JP2015170709A - パターン形成方法およびパターン形成システム - Google Patents

Abstract

【課題】所望のパターンを形成することができるパターン形成方法およびパターン形成システムを提供する。【解決手段】基板上に被処理膜を形成する工程と、前記被処理膜上にレジストパターンを形成する工程ａと、前記レジストパターンの所定の部分にエネルギー線を照射する工程ｂと、前記エネルギー線が照射された部分を含む前記レジストパターンを覆う反転材層を形成する工程と、前記反転材層の表面を除去して、前記レジストパターンの前記エネルギー線が照射されていない部分を露出させて、反転パターンを形成する工程ｃと、前記レジストパターンを除去する工程ｄと、前記反転パターンを用いて、前記被処理膜にエッチング処理を施す工程ｅと、を備えている。【選択図】図２

Description

後述する実施形態は、概ね、パターン形成方法およびパターン形成システムに関する。

露光マスク用基板、インプリント用モールド、半導体装置などの製造においては、反転パターンを用いたエッチング処理が施される場合がある。
反転パターンを形成する際には、まず、基板上に形成されたレジストパターンを覆うように反転材を塗布して反転材層を形成する。続いて、レジストパターンの上面が露出するように反転材層の表面を除去して、反転材からなる反転パターンを形成する。続いて、レジストパターンを除去する。続いて、反転パターンを用いて、エッチング処理を施す。
ここで、レジストパターンの被覆率（凹部と凸部の面積比率）に面内分布があると、均一な膜みの反転材層を形成するのが困難となる。
反転材層の厚みが不均一となると、反転材層の表面を除去した際に、反転材を除去すべき領域に反転材が残ったり、反転材を残すべき領域の反転材が除去されたりするおそれがある。
そのため、ダミーパターンを配置してレジストパターンの被覆率の面内分布を低減させて反転材層の厚みを均一化したり、反転材を厚めに塗布して反転材層の厚みを均一化したりしている。
しかしながら、ダミーパターンは、機能に影響の無い領域にしか設けることができない。そのため、所望のパターン（例えば、回路パターンなど）が形成できなくなるおそれがある。また、反転材を厚めに塗布すると、反転材層の表面を除去する際の精度が悪化し、且つコストが増大する。
そのため、所望のパターンを形成できる技術の開発が望まれていた。

特開２０１３−１４３５２７号公報

本発明が解決しようとする課題は、所望のパターンを形成することができるパターン形成方法およびパターン形成システムを提供することである。

実施形態に係るパターン形成方法は、基板上に被処理膜を形成する工程と、前記被処理膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの所定の部分にエネルギー線を照射する工程と、前記エネルギー線が照射された部分を含む前記レジストパターンを覆う反転材層を形成する工程と、前記反転材層の表面を除去して、前記レジストパターンの前記エネルギー線が照射されていない部分を露出させて、反転パターンを形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記反転パターンを用いて、前記被処理膜にエッチング処理を施す工程と、を備えている。

レジストパターンの被覆率と反転材層の厚みの関係を例示するための模式断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示するための模式工程図である。 （ａ）〜（ｆ）は、第２の実施形態に係るパターン形成方法を例示するための模式工程図である。 （ａ）〜（ｆ）は、第３の実施形態に係るパターン形成方法を例示するための模式工程図である。 パターン形成システム２００を例示するためのレイアウト図である。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
[第１の実施形態]
図１は、レジストパターンの被覆率と反転材層の厚みの関係を例示するための模式断面図である。
図２（ａ）〜（ｅ）は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示するための模式工程図である。

図１に示すように、基板４０の上には被処理膜３０が形成されている。被処理膜３０の上には、反転パターンを形成するためのレジストパターン５１が形成されている。
この場合、形成する反転パターンの形態に応じてレジストパターン５１の被覆率に面内分布が生じる場合がある。
例えば、領域５１ａには凸部がないので、領域５１ａにおけるレジストパターン５１の被覆率は０％となる。領域５１ｂには凹部がないので、領域５１ｂにおけるレジストパターン５１の被覆率は１００％となる。領域５１ｃには凹部５１ｃ２と凸部５１ｃ１があるので、領域５１ｃにおけるレジストパターン５１の被覆率は凹部５１ｃ２と凸部５１ｃ１の面積比率に応じた値となる。
レジストパターン５１の被覆率に面内分布があると、レジストパターン５１を覆うように形成された反転材層１２の厚みが不均一となる。

