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  1. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、
    前記チャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、
    前記微結晶半導体膜及び前記チャネル保護層上にバッファ層と、
    前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、
    前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを有し、
    前記チャネル形成領域は、一導電型を付与する不純物元素を含む領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
  2. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、
    前記微結晶半導体膜上にバッファ層と、
    前記バッファ層上において前記チャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、
    前記チャネル保護層及び前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、
    前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを有し、
    前記チャネル形成領域は、一導電型を付与する不純物元素を含む領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記不純物元素を含む領域は、前記チャネル形成領域において前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に設けられることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    前記バッファ層は、非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  5. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    前記バッファ層は、窒素を含む非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  6. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    前記バッファ層は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素を含む非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  7. ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び微結晶半導体膜を形成し、
    前記微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を形成し、
    前記微結晶半導体膜及び前記チャネル保護層上にバッファ層を形成し、
    前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域を形成し、
    前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを形成し、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記チャネル保護層を通過させて、前記チャネル形成領域に、選択的に一導電型を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
  8. 請求項７において、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記チャネル保護層を通過させて、前記不純物領域にレーザ光を照射することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
  9. ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び微結晶半導体膜を形成し、
    前記微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、
    前記バッファ層上において前記微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を形成し、
    前記チャネル保護層及び前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域を形成し、
    前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを形成し、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記バッファ層及び前記チャネル保護層を通過させて、前記チャネル形成領域に、選択的に一導電型を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
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JP7497399B2 (ja) 2009-10-14 2024-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置

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