는, 구체적으로는, 비 디바이스 패턴을 형성할 때의 차광막의 에칭을, 두께방향으로 부분적으로 실시한다. 이에 따라, 이면에서는 제거 패턴과 같이 기판이 노출되는 경우에 비해 실질적으로 패턴부와 비 패턴부의 반사율 차이가 사라져 패턴으로서 인식이 불가능하고, 표면에서는 비 디바이스 패턴을 육안으로 인식가능할 정도로 반사율 차이가 생긴다. 이 경우, 제품 식별 패턴 등의 비 디바이스 패턴은, 포토마스크 표면으로부터는 인식이 가능하다.
또한, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 포토마스크는, 투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크에 있어서, 상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴이 피전사면상에서 해상되지 않도록, 상기 포토마스크 표면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이를 감소시키는 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기의 구성에 의하면, 피전사면으로부터의 반사광이 포토마스크 표면의 주변부에 조사되어, 그 광이 반사되었다 하더라도, 그 반사광은, 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이가 감소되어 있기 때문에, 피전사면에 도달한 경우에 비 디바이스 패턴을 해상할 우려를 감소시킬 수 있다.
여기서, 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부는, 전술한 제 2 및 제 3 실시예와 마찬가지로, 차광성 막 패턴의 제거 패턴에 의해 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 경우는, 제거 패턴부를 패턴부로, 그 주변의 기판부를 비 패턴부로 하고, 차광성 막 패턴의 잔류 패턴에 의해 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 경우는, 잔류 패턴부를 패턴부로, 그 주변의 기판부를 비 패턴부로 한다.
본 제 4 실시예에서는, 포토마스크 표면으로부터 입사한 노광광에 대해 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이를 감소시키는 수단을 설치한다. 이에 따라, 종래의 포토마스크보다도, 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이가 감소된다. 종래의 포토마스크에 대해, 반사율 차이가 8할 이하가 되는 것이 바람직하다. 종래의 포토마스크에는, 전술한 실시예의 경우와 마찬가지로, 표면에 반사방지막을 구비한 2층 또는 다층 구조인 것, 혹은 이면에도 반사방지막이 형성된 양면 반사방지 타입인 것이 포함된다. 노광장치의 종류 및 포토마스크의 종류에 따라, 비 디바이스 패턴의 피전사면으로의 해상 문제의 정도가 달라지므로, 노광장치와 포토마스크의 종류에 따라 문제가 발생한 경우에, 본 발명을 채용할 수 있다.
또한, 본 제 4 실시예에서도, 하나의 포토마스크에 상기한 비 디바이스 패턴 중 복수 종류의 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 경우는, 전부 또는 선택된 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 영역에 대해서만, 반사율 차이를 감소시키는 수단 을 설치할 수 있다. 또한, 어느 비 디바이스 패턴에 대해 부분적으로 문제가 발생했을 경우는, 상기 비 디바이스 패턴의 일부분의 영역에 대해, 반사율 차이를 감소시키는 수단을 설치할 수 있다.
본 실시예에 있어서의 반사율 차이를 감소시키는 감소수단으로는, 다음과 같은 방법을 예로 들 수 있다.
즉, 포토마스크 표면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이가 감소되도록, 노광광에 대한 상기 패턴부 또는 비 패턴부의 차광성 막의 반사율을 조정하는 방법이다. 구체적으로는, 전술한 제 2 실시예의 경우와 마찬가지로, 패턴부 또는 비 패턴부의 차광성 막을 두께방향으로 부분적으로 에칭하여 투과성을 가지게 함으로써, 비 패턴부 또는 패턴부의 반사율이 투광성 기판의 반사율에 근접한 막 두께로 설정하는 방법이다. 상기의 경우, 제품 식별 패턴 등의 비 디바이스 패턴은, 포토마스크 표면 또는 이면으로부터 인식이 가능하다.
