KR20110046438A - 나노임프린트 리소그래피를 위한 내부 캐비티 시스템 - Google Patents

나노임프린트 리소그래피를 위한 내부 캐비티 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20110046438A
KR20110046438A KR1020117000125A KR20117000125A KR20110046438A KR 20110046438 A KR20110046438 A KR 20110046438A KR 1020117000125 A KR1020117000125 A KR 1020117000125A KR 20117000125 A KR20117000125 A KR 20117000125A KR 20110046438 A KR20110046438 A KR 20110046438A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nanoimprint lithography
cavity
template system
template
pressure
Prior art date
Application number
KR1020117000125A
Other languages
English (en)
Inventor
병진 최
코스타 세리니디스
Original Assignee
몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 filed Critical 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
Publication of KR20110046438A publication Critical patent/KR20110046438A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Abstract

적어도 하나의 포트를 구비한 지지층, 및 지지층에 연결된 패턴화된 표면층을 포함하는 나노 임프린트 리소그래피 템플릿 시스템이 개시된다. 지지층에 패턴화된 표면을 연결하는 것은 캐비티를 형성한다. 캐비티 내의 압력은 지지층의 포트를 통해 제어된다.

Description

나노임프린트 리소그래피를 위한 내부 캐비티 시스템{INNER CAVITY SYSTEM FOR NANO-IMPRINT LITHOGRAPHY}
나노-제조는 100나노미터 이하의 단위의 피처를 가진 초소형 구조의 제조를 포함한다. 나노-제조가 큰 영향을 끼친 하나의 애플리케이션은 직접회로의 프로세싱 분야이다. 반도체 프로세싱 산업은 기판 위에 형성되는 단위면적당 회로수를 증가시키고 생산율을 더 높이는데 지속적인 노력을 기울이고 있어, 나노-제조가 점점 더 중요해지고 있다. 나노-제조는 형성된 구조의 최소 피처 치수의 지속적인 감소를 가능하게 함과 동시에 더 큰 공정 제어를 제공한다. 나노 제조가 채용된 다른 발전 분야는 생물공학, 광학 기술, 기계 시스템 등을 포함한다.
오늘날 사용중인 하나의 예시적인 나노제조 기술은 일반적으로 임프린트 리소그래피라 불린다. 예시적인 임프린트 리소그래피 공정은 미국특허 공개번호 제2004/0065976호, 미국특허 공개번호 제2004/0065252호, 및 미국특허번호 제6,936, 194호와 같은 다수의 공개 팜플렛에 상세하게 서술되어 있다.
앞서 언급한 미국특허 공개 및 특허 각각에 개시된 임프린트 리소그래피 기술은 형성가능한(폴리머화가능한) 층에 신뢰 패턴을 형성하고, 아래에 놓인 기판에 신뢰 패턴에 대응하는 패턴를 전사하는 것을 포함한다. 이러한 패턴화 공정은 기판으로부터 이격된 템플릿, 템플릿과 기판 사이에 적용되는 형성액을 사용한다. 이 형성액은 형성액과 접촉하는 템플릿의 표면의 형상에 따른 패턴을 가지는 리지드 층을 형성하기 위해 고체화된다. 고체화 후, 템플릿은 템플릿과 기판이 이격되도록 리지드 층으로부터 분리된다. 그 다음, 기판과 고체화된 층은 고체화된 층 내의 패턴에 대응하는 기판에 신뢰 이미지를 전사하기 위해 추가적인 공정을 거친다.
본 발명은 더욱 잘 이해할 수 있도록 본 발명의 실시예의 설명이 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참조하여 제공된다. 그러나, 첨부된 도면은 본 발명의 전형적인 실시예를 설명하기 위한 것으로 본 발명의 범위를 제한하고자 한 것이 아님을 이해해야 한다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 간단한 측면도를 도시한다.
도 2는 그 위에 패턴화된 층을 가진 도 1에 도시된 기판의 간단한 측면도를 도시한다.
도 3a는 하나의 실시예의 템플릿 시스템의 간단한 측면도를 도시한다.
도 3b는 다른 실시예의 템플릿 시스템의 간단한 측면도를 도시한다.
도 4a 및 4b는 예시적인 템플릿 시스템의 위에서 내려다 본 도면을 도시한다.
