KR101360756B1 - 고주파 필터의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고주파 대역의 SAW 필터 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 (A) 웨이퍼 상에 포토레지스터를 증착하는 단계와; (B) 상기 포토레지스터 상면에 현상액을 도포하는 단계와; (C) 상기 포토레지스터 상부를 선택적인 패턴 형태로 노광하는 단계와; (D) 상기 포토레지스터를 현상하여 상기 패턴 형태로 상기 포토레지스터를 제거하는 단계와; (E) 상기 포토레지스터 및 노출된 웨이퍼 표면에 금속막을 증착하는 단계; 그리고 (F) 상기 포토레지스터를 제거(Lift-Off)하는 단계를 포함하여 수행된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 한 개의 포토 레지스터를 사용하여, 역 테이퍼 형태의 포토 레지스터 층을 구현할 수 있으므로, 생산 공정이 단순하고, 저렴한 비용으로 효율이 높은 고주파 필터의 패터닝 공정을 수행할 수 있는 장점이 있다.

Description

고주파 필터의 제조 방법 { PRODUCTION METHOD OF HIGH FREQUENCY FILTER }
본 발명은 SAW 필터 제조 방법에 관한 것으로, 고주파 대역의 SAW 필터의 제조 방법에 관한 것이다.
SAW 필터란 결정질의 고체내에서 탄성파로 전달되는 표면탄성파를 이용하여 광범위한 기능을 수행하는 소자로 제작한 필터로, 주파수 범위에 따라 저주파 필터와 고주파 필터로 구분된다.
SAW 필터의 구성은 도 1에 도시한 바와 같이, 압전 기판 위에 두 개의 세선 패턴을 교대로 배치하고 양단에 교류 전압을 가하면 파동이 만들어지는데 입력 트랜스 듀서에서 만들어진 파동은 압전 기판의 표면을 통하여 탄성파의 형태로 출력 트랜스듀서로 이동할 수 있으며 트랜스듀서의 모양에 따라서 특정한 주파수를 보내거나 막을 수 있는 필터 동작이 이루어진다.
압전 기판은 높은 유전 상수와 압전 상수가 있는 물질로서, LN 웨이퍼, LT 웨이퍼가 일반적으로 널리 사용되나, 고주파 필터의 경우 온도변화에 따른 주파수움직임이 너무 커 고주파 필터의 경우 크리스탈 웨이퍼가 사용되고 있다.
1. 종래 고주파 필터의 패터닝 공정
지금까지 고주파필터의 제조공법은 Lift-Off 공법이 적용되어 왔다. 상기 Lift-Off 공법은 각 공정의 세부 내용에 따라 다양한 공법이 적용되고 있으나, 이하에서는 대표적으로 사용되는 공법을 도 2를 참조하여 설명하기로 한다.
Lift-Off 공법은,
(a) 먼저, 웨이퍼(10)를 세척한 이후에 상기 웨이퍼(10) 상면에 제1포토 레지스터(20)를 도포한다.
(b) 다음으로 상기 제1 포토 레지스터(20) 위에 제2 포토 레지스터(30)를 도포한다.
이때, 상기 제1 포토 레지스터(20)와 제2 포토 레지스터(30)는 각각 현상속도가 다른 이종의 포토 레지스터가 적용된다. 더욱 구체적으로는 하부의 제1포토 레지스터(20)의 현상속도가 하부의 제2 포토 레지스터(30)보다 빠른 레지스터가 사용된다.
(c) 그리고 제2 포토 레지스터(30) 상면에 패터닝된 마스크(40)를 안착한 이후에 노광 공정을 수행한다.
(d) 노광 이후에는 현상을 통해 제1 및 제2 포토 레지스터(20,30)를 패턴형태에 따라 제거한다.
이때, 현상된 제1 포토 레지스터(20) 및 제2 포토 레지스터(30)의 형태를 살피면, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 현상속도가 빠른 하단의 제1 포토 레지스터(20)가 제2 포토 레지스터(30)보다 많이 현상되어 하부로 갈수록 좁아지는(더 많이 파여들어간) 포토레지스터 층이 형성된다.
이와 같이, 상기 포토 레지스트 층을 역테이퍼 형태로 형성하는 것은, 후술할 금속패턴(60)을 정밀하게 증착시키는 것과 포토 레지스트를 리프트 오프(Lift-Off)할 때 금속패턴(60)의 영향 없이 원활한 리프트 오프를 위한 것이다.