또한, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 포토마스크는, 투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크에 있어서, 상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴 상에 또는 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 영역에, 피전사면상에서 실질적으로 해상되지 않는 미세 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기의 구성에 의하면, 비 디바이스 패턴 상에 또는 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 영역에 형성된, 피전사면상에서 실질적으로 해상되지 않는(예를 들면, 노광광에 의한 해상한계 이하의) 미세 패턴에 의해, 비 디바이스 패턴의 투과율 또는 반사율을, 상기 미세 패턴이 형성되어 있지 않은 종래의 포토마스크에 비해 감소시킬 수 있다. 또한, 비 디바이스 패턴부분에서 발생한 반사광이 피전사면에 도달하였다 하더라도, 상기 미세 패턴은 피전사면상에서 실질적으로 해상되지 않으므로, 미세 패턴이 겹쳐진 비 디바이스 패턴이 피전사면에 해상되어 버리는 것을 방지할 수 있다.
구체적으로는, 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부가 차광성 막의 제거패턴인 경우는, 비 디바이스 패턴, 또는 비 디바이스 패턴 및 그 주변영역에 미세 패턴을 형성한다. 또한, 비 디바이스 패턴이 차광성 막의 잔류 패턴인 경우는, 그 잔류 패턴을 미세 패턴 형상으로 에칭하는 것을 고려할 수 있다.
미세 패턴의 형상은, 슬릿형상, 메시형상 등 적당히 선택할 수 있으며, 그 사이즈는 요구되는 투과특성 또는 반사특성에 따라, 피전사면상에서 실질적으로 해상되지 않는 사이즈의 범위내에서 적당히 결정된다.
본 발명의 포토마스크는, 포토마스크를 이용한 패턴 전사 공정을 갖는 영상 디바이스의 제조에 적합하게 이용할 수 있다. 영상 디바이스의 구체적인 예로서는, CCD, CMOS, VMIS 등의 고체 촬상장치 등의 촬상 디바이스, 또는 액정표시장치, 플라즈마 표시장치, EL 표시장치, LED 표시장치, DMD 표시장치 등의 표시 디바이스를 들 수 있다.
이하에서는, 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
(제 1 실시예)
도 1은 제 1 실시예에 따른 포토마스크를 나타낸 것으로서, 도 1의 (a)는 본 실시예의 포토마스크를 수평으로 향하게 했을 때의 평면도이고, 도 1의 (b)는 본 실시예의 포토마스크의 이면에서 바라본 도면이고, 도 1의 (c)는 도 1의 (a) 및 (b)의 점선 A-A' 부분에 따른 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 포토마스크(1)는, 전사영역(2)과, 그 주변부의 비 전사영역(3)을 가진다. 포토마스크 표면(4)에서는, 합성석영유리 등으로 이루어진 투명기판(6) 표면의 전사영역(2)에는 차광성 막 패턴으로 이루어진 디바이스 패턴(7)이 형성되고, 투명 기판(6) 표면의 비 전사영역(3)에는 차광성 막에 제거 패턴으로 형성된 비 디바이스 패턴인 제품 식별 패턴(8)을 가진다. 또한, 상기 비 전사영역(3)에 대응하는 포토마스크의 이면(5)에는, 광투과 감소수단으로서의 광투과 감소박막(9)이, 예컨대 MEK(메틸에틸케톤)와 미립자의 산화아연(ZnO)으로 이루어진 반사방지도료를 사용하여, 잉크젯 인쇄에 의해 형성되어 있다.
다음으로, 본 실시예의 포토마스크(1)의 제조방법을 도 2의 제조공정도를 참조하면서 설명한다.
투명기판(6)상에, 크롬막, 산화크롬막을 순차로 형성한 차광성 막(10)이 형성되고, 그 위에 레지스트막(11)이 도포된, 레지스트막 부착 포토마스크 블랭크(12)를 준비하였다(도 2의 (1)참조).