도 5a는 하나의 템플릿 시스템을 형성하는 부분 A 및 부분 B의 간단한 측면도를 도시한다.
도 5b는 다른 템플릿 시스템을 형성하는 부분 C 및 부분 D의 간단한 측면도를 도시한다.
도면, 특히 도 1을 참조하면 기판(12) 상에 신뢰 패턴을 형성하기 위해 사용되는 리소그래피 시스템(10)이 도시되어 있다. 기판(12)은 기판 척(chunk)(14)에 연결될 수 있다. 도시된 바와 같이, 기판 척(14)은 진공 척이다. 기판 척(14)은 그러나 진공 타입, 핀 타입, 그루브 타입, 정전 타입, 전자기 타입 등을 포함하는 임의의 척일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 예시적인 척은 미국특허번호 제6,873,087호에 개시되어 있다.
기판(12) 및 기판 척(14)은 스테이지(16)에 의해 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x, y, 및 z 축에 대한 이동 및/또는 회전 동작을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12), 및 기판 척(14)은 또한 (도시되지 않은) 베이스 위에 놓여질 수 있다.
템플릿(18)은 기판(12)으로부터 이격되어 있다. 템플릿(18)은 그로부터 기판(12)을 향해 뻗어 있는 메사(20)를 포함하고, 메사(20)는 그 위에 패턴닝 표면(22)을 가진다. 또한, 메사(20)는 몰드(20)라 불리기도 한다. 대안으로서, 템플릿(18)은 메사(20) 없이 형성될 수도 있다.
템플릿(18) 및/또는 몰드(20)는 퓨징된 실리카, 석영, 실리콘, 유기 폴리머, 실록산 폴리머, 붕규산유리(Borosilicate glass), 플루오로카본 폴리머, 금속, 강화 사파이어 등을 포함하는 재료로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 도시된 바와 같이, 패터닝 표면(22)은 복수의 이격된 오목부(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 형성된 피처를 포함하지만, 본 발명의 실시예는 이러한 구성으로 제한되지 않는다. 패턴화 표면(22)은 기판(12) 위에 형성될 패턴의 베이시스를 형성하는 임의의 오리지널 패턴을 형성할 수 있다.
템플릿(18)은 척(28)에 연결될 수 있다. 척(28)은 진공 타입, 핀 타입, 그루브 타입, 정전 타입, 전자기 타입, 및/또는 다른 유사한 척 타입으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 예시적인 척은 또한 미국특허번호 제6,837,087호에 서술되어 있다. 또한, 척(28)은 척(28) 및/또는 임프린트 헤드(30)가 템플릿(18)의 이동을 용이하게 하도록 구성될 수 있도록 임프린트 헤드(30)에 연결될 수 있다.
시스템(10)은 유체 분사 시스템(32)을 더 포함할 수 있다. 유체 분사 시스템(32)은 기판(12) 상에 폴리머화가능한 재료(34)를 증착시키기 위해 사용될 수 있다. 폴리머화가능한 재료(34)는 방울 분사, 회전 코팅, 딥 코팅, 화학적 증기 증착(CVD), 물리적 증기 증착(PVD), 박막 증착, 및/또는 후막 증착 등과 같은 기술을 사용하여 기판(12) 위에 놓여질 수 있다. 예를 들어, 폴리머화가능한 재료(34)는 미국특허 공개번호 제2005/0270312호, 및 미국특허 공개번호 제2005/0106321호에 개시된 것과 같은 기술을 사용하여 기판(12) 위에 놓여질 수 있다. 폴리머화가능한 재료(34)는 설계 고려사항에 따라 원하는 체적이 몰드(20)와 기판(12) 사이에 형성되기 전에, 그리고/또는 형성된 후에 기판(12) 위에 증착될 수 있다. 폴리머화가능한 재료(34)는 미국특허번호 제7,157,036호, 및 미국특허 공개번호 제2005/0187339호에 서술된 모노머 혼합물을 포함할 수 있다.
도 1 및 2를 참조하면, 시스템(10)은 경로(42)를 따라 에너지(40)를 지향시키기 위해 연결되어 있는 에너지원(38)을 더 포함할 수 있다. 임프린트 헤드(30) 및 스테이지(16)는 경로(42)와 중첩되도록 템플릿(18)과 기판(12)을 위치조절하도록 구성될 수 있다. 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 분사 시스템(32), 및/또는 소스(38)와 통신하는 프로세서(54)에 의해 통제될 수 있고, 메모리(56)에 저장된 컴퓨터 판독가능한 프로그램상에서 동작할 수 있다.
