KR101015613B1 - 투명기판상 금속박막 패턴 형성방법 - Google Patents

투명기판상 금속박막 패턴 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101015613B1
KR101015613B1 KR1020100016525A KR20100016525A KR101015613B1 KR 101015613 B1 KR101015613 B1 KR 101015613B1 KR 1020100016525 A KR1020100016525 A KR 1020100016525A KR 20100016525 A KR20100016525 A KR 20100016525A KR 101015613 B1 KR101015613 B1 KR 101015613B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
transparent substrate
thin film
metal thin
pattern
Prior art date
Application number
KR1020100016525A
Other languages
English (en)
Inventor
장성환
윤재성
전은채
최두선
Original Assignee
한국기계연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기계연구원 filed Critical 한국기계연구원
Priority to KR1020100016525A priority Critical patent/KR101015613B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101015613B1 publication Critical patent/KR101015613B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/161—Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0331—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers for lift-off processes

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판상에 금속박막 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 특히 투명 기판을 사용하고, 이 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 공간부를 구비한 포토레지스트 패턴을 형성함으로써, 리프트 오프 공정을 통하여 정밀하고 깨끗하게 금속박막 패턴이 투명 기판상에 형성될 수 있도록 하는 투명 기판상 금속박막 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명인 투명기판상 금속박막 패턴 형성 방법을 이루는 구성수단은, 투명 기판 상부면에 포토레지스트를 형성하는 단계, 상기 투명 기판 하부측에 포토 마스크를 배치하고, 상기 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 노광 공정을 수행하되, 현상 공정에 의하여 형성되는 공간부의 형상이 상기 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상이 되도록 노광 공정을 수행하는 단계, 상기 노광 공정 후, 현상 공정을 통하여 상기 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상인 공간부를 구비하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 상부면 및 상기 공간부에 의하여 외부로 노출된 상기 투명 기판 상부면에 금속 박막을 증착시키는 단계, 상기 포토레지스트 및 상기 포토레지스트 상부면에 증착된 금속 박막을 리프트 오프 공정을 통하여 제거하여 상기 투명 기판상에 금속박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

Description

투명기판상 금속박막 패턴 형성방법{method for forming metal pattern on transparent substrate}
본 발명은 기판상에 금속박막 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 특히 투명 기판을 사용하고, 이 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 공간부를 구비한 포토레지스트 패턴을 형성함으로써, 리프트 오프 공정을 통하여 정밀하고 깨끗하게 금속박막 패턴이 투명 기판상에 형성될 수 있도록 하는 투명 기판상 금속박막 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 또는 디스플레이 등을 제조하는 과정에는 기판 상에 금속 박막의 패턴을 형성하는 공정이 포함되어 있다. 이와 같이, 기판상에 금속박막 패턴을 형성하기 위해서 포토리소그래피 공정이 수행된다.
상기 포토리소그래피(Photolithography) 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 얻고자 하는 패턴(pattern)의 마스크(mask)를 사용하여 빛을 선택적으로 포토레지스트(PR)에 조사함으로써 마스크(mask)의 패턴(pattern)과 동일한 패턴(pattern)을 형성시키는 공정이다.
이와 같은 포토리소그래피(Photolithography) 공정은 일반사진의 필름에 해당하는 포토레지스트(photo resist)를 도포하는 PR 도포공정, 마스크(mask)를 이용하여 선택적으로 빛을 조사하는 노광공정, 다음에 현상액을 이용하여 빛을 받은 부분의 PR을 제거하여 패턴(pattern)을 형성시키는 현상공정으로 구성된다.
이와 같은 포토리소그래피 공정을 통하여 얻은 포토레지스트 패턴 상에 금속박막을 증착한 후, 상기 포토레지스트를 스트립하면, 기판 상의 소정 부분에만 금속 박막이 잔존하여 원하는 금속박막 패턴을 형성시킬 수 있다.
상기와 같은 공정들을 수행하여, 기판상에 금속박막 패턴을 형성하는 방법에 대한 종래기술을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 포지티브(positive) 포토레지스트를 이용하여 소정의 금속박막 패턴을 기판 상에 형성하는 공정도이다.
먼저, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상에 포지티브(positive) 포토레지스트(20)를 형성하고, 기판(10) 상부측에 포지티브 톤 포토 마스크(positive tone photo mask, 30)를 배치한 후, 자외선을 조사하여 노광 공정을 수행한다.
그런 다음, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 현상 공정을 통하여 노광된 포지티브 포토레지스트 소정 부분을 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 결과적으로 상기 기판(10)의 소정 부분이 노출되는 공간부(25)가 형성된다. 이와 같은 공간부(25)의 모양은 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 포지티브 포토레지스트(20)의 윗부분이 넓고 아랫부분이 좁은 형상이다.
다음은 도 1의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10) 상에 형성된 상기 포토레지스트 패턴(20) 상부에 금속 박막(40)을 증착한다. 결과적으로, 상기 금속 박막(40)은 상기 포지티브 포토레지스트(20) 상부, 상기 공간부(25)를 형성하는 상기 포지티브 포토레지스트(20)의 측면 및 공간부(25)를 형성하는 상기 기판 상부에 증착된다.
상기 공간부(25)의 형상이 상기 포지티브 포토레지스트의 아랫부분으로 갈수록 좁아지는 형상이기 때문에, 금속박막 증착 공정을 수행하면, 상기 공간부(25)를 구성하는 상기 포지티브 포토레지스트(20)의 측면에도 상기 금속박막이 증착된다.
이와 같은 공정을 수행한 후에, 상기 기판(10) 상부에만 증착된 금속박막만을 남기고, 상기 포지티브 포토레지스트(20) 및 이 포지티브 포토레지스트의 상부면에 증착된 금속박막을 제거하는 포지티브 포토레지스트 스트립 공정을 통하여 원하는 금속 박막 패턴을 기판 상에 형성할 수 있다.
상기 포토레지스트 스트립 공정은 다양한 방법에 의하여 수행될 수 있다. 그런데, 도 1의 (c)의 상태에서, 리프트 오프(lift-off) 공정을 통하여 상기 포지티브 포토레지스트 및 이 포지티브 포토레지스트의 상부면에 증착된 금속박막을 한번에 제거하기는 용이하지 않다.
즉, 상기 증착된 금속박막이 상기 포지티브 포토레지스트의 상부면과 측면, 그리고 기판 상부면에 연결된 상태로 증착되어 있기 때문에, 리프트 오프 공정을 통하여 상기 포지티브 포토레지스트 및 이 포지티브 포토레지스트의 상부면에 증착된 금속박막을 한꺼번에 깨끗하게 제거하기가 어렵다.
이상에서 설명한 바와 같이, 도 1에 도시된 공정들을 통하여 기판 상에 금속 박막 패턴을 형성하는 공정은 리프트 오프 공정을 이용하여 포토레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 한, 원하는 소정의 금속 박막 패턴을 기판 상에 형성시키기가 어려운 문제점이 발생한다.
따라서, 리프트 오프 공정을 통하여 포토레지스트를 스트립하는 공정을 포함하여 원하는 소정의 금속박막 패턴을 기판 상에 형성하는 개선된 기술이 제안되었다.
도 2는 네거티브(negative) 포토레지스트를 이용하여 기판 상에 금속박막 패턴을 형성하는 공정도이다.
먼저, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상에 네거티브(negative) 포토레지스트(20')를 형성하고, 기판(10) 상부측에 네거티브 톤 포토 마스크(negative tone photo mask, 30')를 배치한 후, 자외선을 조사하여 노광 공정을 수행한다.
그런 다음, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 현상 공정을 통하여 자외선에 노출되지 않는 네거티브 포토레지스트(20') 소정 부분을 제거하여 네거티브 포토레지스트 패턴을 형성한다. 결과적으로 상기 기판(10)의 소정 부분이 노출되는 공간부(25')가 형성된다. 이와 같은 공간부(25')의 모양은 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(20)의 윗부분이 좁고 아랫부분이 넓은 형상이다.
다음은 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10) 상에 형성된 상기 네거티브 포토레지스트 패턴(20') 상부에 금속 박막(40)을 증착한다. 결과적으로, 상기 금속 박막(40)은 상기 네거티브 포토레지스트(20') 상부 및 상기 공간부(25')를 형성하는 상기 기판 상부에 증착된다.
상기 공간부(25')의 형상이 상기 네거티브 포토레지스트의 아랫부분으로 갈수록 넓지는 형상이기 때문에, 금속박막 증착 공정을 수행하면, 상기 공간부(25')를 구성하는 상기 네거티브 포토레지스트(20')의 측면에는 도 1 (c)에 도시된 공정과 달리 상기 금속박막이 증착되지 않는다.
이와 같은 공정을 수행한 후에, 상기 기판(10) 상부에만 증착된 금속 박막만을 남기고, 상기 네거티브 포토레지스트(20') 상부면에 증착된 금속 박막을 제거하는 네거티브 포토레지스트 스트립 공정을 통하여 원하는 금속 박막 패턴을 기판 상에 형성할 수 있다.
상기 네거티브 포토레지스트 스트립 공정을 리프트 오프(lift-off) 공정을 통하여 수행하면, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 네거티브 포토레지스트(20') 및 이 네거티브 포토레지스트(20')의 상부면에 증착된 금속박막이 한번에 깨끗하게 제거되고, 상기 기판(10) 상부면에 증착된 금속 박막만이 잔존하여 원하는 소정의 금속박막 패턴을 기판 상에 형성할 수 있다.
이와 같이, 리프트 오프 공정을 포함하는 도 2에 도시된 공정들을 이용하면, 원하는 소정의 금속박막 패턴을 기판 상에 형성할 수 있다. 그러나, 도 2에 도시된 공정은 네거티브 포토레지스트를 이용하고 있기 때문에, 포지티브 포토레지스트를 이용하는 공정보다 더 높은 비용이 소요되는 문제점이 발생한다.
또한, 노광 공정을 위한 포토 마스크의 배치 위치가 기판 상부측에 한정되어 있고, 자외선 조사 역시 기판 상부측에서 수행되기 때문에, 기판 상에 금속박막 패턴을 형성하는 장치들의 배치가 고정되고, 공정을 수행하는 과정에서 공간 활용도가 낮은 문제점을 안고 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 투명 기판을 사용하고, 이 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 공간부를 구비한 포토레지스트 패턴을 형성함으로써, 리프트 오프 공정을 통하여 정밀하고 깨끗하게 금속박막 패턴이 투명 기판상에 형성될 수 있도록 하는 투명 기판상 금속박막 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 상대적으로 비용이 저렴한 포지티브 포토레지스트를 이용하여 금속박막 패턴을 투명 기판상에 형성할 수 있는 투명 기판상 금속박막 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 포토 마스크를 투명 기판 하부쪽에 배치하고, 투명기판 하부쪽에 자외선 조사 장치를 구비할 수 있어, 장치들 배치를 다양하게 변경할 수 있고, 공정이 수행되는 공간 활용도를 높일 수 있는 투명 기판상 금속박막 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 투명기판상 금속박막 패턴 형성 방법을 이루는 구성수단은, 투명 기판 상부면에 포토레지스트를 형성하는 단계, 상기 투명 기판 하부측에 포토 마스크를 배치하고, 상기 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 노광 공정을 수행하되, 현상 공정에 의하여 형성되는 공간부의 형상이 상기 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상이 되도록 노광 공정을 수행하는 단계, 상기 노광 공정 후, 현상 공정을 통하여 상기 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상인 공간부를 구비하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 상부면 및 상기 공간부에 의하여 외부로 노출된 상기 투명 기판 상부면에 금속 박막을 증착시키는 단계, 상기 포토레지스트 및 상기 포토레지스트 상부면에 증착된 금속 박막을 리프트 오프 공정을 통하여 제거하여 상기 투명 기판상에 금속박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고, 상기 포토 마스크는 포지티브 톤 포토 마스크인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 포토레지스트는 네거티브 포토레지스트이고, 상기 포토 마스크는 네거티브 톤 포토 마스크이되, 상기 네거티브 톤 포토 마스크 상부면에 확산층이 구비되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 포토레지스트는 나노임프린트, 스핀 코팅, 스프레이 코팅 및 열압착 코팅 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 과제 및 해결 수단을 가지는 본 발명인 투명기판상 금속박막 패턴 형성방법에 의하면, 투명 기판을 사용하고, 이 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 공간부를 구비한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 리프트 오프 공정을 통하여 정밀하고 깨끗하게 금속박막 패턴이 투명 기판상에 형성될 수 있도록 하는 장점이 있다.
또한, 상대적으로 비용이 저렴한 포지티브 포토레지스트를 이용하여 금속박막 패턴을 투명 기판상에 형성할 수 있는 장점이 있다.
또한, 포토 마스크를 투명 기판 하부쪽에 배치하고, 투명기판 하부쪽에 자외선 조사 장치를 구비할 수 있어, 장치들 배치를 다양하게 변경할 수 있고, 공정이 수행되는 공간 활용도를 높일 수 있는 장점이 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 기판상 금속박막 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투명기판상 금속박막 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 상기와 같은 과제, 해결수단 및 효과를 가지는 본 발명인 투명기판상 금속박막 패턴 형성 방법에 관한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명은 투명 기판상에 소정의 원하는 금속박막 패턴을 형성하는 방법이기 때문에, 일반적인 포토리소그래피 공정 및 금속박막 증착 공정을 수행할 수 있는 장치에서 구현된다.
다만, 본 발명에서의 노광 공정은 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 수행된다. 즉, 투명 기판 하부쪽에 포토마스크를 배치하고, 포토마스크 하부쪽에 배치되는 자외선 조사 장치에서 자외선을 조사하여 노광 공정을 수행한다.
따라서, 기판 상부측에서 자외선을 조사하여 노광 공정을 수행하도록 마련된 기존 장치들 배치 구조에서, 포토마스크와 자외선 조사 장치의 배치 구조만 달리하여 소정의 원하는 금속박막 패턴을 투명 기판 상에 형성할 수 있다. 결과적으로 기존 장치들 배치를 필요에 따라 변경할 수 있고, 공간 활용도를 높일 수 있는 장점이 있다.
한편, 본 발명에서 사용되는 기판은 투명 기판이기 때문에, 투명 기판을 활용하는 현 추세에 부응하는 장점이 있다. 이와 같이 투명 기판을 사용하기 때문에, 기판 하부측에서 원하는 소정의 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 공정을 수행할 수 있게 된다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투명 기판상 금속박막 패턴 형성 방법에 관련된 공정도이다. 도 3을 참조하여 투명 기판상에 금속박막 패턴을 형성하는 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 투명 기판(10') 상부면에 포토레지스트를 형성한다. 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트(20)일 수도 있고, 네거티브 포토레지스트(20')일 수도 있다. 도 3에서는 포지티브 포토레지스트(20)가 투명 기판(10')의 상부면에 형성되는 것을 예시한다.
물론, 상기 투명 기판(10') 상부면에 네거티브 포토레지스트(20')가 형성될 수도 있다. 이 경우에는 후술할 포토마스크의 타입이 상기 포지티브 포토레지스트(20)를 상기 투명 기판(10') 상에 형성하는 경우와 다르다. 이에 대해서는 후술한다.
상기와 같이 투명 기판 상부면에 포지티브 포토레지스트(20)를 형성한 후에는 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 투명 기판(10') 하부측에서 노광 공정을 수행한다.
구체적으로, 상기 투명 기판(10') 하부측에 포토 마스크를 배치하고, 상기 포토 마스크 하부측에 배치되는 자외선 조사 장치를 이용하여 상기 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 노광 공정을 수행한다.
이와 같은 노광 공정은 다음 공정에서 진행되는 포토레지스트 소정 부분을 제거하는 현상 공정에 의하여 소정 형상의 공간부를 가지는 포토레지스트 패턴이 형성될 수 있도록 수행된다.
구체적으로, 현상 공정에 의하여 형성되는 공간부(도 3의 (c)에서 도면부호 25로 표기됨)의 형상이 상기 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상이 되도록 노광 공정을 수행한다. 상기 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 공간부(25)가 포지티브 포토레지스트(20)의 윗쪽으로 갈수록 좁아지고, 아랫쪽으로 갈수록 넓어지는 형상일 때, 상술한 바와 같이, 후 공정인 리프트 오프 공정에 의하여 한번에 깨끗하게 포지티브 포토레지스트(20)와 이 상부면에 증착된 금속박막(40)이 제거되어, 원하는 소정의 금속박막 패턴이 투명 기판(10') 상에 형성될 수 있다.
상기와 같이, 상기 포토레지스 패턴을 구성하는 상기 공간부(25)는 포토레지스트의 상측으로 갈수록 좁아지고 하측으로 갈수록 넓어지는 형상을 만들기 위하여, 상기 포토레지스트 및 포토마스크의 타입을 다양하게 구성할 수 있다.
먼저, 도 3을 통해 예시한 바와 같이, 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트(20)를 사용하고, 상기 투명기판(10') 하부측에 배치되는 포토마스크는 포지티브 톤 포토마스크를 사용하여 상술한 공간부(25)의 형상을 형성할 수 있다.
만약, 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 상기 포토레지스트를 네거티브 포토레지스트(20')를 사용한다면, 상기 투명 기판(10') 하부측에 배치되는 포토마스크는 네거티브 톤 포토마스크(30')를 사용한다. 그러나, 네거티브 포토레지스트(20')와 네거티브 톤 포토마스크(30')를 사용하여 노광 공정을 수행하면, 현상 공정을 통하여 도 3의 (c)에 도시된 공간부(25)의 형상을 형성할 수 없다.
즉, 네거티브 포토레지스트(20')와 네거티브 톤 포토마스크(30')를 사용하여 노광 공정을 수행한 후, 현상 공정을 수행하면, 네거티브 포토레지스트(20')를 구성하는 상기 공간부(25')의 형상은 네거티브 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 넓어지고, 아랫쪽으로 갈수록 좁아지는 형상이 된다. 이와 같은 형상을 가지는 공간부(25')를 형성한 후, 금속박막 증착 공정을 수행하면, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 리프트 오프 공정에 의하여 한번에 깨끗하게 금속 박막 패턴을 기판 상에 형성할 수 없다.
따라서, 네거티브 포토레지스트(20')와 네거티브 톤 포토마스크(30')를 사용하여 노광 공정을 수행하는 경우에는 상기 네거티브 톤 포토 마스크(30') 상부면에 확산층(미도시)을 구비한다. 이와 같이, 상기 네거티브 톤 포토 마스크(30') 상부면에 확산층을 구비하면, 조사되는 자외선이 확산된 후 투명 기판(10')을 통하여 네거티브 포토레지스트(20')에 조사될 수 있다. 결과적으로, 이와 같은 노광 공정 후 현상 공정을 수행하면, 도 3의 (c)에 도시된 공간부(25')를 형성할 수 있다.
상기와 같은 방법으로 노광 공정을 수행한 후에는 현상 공정을 수행한다. 이 현상 공정을 통하여 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 포지티브(네거티브) 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상인 공간부(25, 25')를 구비한 포지티브(네거티브) 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
상기와 같이 상기 포지티브(네거티브) 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지고 아랫쪽으로 갈수록 넓어지는 형상인 공간부(25, 25')를 구비한 포지티브(네거티브) 포토레지스트 패턴을 형성한 후에는 상기 포지티브(네거티브) 포토레지스트 상부면 및 상기 공간부(25, 25')에 의하여 외부로 노출된 상기 투명기판(10') 상부면에 금속 박막을 증착한다(도 3의 (d) 참조).