그런 다음, 레지스트막(11) 상에, 전사영역내의 디바이스 패턴 및 비 전사영역에 제품 식별 패턴을 그리고, 현상하여 레지스트 패턴(11')을 형성한 후, 이 레지스트 패턴(11')에 따라 차광성 막(10)을 에칭한다(도 2의 (2)참조).
다음으로, 레지스트 패턴의 박리 및 세정을 하여, 디바이스 패턴(7) 및 제품 식별 패턴(8)이 투명기판(6) 표면에 형성된 광투과 감소수단 형성전의 포토마스크(13)를 얻는다(도 2의 (3)참조).
이후, 포토마스크 이면에 비접촉식으로 인쇄가능한 잉크젯 인쇄기를 이용하여, 비 전사영역(3)에 대응하는 부분에 상기 반사방지도료를 도포하고 건조시킨다(도 2의 (4)참조).
이와 같이 하여 형성된 광투과 감소 박막(9)은, 노광광(파장 230∼370㎚)에 대한 투과율이 5% 이하이다.
본 실시예의 포토마스크(1)를 이용하여, 피전사면에 패턴을 전사함으로써, 포토마스크 이면으로부터 조사된 노광광이, 포토마스크 주변부의 비 전사영역에 형성된 비 디바이스 패턴에 도달하는 것을 방지할 수 있다.
(제 2 실시예)
제 2 실시예는, 포토마스크의 비 전사영역에 대응하는 투명기판의 이면에, 광차단막으로서, 예컨대 폴리에스테르로 이루어진 반사방지필름을 점착제에 의해 붙여 형성한 것이다.
이후, 본 실시예의 포토마스크의 제조방법에 대해 설명한다.
제 1 실시예와 마찬가지로, 디바이스 패턴 및 제품 식별 패턴이 투명기판 표면에 형성된 광차단막 형성전의 포토마스크를 얻는다.
그런 다음, 상기 포토마스크의 이면에, 미리 전사영역에 대응하는 부분을 잘라낸 상기 반사방지필름(두께 50㎛)을 점착제에 의해 붙여, 투명기판 이면의 비 전 사영역에 광차단막을 형성한다.
이와 같이 형성된 광차단막은, 노광광(파장 230∼370㎚)에 대한 투과율이 2% 이하이다.
본 실시예의 포토마스크를 이용하여 패턴을 전사함으로써, 포토마스크 이면으로부터 조사된 노광광이, 포토마스크 주변부의 비 전사영역에 형성된 비 디바이스 패턴에 도달하는 것을 방지할 수 있다.
(제 3 실시예)
제 3 실시예는, 포토마스크의 비 전사영역에 대응하는 투명기판의 이면에, 광차단막으로서, 예를 들면 산화크롬으로 이루어진 저(低)반사막을 증착에 의해 형성한 것이다.
이하에서는, 본 실시예의 포토마스크의 제조방법에 대해 설명한다.
제 1 실시예와 마찬가지로, 디바이스 패턴 및 제품 식별 패턴이 투명기판 표면에 형성된 광차단막 형성전의 포토마스크를 얻는다.
다음으로, 상기 포토마스크의 이면 전체에 산화크롬을 증착하고, 그 위에 레지스트막을 도포한다. 그런 다음, 레지스트막 상에 전사영역에 대응하는 전체 영역을 그리고, 현상하여 레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴에 따라 전사영역의 산화크롬막을 에칭한다. 이후, 레지스트 패턴의 박리 및 세정을 하여, 투명기판 이면의 비 전사영역에 광차단막을 형성한다.
이와 같이 형성된 광차단막은, 노광광(파장 230∼370㎚)에 대한 반사율이 12% 이하이다.
상기 본 실시예의 포토마스크를 이용하여 패턴을 전사함으로써, 포토마스크 이면으로부터 조사된 노광광이, 포토마스크 주변부의 비 전사영역에 형성된 비 디바이스 패턴에 도달하는 것을 방지할 수 있다.
