JP2009076894A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009076894A5
JP2009076894A5 JP2008218506A JP2008218506A JP2009076894A5 JP 2009076894 A5 JP2009076894 A5 JP 2009076894A5 JP 2008218506 A JP2008218506 A JP 2008218506A JP 2008218506 A JP2008218506 A JP 2008218506A JP 2009076894 A5 JP2009076894 A5 JP 2009076894A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
buffer layer
forming
electrode
semiconductor film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008218506A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009076894A (ja
JP5500803B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008218506A priority Critical patent/JP5500803B2/ja
Priority claimed from JP2008218506A external-priority patent/JP5500803B2/ja
Publication of JP2009076894A publication Critical patent/JP2009076894A/ja
Publication of JP2009076894A5 publication Critical patent/JP2009076894A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5500803B2 publication Critical patent/JP5500803B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (9)

  1. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、
    前記チャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、
    前記微結晶半導体膜及び前記チャネル保護層上にバッファ層と、
    前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、
    前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを有し、
    前記チャネル形成領域は、一導電型を付与する不純物元素を含む領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
  2. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、
    前記微結晶半導体膜上にバッファ層と、
    前記バッファ層上において前記チャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、
    前記チャネル保護層及び前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、
    前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを有し、
    前記チャネル形成領域は、一導電型を付与する不純物元素を含む領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記不純物元素を含む領域は、前記チャネル形成領域において前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に設けられることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    前記バッファ層は、非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  5. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    前記バッファ層は、窒素を含む非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  6. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    前記バッファ層は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素を含む非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  7. ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び微結晶半導体膜を形成し、
    前記微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を形成し、
    前記微結晶半導体膜及び前記チャネル保護層上にバッファ層を形成し、
    前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域を形成し、
    前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを形成し、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記チャネル保護層を通過させて、前記チャネル形成領域に、選択的に一導電型を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
  8. 請求項７において、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記チャネル保護層を通過させて、前記不純物領域にレーザ光を照射することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
  9. ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び微結晶半導体膜を形成し、
    前記微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、
    前記バッファ層上において前記微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を形成し、
    前記チャネル保護層及び前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域を形成し、
    前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを形成し、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記バッファ層及び前記チャネル保護層を通過させて、前記チャネル形成領域に、選択的に一導電型を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
JP2008218506A 2007-08-31 2008-08-27 薄膜トランジスタの作製方法 Expired - Fee Related JP5500803B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008218506A JP5500803B2 (ja) 2007-08-31 2008-08-27 薄膜トランジスタの作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007227073 2007-08-31
JP2007227073 2007-08-31
JP2008218506A JP5500803B2 (ja) 2007-08-31 2008-08-27 薄膜トランジスタの作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009076894A JP2009076894A (ja) 2009-04-09
JP2009076894A5 true JP2009076894A5 (ja) 2011-10-13
JP5500803B2 JP5500803B2 (ja) 2014-05-21

Family

ID=40405984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008218506A Expired - Fee Related JP5500803B2 (ja) 2007-08-31 2008-08-27 薄膜トランジスタの作製方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US7768009B2 (ja)
JP (1) JP5500803B2 (ja)
KR (2) KR101484297B1 (ja)
CN (3) CN104485362B (ja)
TW (1) TWI520344B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7497399B2 (ja) 2009-10-14 2024-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0713590D0 (en) 2007-07-12 2007-08-22 Micromass Ltd Mass spectrometer
JP2009049384A (ja) 2007-07-20 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP5395384B2 (ja) * 2007-09-07 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP5311957B2 (ja) * 2007-10-23 2013-10-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP5311955B2 (ja) * 2007-11-01 2013-10-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
KR101523353B1 (ko) 2007-12-03 2015-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막트랜지스터 및 반도체 장치
KR101479997B1 (ko) * 2008-06-20 2015-01-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
TW201009954A (en) * 2008-08-19 2010-03-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Thin film transistor, pixel structure and fabrication methods thereof
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US20100237374A1 (en) * 2009-03-20 2010-09-23 Electronics And Telecommunications Research Institute Transparent Organic Light Emitting Diode Lighting Device
JP2010283060A (ja) * 2009-06-03 2010-12-16 Hitachi Displays Ltd 表示装置及びその製造方法
KR101476817B1 (ko) * 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
KR101422362B1 (ko) 2009-07-10 2014-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 패널 및 전자 기기
KR20190141791A (ko) 2009-07-31 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101056427B1 (ko) * 2009-08-13 2011-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터의 제조방법 및 그를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR101707433B1 (ko) 2009-09-04 2017-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
KR101402294B1 (ko) 2009-10-21 2014-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
WO2011105183A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus
JP5752447B2 (ja) * 2010-03-15 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5752446B2 (ja) * 2010-03-15 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101783352B1 (ko) * 2010-06-17 2017-10-10 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2012015436A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび表示装置
US8558960B2 (en) * 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US8916866B2 (en) * 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101820372B1 (ko) * 2010-11-09 2018-01-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 표시 장치 및 이의 제조 방법
US8519397B2 (en) * 2010-12-10 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element, photoelectric conversion circuit, and display device
WO2012117439A1 (ja) 2011-02-28 2012-09-07 パナソニック株式会社 薄膜半導体装置及びその製造方法
CN102959712A (zh) 2011-06-17 2013-03-06 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法
KR20140050702A (ko) * 2011-08-22 2014-04-29 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 박막 트랜지스터
JP6142230B2 (ja) * 2011-10-28 2017-06-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜半導体装置
CN103189990A (zh) 2011-10-28 2013-07-03 松下电器产业株式会社 薄膜半导体器件及其制造方法
TWI621185B (zh) * 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JPWO2013118234A1 (ja) * 2012-02-06 2015-05-11 パナソニック株式会社 薄膜半導体装置の製造方法及び薄膜半導体装置
US9035385B2 (en) * 2012-02-06 2015-05-19 Joled Inc. Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device
KR101968115B1 (ko) 2012-04-23 2019-08-13 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
WO2013183255A1 (ja) 2012-06-08 2013-12-12 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
JP6007445B2 (ja) 2012-06-08 2016-10-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
WO2013183251A1 (ja) * 2012-06-08 2013-12-12 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
KR102113160B1 (ko) 2012-06-15 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2014024808A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9929276B2 (en) * 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101486363B1 (ko) * 2012-08-22 2015-01-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
TWI631711B (zh) * 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI506797B (zh) * 2013-06-21 2015-11-01 Ye Xin Technology Consulting Co Ltd 薄膜晶體管及其製造方法
KR102032748B1 (ko) * 2013-06-28 2019-10-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자
KR20150007000A (ko) * 2013-07-10 2015-01-20 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR102230301B1 (ko) * 2014-01-06 2021-03-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US9876110B2 (en) * 2014-01-31 2018-01-23 Stmicroelectronics, Inc. High dose implantation for ultrathin semiconductor-on-insulator substrates
JP2016029719A (ja) * 2014-07-17 2016-03-03 出光興産株式会社 薄膜トランジスタ
CN104851892A (zh) * 2015-05-12 2015-08-19 深圳市华星光电技术有限公司 窄边框柔性显示装置及其制作方法
CN104882415B (zh) * 2015-06-08 2019-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 Ltps阵列基板及其制造方法
CN105097827A (zh) * 2015-06-08 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 Ltps阵列基板及其制造方法
US9793409B2 (en) * 2016-01-14 2017-10-17 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Thin film transistor array panel
KR102039216B1 (ko) 2016-07-18 2019-11-26 최해용 투명 전광판 장치
CN106876476B (zh) * 2017-02-16 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及电子设备