임프린트 헤드(30), 스테이지(16), 또는 이둘 모두는 그 사이가 폴리머화가능한 재료(34)에 의해 채워진 원하는 체적을 형성하기 위해 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 변경한다. 예를 들어, 임프린트 헤드(30)는 몰드(20)가 폴리머화가능한 재료(34)와 접촉하도록 템플릿(18)에 힘을 가할 수 있다. 원하는 체적이 폴리머화가능한 재료(34)로 채워진 후, 소스(38)는 기판(12)의 표면(44) 및 패턴화 표면(22)의 형상에 따라 폴리머화가능한 재료(34)가 고체화 및/또는 가교(cross-link)하게 하는 에너지(40), 예컨대, 자외선 방사선을 산출하고, 기판(12) 상에 패턴화된 층(46)을 형성한다. 패턴화된 층(46)은 돌출부(50) 및 오목부(52)로 도시된 복수의 피처 및 잔여층(48)을 포함할 수 있고, 돌출부(50)는 두께 t1을 가지고, 잔여층은 두께 t2를 가진다.
상기 언급된 시스템 및 공정은 미국특허번호 제6,932,934호, 미국특허 공개번호 제2004/0124566호, 미국특허 공개번호 제2004/0188381호, 및 미국특허 공개번호 제2004/0211754호에 언급된 임프린트 리소그래피 공정 및 시스템에도 채용될 수 있다.
도 1에 도시된 표준 템플릿(18)은 명목상 0.25" 두께일 수 있다. 이러한 크기의 두께는 템플릿(18)의 표면(예컨대, 몰드(20)의 표면)에서 최소 벤딩을 제공할 수 있다. 리지드 표면이 폴리머화가능한 재료(34)와 접촉할 때, 가스 포켓이 인트랩될(entrapped) 수 있다. 이러한 포켓은 일반적으로 폴리머화가능한 재료(34)의 고체화 이전에 제거되어야 하므로, 임프린팅 공정을 느리게 한다.
이러한 결함을 보정하기 위한 템플릿 디자인은 미국특허 공개번호 제2008/0160129호에 제안되어 있다. 이러한 템플릿 디자인은 얇은 패턴화된 층의 휘어짐에 의해 충진(filling) 속도를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 이 디자인은 플렉시블 표면을 허용할 수 있는 속이 빈 중심을 포함한다. 속이 빈 중심은 이 디자인의 강성을 줄일 수 있으나, 평면을 벗어나는 벤딩 및/또는 액츄에이터 압축 오차로 인한 정렬 및 오버레이 문제에 영향을 받기 쉽다. 이러한 문제점은 (도 2에 도시된) 잔여층(48)의 불균일한 두께 t2를 야기할 수 있고, 이러한 두께 t2의 변동은 보정할 수 없는 왜곡을 추가시키거나, 및/또는 오버레이 능력을 손상시킨다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 내부 캐비티(302) 및 유연성을 가진 템플릿 시스템(300)은 도 1 및 2에 관하여 상기 서술된 임프린팅 동안 오버레이 및/또는 정렬을 위한 강성을 여전히 제공하면서, 폴리머화가능한 재료(34)의 충진 속도를 증가시킬 수 있다. 템플릿 시스템(300)의 디자인을 가진 강성과 결합된 이러한 유연성은 처리량을 증가시키고, 그리고/또는 나노 임프린트 애플리케이션에서 정렬/오버레이를 향상시킬 수 있다. 또한, 이러한 디자인은 표준 65㎟ 템플릿 폼 팩터, 및/또는 6025 포토마스크 폼 팩터 등을 포함하는 폼 팩터로 구현될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
도 3a를 참조하면, 템플릿 시스템(300)은 일반적으로 내부 캐비티(302), 지지 층(304), 및 패턴화된 표면 층(306)을 포함할 수 있다. 템플릿 시스템(300)은 또한 하나 이상의 캐비티 포트(303)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 3a의 템플릿 시스템(300)은 캐비티 포트(303)를 포함한다. 도 3b의 템플릿 시스템(300)은 캐비티 포트(303a-d)를 포함한다.