(제 4 실시예)
제 4 실시예는, 광투과 감소수단으로서, 포토마스크의 비 전사영역에 대응하는 투명기판의 이면에 레이저를 조사함으로써, 광을 산란시키는 작용을 얻기 위한 가공을 실시하여 형성된 것이다.
이하에서는, 본 실시예의 포토마스크의 제조방법에 대해 설명한다.
제 1 실시예와 마찬가지로, 디바이스 패턴 및 제품 식별 패턴이 투명기판 표면에 형성된 포토마스크를 얻는다.
다음으로, 상기 포토마스크 이면의 비 전사영역에 탄산가스 레이저를 이용하여, 유리면을 조면화시켜 노광광을 산란시키는 가공을 한다.
이와 같이 형성된 비 전사영역의 가공면에서는, 노광광(파장 230∼370㎚)에 대한 투과율이 30% 이하이다.
상기 본 실시예의 포토마스크를 이용하여 패턴을 전사함으로써, 포토마스크 이면으로부터 조사된 광이, 포토마스크 주변부의 비 전사영역에 형성된 비 디바이스 패턴에 도달하는 것을 방지할 수 있다.
(제 5 실시예)
도 3은, 제 5 실시예에 따른 포토마스크의 단면도이다. 본 실시예의 포토마스크(14)는, 포토마스크 주변부의 비 전사영역(3)에서의 차광성 막의 전체면을 두 께방향으로 부분적으로 에칭하여 투과성을 가지게 함으로써, 기판의 반사율과 실질적으로 동일한 막 두께로 설정된 것이다.
본 실시예의 포토마스크의 제조방법을, 도 4의 제조공정도를 이용하여 설명한다.
우선, 제 1 실시예의 광투과 감소수단 형성전의 포토마스크와 동일한 포토마스크(13')를 얻는다(도 4의 (1)참조).
다음으로, 상기 포토마스크(13')의 표면에 레지스트막(15)을 도포하고(도 4의 (2)참조), 전사영역(2)만을 덮는 레지스트 패턴이 형성되도록 노광하고 현상하여 레지스트 패턴(15')을 형성한다(도 4의 (3)참조).
그런 다음, 노출되어 있는 비 전사영역(3)의 차광성 막을, 에칭액을 이용하여 두께방향으로 부분적으로 에칭한 후(도 4의 (4)참조), 레지스트 패턴의 박리 및 세정을 하여, 본 실시예의 포토마스크(14)를 얻는다.
이와 같이 하여 형성된 비 전사영역(3)의 차광성 막의 이면으로부터 입사된 노광광에 대한 반사율은 15%로서, 기판의 8% 부근과 가까운 값이 되었다.
또한, 본 실시예에서는, 비 전사영역(3)의 차광성 막의 표면으로부터 조사된 노광광에 대한 반사율도 마찬가지로 15%였다.
상기 본 실시예의 포토마스크를 이용하여 패턴을 전사함으로써, 포토마스크 이면 및 표면으로부터 조사된 노광광이, 비 디바이스 패턴 상에서 반사되었다 하더라도, 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부의 반사율 차이가 감소되어 있으므로, 비 디바이스 패턴을 피전사면 상에서 해상되지 않도록 할 수 있다.
(제 6 실시예)
도 5는, 제 6 실시예에 따른 포토마스크의 단면도이다. 본 실시예의 포토마스크(16)는, 제품 식별 패턴(8)을 형성할 때, 제품 식별 패턴(8)의 패턴부를 두께방향으로 부분적으로 에칭한다. 이에 따라, 이면에서는 제거 패턴과 같이 기판이 노출되는 경우에 비해 실질적으로 패턴부와 비 패턴부의 반사율 차이가 사라져 패턴부로서 인식이 불가능하고, 표면에서는 비 디바이스 패턴을 육안으로 인식할 수 있을 정도로 반사율 차이가 생긴다.
본 실시예의 포토마스크(16)의 제조방법을, 도 6의 제조공정도를 이용하여 설명한다.