한편, 상기 역방향 테이퍼 형태의 포토 레지스트는 네거티브 포토 레지스트를 활용하여 형성시킬 수 있는데, 이에 대한 상세한 내용은 대한민국 공개 특허 10-2005-0109176호에 상세하게 기재되어 있다.
(e) 다음으로 금속막(50)을 증착하면, 현상된 패턴의 웨이퍼(10) 및 포토레지스터 상면에 금속막(50)이 형성된다.
(f) 이후, 상기 포토 레지스트 층을 스트리퍼 용액 또는 플라즈마를 이용하여 도 2의 (f)에 도시된 바와 같이, 제거하면, 웨이퍼(10) 면에 금속패턴(60)이 형성된 SAW 필터가 완성된다.
그러나 이와 같은 종래의 고주파 필터의 패터닝 공정은 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 포토 레지스터 층을 형성하기 위하여 제1 포토 레지스터와 제2 포토 레지스터를 증착하는 과정을 거쳐야 하므로, SAW 필터 생산에 소요되는 시간 및 비용이 증가하는 문제점이 있었다.
한편, 전술한 바와 같이, 네거티브 포토 레지스터를 이용하여, 역 테이퍼 형태의 포토 레지스터 층을 형성할 수 있으나, 네거티브 포토 레지스터의 경우 포지티브 포토 레지스터에 비하여 가격이 현저하게 비싸므로, SAW 필터의 제조 단가가 크게 상승하는 문제점이 있었다.
2. 트리밍 공정
트리밍 공정이란 일반적으로 FAB 공정후 프루빙 공정에서 생산된 SAW 필터의 주파수가 설계 주파수보다 저주파일 경우 행하는 공정으로, 생상된 SAW 필터의 주파수를 고주파로 이동시키는 것을 말한다.
종래의 트리밍 공정은 금속패턴이 알루미늄인 경우, 알루미늄 에쳔트 용액을 사용한다.
그러나 이 경우 알루미늄의 에칭속도가 너무 빨라서 고주파 필터에는 적합하지 못하여 저주파 필터에만 적용하여 왔다.
상기 알루미늄 에천트의 경우, 주파수가 낮은(70MHZ) IF FILTER에 주로 사용되며 Etching 속도가 매우 빠르다는 장점은 있지만 지나치게 빨라서 고주파나 미세한 트리밍에 적합하지 않다.
나아가 종래에는, FAB 공정후 프루빙 공정에서 생산된 SAW 필터가 설계 주파수보다 고주파일 경우에는 이를 조정할 수 있는 방법이 없는 실정이다.
3. 패키징 공정
패키징 공정이란 SAW 필터를 하우징 내에 실장하여 모듈화하는 공정을 말하는 것으로, 일반적으로는 도 3에 도시한 바와 같은 공정에 의해 수행된다.
즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 먼저 하우징 내에 점착물질(일반적으로는 에폭시 수지가 사용된다)을 드롭핑한 후(S10), 상기 점착물질 위에 SAW 필터를 실장하여 상기 SAW 필터를 하우징 내에 고정한다(S20).
이후, 상기 SAW 필터의 금속 패턴과 상기 하우징의 배성을 연결하는 배선공정이 수행되고(S30), 마지막으로 하우징 상부에 커버를 부착하여, 상기 하우징 내부를 밀폐한다(S40).
그러나 이와 같은 종래의 패키징 공정은 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 패키징이 완료된 필터 모듈을 PCB 가판 위에 실장하고 솔더링하는 경우, 솔더링에 의해 상기 필터 모듈은 고온이 된다. 이때, 상기 고온에 의해 에폭시 수지는 고온 경화되면서 가스를 분출한다.
상기 분출된 가스는 하우징 내부가 밀폐되어 있으므로, 하우징 내부에 기체 상태로 잔류하고, 잔류된 가스는 SAW 필터의 알루미늄 패턴과 반응하여, SAW 필터의 주파수를 저주파로 변동시켜, 필터의 기능을 변화시키는 문제점이 있다.
대한민국 공개 특허 10-2005-0109176호
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 한 개의 포토 레지스터 층을 형성하면서도, 역 테이퍼 형태의 포토 레지스터 층을 구현하여, 생산 공정이 단순하고, 저렴한 비용으로 SAW 필터의 패터닝 공정이 포함된 SAW 필터의 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 SAW 고주파 필터에 있어, 주파수를 낮게 조정하거나 주파수를 높게 조정할 수 있는 트리밍 공정이 포함된 SAW 필터의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그리고 본 발명은 완성된 SAW 필터 모듈을 PCB 기판 상에 솔더링한 이후에도, 에폭시 수지로부터 영 경화로 인한 가스가 분출되지 않도록 하는 패키징 공정이 포함된 SAW 필터의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은, (A) 웨이퍼 상에 포토레지스터를 증착하는 단계와; (B) 상기 포토레지스터 상면에 현상액을 도포하는 단계와; (C) 상기 포토레지스터 상부를 선택적인 패턴 형태로 노광하는 단계와; (D) 상기 포토레지스터를 현상하여 상기 패턴 형태로 상기 포토레지스터를 제거하는 단계와; (E) 상기 포토레지스터 및 노출된 웨이퍼 표면에 금속막을 증착하는 단계; 그리고 (F) 상기 포토레지스터를 제거(Lift-Off)하는 단계를 포함하여 수행되는 패터닝 공정을 포함하는 수행되는 고주파 필터의 제조 방법을 포함한다.
이때, 상기 웨이퍼는 크리스탈 웨이퍼이고, 상기 금속막은 알루미늄일 수도 있다.
그리고 상기 (A) 단계는, 상기 웨이퍼의 저면에 빛의 반사와 산란을 억제하기 위하여 티타늄(Ti)을 증착하는 단계를 수행한 이후에 수행될 수도 있다.
또한, 상기 (F) 단계는, 상기 포토레지스터 층을 스트리퍼 용액을 이용하여 제거할 수도 있다.
그리고 상기 (F) 단계는, 상기 포토레지스터 층을 플라즈마를 이용하여 제거할 수도 있다.
한편, 본 발명은 제조 공정 이후에 프루빙 공정의 검사 결과, 생산된 고주파 필터의 주파수가 설계 주파수보다 저주파인 경우, 생산된 고주파 필터의 알루미늄 패턴을 현상액과 정제수(DI water)의 혼합용액으로 식각하여, 상기 고주파 필터의 주파수를 높게 보정하는 현상 트리밍 공정을 포함하여 수행되는 고주파 필터의 제조 방법을 포함한다.
이때, 상기 알루미늄의 식각 속도는, 상기 현상액과 정제수의 혼합비율에 의해 조절될 수도 있다.
그리고 상기 혼합용액은 상기 현상액과 정제수의 혼합 후, 현상액 내에 포함된 알루미늄 부식성 휘발 물질이 휘발되도록 소정의 시간 개방된 상태로 유지하여 사용할 수도 있다.
또한, 본 발명은, 제조 공정 이후에 프루빙 공정의 검사 결과, 생산된 고주파 필터의 주파수가 설계 주파수보다 저주파인 경우, 플라즈마 장비에 아르곤 가스(Ar)와 산소 가스(O2)를 일정비율로 혼합하여, 혼합된 가스로부터 발생된 플라즈마를 이용하여, 알루미늄이 없는 부분의 웨이퍼를 미세하게 에칭하여 상기 고주파 필터의 주파수를 낮게 보정하는 플라즈마 트리밍 공정을 포함하여 수행되는 고주파 필터의 제조 방법을 포함한다.
이때, 상기 플라즈마 장비는, 포토 레지스터를 제거하기 위한 플라즈마 드라이 에칭 장비일 수도 있다.
그리고 상기 아르곤 가스(Ar)와 산소 가스(O2)의 혼합비는 8:2일 수도 있다.
한편, 본 발명은 (a) 하우징 내에 접착물질을 드롭핑하는 단계와; (b) 상기 접착물질 위에 고주파 필터를 실장하여, 상기 하우징 내에 고정하는 단계와; (c) 상기 고주파 필터의 금속 패턴과 상기 하우징의 배선을 와이어를 통해 연결하여 배선하는 단계와; (d) 상기 하우징 저면을 소정의 온도 및 시간으로 가열하는 단계; 그리고 (e) 상기 하우징 상부에 커버를 부착하여, 상기 하우징 내부를 밀폐하는 단계를 포함하여 수행되는 패키징 공정을 포함하는 고주파 필터의 제조 방법을 포함한다.
여기서 상기 접착물질은, 에폭시 수지일 수도 있다.
