JP6259695B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び基板を製造する方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法及び基板を製造する方法、特に、基板に塗布液を塗布する前に基板の表面処理を行う基板処理装置、基板処理方法及び基板を製造する方法に関する。

ハンダバンプを基板上の電極に形成するためのフラックスの供給として、ペースト状のフラックスをスクリーン印刷する方法が用いられている。このようなフラックスを印刷する方法は使用実績のある方法であるが、スクリーンとなる印刷版の管理が煩雑であり、さらに微細な電極パターンや電極用の深いホールへの対応について難易度が高いという課題がある。

上記方法に代わるものとして、ディスペンサやインクジェット式の塗布ヘッドによりホールに対してパターニング塗布する方法が挙げられるが、一般的なディスペンサでは通常のホールサイズである直径数１０μｍ、深さ数μｍ〜数１０μｍに対して液滴量が多すぎる点と、ノズル数が少ない点とからこの用途に不向きであり、マルチノズルで微小液滴を形成滴下できるインクジェット式の方が優れていると考えられる（例えば、特許文献１参照）。

特開２００６−２５３４８５号公報

しかしながら、インクジェット式にはヘッドの構造上から吐出可能な液の粘度に制約があり、一般的なヘッドで吐出時２０ｃＰ程度、特殊なヘッドにおいても吐出時１００ｃＰ程度の比較的低粘度の液を用いる必要がある。

ところで、電極用のホールを形成した基板の材質が、多孔質のように毛細管現象が発生し易い形状となっている場合、ホール内に滴下、塗布した塗布液が低粘度のものであると、毛細管現象によりホール外への浸み出し現象が生じる場合がある。特に基板上の材質が塗布液に対して濡れ性の良いものであると上記現象は顕著となる。

基板上の電極用のホールから塗布液がホール外へと浸み出す現象の説明図を図６に示す。図６（ａ）に示すように、基板１０１には、電極用のホール１０２がレジスト（ソルダーレジスト）１０３により形成されている。このホール１０２には、ハンダボール（図示せず）を搭載するための塗布液としてフラックス１０５が滴下されている。上記したレジスト１０３は多孔質の状態であり、ホール１０２の側面を含むレジスト１０３の表面１０３ａには多数の凹凸が形成されている。

図６（ｂ）に示すように、ホール１０２に滴下、塗布されたフラックス１０５は、レジスト表面１０３ａの凹凸部分による毛細管現象により、ホール１０２の側面に沿ってホール１０２外へ向けて浸み出し始める。そして図６（ｃ）に示すように、フラックス１０５はホール１０２の側面上端に浸み出し、さらにレジスト１０３がフラックス１０５と濡れ性の良いことから、図６（ｄ）に示すようにフラックス１０５はホール１０２から出て基板１０１上のレジスト１０３表面に浸み出し、広がっている。

このように、ホール内に滴下した塗布液（フラックス）がホール外に浸み出してしまうと、ホール内の液量不足と、基板上に浸み出した液が及ぼす悪影響の問題が発生し、さらにはパターン塗布のメリットも失われてしまう。具体的には塗布液がフラックスであれば、上記ホール内の液量不足はフラックス量不足としてリフロー処理に不具合が生じる可能性があり、基板上への浸み出しはボールマウント時のミストラップ、基板洗浄時の残渣の発生等につながる。このような問題に対して、フラックス等の塗布液に要求される性能を維持したまま液物性（例えば、高表面張力化等）のみで解決するのは困難を伴う。例えば、インクジェットで吐出できる液で対応するにはホットメルトやＵＶ硬化、速乾等の相変化的な特殊液でないと対応ができず、さらに使用できる液の選択範囲を著しく狭めることになる。これらは、インクジェット式のヘッドを使用する場合に限らず、低粘度液を使用する場合の共通の問題である。

塗布液の上記ホール外への浸み出しを防止するには、フラックス等の塗布液と基板上のレジスト膜の表面との濡れ性を悪く（撥液性を高め）すればよく、例えば、塗布の前処理として基板のレジスト膜上に撥液膜をコーティングすることが考えられる。