ここで、領域５１ａを覆う反転材は反転パターンの一部となる。そのため、領域５１ａを覆う反転材は、反転材層１２の表面を除去した後（エッチバック後）も残す必要がある。
領域５１ｂは、反転パターンの開口部（凹部）となる。そのため、領域５１ｂを覆う反転材は、反転材層１２の表面の除去後に残らないようにする必要がある。
領域５１ｃを覆う反転材のうち、凹部５１ｃ２に設けられた反転材は、反転パターンの一部となる。そのため、凹部５１ｃ２に設けられた反転材は、反転材層１２の表面の除去後も残す必要がある。凸部５１ｃ１の頂面を覆う反転材は、反転材層１２の表面の除去後に残らないようにする必要がある。

ところが、反転材層１２の厚みが不均一となっていると、反転材層１２の表面の除去を行った際に、反転材を除去すべき領域に反転材が残ったり、反転材を残すべき領域の反転材が除去されたりするおそれがある。
例えば、凸部５１ｃ１の頂面を覆う反転材が除去された時点で反転材層１２の除去を終了させると、領域５１ｂを覆う反転材が残ってしまうことになる。
また、領域５１ｂを覆う反転材が除去された時点で反転材層１２の除去を終了させると、領域５１ａを覆う反転材や凹部５１ｃ２に設けられた反転材が除去されてしまうおそれがある。

そこで、本実施の形態に係るパターン形成方法においては、ダミーパターン１ａを配置してレジストパターン１の被覆率の面内分布を低減させるようにしている。
ここでは、図２（ｅ）に示すパターン３０ａを形成する場合を例に挙げて本実施の形態に係るパターン形成方法を説明する。

まず、基板４０の上に、エッチング処理の対象となる被処理膜３０を形成する。
基板４０は、例えば、ガラス基板、石英基板、およびシリコン基板などとすることができる。
基板４０は、例えば、露光マスク用基板、インプリント用モールド、および半導体基板などである。
被処理膜３０の材料には、特に限定がない。例えば、被処理膜３０の材料は、クロムなどの遮光性材料、酸化物や窒化物などの絶縁性材料、タングステンや銅などの導電性材料などとすることができる。
被処理膜３０の厚み寸法には、特に限定がない。被処理膜３０の厚み寸法は、用途などに応じて適宜設定することができる。

被処理膜３０の形成方法には、特に限定がない。例えば、被処理膜３０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition）、熱酸化法などを用いて形成することができる。

次に、図２（ａ）に示すように、被処理膜３０の上にレジストパターン１を形成する。
レジストパターン１の形態は、基本的にはパターン３０ａの形態を反転させたものとなる。例えば、パターン３０ａの凸部に対応するレジストパターン１の部分は、凹部となる。パターン３０ａの凹部に対応するレジストパターン１の部分は、凸部となる。
そのため、図２（ｅ）に示すように、パターン３０ａに面積の大きな凸部３０ａ１（連続パターン面）があると、凸部３０ａ１に対応するレジストパターン１の部分に面積の大きな凹部が設けられることになる。レジストパターン１に面積の大きな凹部が設けられると、被覆率の面内分布が大きくなる。

そこで、ダミーパターン１ａを設けて、レジストパターン１の被覆率の面内分布を低減させるようにしている。
例えば、ダイシングラインを含めた基板４０の全面をある程度の大きさの領域に分割する。そして、分割された各領域におけるレジストパターン１の被覆率が、任意の基準エリアにおける被覆率の±１０％程度に収まるように、ダミーパターン１ａを配置する。
図２（ａ）に例示をしたレジストパターン１は、ラインアンドスペースの要素１ｂと、立方体状のダミーパターン１ａを有している。
なお、被覆率の許容範囲、要素１ｂとダミーパターン１ａの形状、寸法、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく、適宜変更することができる。

レジストパターン１は、有機物材料を含んでいる。レジストパターン１は、例えば、アクリル系光硬化性樹脂から形成されたものとすることができる。
レジストパターン１（要素１ｂ、ダミーパターン１ａ）の形成方法には、特に限定はない。例えば、レジストパターン１は、光露光(フォトリソグラフィ)法や、インプリント法などを用いて形成することができる。