그리고 상기 (d) 단계에 있어, 상기 가열 온도는, 고주파 필터 모듈을 PCB 기판상에 솔더링하는 경우, 솔더링에 따른 가열온도와 동일할 수도 있다.
또한, 상기 (d) 단계에 있어, 상기 하우징의 가열은, 가열된 핫 플레이트 상에, 밀폐되지 않은 반 조립상태의 하우징을 상치함에 의해 수행될 수도 있다.
위에서 살핀 바와 같은 본 발명에 의한 고주파 필터의 제조 방법에서는 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
즉, 본 발명에서는 한 개의 포토 레지스터를 사용하여, 역 테이퍼 형태의 포토 레지스터 층을 구현할 수 있으므로, 생산 공정이 단순하고, 저렴한 비용으로 효율이 높은 고주파 필터의 패터닝 공정을 수행할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에서는 고주파 필터의 생산 공정에 있어, 주파수를 낮게 조정하거나 주파수를 높게 조정할 수 있으므로, 양품의 개수를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
그리고 본 발명에서는, 완성된 고주파 필터 모듈을 PCB 기판 상에 솔더링한 이후에도, 에폭시 수지로부터 영 경화로 인한 가스가 분출되지 않아, 에폭시수지로부터 분출된 가스로 인하여, 알루미늄 패턴이 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 통상의 SAW 필터 구조를 도시한 평면도.
도 2는 종래기술에 의한 SAW 고주파 필터의 금속 패터닝 공정을 도시한 공정 예시도.
도 3은 종래기술에 의한 SAW 고주파 필터의 패키징 공정을 도시한 흐름도.
도 4는 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 SAW 고주파 필터의 금속 패터닝 공정을 도시한 공정 예시도.
도 5는 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 SAW 고주파 필터의 금속 패터닝 공정 중 노광 공정을 상세하게 도시한 상세 공정 예시도.
도 6은 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 SAW 고주파 필터의 패키징 공정을 도시한 흐름도.
도 7은 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 SAW 고주파 필터 패키지 구성을 도시한 구성도.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 고주파 필터의 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다.
1. 고주파 필터의 패터닝 공정
도 4는 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 SAW 고주파 필터의 금속 패터닝 공정을 도시한 공정 예시도이고, 도 5는 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 SAW 고주파 필터의 금속 패터닝 공정 중 노광 공정을 상세하게 도시한 상세 공정 예시도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 SAW 고주파 필터는,
(A) 먼저, 웨이퍼(100)를 세척한 이후에 상기 웨이퍼(100) 상면에 포토 레지스터(200)(바람직하게는 AZ7908MIF)를 도포한다. 이때, 상기 포토 레지스터(200)를 도포하기 전에 상기 웨이퍼(100) 저면에 빛의 반사와 산란을 억제하기 위하여 티타늄(Ti)을 증착할 수도 있다.
한편, 상기 포토 레지스터를 도포한 이후에는 Baking 하여 포토 레지스터를 경화시킨다.
(B) 다음으로 상기 포토 레지스터(200) 위에 현상액(Developing 용액, 바람직하게는 RZX-3038)을 도포한다. 상기 현상액(300)은 포토레지스터(200)의 상층부를 강한 에너지(약 200mJ)에서 안정화시키기 위한 것이다.
(C) 따라서 상기 포토 레지스터(200)의 상부는 상기 현상액(300)과 반응하여, 고 에너지에 잘 저항하도록 안정화된다.
(D) 상기 포토 레지스터(200)는, 도 4의 (D)에 도시된 바와 같이, 상부는 안정화된 안정화층(210)이 형성된다.
(E) 다음으로 상기 포토 레지스터(200) 상부에 패터닝된 마스크(400)를 안착한 이후에 노광 공정을 수행한다.
상기 노광 공정을 도 5를 참고하여 상세히 살펴보면, 도 5에 도시된 바와 같이, 마스크(400) 사이의 패턴으로 빛이 조사되면, 상기 빛은 포토 레지스터를 통과한다.
이때, 상기 안정화된(단단해진) 포토레지스터의 상층부(210)는 강한 에너지에서도 비교적 잘 견디기 때문에 광원은 직진하여 통과하게 되는 반면, 안정화되지 않은 포토 레지스트의 하층부는 강한 에너지에 견디지 못하기 때문에 광원은 넓은 영역으로 퍼지게 된다.
이후, 상기 포토 레지스트의 저항성을 높이기 위하여, 열처리하여 솔벤트를 완전히 제거한다.
(F) 한편, 노광 이후에는 현상을 통해 포토 레지스터(200)를 패턴 형태에 따라 제거한다.
이때, 상기 현상된 포토 레지스터(200)의 형태를 살피면, 도 4의 (F)에 도시된 바와 같이, 빛이 넓게 퍼져 영향을 받은 하단부의 포토 레지스터(200)가 상단보다 많이 현상되어 하부로 갈수록 좁아지는(더 많이 파여 들어감, 이하 이를 '역테이퍼형태'라고 한다) 포토레지스터 층이 형성된다.
(G) 다음으로, 남아있는 포토 레지스터(200)와 웨이퍼 표면에 금속막(바람직하게는 알루미늄)(500)을 증착한다.
이때, 상기 웨이퍼 상에 증착되는 금속막은 상기 포토레지스터(200) 형태의 영향으로 수직에 가까운 형태로 증착되고, 상기 포토레지스터(200)와의 사이에 공간이 형성될 수도 있다.
(H) 이후, 상기 포토레지스터(200) 층을 스트리퍼 용액 또는 플라즈마를 이용하여 제거하면, 웨이퍼(100) 면에 알루미늄 금속패턴(600)이 형성된 SAW 필터가 완성된다.
이때, 상기 포토 레지스터(200)는 역테이퍼 형태를 갖으므로, 제거 시에 상기 금속 패턴(600)에 영향을 주지 않을 뿐만 아니라, 스트리퍼 용액이 상기 포토레지스터(200)의 저면으로 원활하게 침투할 수 있도록 하여, 패턴닝 공정의 정확성과 효율을 향상시킨다.
이와 같이, 본 발명에 의한 고주파 SAW 필터는 한 종류의 포토 레지스터(200) 만을 사용하면서도, 포토레지스터(200)를 역테이퍼 형태로 형성하여, 낮은 단가와 단순화된 공정을 통해 패턴닝 공정의 정확성과 효율을 향상시킬 수 있다.
2. 트리밍 공정
본 발명에 의한 트리밍 공정은 크게 2가지 구분될 수 있다.
첫째는 FAB 공정 후 프루빙 공정에서 생산된 고주파 SAW 필터의 주파수가 설계 주파수보다 저주파일 경우, 생산된 고주파 SAW 필터의 주파수를 고주파로 보정하는 현상 트리밍 공정과;
둘째는, FAB 공정 후 프루빙 공정에서 생산된 고주파 SAW 필터의 주파수가 설계 주파수보다 고주파일 경우, 생산된 고주파 SAW 필터의 주파수를 저주파로 보정하는 플라즈마 트리밍 공정이다.
먼저, 현상 트리밍 공정을 설명하면, 본 발명에 의한 현상 트리밍 공정은 현상액과DI water를일정비율로 혼합하여 사용한다.
즉, 트리밍 공정에서 문제되는 상기 알루미늄의 식각 속도를 제어하기 위하여, 현상액에 DI water 를혼합하고, 혼합용액에 고주파 SAW 필터를 담궈 상기 알루미늄 패턴을 일정부분 식각하여 주파수를 고주파로 보정한다.
이때, 상기 현상액과 DI water의 배합비는, 식각량 및 식각 속도에 따라 달라지는데, 식각속도를 높이고자 하는 경우 현상액의 비율을 높인다.
한편, 상기 현상액과 DI water의 혼합액은, 양자를 혼합후 소정의 시간(바람직하게는 24시간 이상) 동안 방치한 이후에 사용하는 것이 바람직한데, 이는 상기 현상액 내에 포함된 알루미늄 부식성 휘발 물질이 휘발되도록 한 다음에 사용하기 위함이다.
다음으로, 플라즈마 트리밍에 대하여 설명하면, 플라즈마 트리밍은 기존의 포토 레지스터를 stripper하기 위한 Dry etching 장비를 이용하여 수행된다.
즉, 상기 플라즈마 장비에 아르곤 가스(Ar)와 산소 가스(O2)를 일정비율로 혼합하여, 혼합된 가스로부터 발생된 플라즈마를 이용하여, 알루미늄이 없는 space부분의 웨이퍼를 아주 미세하게 etching 하여 고주파 SAW 필터의 주파수를 저주파로 이동시킨다.
이때, 상기 아르곤 가스(Ar)와 산소 가스(O2)의 혼합비는 8:2로 혼합하는 것이 바람직하다.
3. 패키징 공정
도 6은 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 SAW 고주파 필터의 패키징 공정을 도시한 흐름도이고, 도 7은 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 SAW 고주파 필터 패키지 구성을 도시한 구성도이다.
본 발명에 의한 패키징 공정은, 완성된 고주파 SAW 필터 모듈을 PCB 기판상에 솔더링하는 경우, 가열로 인하여 상기 모듈 내부의 접착물질(에폭시 수지)로부터 가스가 방출되는 것을 방지하기 위한 것으로, 하우징 가열 공정을 포함하여 수행되는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명에 의한 패키징 공정은, 도 6에 도시된 바와 같이, 하우징(710) 내에 접착물질(720)(일반적으로는 에폭시 수지가 사용된다)을 드롭핑하는 것으로 부터 시작된다(S110).
이후, 상기 접착물질(720) 위에 고주파 SAW 필터(600)를 실장하여, 상기 고주파 SAW 필터(600)를 하우징(710) 내에 고정한다(S120).
즉, 도 7에 도시한 바와 같이, 하우징(710) 내부 저면과 상기 고주파 SAW 필터(600)는 접착물질(720)에 의해 양자가 부착된 상태를 유지한다.
이후, 상기 고주파 SAW 필터(600)의 금속 패턴과 상기 하우징(710)의 배선을 와이어(730)를 통해 연결하는 배선공정이 수행된다(S130).
그리고 상기 배선공정이 수행된 반제품의 모듈은, 하우징(710) 저면 가열공정이 수행된다(S140).
상기 가열공정은, 반제품의 모듈을 가열된 HOT PLATE 상에 상치하여, 상기 하우징(710) 바닥면이 가열되도록 하여 수행된다.
이때, 상기 가열온도는 솔더링 시에 발생되는 온도와 동일 온도(대략 280℃)를 유지하고, 가열 시간은 20분 내외를 유지하는 것이 바람직하다.
이와 같은 가열 공정을 거치면서, 상기 접착물질(720)은 완전히 열경화되어, 후에 솔더링 작업에 의해 가열되어도 가스가 분출되지 않는다.
이후에는 , 마지막으로 하우징 상부에 커버를 부착하여, 상기 하우징 내부를 밀폐한다(S140).
본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.
본 발명은 고주파 대역의 SAW 필터 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하면, 한 개의 포토 레지스터를 사용하여, 역 테이퍼 형태의 포토 레지스터 층을 구현할 수 있으므로, 생산 공정이 단순하고, 저렴한 비용으로 효율이 높은 고주파 필터의 패터닝 공정을 수행할 수 있는 장점이 있다.
100 : 웨이퍼 200 : 포토레지스터
210 : 포토레지스터 상층 300 : 현상액
400 : 마스크 500 : 금속막
510 : 금속패턴 600 : 고주파 SAW 필터
710 : 하우징 720 : 접착물질
730 : 와이어 740 : 커버

Claims (15)

  1. (A) 웨이퍼 상에 포토레지스터를 증착하는 단계와;
    (B) 상기 포토레지스터 상면에 현상액을 도포하는 단계와;
    (C) 상기 현상액 도포 이후에, 상기 포토레지스터 상부를 선택적인 패턴 형태로 노광하는 단계와;
    (D) 상기 포토레지스터를 현상하여 상기 패턴 형태로 상기 포토레지스터를 제거하는 단계와;
    (E) 상기 포토레지스터 및 노출된 웨이퍼 표면에 금속막을 증착하는 단계; 그리고
    (F) 상기 포토레지스터를 제거(Lift-Off)하는 단계를 포함하여 수행되는 패터닝 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 필터의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 크리스탈 웨이퍼이고, 상기 금속막은 알루미늄임을 특징으로 하는 고주파 필터의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 (A) 단계는,
    상기 웨이퍼의 저면에 빛의 반사와 산란을 억제하기 위하여 티타늄(Ti)을 증착하는 단계를 수행한 이후에 수행됨을 특징으로 하는 고주파 필터의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 (F) 단계는,
    상기 포토레지스터 층을 스트리퍼 용액을 이용하여 제거함을 특징으로 하는 고주파 필터의 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 (F) 단계는,
    상기 포토레지스터 층을 플라즈마를 이용하여 제거함을 특징으로 하는 고주파 필터의 제조 방법.
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