上記方法で基板を塗布前に処理すれば、塗布液（例えばフラックス）のホール外への浸み出しを防止できるが、新たにコーティング装置及び乾燥装置（工程）を設ける必要があることから、コストが嵩み、さらには後工程への影響を防ぐための配慮も必要となる等の問題がある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、基板上の塗布領域に塗布された塗布液の塗布領域以外への浸み出しを簡便な構成によって防止できる塗布前の基板処理装置、基板処理方法及び基板を製造する方法を提供するものである。

本発明は係る基板処理装置は、バンプ形成前の電極用ホールを有する基板の表面に対して、前記ホールに塗布液を塗布する塗布処理を行う前に撥液処理を行う基板処理装置であって、表面がゴムまたは樹脂で形成された処理部材と、前記処理部材の表面と前記基板の表面とを接触させた状態で相対移動させる移動装置と、を有する構成となる。

本発明に係る基板処理方法は、バンプ形成前の電極用ホールを有する基板の表面に対して、前記ホールに塗布液の塗布を行う前に撥液処理を行う基板処理方法であって、表面がゴムまたは樹脂で形成された処理部材の表面と前記基板の表面とを接触させた状態で相対移動させる撥液処理ステップを有する構成となる。

本発明に係る基板を製造する方法は、バンプ形成前の電極用ホールを有する基板の表面に表面処理を行った後、前記基板の前記ホールに塗布液を塗布する処理をして基板を製造する方法であって、前記表面処理が、ゴムまたは樹脂で形成された処理部材の表面を、前記基板の表面に接触させた状態で相対移動させることによって、撥液部分を形成する処理である構成となる。

本発明によれば、塗布液の塗布処理前に、処理部材で、基板の表面を処理することで、基板上の塗布領域に塗布された塗布液が塗布領域の以外へ浸み出すことを簡便な構成によって抑え、塗布液の塗布精度を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法及び基板を製造する方法を提供することができる。

本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を含むハンダバンプ形成装置の側面概略を表した側面概略図。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を含むハンダバンプ形成装置の平面概略図。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の処理部材の断面図。 本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の処理部材の断面図。 本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の側面概略図。 本発明の第４の実施形態に係る基板処理装置の側面概略図。 基板上に形成された電極用のホールから塗布液がホールから基板表面へと浸み出す現象の説明図。

本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。

＜第１の実施形態＞
本発明の実施の第１の実施形態に係る基板処理装置は、図１Ａ，図１Ｂに示すように構成される。

図１Ａは基板上にハンダバンプを形成するためのハンダバンプ形成装置の側面概略を表した側面概略図であり、図１Ｂはハンダバンプ形成装置の平面概略図である。本発明の実施の一形態に係る基板処理装置は、図１Ａ及び図１Ｂに示すハンダバンプ形成で基板の処理を行う装置である。

図１Ａ、図１Ｂに示すように、ハンダバンプ形成装置１０は、ハンダバンプを形成するために、カセット（図示せず）内に収納した基板１１を供給する基板供給装置１２、基板供給装置１２から基板１１が供給され、この基板１１の表面に形成された、塗布領域としての電極用のホールに塗布液としてのフラックスを噴射、塗布する塗布装置１３、塗布装置１３でフラックスが塗布された基板１１のホールにハンダボール（図示せず）を搭載するハンダボール搭載装置１５、搭載されたハンダボールを加熱処理してハンダを溶かすリフロー装置１６、及びリフロー装置１６により加熱処理されてハンダバンプが形成された基板を収納する基板収納装置１７を備え、基板供給装置１２と塗布装置１３との間に、本実施形態に係る基板処理装置２０が配置される。なおここで、フラックスは、フラックス溶液であり、ハンダ付け用フラックスを有機溶剤等の溶媒と混合することによって、後述のインクジェット式の塗布ヘッドでの吐出に適した粘度に調整されたものである。

ハンダバンプ形成装置１０は、さらに基板供給装置１２と塗布装置１３との間に基板搬送装置２３、塗布装置１３とハンダボール搭載装置１５との間に基板搬送装置２４、ハンダボール搭載装置１５とリフロー装置１６との間に基板搬送装置２５、及びリフロー装置１６と基板収納装置１７との間に基板搬送装置２６を備える。

基板収納装置１２は、複数の基板１１を収納する基板収納カセット（図示せず）と、基板収納カセットに収納された基板１１を搬送装置２３に送り出す送り出し機構（図示せず）を備える。