ここで、ダミーパターン１ａを設ければ、レジストパターン１の被覆率の面内分布の低減、ひいては反転材層２の厚みの均一化を図ることができる。
ところが、一般的には、ダミーパターン１ａの高さは要素１ｂの高さとほぼ同じとなる。そのため、後述する反転材層２の表面の除去の際に要素１ｂの頂面が露出するようにすると、ダミーパターン１ａの頂面も露出することになる。その結果、反転パターン（反転マスク）３におけるダミーパターン１ａが設けられた領域に孔があくことになり、適正な形状を有するパターン３０ａが形成できなくなる。

そこで、本実施の形態に係るパターン形成方法においては、ダミーパターン１ａの高さが要素１ｂの高さより低くなるようにする。
本発明者の得た知見によれば、有機物材料を含むダミーパターン１ａの頂面にエネルギー線１００を照射すれば、ダミーパターン１ａの高さを１０％〜１５％程度低くすることができる。そのため、反転材層２の表面の除去の際にダミーパターン１ａの頂面が露出するのを防止することができる。

次に、レジストパターン１の所定の部分にエネルギー線１００を照射する。
例えば、図２（ｂ）に示すように、ダミーパターン１ａの頂面に向けてエネルギー線１００を照射する。エネルギー線１００は、例えば、電子ビームやイオンビームとすることができる。
この際、エネルギー線１００の照射位置を制御したり、エネルギー線１００の照射装置と基板４０の相対的な位置を制御したりすることで、各ダミーパターン１ａの頂面にエネルギー線１００が照射されるようにする。
すると、各ダミーパターン１ａの高さが１０％〜１５％程度低くなる。

次に、エネルギー線１００が照射された部分を含むレジストパターン１を覆う反転材層２を形成する。
反転材層２は、反転材を塗布することで形成することができる。
反転材の塗布方法には特に限定がない。反転材は、例えば、スピンコート法などを用いて塗布することができる。
反転材は、例えば、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子、Ｓｎ原子、Ａｇ原子、Ａｕ原子、Ｔｉ原子の少なくともいずれか１つを含むものとすることができる。反転材は、例えば、感光性ポリシラン、感光性ポリゲルマン、感光性ポリスタナン、感光性ポリシラザン、感光性ポリシロキサン、感光性ポリカルボシラン、光重合性シリコン含有アクリルモノマ、シリコン含有ノボラック樹脂、シリコン含有ポリパラヒドロキシスチレンや、これら化合物の２種類以上の共重合体及び混合物とすることができる。

次に、反転材層２の表面を除去して、レジストパターン１のエネルギー線１００が照射されていない部分を露出させる。
例えば、図２（ｃ）に示すように、反転材層２の表面を除去してレジストパターン１の要素１ｂを露出させる。
反転材層２の表面を除去することで、反転パターン３が形成される。
反転材層２の表面の除去は、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いて行うことができる。
ダミーパターン１ａの高さは、要素１ｂの高さより低くなっている。そのため、反転材層２の表面を除去して要素１ｂを露出させ、且つ、ダミーパターン１ａを露出させないようにすることができる。

次に、図２（ｄ）に示すように、レジストパターン１の露出部分である要素１ｂを除去する。
要素１ｂは、例えば、ウェットエッチング法やドライエッチング法などを用いて除去することができる。

次に、反転パターン３をエッチングマスクとして、被処理膜３０をエッチングして、パターン３０ａを形成する。
次に、図２（ｅ）に示すように、反転パターン３を除去する。
反転パターン３は、例えば、ウェットアッシング法やドライアッシング法などを用いて除去することができる。
以上の様にして、所望のパターン３０ａを形成することができる。

[第２の実施形態]
図３（ａ）〜（ｆ）は、第２の実施形態に係るパターン形成方法を例示するための模式工程図である。
第２の実施形態に係るパターン形成方法は、図３（ｆ）に示すパターン３０ｂを形成する場合である。

レジストパターン１１の形態は、基本的にはパターン３０ｂの形態を反転させたものとなる。ところが、露光装置の解像限界などのために、パターン３０ｂの形態をそのまま反転させたレジストパターン１１を形成することが困難となる場合がある。
そのため、本実施の形態に係るパターン形成方法においては、レジストパターン１１を形成する工程において、修正予定部分を形成する。そして、エネルギー線１００を照射する工程において、修正予定部分にエネルギー線１００を照射する。
ここでは、修正予定部分が、図３（ｆ）に示す要素３０ｂ１に対応する部分１１ａ２ａであるとして説明する。