패턴화된 표면 층(306)은 얇은 플렉시블 베이스(308), (도 1의 메사(20)에 대응하는) 메사 영역(310), 및 신뢰 이미지(312)를 포함할 수 있다. 플렉시블 베이스(308)는 두께 t3를 가질 수 있고, 퓨징된 실리카, 석영, 실리콘, 유기 폴리머, 실록산 폴리머, 붕규산 유리, 플루오로카본 폴리머, 금속, 강화 사파이어 등을 포함한 재료로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 플렉시블 베이스(308)는 퓨징된 실리카로 형성될 수 있고 대략 0.2mm 내지 3mm의 두께 t3를 가진다.
메사 영역(310)은 두께 t4를 가지고, 플렉시블 베이스(308)와 유사한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 메사 영역(310)은 대략 5 내지 200㎛의 두께를 가진 퓨징된 실리카로 형성될 수 있다. 신뢰 이미지(312)는 신뢰 이미지(312) 및/또는 메사 영역(310)의 표면으로부터 뻗을 수 있고, 또는 신뢰 이미지(312)의 일부는 메사 영역(310)의 표면으로 움푹 들어갈 수 있다. 신뢰 이미지(312), 또는 신뢰 이미지(312)의 일부는 도 2에 대하여 도시되고 서술된 바와 같이, 패턴화된 층(46) 내의 대응하는 패턴을 형성하기 위해 사용될 수 있다.
내부 캐비티(302)는 지지 층(304)과 패턴화된 표면 층(306) 사이의 체적을 포함할 수 있다. 이 체적은 지지 층(304)과 패턴화된 표면 층(306) 사이에 거리 d1을 포함할 수 있다. 예를 들어, 거리 d1은 설계 고려사항에 따라 대략 0.010mm 내지 5mm일 수 있다. 또한, 캐비티(302)를 형성하는 공간의 체적은 길이 L1을 포함할 수 있다. 예컨대, 길이 L1은 패턴화된 메사 영역(310)의 길이, 지지 층(304)의 길이, 및/또는 설계 고려사항에 따라 다른 범위와 실질적으로 유사하거나 더 클 수 있다.
도 4a 및 4b를 참조하면, 내부 캐비티(302)는 원형, 타원형, 직방형, 정방형, 또는 임의의 다른 기발한 형상을 포함하는 다양한 형상을 가질 수 있으나, 이제 제한되지는 않는다. 예를 들어, 도 4a는 원형 형상을 가진 내부 캐비티(302a)를 도시하고, 도 4b는 정방형을 가진 내부 캐비티(302b)를 도시한다.
도 3a 및 3b를 다시 참조하면, 내부 캐비티(302) 내의 압력은 캐비티 액세스 포트(303)를 통해 제어될 수 있다. 예를 들어, 내부 캐비티 내의 압력은 압력 시스템(314)에 의해 캐비티 액세스 포트(303)를 통해 제어될 수 있다. 압력 시스템(314)은 압력 챔버, 진공 펌프, 또는 캐비티(302) 내의 압력을 제어하기 위해 포트(303)에 연결될 수 있는 다른 유사한 수단을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
압력 시스템(314)에 의해 제공되는 캐비티(302) 내에 적용된 압력은 패턴화된 표면(306)을 휘게 하고 그리고/또는 굽히기(bow) 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 압력 시스팀(314)에 의해 케비티(302)에 적용된 압력은 -100kPa 내지 100kPa의 범위일 수 있다. 또한, 캐비티(302) 내의 압력은 정밀한 압력 레귤레이터에 의해 제어될 수 있다. 압력은 템플릿 시스템(300)의 사용(예컨대, 휨 및/또는 굽힘)에 따라 증가 또는 감소될 수 있다. 캐비티(302) 내 압력의 적용 동안, 지지 층(304)은 재료 및/또는 두께 설계를 통해 템플릿 시스템(300)내에 강성을 제공한다. 이러한 강성은 캐비티(302)내 압력의 적용 동안 템플릿 시스템(300)의 오버레이 및/또는 정렬의 제어를 제공할 수 있다. 예를 들어, 지지 층(304)의 강성은 캐비티(302) 내의 압력의 적용으로 인한 패턴화된 표면(306)의 휨 및/또는 굽힘 동안 템플릿 시스템(300)의 오버레이 및/또는 정렬의 제어를 제공할 수 있다.