基板搬送装置２３は、所定間隔を設けて水平面上に平行に配置される２本の円柱形状の軸部材２３ａ、２３ｂを含む。軸部材２３ａ、２３ｂは、円柱の中心軸が基板の搬送方向（矢印２８で示す）と直交しており、この中心軸を回転軸として回転することで、載置された基板１１を搬送方向の塗布装置１３に向けて搬送する、いわゆる、搬送ローラである。軸部材２３ａ、２３ｂの上記所定間隔は、基板１１を載置、搬送するのに最適な間隔が設定される。基板搬送装置２３は、基板収納装置１２の送り出し機構から送出された基板１１を、基板搬送装置２３の回転する軸部材２３ａ、２３ｂに順次載置して塗布装置１３に搬送する。基板搬送装置２４（軸部材２４ａ、２４ｂ）、基板搬送装置２５（軸部材２５ａ、２５ｂ）、基板搬送装置２６（軸部材２６ａ、２６ｂ）についても上記した基板搬送装置２３と同様の構造、機能を有するものである。

塗布装置１３は、基板搬送装置２３により搬送された基板１１を載置する移動可能な基板ステージ３１と、基板１１にフラックス（塗布液）を噴射して塗布する、インクジェット式の塗布ヘッド３２と、塗布前の基板１１上に生じた静電気を除去するイオナイザ３３とを有する。イオナイザ３３による静電気除去は、後述するように、塗布装置１３に搬送される基板１１は、基板処理装置２０により表面が処理（擦り）されているため、基板１１に静電気が発生している可能性が有り得るので、基板１１上へ塗布液を塗布する際に静電気による支障が発生するのを防止するためである。

基板ステージ３１に載置された基板１１は、イオナイザ３３により静電気除去が行われ、さらに塗布ヘッド３２により基板１１の電極用のホールにフラックスが噴射、塗布された後に、基板ステージ３１により基板搬送装置２４に送られる。基板搬送装置２４の軸部材２４ａ、２４ｂに載置された基板１１は、軸部材２４ａ、２４ｂの回転によりハンダボール搭載装置１５へと送られる。

ハンダボール搭載装置１５に送られた基板１１は、基板ステージ３４に載置され、ハンダボール（図示せず）の搭載のための所定位置へと移動される。基板１１の、フラックスが塗布されたホールへのハンダボールの搭載が完了すると、基板１１を載置する基板ステージ３４は基板搬送装置２５に向けて移動する。そして、搬送装置２５の軸部材２５ａ、２５ｂに載置された基板１１は、軸部材２５ａ、２５ｂの回転によりリフロー装置１６へと送られる。

リフロー装置１６に送られた基板１１は、基板ステージ３５に載置され、加熱装置（図示せず）による加熱処理によりハンダボールが溶融され、ハンダバンプ（図示せず）が形成される。リフロー装置１６での加熱処理が完了した後、基板１１を載置する基板ステージ３５は、基板搬送装置２６に向けて移動する。搬送装置２６の軸部材２６ａ、２６ｂに載置された基板１１は、軸部材２６ａ、２６ｂの回転により基板収納装置１７へと送られる。

基板収納装置１７では、基板搬送装置２６により搬送された基板１１を基板収納カセット（図示せず）に収納する。このようにして、基板上の電極用のホールにフラックスが噴射、塗布された後に、ホールにハンダボールが搭載され、さらに加熱処理によりハンダが溶融されてハンダバンプが形成される。

上記ハンダバンプの形成においては、基板上に形成された電極用のホールに所定量のフラックスが供給された後、このホールにハンダボール（図示せず）が搭載されるが、塗布ヘッド３２により電極用のホールに塗布されたフラックスが、ホールを形成するレジストの表面の凹凸形状による毛細管現象等によりホール外へと浸み出すと、ホール内のフラックスの液量不足を招き、リフロー処理に支障をきたすことになる。そこで、上記支障の発生を回避すべく、フラックスのホール外への浸み出し防止のために、塗布装置１３による基板１１へのフラックス（塗布液）の塗布を行う前に、基板処理装置２０により基板１１の表面を処理するものである。なお、上記した基板１１は方形状で薄形のプリント基板であるが、これに限定するものではない。