상기와 같이 금속 박막을 증착하면, 상기와 같은 공간부의 형상 때문에, 공간부를 구성하는 포지티브(네거티브) 포토레지스트의 측면에 금속박막이 증착되지 않는다. 따라서, 후 공정인 리프트 오프 공정에 의하여, 상기 투명 기판 상부면에 증착된 금속박막만을 남기고 나머지는 모두 깨끗하게 제거할 수 있다.
상기와 같이, 금속 박막을 증착한 후에는, 도 3의 (e)에 도시된 바와 같이, 상기 포지티브(네거티브) 포토레지스트(20, 20') 및 상기 포지티브(네거티브) 포토레지스트 상부면에 증착된 금속 박막(40)을 리프트 오프 공정을 통하여 제거한다. 그러면, 투명 기판 상부면에 증착된 금속박막만이 잔존하게 되어, 상기 투명 기판 상에 금속 박막 패턴(40a)을 깨끗하게 형성할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명에서 적용되는 포토레지스트인 포지티브(네거티브) 포토레지스트는 다양한 방법에 의하여 상기 투명 기판 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 나노임프린트, 스핀 코팅, 스프레이 코팅 및 열압착 코팅 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 포지티브(네거티브) 포토레지스트를 상기 투명 기판 상에 형성할 수 있다.
10 : 기판 10': 투명기판
20 : 포지티브 포토레지스트 20' : 네거티브 포토레지스트
25, 25' : 공간부
30 : 포지티브 톤 포토마스크 30': 네거티브 톤 포토마스크
40 : 금속박막 40a : 금속박막 패턴

Claims (4)

  1. 투명 기판 상부면에 포토레지스트를 형성하는 단계;
    상기 투명 기판 하부측에 네거티브 폰 포토 마스크를 배치하고, 상기 네거티브 폰 포토 마스크 상부면에 확산층을 구비하며, 상기 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 노광 공정을 수행하되, 현상 공정에 의하여 형성되는 공간부의 형상이 상기 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상이 되도록 노광 공정을 수행하는 단계;
    상기 노광 공정 후, 현상 공정을 통하여 상기 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상인 공간부를 구비하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 상부면 및 상기 공간부에 의하여 외부로 노출된 상기 투명 기판 상부면에 금속 박막을 증착시키는 단계;
    상기 포토레지스트 및 상기 포토레지스트 상부면에 증착된 금속 박막을 리프트 오프 공정을 통하여 제거하여 상기 투명 기판상에 금속박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 투명기판상 금속박막 패턴 형성 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 포토레지스트는 나노임프린트, 스핀 코팅, 스프레이 코팅 및 열압착 코팅 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명기판상 금속 박막 패턴 형상 방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
KR1020100016525A 2010-02-24 2010-02-24 투명기판상 금속박막 패턴 형성방법 KR101015613B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100016525A KR101015613B1 (ko) 2010-02-24 2010-02-24 투명기판상 금속박막 패턴 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100016525A KR101015613B1 (ko) 2010-02-24 2010-02-24 투명기판상 금속박막 패턴 형성방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101015613B1 true KR101015613B1 (ko) 2011-02-17

Family

ID=43777583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100016525A KR101015613B1 (ko) 2010-02-24 2010-02-24 투명기판상 금속박막 패턴 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101015613B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101360756B1 (ko) * 2012-04-09 2014-02-10 (주)에이엠티솔루션 고주파 필터의 제조 방법
WO2016043476A1 (ko) * 2014-09-19 2016-03-24 한국생산기술연구원 후면노광 기술을 이용한 미세패턴 보호 및 메탈레이어 증착방법
KR101733574B1 (ko) * 2016-10-19 2017-05-24 한국조폐공사 패턴이 형성된 금속기판 제조방법 및 이를 이용해 제조된 패턴이 형성된 금속기판
KR101861146B1 (ko) * 2011-05-23 2018-05-28 삼성전자주식회사 박막 패터닝 방법, 이를 이용한 나노구조체의 형성방법 및 나노구조체를 포함하는 소자
KR20190052985A (ko) * 2017-11-09 2019-05-17 주식회사 동진쎄미켐 감광성 고분자, 이를 이용한 포토레지스트 조성물 및 패턴형성 방법