압력은 도 3b에 도시된 복수의 압력 시스템(314a 및 314b)을 사용하여 제어될 수 있다. 2개의 압력 시스템(314a 및 314b)이 도시되어 있으나, 임의의 개수의 압력 시스템(314a)이 하나 이상의 포트(303a-d)에 연결될 수 있음을 이해해야 한다. 예를 들어, 각각의 포트(303a-d)는 개별 압력 시스템(314)에 연결될 수 있다. 대안으로서, 복수의 포트(303a-d)는 공유된 압력 시스템(314)에 연결될 수 있다. 포트(300)와의 압력 시스템(314)의 개수 및 연결은 설계 고려사항을 기초로 할 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 포트(303b)는 압력 시스템(314b)에 연결될 수 있고, 포트(303d)는 압력 시스템(314a)에 연결될 수 있다. 두개의 압력 시스템(314a 및 314b)이 사용된 때, 캐비티(302) 내의 입자(316)는 압력 시스템(314a 및 314b)에 의해 공급된 진공 압력 및 양의 압력의 적용에 의해 추출될 수 있다. 예컨대, 압력 시스템(314a)은 양의 압력을 적용하고, 압력 시스템(314b)은 캐비티(302)로부터 입자(316)를 추출하기 위한 진공 압력을 적용할 수 있다.
도 5a 및 5b는 템플릿 시스템(300a 및/또는 300b)을 제조하기 위해 복수의 부분(320)의 연결을 통한 템플릿 시스템(300a 및 300b)의 형성을 도시한다.
도 5a를 참조하면, 부분 A(320a)는 지지 층(306) 및 부분 B(320b)에 연결된 때 (도 3a에 도시된) 내부 캐비티(302)를 형성하는 오목부(322a)를 포함할 수 있다. 부분 B(320b)는 패턴화된 표면 층(306a)을 포함하고, 부분 A(320a)는 지지 층(304a)을 포함할 수 있다. 부분 A(320a) 및/또는 오목부(322a)는 기계가공, 리소그래피 패터닝, 에칭 등을 포함하는 다양한 방법에 의해 형성될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 이와 유사하게, 부분 B(320b)는 기계가공, 리소그래피 패터닝, 표준 웨이퍼 공정 등을 포함한 다양한 방법에 의해 제조될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 부분 A(320a)와 부분 B(320b)의 연결은 음이온 결합, 접착제(예컨대, 박막 접착), 열용접 등을 포함하는 다양한 방법을 통할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
도 5b는 부분 C(320c) 및 부분 D(320d)의 연결을 통한 템플릿(300)의 형성의 다른 실시예를 도시한다. 본 실시예에서, 부분 C(320c)는 지지 층(304b)의 제1 부분을 포함한다. 부분 D(320d)는 오목부(322b) 및 패턴화된 표면 층(306b)과 더불어 지지 층(304c)의 제2 부분을 포함한다. 오목부를 가진 부분 D(320d)에 부분 C(320c)를 연결하는 것은 (도 3a에 도시된) 내부 캐비티(302)를 형성한다. 또한, 부분 C(320c)는 도 5b에 도시된 바와 같이 2개의 서브부(324a 및 324b)로 이루어질 수 있다. 서브부(324a 및 324b)는 서브부(324a 및 324b)가 연결된 때, 서브부(324a 및 324b)가 함께 포트(303)를 형성하도록 개별적으로 형성될 수 있다. 포트(303)는 서브부(324a 및 324b)의 연결없이, 기계가공, 리소그래피 패터닝, 에칭 등과 같은 다양한 공정을 통해 형성될 수 있음을 이해해야 한다.