CN108735819B (zh) * 2017-04-13 2020-07-14 京东方科技集团股份有限公司 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法、显示基板
CN109390412A (zh) * 2018-10-24 2019-02-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 晶体管及其制造方法、显示基板、显示装置

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56122123A (en) * 1980-03-03 1981-09-25 Shunpei Yamazaki Semiamorphous semiconductor
US5091334A (en) * 1980-03-03 1992-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2663500B2 (ja) * 1988-04-28 1997-10-15 富士通株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH03278466A (ja) * 1990-03-27 1991-12-10 Toshiba Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2791422B2 (ja) 1990-12-25 1998-08-27 株式会社 半導体エネルギー研究所 電気光学装置およびその作製方法
US5849601A (en) * 1990-12-25 1998-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
JP2970176B2 (ja) * 1992-02-21 1999-11-02 松下電器産業株式会社 薄膜トランジスタの製造方法及びその薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
JPH06275524A (ja) 1993-03-24 1994-09-30 G T C:Kk 薄膜トランジスタの製造方法
TW303526B (ja) * 1994-12-27 1997-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JPH08195492A (ja) 1995-01-13 1996-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多結晶薄膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法
JPH0974207A (ja) * 1995-09-04 1997-03-18 Toyota Motor Corp 薄膜トランジスタの製造方法
US6444506B1 (en) * 1995-10-25 2002-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing silicon thin film devices using laser annealing in a hydrogen mixture gas followed by nitride formation
JPH09186342A (ja) 1995-10-25 1997-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
KR100257158B1 (ko) * 1997-06-30 2000-05-15 김영환 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
JP3942699B2 (ja) * 1997-08-29 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001051292A (ja) * 1998-06-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体表示装置
JP2001007024A (ja) 1999-06-18 2001-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 多結晶シリコン膜の形成方法
JP2004146691A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Chi Mei Electronics Corp 微結晶薄膜の成膜方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
JP4748954B2 (ja) 2003-07-14 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP4554292B2 (ja) * 2003-07-18 2010-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP2005173037A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2005215277A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Quanta Display Japan Inc 液晶表示装置とその製造方法
WO2005074030A1 (en) * 2004-01-30 2005-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI234288B (en) * 2004-07-27 2005-06-11 Au Optronics Corp Method for fabricating a thin film transistor and related circuits
JP2006156972A (ja) * 2004-10-28 2006-06-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR100645718B1 (ko) * 2005-04-28 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
EP1998374A3 (en) * 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5116277B2 (ja) * 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
US8921858B2 (en) * 2007-06-29 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
US7998800B2 (en) * 2007-07-06 2011-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2009049384A (ja) * 2007-07-20 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
TWI575293B (zh) * 2007-07-20 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US8786793B2 (en) * 2007-07-27 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN101765917B (zh) * 2007-08-07 2012-07-18 株式会社半导体能源研究所 显示器件及具有该显示器件的电子设备及其制造方法
JP5395382B2 (ja) * 2007-08-07 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
US9054206B2 (en) * 2007-08-17 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2009071289A (ja) * 2007-08-17 2009-04-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR101418586B1 (ko) * 2007-12-18 2014-07-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조방법, 이를 갖는 박막트랜지스터 기판 및 이를 갖는 표시장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7497399B2 (ja) 2009-10-14 2024-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009076894A5 (ja)
JP2009081425A5 (ja)
JP2009049384A5 (ja)
JP2013175713A5 (ja)
JP2011139050A5 (ja)
JP2011199272A5 (ja)
JP2010166030A5 (ja)
JP2011233880A5 (ja) 半導体装置
JP2013236068A5 (ja) 半導体装置
JP2017076823A5 (ja) 液晶表示装置の作製方法
JP2010114432A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2009038357A5 (ja)
JP2013190804A5 (ja)
JP2011243973A5 (ja)
JP2011009724A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011086923A5 (ja) 半導体装置及びその作製方法
JP2012160717A5 (ja) トランジスタ
JP2009060096A5 (ja)
JP2016021559A5 (ja) 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP2009033118A5 (ja)
JP2011139051A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011243971A5 (ja)
JP2013016862A5 (ja)
JP2009231821A5 (ja)
JP2008085312A5 (ja)