JP2009081425A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009081425A5
JP2009081425A5 JP2008218503A JP2008218503A JP2009081425A5 JP 2009081425 A5 JP2009081425 A5 JP 2009081425A5 JP 2008218503 A JP2008218503 A JP 2008218503A JP 2008218503 A JP2008218503 A JP 2008218503A JP 2009081425 A5 JP2009081425 A5 JP 2009081425A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
electrode
drain
source
microcrystalline semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008218503A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5395384B2 (ja
JP2009081425A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008218503A priority Critical patent/JP5395384B2/ja
Priority claimed from JP2008218503A external-priority patent/JP5395384B2/ja
Publication of JP2009081425A publication Critical patent/JP2009081425A/ja
Publication of JP2009081425A5 publication Critical patent/JP2009081425A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5395384B2 publication Critical patent/JP5395384B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (6)

  1. ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び微結晶半導体膜を形成し、
    前記微結晶半導体膜のチャネル形成領域上に接してチャネル保護層を形成し、
    前記微結晶半導体膜及び前記チャネル保護層上にソース領域及びドレイン領域を形成し、
    前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを形成し、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記チャネル保護層を通過させて、前記チャネル形成領域に、選択的に一導電型を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
  2. 請求項１において、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記チャネル保護層を通過させて、前記不純物領域にレーザ光を照射することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
  3. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、
    前記微結晶半導体膜の前記チャネル形成領域上に接するチャネル保護層と、
    前記微結晶半導体膜及び前記チャネル保護層上にソース領域及びドレイン領域と、
    前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを有し、
    前記チャネル形成領域は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と重ならない領域に、一導電型を付与する不純物元素を含む不純物領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
  4. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、
    前記微結晶半導体膜の前記チャネル形成領域上に接するチャネル保護層と、
    前記微結晶半導体膜及び前記チャネル保護層上にソース領域及びドレイン領域と、
    前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを有し、
    前記チャネル形成領域は、一導電型を付与する不純物元素の添加領域である不純物領域、及び非添加領域を含み、
    前記非添加領域は、前記不純物領域と前記ソース領域及び前記ドレイン領域との間に設けられることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  5. 請求項３又は請求項４において、
    前記不純物領域は前記チャネル形成領域において前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に設けられることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  6. 請求項３乃至５のいずれか一項において、
    前記一導電型を付与する不純物元素は前記ソース領域の導電型及び前記ドレイン領域の導電型とは逆導電型を付与する不純物元素であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
JP2008218503A 2007-09-07 2008-08-27 薄膜トランジスタの作製方法 Expired - Fee Related JP5395384B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008218503A JP5395384B2 (ja) 2007-09-07 2008-08-27 薄膜トランジスタの作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007232667 2007-09-07
JP2007232667 2007-09-07
JP2008218503A JP5395384B2 (ja) 2007-09-07 2008-08-27 薄膜トランジスタの作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009081425A JP2009081425A (ja) 2009-04-16
JP2009081425A5 true JP2009081425A5 (ja) 2011-10-13
JP5395384B2 JP5395384B2 (ja) 2014-01-22

Family

ID=40430868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008218503A Expired - Fee Related JP5395384B2 (ja) 2007-09-07 2008-08-27 薄膜トランジスタの作製方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7791075B2 (ja)
JP (1) JP5395384B2 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5527966B2 (ja) * 2007-12-28 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ
CN102224580B (zh) 2008-11-28 2016-03-02 索尼公司 薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管以及电子装置
JP5515281B2 (ja) * 2008-12-03 2014-06-11 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置、電子機器および薄膜トランジスタの製造方法
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
KR101988341B1 (ko) * 2009-09-04 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
KR102480780B1 (ko) * 2009-09-16 2022-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR101803554B1 (ko) 2009-10-21 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
WO2011048923A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
KR102198144B1 (ko) 2009-12-28 2021-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치와 반도체 장치
WO2011080957A1 (ja) * 2009-12-29 2011-07-07 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置
WO2011145468A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US20130087802A1 (en) * 2010-07-07 2013-04-11 Akihiko Kohno Thin film transistor, fabrication method therefor, and display device
US9171940B2 (en) * 2011-01-13 2015-10-27 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor substrate, display device, and method for manufacturing thin film transistor substrate
US8716708B2 (en) 2011-09-29 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20180118803A (ko) * 2011-10-07 2018-10-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 아르곤 가스 희석으로 실리콘 함유 층을 증착하기 위한 방법들
JP2013229453A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Sony Corp 半導体装置、表示装置及び半導体装置の製造方法
KR101438039B1 (ko) * 2012-05-24 2014-11-03 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 이를 구비한 표시장치 및 그 제조방법
JP6085758B2 (ja) * 2012-06-08 2017-03-01 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
WO2013183254A1 (ja) * 2012-06-08 2013-12-12 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
JP6082911B2 (ja) * 2012-06-08 2017-02-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
CN102738007B (zh) * 2012-07-02 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法
CN102931091A (zh) * 2012-10-25 2013-02-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法
KR20200011610A (ko) 2012-11-08 2020-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 막 및 금속 산화물 막의 형성 방법
CN103887343B (zh) * 2012-12-21 2017-06-09 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
US9876110B2 (en) * 2014-01-31 2018-01-23 Stmicroelectronics, Inc. High dose implantation for ultrathin semiconductor-on-insulator substrates
CN103824779A (zh) * 2014-02-18 2014-05-28 北京京东方显示技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、tft阵列基板、显示装置
US9793361B2 (en) * 2014-09-10 2017-10-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Thin film transistor, array substrate and display device
CN106876476B (zh) * 2017-02-16 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及电子设备