Claims (20)

  1. 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템으로서,
    제1 포트를 구비한 지지층;
    상기 지지층과 패턴화된 표면층 사이에 캐비티가 형성되도록 상기 지지층에 연결된 패턴화된 표면층;을 포함하고,
    상기 캐비티 내의 압력은 상기 지지층의 상기 제1 포트를 통해 제어되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 지지층은 복수의 포트를 가지고, 각각의 포트는 상기 캐비티 내의 압력을 제어하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 포트는 상기 캐비티 내의 압력을 분산시키는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 적어도 하나의 포트는 진공 압력을 제공하고, 적어도 하나의 포트는 양의(positive) 압력을 제공하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 진공 압력 및 상기 양의 압력은 상기 패턴화된 표면층의 적어도 일부분의 보우잉(bowing)을 제어하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐비티는 직방형인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지층의 상기 제1 포트는 상기 패턴화된 표면층이 휘어지게 하도록 상기 캐비티에 압력을 제공하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 지지층의 두께의 크기 및 상기 지지층의 물질성(materiality)은 정렬 오차를 최소화하기 위해 상기 템플릿 시스템에 강성(stiffness)을 제공하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패턴화된 표면층은 플렉시블 베이스, 메사 영역, 및 신뢰 이미지를 포함하고, 상기 플렉시블 베이스는 상기 지지층에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 신뢰 이미지는 상기 메사 영역의 표면으로부터 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 캐비티의 길이는 메사 영역의 길이보다 더 긴 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패턴화된 표면층은 상기 지지층에 결합된 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 패턴화된 표면층은 상기 캐비티를 형성하는 오목부를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐비티 및 상기 제1 포트는 상기 지지층과 상기 패턴화된 표면층의 속을 파냄(hollowing)으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  15. 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템으로서,
    적어도 하나의 포트 및 적어도 하나의 오목부를 구비한 제1 부분;
    상기 제1 부분의 상기 오목부가 상기 제1 부분과 제2 부분 사이에 캐비티를 형성하도록 상기 제1 부분에 연결된 제2 부분;을 포함하고,
    상기 캐비티 내의 압력은 상기 제1 부분의 상기 포트에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 템플릿의 상기 제1 부분은 상기 템플릿의 상기 제2 부분에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 포트는 리소그래피 패터닝에 의해 상기 템플릿의 상기 제1 부분 내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐비티 내의 압력은 상기 템플릿의 휘어진 위치로 상기 제2 부분을 제공하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 템플릿의 상기 제1 부분은 상기 템플릿의 상기 제2 부분의 휘어짐으로 인한 정렬 오차를 최소화하기 위한 크기의 두께, 및 물질성(materiality)을 가지는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
  20. 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템으로서,
    패턴화된 표면층 및 오목부를 구비한 상기 템플릿의 제1 부분;
    상기 제1 부분의 상기 오목부가 상기 템플릿의 상기 제1 부분과 상기 템플릿의 제2 부분 사이에 캐비티를 형성하도록 상기 패턴화된 표면층에 연결되어 있고, 포트를 형성하는 지지층을 구비한 상기 템플릿의 제2 부분;
    상기 캐비티 내의 압력을 제어하기 위해 상기 포트에 연결된 압력 시스템;을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿 시스템.
KR1020117000125A 2008-07-15 2009-07-09 나노임프린트 리소그래피를 위한 내부 캐비티 시스템 KR20110046438A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8089008P 2008-07-15 2008-07-15
US61/080,890 2008-07-15
US12/498,748 2009-07-07
US12/498,748 US20100015270A1 (en) 2008-07-15 2009-07-07 Inner cavity system for nano-imprint lithography
PCT/US2009/004020 WO2010008508A1 (en) 2008-07-15 2009-07-09 Inner cavity system for nano-imprint lithography

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110046438A true KR20110046438A (ko) 2011-05-04

Family

ID=41530504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117000125A KR20110046438A (ko) 2008-07-15 2009-07-09 나노임프린트 리소그래피를 위한 내부 캐비티 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20100015270A1 (ko)
JP (1) JP2011528506A (ko)
KR (1) KR20110046438A (ko)
TW (1) TW201018570A (ko)
WO (1) WO2010008508A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9321213B2 (en) 2012-05-03 2016-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Template system and nano-imprint method using the same
KR20160045818A (ko) * 2013-08-19 2016-04-27 보드 오브 레젼츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 나노미터 규격 정확도를 갖는 사용자 정의 프로파일의 박막들의 프로그램 작동 가능한 적층 방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080160129A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US20100095862A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Molecular Imprints, Inc. Double Sidewall Angle Nano-Imprint Template
US8142704B2 (en) * 2008-10-22 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography system and method
US8877073B2 (en) * 2008-10-27 2014-11-04 Canon Nanotechnologies, Inc. Imprint lithography template