図１Ａ、図１Ｂに示すように、基板処理装置２０は、基板供給装置１２と塗布装置１３の間に設けられ、基板搬送装置２３に載置された基板１１の表面処理を行うものである。基板処理装置２０は、円柱形状の処理部材３６と、処理部材３６を所定位置に保持する保持部材３７を有する。

処理部材３６は、処理部材３６の表面（円柱の側面）で基板１１の表面を擦るための部材であり、例えば処理部材３６の断面図である図２に示すように、円柱形状の芯部材３６ａと、芯部材３６ａを覆うように形成された円筒状の表層部材３６ｂとで構成される２層構造の円柱部材である。表層部材３６ｂは、基板１１の表面に直接触れて（接触して）表面処理（擦り）を行う部分であり、例えばニトリルゴム、ウレタンゴム等のゴム部材、又はシリコーン樹脂やタイゴン（登録商標）等の樹脂で形成される。なお、ゴム部材および樹脂は、硬質のものよりも軟質のものが好ましく、基板１１の表面の凹凸にならうことができる柔軟性や弾性を有するなど、基板１１の表面に傷等のダメージを与え難い硬さや表面状態のものを用いることが好ましい。芯部材３６ａは、スポンジ等のクッション性のある材質で形成される。これは、表層部材３６ｂで基板１１の表面を処理する際、基板１１への荷重による破損等を防止するために、芯部材３６ａをクッションの役割としたものである。処理部材３６の軸方向の長さは、基板１１の幅の長さ（搬送方向（矢印２８）と直交する方向の長さ）より少し大きめに設定されている。

基板処理装置２０の保持部材３７は、例えば、円柱形状の処理部材３６の両側面（両底面）を左右から保持する構造のもので、処理部材３６を塗布装置１３側に配置される軸部材２３ｂと平行で、軸部材２３ｂとの間で基板１１を挟む位置に置き、基板１１の表面を所定の圧力で押圧する高さに保持するものである。所定の圧力は、基板１１の表面処理に適した圧力で、かつ基板１１を破損、損傷しない程度の圧力として設定される。基板処理装置２０の保持部材３７は、さらに処理部材３６による基板１１の表面処理（擦り）中は、処理部材３６を回転させずに固定位置に保持するが、表面処理の完了後次の基板１１の表面処理の開始の前に、処理部材３６を所定角度回転させて、表面処理で今回使用した表層部材３６ｂの位置を変更する、回転機構部（図示せず）を有するようにしてもよい。この場合には、円柱形状の芯部材３６ａの中心を貫通して回転軸を設け、この回転軸を保持部材３７によって回転自在に保持すると共に、回転軸には処理部材３６を回転駆動させる駆動源を連結するようにすれば良い。

次に、図１Ａ、図１Ｂ及び図２を参照して本実施形態に係る基板処理装置２０の動作を説明する。基板処理装置２０は、基板供給装置１２から送り出され、基板搬送装置２３に載置された基板１１に対して、塗布装置１３への搬送前に基板１１の表面を処理する。

基板搬送装置２３の軸部材２３ａ、２３ｂに載置され、軸部材２３ａ、２３ｂの回転により基板１１が塗布装置１２へと搬送されると、基板処理装置２０の保持部材３７は、軸部材２３ｂと処理部材３６との間で、送られてきた基板１１を挟み、処理部材３６の表層部材３６ｂにより所定の圧力で基板の搬送方向（矢印２８）先端の幅方向全体を押圧する。基板１１は基板搬送装置２３によりさらに塗布装置１３へ向けた搬送方向に搬送されるので、基板処理装置２０は処理部材３６の表層部材３６ｂで、基板１１の先端から後端に向けて基板１１の表面（上面）全体を擦り、基板１１の表面処理を行うことができる。つまり、この実施形態では、基板搬送装置２３が、基板処理装置２０における、処理部材３６を基板１１に接触させる移動装置を兼ねる。

基板処理装置２０の処理部材３６の表層部材３６ｂでの擦りによる表面処理を施した基板１１は、塗布装置１３において基板１１上に形成した電極用のホールにフラックスを供給したところ、フラックスのホール外への浸み出しは確認されなかった。上記の表面処理を施さない基板１１のときは、塗布後、１分程度放置した時点で、フラックスがホールの外へと浸み出し、基板１１の表面の濡れが確認されたが、基板１１の表面に触れる程度に押し付けて擦り、上記表面処理を施した基板１１については、１０分程度放置しても、表面にフラックスによる濡れは確認されなかった。これは、ゴム（例えば、ニトリルゴム、ウレタンゴム等）又は樹脂（シリコン樹脂等）で形成された処理部材３６の表層部材３６ｂで、基板１１の表面を擦る表面処理により、ゴムや樹脂の表面に付着した有機物が基板の表面に転写、または、ゴムや樹脂の一部が基板の表面に付着されて、基板１１の表面が有機汚染された結果、基板１１の表面にフラックスに対する撥液性処理がなされたものと推察される。

このように、本実施の形態によれば、処理部材３６を基板１１の表面に接触させるという簡便な構成により、基板１１の表面に撥液処理を施すことができ、これにより、基板１１のホール内に塗布したフラックスが、ホールの外に浸み出すことを防止することができる。そのため、ホール内に必要量のフラックスを確実に塗布（供給）することが可能となり、塗布精度を向上させることができる。したがって、その後に行なわれるハンダボールのリフロー処理時に、溶融したハンダのぬれ性を良好に促進させることができ、また、ハンダ表面の再酸化を防止することができ、ハンダバンプを良好に形成することが可能となり、形成されるハンダバンプの歩留まりを向上させることができる。

また、処理部材３６を接触させることによって基板１１の表面に付着した有機汚染物質は、ハンダボールを溶融させる加熱によって消失することが期待できるので、このような場合には、有機汚染物質を除去する為の洗浄装置等の特別な装置が不要となり、装置構成が複雑化することを防ぐことができる。

また、基板搬送装置２３が基板処理装置２０の、処理部材３６を基板１１に接触させる移動装置を兼ねるので、基板処理装置２０は、処理部材３６を所定の高さ位置に保持する保持部材３７を設けるだけで良く、移動機構を設ける必要がないので、簡便な構成で、基板１１の表面を撥液処理することが可能となる。

また、処理部材３６を、クッション性のある部材で形成された芯部材３６ａと柔軟性や弾性のある表層部材３６ｂとで構成したので、基板１１の表面が平坦でない場合であっても、基板１１の表面に、部分的に強い押圧力が作用することを防止でき、それによる、基板１１の損傷を回避することが可能となる。

基板処理装置２０は、処理部材３６を所定位置に保持する保持部材３７を有する構成であるが、更にこの保持部材３７を、水平方向、上下方向に移動させる移動装置（図示せず）を含める構成とすることができる。例えば、処理部材３６を保持した保持部材３７を基板搬送方向と逆方向に向けて移動させることで、搬送される基板１１への処理部材３６による擦りを強く行うことができ、表面処理の効果を向上させることができるものと考えられる。また、基板搬送装置２３による搬送を停止し、処理部材３６を保持した保持部材３７を基板搬送方向と逆方向に向けて移動させることで、基板１１の表面を擦ることもできる。さらに移動装置により処理部材３６を保持した保持部材３７を上下方向に移動させることで、基板１１に対する処理部材３６による押圧の程度を調整することができる。このように基板１１の表面を擦る強さの程度を、移動装置による基板１１への押圧の程度の調整、移動装置による水平移動の向き、速さにより変化させることができるので、基板の材質等に応じた擦り、又は押圧による基板の表面処理が可能である。

＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る基板処理装置の第２の実施形態について、図３を参照して説明する。本実施形態は、上述した第１の実施形態における処理部材３６を改良変更したもので、その他の部分には相違がない。したがって、第１の実施形態と同一のものは、同一名称、同一符号を記して説明する。

図３に示すように、本実施形態の基板処理装置の処理部材４１は、断面が長方形状の角柱部材である板部材４１ａの長手方向側の一側面（下面）に、断面が長方形の角柱形状である芯部材４１ｂの長手方向の一側面（上面）が貼着され、さらに板部材４１ａに貼着された芯部材４１ｂの長手方向の３つの側面を覆うように表層部材４１ｃが貼着された構造である。芯部材４１ｂ及び表層部材４１ｃの長手方向の長さは、基板１１を搬送する方向と直交する方向である幅方向の基板１１の長さよりも少し大きめに設けられている。また、芯部材４１ｂ及び表層部材４１ｃの短手方向の長さは特に限定されないが、基板１１の搬送方向の長さよりも小さい長さに設定されている。