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5091334A (en) 1980-03-03 1992-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JPS56122123A (en) 1980-03-03 1981-09-25 Shunpei Yamazaki Semiamorphous semiconductor
JPS6098680A (ja) 1983-11-04 1985-06-01 Seiko Instr & Electronics Ltd 電界効果型薄膜トランジスタ
JPS6187371A (ja) 1984-10-05 1986-05-02 Hitachi Ltd 薄膜半導体装置
JP2663500B2 (ja) * 1988-04-28 1997-10-15 富士通株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US5084777A (en) 1989-11-14 1992-01-28 Greyhawk Systems, Inc. Light addressed liquid crystal light valve incorporating electrically insulating light blocking material of a-SiGe:H
EP0473988A1 (en) 1990-08-29 1992-03-11 International Business Machines Corporation Method of fabricating a thin film transistor having amorphous/polycrystalline semiconductor channel region
US5849601A (en) 1990-12-25 1998-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
KR950013784B1 (ko) 1990-11-20 1995-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터
US7115902B1 (en) 1990-11-20 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
JP2791422B2 (ja) 1990-12-25 1998-08-27 株式会社 半導体エネルギー研究所 電気光学装置およびその作製方法
US7098479B1 (en) 1990-12-25 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
US7576360B2 (en) 1990-12-25 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device which comprises thin film transistors and method for manufacturing the same
JP3255942B2 (ja) 1991-06-19 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法
JPH06275524A (ja) 1993-03-24 1994-09-30 G T C:Kk 薄膜トランジスタの製造方法
US5796116A (en) 1994-07-27 1998-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film semiconductor device including a semiconductor film with high field-effect mobility
US5648862A (en) * 1994-07-27 1997-07-15 Litton Systems, Inc. Night vision device with audio communication and identification facility
TW303526B (ja) 1994-12-27 1997-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JPH08195492A (ja) 1995-01-13 1996-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多結晶薄膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法
JPH09186342A (ja) 1995-10-25 1997-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US6444506B1 (en) 1995-10-25 2002-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing silicon thin film devices using laser annealing in a hydrogen mixture gas followed by nitride formation
KR100257158B1 (ko) 1997-06-30 2000-05-15 김영환 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
JP2001051292A (ja) 1998-06-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体表示装置
JP2001007024A (ja) 1999-06-18 2001-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 多結晶シリコン膜の形成方法
JP2001311963A (ja) 2000-04-27 2001-11-09 Toshiba Corp 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP2002246605A (ja) 2001-02-20 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示用薄膜トランジスタの製造方法
JP2004146691A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Chi Mei Electronics Corp 微結晶薄膜の成膜方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
TW577176B (en) 2003-03-31 2004-02-21 Ind Tech Res Inst Structure of thin-film transistor, and the manufacturing method thereof
JP4112527B2 (ja) * 2003-07-14 2008-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 システムオンパネル型の発光装置の作製方法
JP4748954B2 (ja) 2003-07-14 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US7314785B2 (en) 2003-10-24 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2005167051A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
TWI366701B (en) 2004-01-26 2012-06-21 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing display and television
EP1624333B1 (en) 2004-08-03 2017-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method thereof, and television set
US7247529B2 (en) 2004-08-30 2007-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
JP4577114B2 (ja) 2005-06-23 2010-11-10 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法
JP2007035964A (ja) 2005-07-27 2007-02-08 Sony Corp 薄膜トランジスタとその製造方法、及び表示装置
EP1995787A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
US8022466B2 (en) 2006-10-27 2011-09-20 Macronix International Co., Ltd. Non-volatile memory cells having a polysilicon-containing, multi-layer insulating structure, memory arrays including the same and methods of operating the same
US8921858B2 (en) 2007-06-29 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9176353B2 (en) 2007-06-29 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7998800B2 (en) 2007-07-06 2011-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7738050B2 (en) 2007-07-06 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Liquid crystal display device
JP2009049384A (ja) 2007-07-20 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
TWI575293B (zh) 2007-07-20 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5395382B2 (ja) 2007-08-07 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
KR101446251B1 (ko) 2007-08-07 2014-10-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 이 표시 장치를 구비한 전자기기 및 그 제조 방법
US9054206B2 (en) 2007-08-17 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2009071289A (ja) 2007-08-17 2009-04-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR101484297B1 (ko) 2007-08-31 2015-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 제작방법
KR101418586B1 (ko) 2007-12-18 2014-07-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조방법, 이를 갖는 박막트랜지스터 기판 및 이를 갖는 표시장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009081425A5 (ja)
JP2009076894A5 (ja)
JP2017076823A5 (ja) 液晶表示装置の作製方法
JP2013236068A5 (ja) 半導体装置
JP2011139050A5 (ja)
JP2013190804A5 (ja)
JP2015156515A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011233880A5 (ja) 半導体装置
JP2016021559A5 (ja) 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP2013175713A5 (ja)
JP2011199272A5 (ja)
JP2009038357A5 (ja)
JP2012160717A5 (ja) トランジスタ
JP2014082389A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2010114432A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2013048246A5 (ja)
JP2009033118A5 (ja)
JP2014042013A5 (ja)
JP2011181917A5 (ja)
JP2013070070A5 (ja) 半導体装置及びその作製方法
JP2009060096A5 (ja)
JP2010062536A5 (ja) 薄膜トランジスタ、及び当該薄膜トランジスタを有する表示装置
JP2009231821A5 (ja)
JP2015213072A5 (ja) 表示装置の作製方法
JP2018049919A5 (ja) 半導体装置