US8529778B2 (en) * 2008-11-13 2013-09-10 Molecular Imprints, Inc. Large area patterning of nano-sized shapes
FR2955522B1 (fr) * 2010-01-28 2012-02-24 Commissariat Energie Atomique Moule pour la lithographie par nano-impression assistee uv et procedes de realisation d'un tel moule
WO2012061816A2 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Molecular Imprints, Inc. Patterning of non-convex shaped nanostructures
JP6061524B2 (ja) * 2011-08-11 2017-01-18 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP2014069339A (ja) * 2012-09-27 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp スタンパ、スタンパ製造装置及びその製造方法並びに微細構造転写方法
US10409156B2 (en) 2015-02-13 2019-09-10 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint apparatus, and method of manufacturing article
US11454883B2 (en) * 2016-11-14 2022-09-27 Canon Kabushiki Kaisha Template replication
EP4189485A1 (en) * 2020-08-03 2023-06-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for making seamless soft stamps

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2975476A (en) * 1959-03-02 1961-03-21 John E Burke Press
US3130412A (en) * 1959-07-31 1964-04-21 Scott Paper Co Process of and apparatus for treating sheet materials and product
FR2209967B1 (ko) * 1972-12-08 1979-03-30 Thomson Csf
US3946367A (en) * 1972-12-20 1976-03-23 Videonics Of Hawaii, Inc. Three dimensional electro-optical retrieval system
FR2339741A1 (fr) * 1976-01-30 1977-08-26 Snecma Joint statorique abradable pour turbomachine axiale et son procede d'execution
NL7710555A (nl) * 1977-09-28 1979-03-30 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van informatie bevattende platen.
US4601861A (en) * 1982-09-30 1986-07-22 Amerace Corporation Methods and apparatus for embossing a precision optical pattern in a resinous sheet or laminate
JPS613339A (ja) * 1984-06-18 1986-01-09 Hitachi Ltd 高密度情報記録円板複製用スタンパおよびその製造方法
US4514249A (en) * 1984-07-19 1985-04-30 Brown & Williamson Tobacco Corporation Device for making grooves in cigarette filters
KR960025390A (ko) * 1994-12-03 1996-07-20 안시환 광 디스크 스템퍼의 제조방법
US5708652A (en) * 1995-02-28 1998-01-13 Sony Corporation Multi-layer recording medium and method for producing same
US5804017A (en) * 1995-07-27 1998-09-08 Imation Corp. Method and apparatus for making an optical information record
JP3298607B2 (ja) * 1995-09-29 2002-07-02 ソニー株式会社 液晶素子及びその製造方法
US6482742B1 (en) * 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
US5669303A (en) * 1996-03-04 1997-09-23 Motorola Apparatus and method for stamping a surface
IT1294942B1 (it) * 1997-08-01 1999-04-23 Sacmi Procedimento di pressatura di polveri ceramiche ed attrezzatura di attuazione dello stesso.
US20020159918A1 (en) * 2000-06-25 2002-10-31 Fan-Gang Tseng Micro-fabricated stamp array for depositing biologic diagnostic testing samples on bio-bindable surface
EP2264522A3 (en) * 2000-07-16 2011-12-14 The Board of Regents of The University of Texas System Method of forming a pattern on a substrate
WO2002067055A2 (en) * 2000-10-12 2002-08-29 Board Of Regents, The University Of Texas System Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography
US20050064344A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-24 University Of Texas System Board Of Regents Imprint lithography templates having alignment marks
JP3580280B2 (ja) * 2001-10-25 2004-10-20 株式会社日立製作所 記録媒体とその製造方法
CA2380114C (en) * 2002-04-04 2010-01-19 Obducat Aktiebolag Imprint method and device
US7037639B2 (en) * 2002-05-01 2006-05-02 Molecular Imprints, Inc. Methods of manufacturing a lithography template
US20080160129A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US7179079B2 (en) * 2002-07-08 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Conforming template for patterning liquids disposed on substrates
US6900881B2 (en) * 2002-07-11 2005-05-31 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography systems
US7019819B2 (en) * 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US7077992B2 (en) * 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US7070405B2 (en) * 2002-08-01 2006-07-04 Molecular Imprints, Inc. Alignment systems for imprint lithography
