JP2009033118A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 絶縁表面上に、
   チャネル形成領域と高濃度不純物領域を有する島状半導体膜と、
   前記島状半導体膜上に、トンネル絶縁膜と、
   前記トンネル絶縁膜上に、フローティングゲートと、
   前記フローティングゲート上に、ゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に、コントロールゲートと、
   前記トンネル絶縁膜と前記フローティングゲートとの間に、第１の絶縁膜と、
   を有し、
   前記フローティングゲートの材料は、チタン、タンタル、タングステンのいずれか１つであり、
   前記第１の絶縁膜は、前記フローティングゲートの材料の酸化膜で形成されており、前記フローティングゲートの材料が、前記トンネル絶縁膜に拡散するのを防ぐことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記フローティングゲートと前記ゲート絶縁膜との間に、第２の絶縁膜と、
   を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記フローティングゲートの材料の酸化膜で形成されており、前記フローティングゲートの材料が、前記ゲート絶縁膜に拡散するのを防ぐことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の絶縁膜は、酸化チタン、酸化タンタル、酸化タングステンのいずれか１つであることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の絶縁膜は、酸化チタン、酸化タンタル、酸化タングステンのいずれか１つであることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
   前記島状半導体膜は、単結晶半導体層により形成されていることを特徴とする半導体装置。
6. 絶縁表面上に島状半導体膜を形成し、
   前記島状半導体膜上にトンネル絶縁膜を形成し、
   前記トンネル絶縁膜上に、第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上にフローティングゲートを形成し、
   前記フローティングゲート上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上にコントロールゲートを形成し、
   前記コントロールゲートをドーピングマスクとして、前記島状半導体膜に一導電型性を付与する不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成し、
   前記フローティングゲートの材料は、チタン、タンタル、タングステンのいずれか１つであり、
   前記第１の絶縁膜は、前記フローティングゲートの材料の酸化膜であり、前記フローティングゲートの材料が、前記トンネル絶縁膜に拡散するのを防ぐことを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項６において、
   前記フローティングゲート上に第２の絶縁膜を形成した後に前記ゲート絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜は、前記フローティングゲートの材料の酸化膜で形成されており、前記フローティングゲートの材料が、前記ゲート絶縁膜に拡散するのを防ぐことを特徴とする半導体装置の作製方法。