まず、図３（ａ）に示すように、被処理膜３０の上にレジストパターン１１を形成する。
レジストパターン１１は、要素３０ｂ２に対応する要素１１ａ１〜１１ａ３を含む。
レジストパターン１１を用いて反転パターンを形成すれば、パターン３０ｂの要素３０ｂ１が形成されず、要素３０ｂ２のみが形成されることになる。

そのため、次に、図３（ｂ）に示すように、レジストパターン１１の要素３０ｂ１に対応する部分１１ａ２ａにエネルギー線１００を照射して、部分１１ａ２ａの高さを低くする。
この場合、部分１１ａ２ａの高さを１０％〜１５％程度低くすることができる。

次に、図３（ｃ）に示すように、エネルギー線１００が照射された部分１１ａ２ａを含むレジストパターン１１を覆う反転材層１２を形成する。
次に、図３（ｄ）に示すように、反転材層１２の表面を除去して、レジストパターン１１のエネルギー線１００が照射されていない部分（要素１１ａ１〜１１ａ３）を露出させる。
反転材層１２の表面を除去することで、反転パターン１３が形成される。
この場合、エネルギー線１００が照射された部分１１ａ２ａは高さが低いので、反転材層１２に覆われたままとなる。

次に、図３（ｅ）に示すように、レジストパターン１１の露出部分を除去する。
この際、ＲＩＥ法などを用いて、異方性エッチング処理を施すようにすることが好ましい。異方性エッチング処理によりレジストパターン１１の露出部分を除去すれば、反転材層１２に覆われた部分１１ａ２ａの側面が除去されて窪みなどが生じるのを抑制することができる。

次に、反転パターン１３をエッチングマスクとして、被処理膜３０をエッチングして、パターン３０ｂを形成する。
次に、図３（ｆ）に示すように、反転パターン１３を除去する。
反転パターン１３は、例えば、ウェットアッシング法やドライアッシング法などを用いて除去することができる。
以上の様にして、所望のパターン３０ｂを形成することができる。

[第３の実施形態]
図４（ａ）〜（ｆ）は、第３の実施形態に係るパターン形成方法を例示するための模式工程図である。
第３の実施形態に係るパターン形成方法は、図４（ｆ）に示すパターン３０ｃを形成する場合である。

まず、図４（ａ）に示すように、被処理膜３０の上にレジストパターン２１を形成する。
レジストパターン２１の形態は、パターン３０ｃの形態を反転させたものとなる。

レジストパターン２１は、要素３０ｃ１に対応する要素２１ａ１〜２１ａ３を含む。
ところが、レジストパターン２１を形成した際にショート欠陥２１ａ４が生じる場合がある。
ショート欠陥２１ａ４を有するレジストパターン２１を用いて反転パターンを形成すれば、パターン３０ｃにショート欠陥２１ａ４が転写される。

そのため、レジストパターン２１の検査を行う工程を設け、ショート欠陥２１ａ４が抽出された場合には、図４（ｂ）に示すようにショート欠陥２１ａ４の修正を行う。
なお、レジストパターン２１の検査は、例えば、短波長レーザ（例えば、波長が１９３ｎｍの固体ＳＨＧ（Second Harmonic Generation）レーザ）を用いた光学式欠陥検査装置により行うことができる。

図４（ｂ）に示すように、レジストパターン２１の検査において抽出されたショート欠陥２１ａ４にエネルギー線１００を照射する。
ショート欠陥２１ａ４にエネルギー線１００を照射すると、ショート欠陥２１ａ４の高さが低くなる。
この場合、ショート欠陥２１ａ４の高さを１０％〜１５％程度低くすることができる。

次に、図４（ｃ）に示すように、レジストパターン２１を覆うように反転材を塗布して反転材層２２を形成する。
次に、図４（ｄ）に示すように、反転材層２２の表面を除去してレジストパターン２１の要素２１ａ１〜２１ａ３を露出させる。
反転材層２２の表面を除去することで、反転パターン２３が形成される。
この場合、ショート欠陥２１ａ４は高さが低いので、反転材層２２に覆われたままとなる。

次に、図４（ｅ）に示すように、レジストパターン２１の露出部分を除去する。
この際、ＲＩＥ法などを用いて、異方性エッチング処理を施すようにすることが好ましい。異方性エッチング処理によりレジストパターン２１の露出部分を除去すれば、反転材層２２に覆われたショート欠陥２１ａ４の側面が除去されて窪みなどが生じるのを抑制することができる。

次に、反転パターン２３をエッチングマスクとして、被処理膜３０をエッチングして、パターン３０ｃを形成する。
次に、図４（ｆ）に示すように、反転パターン２３を除去する。
反転パターン２３は、例えば、ウェットアッシング法やドライアッシング法などを用いて除去することができる。
以上の様にして、所望のパターン３０ｃを形成することができる。

[第４の実施形態]
次に、パターン形成システム２００について例示をする。
パターン形成システム２００は、前述したパターン形成方法を実行することができる。 図５は、パターン形成システム２００を例示するためのレイアウト図である。
図５に示すように、パターン形成システム２００には、収納部２０１、レジストパターン形成部２０２、検査部２０３、照射部２０４、反転材層形成部２０５、反転パターン形成部２０６、除去部２０７、エッチング部２０８、除去部２０９、搬送部２１０、および制御部２１１が設けられている。
なお、基板４０の上に被処理膜３０を形成する既知の成膜装置をさらに設けることもできる。

収納部２０１は、収納部２０１ａと、収納部２０１ｂを有する。
収納部２０１ａは、積層方向に複数の基板４０を収納する。収納部２０１ａには、パターン形成前の基板４０が収納される。パターン形成前の基板４０の表面には、被処理膜３０が形成されている。
収納部２０１ｂは、積層方向に複数の基板４０を収納する。収納部２０１ｂには、パターン形成後の基板４０が収納される。パターン形成後の基板４０の表面には、パターン３０ａ〜３０ｃが形成されている。

レジストパターン形成部２０２は、基板４０に設けられた被処理膜３０の上にレジストパターン１、１１、２１を形成する。
この際、レジストパターンの被覆率の面内分布が小さくなるようにダミーパターン１ａを形成することができる。
レジストパターン形成部２０２は、スピンコート装置などの塗布装置、露光装置、現像装置、ボストベーク装置などを有する。
なお、塗布装置、露光装置、現像装置、ボストベーク装置などには既知の装置を用いることができるので詳細な説明は省略する。

検査部２０３は、レジストパターン１、１１、２１における欠陥の有無などを検査する。
検査部２０３は、例えば、水銀ランプやアルゴンレーザ等の光源と、集光レンズと、レジストパターン１、１１、２１が形成された基板４０が載置されるＸＹステージと、対物レンズと、画像センサとを備えた光学式欠陥検査装置とすることができる。

照射部２０４は、レジストパターン１、１１、２１の所定の部分にエネルギー線１００を照射する。
例えば、照射部２０４は、例えば、ダミーパターン１ａ、修正予定部分（部分１１ａ２ａ）、ショート欠陥２１ａ４などにエネルギー線１００を照射する。
照射部２０４は、例えば、電子線照射装置やイオンビーム装置などとすることができる。

反転材層形成部２０５は、レジストパターン１、１１、２１を覆うように反転材を塗布して反転材層２、１２、２２を形成する。すなわち、反転材層形成部２０５は、エネルギー線１００が照射された部分を含むレジストパターン１、１１、２１を覆う反転材層２、１２、２２を形成する。
反転材層形成部２０５は、例えば、スピンコート装置などの塗布装置とすることができる。

反転パターン形成部２０６は、反転材層２、１２、２２の表面を除去して、レジストパターン１、１１、２１のエネルギー線１００が照射されていない部分を露出させる。
レジストパターン１、１１、２１のエネルギー線１００が照射されていない部分を露出させることで、反転パターン３、１３、２３が形成される。
反転パターン形成部２０６は、例えば、ＲＩＥ装置などのドライエッチング装置などとすることができる。

除去部２０７は、レジストパターン１、１１、２１の露出部分を除去する。
除去部２０７は、例えば、ＲＩＥ装置などのドライエッチング装置や、ウェットアッシング装置などとすることができる。
エッチング部２０８は、反転パターン３、１３、２３を用いて、被処理膜３０にエッチング処理を施す。
例えば、エッチング部２０８は、反転パターン３、１３、２３をエッチングマスクとして、被処理膜３０をエッチングして、パターン３０ａ〜３０ｃを形成する。

除去部２０９は、反転パターン３、１３、２３を除去する。
除去部２０９は、例えば、ＲＩＥ装置などのドライエッチング装置や、ウェットアッシング装置などとすることができる。
なお、反転パターン形成部２０６、除去部２０７、および除去部２０９は、同じ装置であってもよい。