US7027156B2 (en) * 2002-08-01 2006-04-11 Molecular Imprints, Inc. Scatterometry alignment for imprint lithography
US6916584B2 (en) * 2002-08-01 2005-07-12 Molecular Imprints, Inc. Alignment methods for imprint lithography
US8349241B2 (en) * 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
TW570290U (en) * 2003-05-02 2004-01-01 Ind Tech Res Inst Uniform pressing device for nanometer transfer-print
US7136150B2 (en) * 2003-09-25 2006-11-14 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having opaque alignment marks
US20050084804A1 (en) * 2003-10-16 2005-04-21 Molecular Imprints, Inc. Low surface energy templates
JP4455093B2 (ja) * 2004-02-20 2010-04-21 キヤノン株式会社 モールド、モールドを用いた加工装置及びモールドを用いた加工方法
US20050189676A1 (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Molecular Imprints, Inc. Full-wafer or large area imprinting with multiple separated sub-fields for high throughput lithography
US20050230882A1 (en) * 2004-04-19 2005-10-20 Molecular Imprints, Inc. Method of forming a deep-featured template employed in imprint lithography
US7140861B2 (en) * 2004-04-27 2006-11-28 Molecular Imprints, Inc. Compliant hard template for UV imprinting
US20050276919A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Molecular Imprints, Inc. Method for dispensing a fluid on a substrate
US7785526B2 (en) * 2004-07-20 2010-08-31 Molecular Imprints, Inc. Imprint alignment method, system, and template
US7309225B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-18 Molecular Imprints, Inc. Moat system for an imprint lithography template
WO2006060757A2 (en) * 2004-12-01 2006-06-08 Molecular Imprints, Inc. Eliminating printability of sub-resolution defects in imprint lithography
US7798801B2 (en) * 2005-01-31 2010-09-21 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for nano-manufacturing
US20060177532A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography method to control extrusion of a liquid from a desired region on a substrate
US20060177535A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template to facilitate control of liquid movement
US8001924B2 (en) * 2006-03-31 2011-08-23 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
EP2001602B1 (en) * 2006-04-03 2011-06-22 Molecular Imprints, Inc. Lithography imprinting system
JP4819577B2 (ja) * 2006-05-31 2011-11-24 キヤノン株式会社 パターン転写方法およびパターン転写装置
US7906274B2 (en) * 2007-11-21 2011-03-15 Molecular Imprints, Inc. Method of creating a template employing a lift-off process
SG185929A1 (en) * 2007-11-21 2012-12-28 Molecular Imprints Inc Porous template and imprinting stack for nano-imprint lithography
WO2009085286A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-09 Molecular Imprints, Inc. Template pattern density doubling
US9323143B2 (en) * 2008-02-05 2016-04-26 Canon Nanotechnologies, Inc. Controlling template surface composition in nano-imprint lithography
US20090212012A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Molecular Imprints, Inc. Critical dimension control during template formation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9321213B2 (en) 2012-05-03 2016-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Template system and nano-imprint method using the same
KR20160045818A (ko) * 2013-08-19 2016-04-27 보드 오브 레젼츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 나노미터 규격 정확도를 갖는 사용자 정의 프로파일의 박막들의 프로그램 작동 가능한 적층 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20100015270A1 (en) 2010-01-21
JP2011528506A (ja) 2011-11-17
WO2010008508A1 (en) 2010-01-21
TW201018570A (en) 2010-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110046438A (ko) 나노임프린트 리소그래피를 위한 내부 캐비티 시스템
JP5998236B2 (ja) 引っ込んだ支持特徴部を有するチャッキングシステム
JP5198282B2 (ja) 基板とモールドとの間に位置するガスを排出するための方法
JP5139421B2 (ja) 厚さが変化するテンプレート
JP6538695B2 (ja) パーシャルフィールドインプリントのための非対称的なテンプレート形状の調節
JP6018268B2 (ja) ナノインプリント・リソグラフィのテンプレート製作方法およびそのシステム
WO2007133346A2 (en) Imprint lithography method and system
TWI408045B (zh) 壓印微影術製程中之分離技術
US9164375B2 (en) Dual zone template chuck
US9122148B2 (en) Master template replication
JP2018101779A (ja) テンプレートの形状を調整する方法、システム、インプリントリソグラフィ方法
JP7023744B2 (ja) インプリント方法及び製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid