KR100991103B1 - 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법 - Google Patents
표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 소수성 물질로 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세패턴 형성방법에 관한 것으로서, 기판 상에 고분자 물질을 적층하는 고분자 물질 적층단계; 상기 고분자 물질 상에 소수성 물질을 도포하여 상기 고분자 물질 내에 상기 소수성 물질을 침투시키는 소수성 물질 도포단계; 상기 고분자 물질 중 일부를 제거하여 상기 기판의 일부 영역을 외부에 노출시키는 함몰부를 형성하는 마스크 템플릿 형성단계; 상기 마스크 템플릿 상에 전도성 잉크를 적층하는 잉크 적층단계; 및 상기 전도성 잉크 내부에 용해된 금속 화합물로부터 금속 입자를 추출하기 위하여 열을 가하여, 상기 고분자 물질이 도포된 부위는 전기적 절연성을 가지는 절연패턴을 형성하고, 상기 함몰부 내의 전도성 잉크는 상기 금속 입자들이 추출되어 융합됨으로써 전기적 전도성을 가지는 도전패턴을 형성하는 열처리단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 잉크젯과 같은 직접인쇄방식을 사용하는 경우에 패턴 간의 중첩 오차에 의한 전기적 합선 현상 없이 미세한 도전패턴을 형성할 수 있는 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 관한 것이다.
전자 및 디스플레이 분야에서 공정 및 소재비용을 절감하고 손쉬운 대량생산을 위해 프린팅 공정을 통해 소자를 제작하기 위한 노력을 지속하고 있으며, 학계에서도 이러한 직접인쇄기술분야의 연구가 계속되고 있다.
예를 들어, 저온 동시소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic) 기술을 이용한 RF 필터, 습도센서, 유기 박막트랜지스터(Organic Thin Film Transistor)와 같은 전자소자를 롤이나 잉크젯 인쇄방법을 이용하여 제작하기 위한 연구가 활발히 전개되어 왔다.
그러나, 액상의 잉크를 이용한 잉크젯 인쇄방법은 프린터 노즐에서의 젖음(wetting) 현상으로 인하여 액적토출조건 및 토출방향이 바뀌는 등 수 마이크로 미터에서 수십 마이크로미터 단위의 미세한 패턴을 제작하기가 용이하지 않으며, 특히, 패턴 간의 정밀한 중첩이 필요한 박막트랜지스터의 경우 중첩 오차에 의하여 전기적 합선 등이 발생하여 소자가 동작하지 못하는 문제가 있었다.
이와 같은 문제를 해결하기 위하여 본 출원인이 특허출원한 제10-2009-0055437호에서 마스크 템플릿을 이용한 미세패턴 형성방법이 제안되었다. 도 1을 참조하면, 종래의 출원에서 마스크 템플릿(40)을 형성하는 고분자 물질(20)이 소수성 성질을 가지지 못하여 고분자 물질(20) 및 기판(10) 상에 전도성 잉크(50)가 충분히 적층되지 못하였다.
또한 기판(10) 상에 적층된 전도성 잉크(50)가 열처리를 통해 전도성 입자로 변화할 때 고분자 물질(20)을 구성하는 입자들 사이의 간극으로 침투함으로써 함몰부(42)의 전도성 입자들의 형성이 부족해지는 문제점이 발생한다. 따라서 함몰부(42) 내에서 도전패턴(61)을 형성해야 할 전도성 잉크(50)의 양이 줄어들어 도전패턴(61)의 전기저항이 증가하고 도전패턴(61)의 두께 역시 일정하게 유지되지 못하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 마스크 템플릿에서 최종적으로 전기적 절연성을 가지게 되는 고분자 물질 상에 소수성 물질을 도포하여 고분자 물질로 구성된 입자들의 표면을 개질함으로써 함몰부 내에 전도성 잉크를 충분히 적층할 수 있도록 하며, 전도성 잉크가 고분자 물질을 구성하는 입자들 간의 공극으로 스며들어 가는 것을 제어함으로써, 함몰부 내에 도전패턴을 형성하게 될 전도성 잉크의 양을 일정하게 유지할 수 있는 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법은, 기판 상에 고분자 물질을 적층하는 고분자 물질 적층단계; 상기 고분자 물질 상에 소수성 물질을 도포하여 상기 고분자 물질 내에 상기 소수성 물질을 침투시키는 소수성 물질 도포단계; 상기 고분자 물질 중 일부를 제거하여 상기 기판의 일부 영역을 외부에 노출시키는 함몰부를 형성하는 마스크 템플릿 형성단계; 상기 마스크 템플릿 상에 전도성 잉크를 적층하는 잉크 적층단계; 및 상기 전도성 잉크 내부에 용해된 금속 화합물로부터 금속 입자를 추출하기 위하여 열을 가하여, 상기 고분자 물질이 도포된 부위는 전기적 절연성을 가지는 절연패턴을 형성하고, 상기 함몰부 내의 전도성 잉크는 상기 금속 입자들이 추출되어 융합됨으로써 전기적 전도성을 가지는 도전패턴을 형성하는 열처리단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 열처리단계에서, 상기 고분자 물질 상에 적층된 전도성 잉크는 상기 고분자 물질 사이의 틈새로 침투하며, 열처리에 의해 상기 전도성 잉크로부터 추출된 금속 입자들이 상기 고분자 물질 내에서 이격되게 배치됨으로써 상기 절연패턴이 전체적으로 전기적 절연성을 가진다.
본 발명에 따른 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 잉크 적층단계에서는, 잉크젯 인쇄법을 이용하여 상기 전도성 잉크를 적층한다.
본 발명에 따른 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 마스크 템플릿 형성단계에서는, 상기 고분자 물질 측에 레이저를 조사하여 상기 고분자 물질 중 일부를 제거한다.
본 발명에 따른 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 마스크 템플릿 형성단계에서는, 임프린팅 방법을 이용한다.
본 발명에 따른 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 열처리단계는, 상기 전도성 잉크를 150℃ 내지 350℃의 범위 내에서 가열한다.
본 발명에 따른 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 고분자 물질은 폴리아닐린(polyaniline)이다.
본 발명에 따른 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 전도성 잉크는 용액 상태의 유기 금속 화합물이다.
본 발명에 따른 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 전도성 잉크는 금속 입자들을 더 포함한다.
본 발명의 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 따르면, 마스크 템플릿을 형성하는 고분자 물질에 소수성 물질을 도포함으로써, 기판 상에 적층되어 추후 도전패턴을 형성하는 전도성 잉크가 함몰부 내에 충분히 적층되도록 하며, 고분자 물질 측으로 스며드는 것을 제어함으로써, 도전패턴을 형성하게 될 전도성 잉크의 양을 일정하게 유지하고 도전패턴의 전기저항을 감소시키며 패턴의 두께를 일정하게 형성할 수 있다.
또한 본 발명의 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법에 따르면, 마스크 템플릿 상에 전도성 잉크를 도포하여 고분자 물질 상에 적층된 전도성 잉크는 고분자 물질과 반응하여 절연패턴을 형성하고, 함몰부 내에 적층된 전도성 잉크는 도전패턴을 형성함으로써, 전도성 잉크가 잘못 도포되더라도 도전패턴 간의 절연이 유지되어 공정 불량율을 줄일 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 소수성 물질로 표면개질된 고분자 물질 로 형성된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법을 순서적으로 도시한 도면이고, 도 3은 에메랄딘 형태의 폴리아닐린이 페르니그라닐린 형태의 폴리아닐린으로 산화되는 과정의 화학식을 도시한 것이고, 도 4는 도 2의 전도성 잉크에 용해된 유기 금속 화합물로부터 금속 입자들(nano-cluster)이 추출되었을 때 고분자 물질의 유무에 따라 도전패턴과 절연패턴이 형성되는 과정을 도시한 도면이고, 도 5는 도 2의 열처리단계 이후의 전도성 잉크로부터 추출된 금속 입자(nano-cluster)가 고분자 물질 사이에 이격되게 배치되어 있는 것을 도시한 도면이고, 도 6은 도 2의 열처리단계 이후의 도전 패턴의 표면저항(a)과 절연 패턴의 표면저항(b)을 측정하여 그래프로 도시한 도면이다.
도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 실시예의 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법은, 고분자 물질 적층단계(S10)와, 소수성 물질 도포단계(S20)와, 마스크 템플릿 형성단계(S30)와, 잉크 적층단계(S40)와, 열처리단계(S50)를 포함한다.
상기 고분자 물질 적층단계(S10)에서는, 고분자(20) 물질을 기판(10)의 상측에 적층한다. 고분자 물질(20)의 적층은 원심력을 이용하여 물질을 도포하는 스핀코팅(spin-coating) 또는 슬릿코팅과 같은 코팅방식을 이용하거나, 롤코터, 스크린 프린팅과 같은 인쇄방식에 의한다. 본 실시예에서는 스핀코터(spin-coater)의 회전수를 500rpm으로 설정하여, 20초 동안 기판(10)의 상측에 고분자 물질(20)을 도포한다. 한편 고분자 물질(20)은 스프레이 코팅방식에 의하여 적층될 수도 있다.
본 실시예에서 기판(10)에 적층되는 고분자 물질(20)은, 제조방법이 간단하 고 다른 고분자 물질에 비하여 열적 특성이 우수한 폴리아닐린(polyaniline)을 사용하며, 폴리아닐린은 루코-에메랄딘 형태(lecu-emeraldine base), 에메랄딘 형태(emeraldine base) 혹은 페르니그라닐린 형태(pernigraniline base)로 기판(10)에 적층될 수 있다.
에메랄딘 형태의 폴리아닐린은 루코-에메랄딘 형태(leuco-emeraldine base)의 폴리아닐린이 부분적으로 산화된 형태의 물질로써, 전도성을 가지며 녹색을 띈다. 따라서, 기판(10)에 에메랄딘 형태의 폴리아닐린이 적층되면 기판(10)은 전체적으로 녹색을 띈다.
기판(10)에 폴리아닐린을 적층한 후에 이를 170℃에서 5분간 가열하여 폴리아닐린에 잔존하는 유기용매를 제거함과 동시에 폴리아닐린의 유기용매에 대한 내성을 증가시키도록 한다.
상기 소수성 물질 도포단계(S20)에서는, 소수성 물질(30) 물질을 고분자 물질(20)의 상측에 도포한다. 소수성 물질(30)의 도포는 고분자 물질(20)의 적층과 마찬가지로 원심력을 이용하여 물질을 도포하는 스핀코팅(spin-coating) 또는 슬릿코팅과 같은 코팅방식을 이용하거나, 롤코터, 스크린 프린팅과 같은 인쇄방식에 의한다. 본 실시예에서는 스핀코터(spin-coater)의 회전수를 500rpm으로 설정하여, 20초 동안 고분자 물질(20)의 상측에 소수성 물질(30)을 도포한다. 한편 소수성 물질(30)은 스프레이 코팅방식에 의하여 적층될 수도 있다.
본 실시예에서 고분자 물질(20) 상에 도포되는 소수성 물질(30)로는, 불소를 함유한 하이드로 카본 계통이 광범위하게 사용될 수 있으며, 일례로써 3M사의 SRC- 220 혹은 Cytonix사의 FluoroPel과 같은 화합물 등이 이용될 수 있다.
소수성 물질(30) 물질이 고분자 물질(20) 상에 도포된 후, 소수성 물질(30)은 고분자 물질(20) 내부로 침투한다. 따라서 본 실시예에서는 소수성 물질(30)이 고분자 물질(20) 상에서 하나의 층으로 코팅된 형태가 아니라, 소수성 물질(30)이 고분자 물질(20) 내부의 구석구석으로 침투하여 고분자 물질(20) 전체적으로 소수성을 가지도록 변화되는 형태를 가진다. 본 명세서에서 소수성 성질을 가지도록 변화된 고분자 물질을 부재번호 21로 표시한다.
상기 마스크 템플릿 형성단계(S30)에서는, 기판(10)에 폴리아닐린을 적층하고 그 위에 소수성 물질(30)을 도포한 후, 적층된 폴리아닐린의 상측에서 532nm의 파장대를 가지는 레이저를 조사하여 폴리아닐린의 일부를 제거한다. 폴리아닐린이 제거되면 마스크 템플릿(40)이 형성되는데, 마스크 템플릿(40)은 기판(10)의 일부 영역을 외부에 노출시키는 함몰부(42)와, 기판(10)의 다른 영역을 덮는 소수성의 고분자 물질(21)을 포함한다. 여기서, 레이저는 기판(10)을 훼손하지 않으면서, 고분자 물질(21)을 용이하게 제거할 수 있다면 특정 파장대에 국한되지 않는다.
상기 잉크 적층단계(S40)에서는, 마스크 템플릿(40) 상에 전도성 잉크(50)를 도포한다. 본 실시예에서는 잉크젯 인쇄법을 이용하여 마스크 템플릿(40) 상에 전도성 잉크(50)를 적층한다. 전도성 잉크(50)를 토출하는 노즐부(미도시)가 함몰부(42)의 경로와 일치되어 함몰부(42) 하측의 기판(10) 영역에만 전도성 잉크(50)를 도포하는 것이 바람직하겠지만, 노즐부를 구동하는 구동장치의 오차, 노즐부의 액적토출조건의 변화 등의 요인에 의해 전도성 잉크(50)는 함몰부(42) 하측의 기 판(10) 영역뿐만 아니라 고분자 물질(21) 상측에도 함께 도포되는 것이 일반적이다.
본 실시예에서 적층되는 전도성 잉크(50)는, 유기용매에 실버와 같은 높은 전도성을 가지는 금속을 함유한 화합물을 용해한 용액 형태의 유기 실버 잉크(organometallic silver compound)로 마련되며, 실버 잉크를 녹이는데 사용되는 유기용매로서는 금속 화합물의 조성에 따라 알코올과 같은 극성용매, 혹은 톨루엔, 크실렌과 같은 비극성 용매가 사용될 수 있다. 본 발명에서 전도성 잉크(50)는 금속을 함유한 화합물인 이상 그 화합물의 구성과 잉크의 조성에 제한되지 않는다.
또한, 하이브리드 타입으로써, 금속 화합물을 용해한 용액에 실버, 구리 등과 같은 금속 입자를 일부 포함시킨 전도성 잉크(50)가 사용될 수 있다.
상기 열처리단계(S50)에서는, 150℃ 내지 350℃ 범위 내의 온도에서 그에 대응되는 최적의 시간 동안 유기 실버 잉크를 가열하여 유기 실버 화합물로부터 금속상의 실버 입자들을 추출한다.
도 2(e)에 도시된 상태에서 열처리단계(S50)를 거치면, 마스크 템플릿(40)의 함몰부(42)와 고분자 물질(21) 영역에서는 서로 다른 변화가 발생한다.
함몰부(42) 영역에서는, 도 2(f)에 도시된 바와 같이, 함몰부(42)를 관통하여 기판(10)의 상측에 도포된 유기 실버 잉크에서 금속 입자들이 추출되고, 추출된 금속 입자들은 서로 응집하여(nano-cluster) 전도성 네트워크를 형성하면서 전기적 전도성을 가지게 된다. 따라서 함몰부(42) 영역 내에 배치되고 전도성 잉크(50)로부터 추출된 금속 입자들은 도전패턴(61)을 형성한다.
고분자 물질(21) 영역에서는, 고분자 물질(21)에 적층된 폴리아닐린 및 유기 실버 잉크에 변화가 일어나게 된다.
도 3을 참조하면, 열처리단계(S50) 이후에는, 에메랄딘 형태의 폴리아닐린은 완전산화(oxidation)되며, 페르니그라닐린 형태(pernigraniline base)의 폴리아닐린으로 변환된다. 이러한 산화는 유기 금속 화합물의 관능단에 의해 촉진될 수 있다. 페르니그라닐린 형태의 폴리아닐린은 비저항이 크므로 전기적 전도성을 갖지 못하고, 색깔은 녹색에서 짙은 푸른색 혹은 검은색으로 바뀐다.
폴리아닐린의 상측에 도포된 유기 실버 잉크는 페르니그라닐린 형태의 폴리아닐린의 내부로 침투하고, 열처리에 의해 유기 실버 잉크로부터 추출된 금속 입자들은 폴리아닐린 사이사이에 배치되어 서로 이격됨으로써 전기적 전도성 네트워크를 형성하지 못한다. 따라서, 응집된 형태에서만 나타날 수 있는 금속 입자들의 전기적 전도성이 발현되지 못하고 전체적으로 전기적인 절연성을 띄며 절연패턴(62)을 형성한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 고분자 물질(20) 상에 적층된 전도성 잉크(50)는 소수성 물질(30)로 표면개질된 고분자 물질(21) 사이의 공극으로 침투한 후 열처리에 의해 금속 입자(63)들로 추출되는데 이들 금속 입자(63)들은 고분자 물질(21)에 의해 이격됨으로써 서로 전기 전도성의 네트워크를 형성하지 못하지만, 기판(10) 상에 적층된 금속 입자(63)들은 서로 응집하여 전기 전도성의 네트워크를 형성한다.
상술한 현상은 본 실시예의 도전패턴과 절연패턴의 각각의 표면저항 값을 측 정함으로써 확인할 수 있다. 도 6을 참조하면, 210℃ 온도에서 20분간 열처리한 후 측정된 도전패턴의 표면저항은 2.57±0.06Ω/□ 이고, 절연패턴의 표면저항은 6.01±1.46ＭΩ/□ 이상으로 측정된다.
상술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법은, 마스크 템플릿의 고분자 물질에 소수성 물질을 도포하여 고분자 물질을 표면개질함으로써 추후 도전패턴을 형성하는 전도성 잉크가 충분히 적층되도록 하며, 함몰부에 적층된 전도성 잉크가 고분자 물질 측으로 과량으로 스며들지 않게 함으로써 도전패턴을 형성하게 될 전도성 잉크의 양을 충분하게 유지되도록 함으로써 도전패턴의 전기저항을 감소시키며 패턴의 두께를 일정하게 형성할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법은, 마스크 템플릿 상에 전도성 잉크를 도포하여 고분자 물질 상에 적층된 전도성 잉크는 고분자 물질과 반응하여 절연패턴을 형성하고, 함몰부에 적층된 전도성 잉크는 도전패턴을 형성함으로써, 근접한 도전패턴 간에 잘못 도포된 전도성 잉크로 인한 전기적 합선 불량을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다
본 발명의 실시예들에 있어서, 레이저를 이용하여 일부 고분자 물질을 제거함으로써 마스크 템플릿을 형성하였으나, 고분자 물질을 기판 상에 적층한 후 가압, 가열하는 임프린팅 방식을 통하여 마스크 템플릿을 제작할 수도 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 전도성 잉크로 유기 실버 잉크가 이용되었으 나, 미세패턴의 종류에 따라 금, 아연, 백금, 니켈, 구리 등 다양한 금속 화합물이 이용될 수 있으며, 전도성 잉크는 발명의 취지가 훼손되지 않는 한 다양한 적용범위가 있을 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
도 1은 소수성 물질로 표면개질되지 않은 고분자 물질로 형성된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법을 순서적으로 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 소수성 물질로 표면개질된 고분자 물질로 형성된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법을 순서적으로 도시한 도면이고,
도 3은 에메랄딘 형태의 폴리아닐린이 페르니그라닐린 형태의 폴리아닐린으로 산화되는 과정의 화학식을 도시한 것이고,
도 4는 도 2의 전도성 잉크에 용해된 유기 금속 화합물로부터 금속 입자들(nano-cluster)이 추출되었을 때 고분자 물질의 유무에 따라 도전패턴과 절연패턴이 형성되는 과정을 도시한 도면이고,
도 5는 도 2의 열처리단계 이후의 전도성 잉크로부터 추출된 금속 입자(nano-cluster)가 고분자 물질 사이에 이격되게 배치되어 있는 것을 도시한 도면이고,
도 6은 도 2의 열처리단계 이후의 도전 패턴의 표면저항(a)과 절연 패턴의 표면저항(b)을 측정하여 그래프로 도시한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 20: 고분자 물질
30: 소수성 물질 40: 마스크 템플릿
42: 함몰부 50: 전도성 잉크
61: 도전패턴 62: 절연패턴
Claims (9)
- 기판 상에 고분자 물질을 적층하는 고분자 물질 적층단계;상기 고분자 물질 상에 소수성 물질을 도포하여 상기 고분자 물질 내에 상기 소수성 물질을 침투시키는 소수성 물질 도포단계;상기 고분자 물질 중 일부를 제거하여 상기 기판의 일부 영역을 외부에 노출시키는 함몰부를 형성하는 마스크 템플릿 형성단계;상기 마스크 템플릿 상에 전도성 잉크를 적층하는 잉크 적층단계; 및상기 전도성 잉크 내부에 용해된 금속 화합물로부터 금속 입자를 추출하기 위하여 열을 가하여, 상기 고분자 물질이 도포된 부위는 전기적 절연성을 가지는 절연패턴을 형성하고, 상기 함몰부 내의 전도성 잉크는 상기 금속 입자들이 추출되어 융합됨으로써 전기적 전도성을 가지는 도전패턴을 형성하는 열처리단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 열처리단계에서,상기 고분자 물질 상에 적층된 전도성 잉크는 상기 고분자 물질 사이의 틈새로 침투하며, 열처리에 의해 상기 전도성 잉크로부터 추출된 금속 입자들이 상기 고분자 물질 내에서 이격되게 배치됨으로써 상기 절연패턴이 전체적으로 전기적 절 연성을 가지는 것을 특징으로 하는 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 잉크 적층단계에서는, 잉크젯 인쇄법을 이용하여 상기 전도성 잉크를 적층하는 것을 특징으로 하는 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 마스크 템플릿 형성단계에서는, 상기 고분자 물질 측에 레이저를 조사하여 상기 고분자 물질 중 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 마스크 템플릿 형성단계에서는, 임프린팅 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 열처리단계는,상기 전도성 잉크를 150℃ 내지 350℃의 범위 내에서 가열하는 것을 특징으 로 하는 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 고분자 물질은 폴리아닐린(polyaniline)인 것을 특징으로 하는 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 전도성 잉크는 용액 상태의 유기 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법.
- 제8항에 있어서,상기 전도성 잉크는 금속 입자들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면개질된 마스크 템플릿을 이용한 미세 도전패턴 형성방법.
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