搬送部２１０は、収納部２０１、レジストパターン形成部２０２、検査部２０３、照射部２０４、反転材層形成部２０５、反転パターン形成部２０６、除去部２０７、エッチング部２０８、および除去部２０９の間における基板４０の搬送を行う。
搬送部２１０は、例えば、搬送ロボットなどとすることができる。
制御部２１１は、収納部２０１、レジストパターン形成部２０２、検査部２０３、照射部２０４、反転材層形成部２０５、反転パターン形成部２０６、除去部２０７、エッチング部２０８、除去部２０９、および搬送部２１０に設けられた各要素の動作を制御する。

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１ レジストパターン、１ａ ダミーパターン、１ｂ 要素、２ 反転材層、３ 反転パターン、１１ レジストパターン、１１ａ１〜１１ａ３ 要素、１１ａ２ａ 部分、１２ 反転材層、１３ 反転パターン、２１ レジストパターン、２１ａ１〜２１ａ３ 要素、２１ａ４ ショート欠陥、２２ 反転材層、２３ 反転パターン、３０ 被処理膜、３０ａ パターン、３０ａ１ 凸部、３０ｂ パターン、３０ｂ１ 要素、３０ｂ２ 要素、３０ｃ パターン、３０ｃ１ 要素、４０ 基板、１００ エネルギー線、２００ パターン形成システム、２０１ 収納部、２０２ レジストパターン形成部、２０３ 検査部、２０４ 照射部、２０５ 反転材層形成部、２０６ 除去部、２０７ 除去部、２０８ エッチング部、２０９ 除去部、２１０ 搬送部、２１１ 制御部

Claims (8)

1. 基板上に被処理膜を形成する工程と、
   前記被処理膜上にレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンの検査を行う工程と、
   前記レジストパターンの所定の部分にエネルギー線を照射する工程と、
   前記エネルギー線が照射された部分を含む前記レジストパターンを覆う反転材層を形成する工程と、
   前記反転材層の表面を除去して、前記レジストパターンの前記エネルギー線が照射されていない部分を露出させて、反転パターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンを除去する工程と、
   前記反転パターンを用いて、前記被処理膜にエッチング処理を施す工程と、
   を備え、
   前記基板は、露光マスク用基板、インプリント用モールド、および半導体基板のいずれかであり、
   前記レジストパターンを形成する工程において、ダミーパターンを形成し、
   前記エネルギー線を照射する工程において、前記ダミーパターン、または、前記レジストパターンの検査において抽出された欠陥に、電子ビームまたはイオンビームを照射するパターン形成方法。
2. 基板上に被処理膜を形成する工程と、
   前記被処理膜上にレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンの所定の部分にエネルギー線を照射する工程と、
   前記エネルギー線が照射された部分を含む前記レジストパターンを覆う反転材層を形成する工程と、
   前記反転材層の表面を除去して、前記レジストパターンの前記エネルギー線が照射されていない部分を露出させて、反転パターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンを除去する工程と、
   前記反転パターンを用いて、前記被処理膜にエッチング処理を施す工程と、
   を備えたパターン形成方法。
3. 前記レジストパターンを形成する工程において、ダミーパターンを形成し、
   前記エネルギー線を照射する工程において、前記ダミーパターンにエネルギー線を照射する請求項２記載のパターン形成方法。
4. 前記レジストパターンを形成する工程において、修正予定部分を形成し、
   前記エネルギー線を照射する工程において、前記修正予定部分にエネルギー線を照射する請求項２または３に記載のパターン形成方法。
5. 前記レジストパターンの検査を行う工程をさらに備え、
   前記エネルギー線を照射する工程において、前記レジストパターンの検査において抽出された欠陥にエネルギー線を照射する請求項２〜４のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
6. 前記エネルギー線は、電子ビームまたはイオンビームである請求項２〜５のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
7. 前記基板は、露光マスク用基板、インプリント用モールド、および半導体基板のいずれかである請求項２〜６のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
8. 基板に設けられた被処理膜の上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成部と、
   前記レジストパターンの所定の部分にエネルギー線を照射する照射部と、
   前記エネルギー線が照射された部分を含む前記レジストパターンを覆う反転材層を形成する反転材層形成部と、
   前記反転材層の表面を除去して、前記レジストパターンの前記エネルギー線が照射されていない部分を露出させて、反転パターンを形成する反転パターン形成部と、
   前記レジストパターンを除去する除去部と、
   前記反転パターンを用いて、前記被処理膜にエッチング処理を施すエッチング部と、
   を備えたパターン形成システム。

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