JP5078058B2 - モールド及びモールドの作製方法 - Google Patents
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Description
NILのモールド作製は、シリコンや石英等の基板にエッチングを施し、基板の表面に凹凸のパターンを形成することによって行われる。凹凸パターンは微細化、複雑化が進み、複数の凹凸パターンの転写も必要とされるようになった。
従って図9に示すように面95の深さd1が面55の深さd2よりも大きくなる。このように深さが異なった場合、正確なナノインプリントを行うことは困難である。
最初に、図2(a)に示すように、基板110を準備する。基板110は、結晶性を有する材料で、シリコンやダイヤモンド等の材料からなる。
二種類の面方位の材料を交互に繰り返してもよいし、三種類以上の面方位の材料を使用してもよい。また、凹凸を作製しない基板110の面方位は考慮しなくてよい。
ウェットエッチングの場合、薬液としては、選択比を得やすい水酸化カリウム(KOH)、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)が好ましい。ただし、この場合、基板が単結晶であるならエッチング側壁は面方位に応じたファセット面によって形成される。
なお、ウェットエッチングを行う場合、レジストは上記薬品への耐性が不十分であることが多い。このため、シリコン窒化膜(SiN)やシリコン酸化膜(SiO2)のようなシリコン化合物、あるいはクロム(Cr)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)などの金属膜を加工してレジスト層140の代わりとすることが望ましい。
次に、図3(i)に示すように、現像処理を行い、レジスト層180上にパターン190を形成する。
前述と同様、凹部210−1、210−2についても、面積の大小にかかわらず、深さを一定にすることができる。
次に、図3(k)に示すようにレジスト層180を剥離してモールド100を得る。
結晶の面や方向を記述する方法の一つとしてミラー指数があり、結晶面と結晶軸X、Y、Zの交点との関係を示すものである。
次にドライエッチングによりパターンを加工した。エッチングガスとしては、HBrとO2の混合ガスを用いた。このとき幅75nmのパターンのエッチングの深さが200nmになるように時間を設定した。
10、110………基板
20、140………レジスト層
30、70、150、190………パターン
Claims (8)
- ナノインプリントに用いられるモールドであって、
基板上に、基板側から数えて第1層から第n層(nは2以上の任意の整数)の、2種類以上の層を積層した積層体からなり、
前記2種類以上の層は、隣接する層と異なる面方位をもち、かつ前記基板と同一物質の材料からなり、
隣接する前記層同士は界面活性化による直接接合により接合され、
前記2種類以上の層に、複数の階段状の凹部を有し、
隣接する前記2種類以上の層の境界が、前記凹部の底部または途中面を形成し、
複数の前記凹部のうち、第1の凹部及び第2の凹部は、第i層(iは2以上n以下の少なくとも一つの整数)と第i−1層との境界に底部または途中面を有し、
前記第1の凹部の、平面視における第i層と第i−1層との境界の輪郭が作る面積Siと、前記第2の凹部の、平面視における第i層と第i−1層との境界の輪郭が作る面積Tiとが異なる
ことを特徴とするモールド。 - 前記層の面方位は{100}、{111}、{110}、{331}の組み合わせであることを特徴とする請求項1記載のモールド。
- 前記モールドは、半導体材料またはダイヤモンドから成ることを特徴とする請求項1記載のモールド。
- 前記層を積層する際、前記基板に接している層のエッチング速度が最も遅く、前記基板から離れた層になるに従ってエッチング速度が遅くなるように積層されることを特徴とする請求項1記載のモールド。
- ナノインプリントに用いられるモールドの作製方法であって、
基板上に2種類以上の、隣接する層と異なる面方位をもつ、前記基板と同一物質からなる層を積層して積層体を作製する工程と、
前記積層体の表面にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に、前記レジスト層を貫通し、面積が異なる複数の凹部を有するレジストパターンを賦型する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記積層体をエッチングする工程と、
隣接する前記層の境界で、前記層のエッチングを停止し、面積が異なるが、深さが揃った複数の凹部を形成する工程と、
を具備し、
隣接する前記層同士は界面活性化による直接接合により接合されることを特徴とするモールドの作製方法。 - 前記層の面方位は{100}、{111}、{110}、{331}の組み合わせであることを特徴とする請求項5記載のモールドの作製方法。
- 前記モールドは、半導体材料またはダイヤモンドから成ることを特徴とする請求項5記載のモールドの作製方法。
- 前記層を積層する際、前記基板に接している層のエッチング速度が最も遅く、前記基板から離れた層になるに従ってエッチング速度が遅くなるように積層されることを特徴とする請求項5記載のモールドの作製方法。
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