투명기판(6)상에, 크롬막, 산화크롬막을 순차로 형성한 차광성 막(10)이 형성되고, 그 위에 레지스트 막(17)이 도포된, 레지스트막 부착 포토마스크 블랭크(12)를 준비하였다(도 6의 (1)참조).
다음으로, 레지스트막(17)상에, 전사영역내의 디바이스 패턴(7)을 그리고, 현상하여 레지스트 패턴(17')을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴(17')에 따라 차광성 막(10)을 에칭한다(도 6의 (2)참조).
그런 다음, 레지스트 패턴의 박리 및 세정을 하여, 디바이스 패턴(7)이 형성된 제품 식별 패턴 형성전의 포토마스크(18)를 얻는다(도 6의 (3)참조).
그런 다음, 상기 포토마스크(18)의 표면에 레지스트막(19)을 도포하고(도 6의 (4)참조), 제품 식별 패턴의 패턴부만이 노출되는 레지스트 패턴이 형성되도록 노광하고 현상하여 레지스트 패턴(19')을 형성한다(도 6의 (5)참조).
이후, 노출되어 있는 비 전사영역(3)의 상기 패턴부의 차광성 막을, 에칭액을 이용하여 두께방향으로 부분적으로 에칭(예를 들면, 레지스트 패턴에 따라 막 두께가 1000Å인 차광성 막을 두께방향으로 부분적으로 400Å 에칭)한다(도 6의 (5)참조).
마지막으로, 레지스트 패턴의 박리 및 세정을 하여, 본 실시예의 포토마스크(16)를 얻는다.
이와 같이 형성된 제품 식별 패턴(8)은, 포토마스크의 이면으로부터는 패턴으로서 인식이 불가능하다.
따라서, 상기 본 실시예의 포토마스크(16)를 이용하여 패턴을 전사함으로써, 포토마스크의 이면으로부터 조사된 노광광이, 제품 식별 패턴(8)상에서 반사되었다 하더라도, 패턴으로서 해상될 우려가 없다.
(제 7 실시예)
도 7의 (a)는 제 7 실시예에 따른 포토마스크의 평면도이고, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)에 도시된 점선 B로 둘러싸인 영역의 부분확대도이다.
본 실시예의 포토마스크(18)는, 포토마스크 주변부의 비 전사영역(3)의 제품 식별 패턴(8)상에, 노광광에 의한 해상 한계 이하의 미세 패턴(19)이 형성된 것이다.
본 실시예의 포토마스크(18)는, 제품 식별 패턴의 묘화(描畵) 시에, 노광광에 의한 해상 한계 이하의 미세 패턴의 묘화도 실시함으로써, 미세 패턴이 형성된 제품 식별 패턴을 형성할 수 있다.
이와 같이 미세 패턴이 겹치도록 형성된 제품 식별 패턴은, 표면이나 이면 중 어느 쪽으로부터 조사된 노광광에 대해서도, 패턴으로서 해상되기 어렵다.
따라서, 이러한 본 실시예의 포토마스크를 이용하여 패턴을 전사함으로써, 포토마스크의 이면 및 표면으로부터 조사된 노광광이, 제품 식별 패턴상에서 반사되었다 하더라도, 피전사면상에서 제품 식별 패턴으로서 해상되지 않도록 할 수 있다.
본 발명은, 포토마스크 주변부의 비 전사영역에 형성된 제품 식별 패턴 등의 비 디바이스 패턴이 피전사체상에 해상되는 것을 방지할 수 있으므로, 정밀도가 높은 패턴 전사를 실현할 수 있는 포토마스크에 적용이 가능하다.
또한, 본 발명은, 영상 디바이스의 제조에 사용되는 포토마스크 주변부의 비 전사영역에 형성된 제품 식별 패턴 등의 비 디바이스 패턴이 피전사체상에 해상되는 것을 방지할 수 있으며, 그 결과, 영상에 비 디바이스 패턴형상의 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있는 영상 디바이스의 제조방법에 적용이 가능하다.

Claims (10)

  1. 투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크로서,
    상기 포토마스크는, 주변부의 비(非) 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴(non-device pattern)을 가지며, 적어도 상기 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 위치와 마주보는 투광성 기판 이면에, 상기 투광성 기판 이면의 주변부로부터 입사하는 노광광의 투과를 감소시키는 광투과 감소수단을 설치한 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 광투과 감소수단은, 노광광의 투과를 감소시키는 작용을 갖는 박막 또는 필름으로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 광투과 감소수단은, 기판면의 조면화 처리에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 포토마스크.
  4. 투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크로서,
    상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴이 피전사면상에서 해상되지 않도록, 상기 투광성 기판의 이면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이를 감소시키는 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 투광성 기판의 이면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이가 감소되도록, 상기 노광광에 대한 상기 패턴부 또는 비 패턴부의 차광성 막의 반사율이 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  6. 투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크로서,
    상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴은, 그 패턴부 및 비 패턴부가, 포토마스크 표면으로부터 입사한 노광광에 대해서는 패턴부와 비 패턴부의 반사율이 다르지만, 포토마스크의 이면으로부터 입사한 노광광에 대해서는 패턴부와 비 패턴부의 실질적인 반사율 차이가 발생하지 않도록 차광성 막의 조합으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  7. 투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크로서,
    상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴이 피전사면상에서 해상되지 않도록, 상기 포토마스크 표면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이를 감소시키는 수단이 설치되어 있는 것 을 특징으로 하는 포토마스크.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 포토마스크 표면으로부터 입사한 노광광에 대한 상기 비 디바이스 패턴의 패턴부와 비 패턴부에서의 반사율 차이가 감소되도록, 상기 노광광에 대한 상기 패턴부 또는 비 패턴부의 차광성 막의 반사율이 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  9. 투광성 기판 표면에 차광성 막 패턴이 형성된 포토마스크로서,
    상기 포토마스크는, 주변부의 비 전사영역에 차광성 막 패턴으로 이루어진 비 디바이스 패턴을 가지며, 상기 비 디바이스 패턴 상에 또는 비 디바이스 패턴이 형성되어 있는 영역에, 피전사면상에서 실질적으로 해상되지 않는 미세 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  10. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 기재된 포토마스크를 이용하여 패턴을 전사하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 영상 디바이스의 제조방법.
KR1020057025451A 2003-10-30 2004-10-25 포토마스크 및 영상 디바이스의 제조방법 KR20060117874A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003370938A JP2005134666A (ja) 2003-10-30 2003-10-30 フォトマスク及び映像デバイスの製造方法
JPJP-P-2003-00370938 2003-10-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060117874A true KR20060117874A (ko) 2006-11-17

Family

ID=34543910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057025451A KR20060117874A (ko) 2003-10-30 2004-10-25 포토마스크 및 영상 디바이스의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070082273A1 (ko)
JP (1) JP2005134666A (ko)
KR (1) KR20060117874A (ko)
CN (1) CN1802605A (ko)
TW (1) TWI270742B (ko)
WO (1) WO2005043242A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101253948B1 (ko) * 2008-03-05 2013-04-16 알까뗄 루슨트 포토마스크 제조 방법의 실행 장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080239263A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic system and device manufacturing method
KR100891703B1 (ko) * 2007-03-30 2009-04-03 주식회사 엘지화학 마이크로 패턴이 형성된 필름의 제조방법 및 그로부터제조된 필름
DE102008001800A1 (de) * 2007-05-25 2008-11-27 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie, Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Projektionsobjektiv, mikrolithographisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement
TWI335252B (en) 2007-11-30 2011-01-01 Ind Tech Res Inst Calibration strip and the laser calibration system using thereof
JP6086274B2 (ja) * 2011-06-02 2017-03-01 株式会社ブイ・テクノロジー 寸法測定装置
CN104217652B (zh) * 2014-09-04 2016-05-11 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板、彩色滤光基板及其制造方法、制造设备
CN110517945A (zh) * 2018-05-21 2019-11-29 上海新微技术研发中心有限公司 半导体器件的制造方法及半导体器件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59163825A (ja) * 1983-03-08 1984-09-14 Nec Corp Ｘ線露光マスクおよびその製造方法
JPS61185929A (ja) * 1985-02-13 1986-08-19 Nec Corp Ｘ線露光マスク
JPH04136855A (ja) * 1990-09-28 1992-05-11 Fujitsu Ltd 露光用マスクの製造方法
JPH04261537A (ja) * 1991-01-18 1992-09-17 Mitsubishi Electric Corp マスク
JPH09275051A (ja) * 1996-04-02 1997-10-21 Canon Inc Ｘ線マスク構造体及びその製造方法、そのｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光装置、ｘ線露光方法及びデバイスの製造方法、並びにその方法により製造されたデバイス
US5914202A (en) * 1996-06-10 1999-06-22 Sharp Microeletronics Technology, Inc. Method for forming a multi-level reticle
JPH11133588A (ja) * 1997-10-28 1999-05-21 Dainippon Printing Co Ltd 露光マスクおよび露光装置
TW352420B (en) * 1998-06-25 1999-02-11 United Microelectronics Corp Back alignment mark for half tone phase shift mask
JP3715189B2 (ja) * 2000-09-21 2005-11-09 株式会社ルネサステクノロジ 位相シフトマスク
US7323276B2 (en) * 2003-03-26 2008-01-29 Hoya Corporation Substrate for photomask, photomask blank and photomask

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101253948B1 (ko) * 2008-03-05 2013-04-16 알까뗄 루슨트 포토마스크 제조 방법의 실행 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TWI270742B (en) 2007-01-11
WO2005043242A1 (ja) 2005-05-12
US20070082273A1 (en) 2007-04-12
TW200519524A (en) 2005-06-16
CN1802605A (zh) 2006-07-12
JP2005134666A (ja) 2005-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100242364B1 (ko) 포토 마스크와 그의 제조방법
JP6127977B2 (ja) 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法
CN105573046B (zh) 光掩模、光掩模的制造方法以及图案的转印方法
JP6690814B2 (ja) フィルムマスク、その製造方法およびこれを用いたパターンの形成方法
KR101624436B1 (ko) 대형 위상 시프트 마스크 및 대형 위상 시프트 마스크의 제조 방법
US20130107246A1 (en) Optical touch sensing structure and manufacturing method thereof
TWI648593B (zh) 光罩之製造方法、光罩、及顯示裝置之製造方法
JP3248526B2 (ja) 回折光学素子及びそれを有した光学系
US20230168588A1 (en) Maskless photolithography devices, methods, and systems
EP1096312B1 (en) Non absorbing reticle and method of making same
KR20060117874A (ko) 포토마스크 및 영상 디바이스의 제조방법
JP2008090254A (ja) フォトマスク用基板及びフォトマスク並びにその製造方法
JP2024001250A (ja) 大型フォトマスク
KR20230046984A (ko) 포토마스크 및 이의 제조 방법
CN1400630A (zh) 无铬相移掩膜及使用该掩膜的设备
JP6065549B2 (ja) フォトマスクの製造方法
KR0174626B1 (ko) 포토마스크 및 그의 제조방법
TW201940959A (zh) 光罩、光罩基底、光罩之製造方法、及電子元件之製造方法
JP2002189286A (ja) フォトマスクの静電気による破壊を防止する方法
CN118732096A (zh) 一种光学薄膜的抗散射及抗干涉镀膜图形结构
KR20050066399A (ko) 반사방지막을 구비한 레티클 제조방법
KR20070054016A (ko) 포토 마스크
JP2014099433A (ja) 遮光領域を有する反射型マスク及び反射型マスクの製造方法
JPH02132441A (ja) フォトマスク

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application