JP2005354044A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 基板上に電子機能材料の所望のパターンを形成する方法であって、
   前記所望のパターンを画定するために露出した前記基板の領域を残しながら、前記基板上にパターン形成材料の第１層を造る工程、
   前記パターン形成材料が不浸透である液体分散剤中に電子機能材料の粒子を含む懸濁液を、前記パターン形成材料および前記露出基板上に印刷する工程、
   前記粒子を連結するために前記懸濁液から前記液体分散剤の少なくとも一部を除去する工程、および
   前記パターン形成材料を溶解する能力がある第１溶媒を前記連結粒子に塗布し、前記第１溶媒に対して前記連結粒子が浸透性であるので、上にあるあらゆる電子機能材料と共に前記パターン形成材料が前記基板から除去される工程、
   を含む方法。
2. 請求項１に記載の方法において、
   前記パターン形成材料がホトレジストであり、ホトレジスト層を積層し、次いで、前記ホトレジストの選択された部分をホトリソグラフィにより除去して前記所望のパターンが形成され前記第１層を造る方法。
3. 請求項１に記載の方法において、前記パターン形成材料が熱可塑性ポリマーであり、前記熱可塑性ポリマーの層を積層し、次いで、前記層をマイクロ・エンボス加工して前記所望のパターンが形成され前記第１層を造る方法。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の方法において、
   前記電子機能材料の前記懸濁液がコロイド状である方法。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
   前記懸濁液が液滴の放出により印刷される方法。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の方法において、
   前記懸濁液から前記液体分散剤の少なくとも一部の除去が室温における乾燥によって、または熱的接触、マイクロ波照射、入射赤外線による加熱による加速乾燥によって、または常圧より低い圧力に印刷された懸濁液をさらすことによって行われる方法。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の方法において、
   前記電子機能材料が絶縁体である方法。
8. 請求項１乃至６のいずれかに記載の方法において、
   前記電子機能材料が半導体である方法。
9. 請求項８に記載の方法において、
   前記半導体が、カーボン・ナノチューブ、積層遷移金属ジカルコゲニドのフレーク、ペンタセン粒子または有機半導体ポリマーである方法。
10. 請求項１乃至６のいずれかに記載の方法において、
    前記電子機能材料が導体である方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法において、
    さらに、前記第１溶媒を塗布後、前記連結粒子をＮ−メチルピロリドンおよびイソプロパノールの混合物に溶解したＤ−ソルビトールで処理する工程を含む方法。
12. 請求項１１に記載の方法において、
    さらに、前記第１溶媒を塗布後、前記連結粒子を架橋剤を含む第２溶媒で処理する工程を含む方法。
13. 請求項１１または１２に記載の方法において、
    前記連結粒子を処理後、前記粒子の表面を滑らかにするために前記粒子を焼きなます方法。
14. 電界効果型トランジスターを製作する方法であって、
    請求項１乃至１３のいずれかに記載の方法に従い基板上にソース電極およびドレイン電極を画定する所望の導体パターンを形成する工程と、
    前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接触する半導体層を積層する工程と、
    前記半導体層の上に絶縁体層を積層する工程と、
    前記絶縁体層の上にゲート電極を設ける工程と、を含む方法。
15. 請求項１４に記載の方法において、
    前記絶縁層は請求項７に記載の方法により積層されるか、および／または前記半導体層は請求項８又は９に記載の方法により積層される方法。
16. 基板上に製作された電界効果型トランジスターのアレイにおいて、各電界効果型トランジスターが、請求項１４又は１５に記載の方法により製作されるアレイ。