CN113327844A (zh) * 2021-05-27 2021-08-31 宁波市知行光学科技有限公司 制作成像板的方法及成像板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57212445A (en) * 1981-06-24 1982-12-27 Fujitsu Ltd Production of photomask
KR20030008216A (ko) * 2000-02-21 2003-01-24 제온 코포레이션 레지스트 조성물

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57212445A (en) * 1981-06-24 1982-12-27 Fujitsu Ltd Production of photomask
KR20030008216A (ko) * 2000-02-21 2003-01-24 제온 코포레이션 레지스트 조성물

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101861146B1 (ko) * 2011-05-23 2018-05-28 삼성전자주식회사 박막 패터닝 방법, 이를 이용한 나노구조체의 형성방법 및 나노구조체를 포함하는 소자
KR101360756B1 (ko) * 2012-04-09 2014-02-10 (주)에이엠티솔루션 고주파 필터의 제조 방법
WO2016043476A1 (ko) * 2014-09-19 2016-03-24 한국생산기술연구원 후면노광 기술을 이용한 미세패턴 보호 및 메탈레이어 증착방법
KR101733574B1 (ko) * 2016-10-19 2017-05-24 한국조폐공사 패턴이 형성된 금속기판 제조방법 및 이를 이용해 제조된 패턴이 형성된 금속기판
WO2018074711A1 (ko) * 2016-10-19 2018-04-26 한국조폐공사 패턴이 형성된 금속기판 제조방법 및 이를 이용해 제조된 패턴이 형성된 금속
KR20190052985A (ko) * 2017-11-09 2019-05-17 주식회사 동진쎄미켐 감광성 고분자, 이를 이용한 포토레지스트 조성물 및 패턴형성 방법
WO2019093766A3 (ko) * 2017-11-09 2019-12-19 주식회사 동진쎄미켐 감광성 고분자, 이를 이용한 포토레지스트 조성물 및 패턴형성 방법
KR102620354B1 (ko) 2017-11-09 2024-01-03 주식회사 동진쎄미켐 감광성 고분자, 이를 이용한 포토레지스트 조성물 및 패턴형성 방법
CN113327844A (zh) * 2021-05-27 2021-08-31 宁波市知行光学科技有限公司 制作成像板的方法及成像板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101015613B1 (ko) 투명기판상 금속박막 패턴 형성방법
US7922960B2 (en) Fine resist pattern forming method and nanoimprint mold structure
TW201203318A (en) Exposure method, exposure device, and device manufacturing method
JP2014202838A5 (ko)
JP2009218574A (ja) パターン形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
TW201003779A (en) Pattern formation method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus
JP2016173415A (ja) パターン形成方法
US20150346603A1 (en) Method of removing photoresist, exposure apparatus and method of manufacturing display substrate
KR20120063390A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
KR20120130977A (ko) 감광막 패턴 및 그 제조 방법
JP2015170709A (ja) パターン形成方法およびパターン形成システム
KR100907887B1 (ko) 하프톤형 위상 시프트 마스크의 제조방법
US20120214103A1 (en) Method for fabricating semiconductor devices with fine patterns
KR101080908B1 (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
WO2015176436A1 (zh) 下基板及其制造方法和液晶透镜
KR101159689B1 (ko) 반도체 소자의 오버레이 버니어 형성 방법
KR100948480B1 (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR20140096750A (ko) 노광 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102261512B1 (ko) 포토 마스크 및 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법
JPWO2013022112A1 (ja) スロープ及び該スロープの形成方法
JP5966808B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010118501A (ja) 半導体装置の製造方法
CN108231796B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR20100000706A (ko) 미세 패턴 형성 방법
CN104299943A (zh) 阵列基板及其制造方法和显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140113

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee