JP2010532559A5 - - Google Patents
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- 基板を提供するステップ；
上記基板上にパターニングされた第１導電膜としてゲート電極を形成するステップ；
上記ゲート電極を覆うように上記基板上にゲート絶縁膜を形成するステップ；
上記ゲート絶縁膜上に第２導電膜を形成するステップ；
上記基板の下部側より上記ゲート電極をマスクとして用いて上記第２導電膜に紫外線を照射する紫外線背面露光を遂行するステップ；
上記第２導電膜を現像することで、上記ゲート電極と自己整合され、上記ゲート電極と重畳しないソース／ドレイン電極を形成するステップ；及び
上記ソース／ドレイン電極の間及び上部に有機半導体膜を形成するステップ；
を含む自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 上記ゲート電極形成ステップは、上記基板にシャドーマスクを覆い、上記第１導電膜を熱蒸着するステップであることを特徴とする請求項１に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 上記ゲート絶縁膜は、紫外線透過が可能な絶縁性物質からなることを特徴とする請求項１に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 上記第２導電膜形成ステップは、スクリーン印刷、スプレー印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、オフセット、リバースオフセット、グラビア−オフセット、フレキソのいずれか一つの方法を用いて遂行されることを特徴とする請求項１に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 上記第２導電膜は、紫外線硬化が可能な導電性物質からなることを特徴とする請求項１に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 上記第２導電膜形成ステップにおいて、上記第２導電膜は、導電性物質が粉末状態で、紫外線硬化樹脂に分散されているペースト状またはインク状であることを特徴とする請求項１に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 上記有機半導体膜形成ステップは、熱蒸着またはインクジェット印刷方法を用いて遂行されることを特徴とする請求項１に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 上記基板は、リール形態で提供されることを特徴とする請求項１に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 上記ゲート電極形成ステップ、上記ゲート絶縁膜形成ステップ、上記第２導電膜形成ステップ、上記紫外線背面露光ステップ、上記ソース／ドレイン電極形成ステップ、上記有機半導体膜形成ステップ中の少なくとも２ステップは、上記リール形態の基板が連続的に移送される状態で、連続して進行されることを特徴とする請求項８に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
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