JP2009049384A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、
   前記微結晶半導体膜上のバッファ層と、
   前記バッファ層上において前記微結晶半導体膜の前記チャネル形成領域と重なる領域に形成されたチャネル保護層と、
   前記チャネル保護層及び前記バッファ層上のソース領域及びドレイン領域と、
   前記ソース領域及び前記ドレイン領域上のソース電極及びドレイン電極とを有し、
   前記ゲート電極と重畳して設けられる前記微結晶半導体膜の端部は、前記ゲート電極の端部より内側に位置し、
   前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の端部よりも延びており、前記ソース領域と前記ドレイン領域間の距離は、前記ソース電極と前記ドレイン領域間の距離よりも短いことを特徴とする電子機器。
2. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、
   前記微結晶半導体膜上のバッファ層と、
   前記バッファ層上において前記微結晶半導体膜の前記チャネル形成領域と重なる領域に形成されたチャネル保護層と、
   前記チャネル保護層及び前記バッファ層上のソース領域及びドレイン領域と、
   前記ソース領域及び前記ドレイン領域上のソース電極及びドレイン電極とを有し、
   前記ゲート電極と重畳して設けられる前記微結晶半導体膜の端部は、前記ゲート電極の端部より内側に位置することを特徴とする電子機器。
3. 請求項１又は２において、
   前記チャネル保護層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極を覆う絶縁膜を有することを特徴とする電子機器。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記バッファ層は、非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする電子機器。
5. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記バッファ層は、窒素を含む非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする電子機器。
6. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記バッファ層は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素を含む非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする電子機器。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記バッファ層の膜厚は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする電子機器。