第１の実施形態と同様、処理部材４１の表層部材４１ｃは、基板１１の表面に直接触れて表面処理を行う部分であり、例えばニトリルゴム、ウレタンゴム等のゴム部材、又はシリコーン樹脂、タイゴン（登録商標）等の樹脂で形成され、芯部材４１ｂはスポンジ等のクッション性のある材質で形成される。第１の実施形態同様、表層部材３６ｂで基板１１の表面を処理する際、基板１１の破損等を防止するために、芯部材３６ａをクッションの役割としたものである。

第１の実施形態と同様に、本実施形態の基板処理装置の保持部材３７は、その下端部で板部材４１ａの上面を支持し、処理部材４１を塗布装置１３側に配置される軸部材２３ｂと平行で、軸部材２３ｂとの間で基板１１を挟み、基板１１の表面を所定の圧力で押圧する高さに保持するものである。処理部材４１の長手方向は、基板１１の搬送方向２８に対して直交する方向となる。

次に本実施形態に係る基板処理装置の動作を説明するが、第１の実施形態と相違する点を中心に説明する。基板搬送装置２３の軸部材２３ａ、２３ｂに載置され、軸部材２３ａ、２３ｂの回転により基板１１が塗布装置１２へと搬送されると、本実施形態の基板処理装置の保持部材３７は、軸部材２３ｂと処理部材４１との間で基板１１を挟み、処理部材４１の表層部材４１ｃの長方形状の一側面（底面）により所定の圧力で、送られてきた基板１１の搬送方向（矢印２８）先端部の幅方向全体を押圧する。基板１１は基板搬送装置２３によりさらに塗布装置１３へ向けた搬送方向に搬送されるので、処理部材４１の表層部材４１ｃの長方形状の一側面で、基板１１の先端から後端に向けて基板１１の表面（上面）全体を擦り、基板１１の表面処理を行うことができる。

このような実施形態においても、第１の実施形態同様の作用効果を得ることができる。また、本実施形態では、上記したように処理部材４１の表層部材４１ｃの長方形状の一側面で基板１１の表面を擦るので、第１の実施形態に比べて、基板の搬送方向における接触面積が大きい分だけ、同じ押圧力、同じ搬送速度であっても、より確実に基板１１の表面に有機汚染物質を付着させることでき、表面処理の効果が得られる可能性が高いものと考えられる。

本実施形態では、上記基板処理装置は、処理部材４１を所定位置に保持する保持部材を有する構成であるが、更にこの保持部材を、水平方向、上下方向に移動させる移動装置（図示せず）を含める構成とすることができる。例えば、処理部材４１を保持した保持部材を基板搬送方向と逆方向に向けて移動させることで、搬送される基板１１への擦りを強くすることができ、表面処理の効果を向上させることも考えられる。また、基板搬送装置２３による搬送を停止し、処理部材４１を保持した保持部材を基板搬送方向と逆方向に向けて移動させることで、基板１１の表面を擦ることもできる。

＜第３の実施形態＞
次に、本発明に係る基板処理装置の第３の実施形態について、図４を参照して説明する。本実施形態の基板処理装置は、図１に示す塗布装置１３の中に基板１１の処理装置機構を組み込み、基板１１の表面処理とその後の基板１１の塗布とを一体とした基板処理装置である。

図４に示すように、本実施形態の基板処理装置５０に含まれる処理装置機構５１は、処理部材５２と、処理部材５２を保持する保持部材５３ａ、保持部材５３ａを上下方向に昇降する昇降装置５３とを有する。処理装置機構５１は、塗布ヘッド５４及びイオナイザ５５が配置される位置よりも基板１１の搬送方向（矢印２８で示す）手前側に配置される。処理部材５２は、表面（上下両面）が長方形状の板状である板部材５２ａに、長方形状の板状部材である芯部材５２ｂが重ねられた状態で貼着され、芯部材５２ｂの残りの面（５面）を覆うように表層部材５２ｃが貼着された構造である。処理部材５２は、基板ステージ３１に保持された基板１１と対向して位置する表層部材５２ｃの表面、つまり、下面が基板１１全体を押圧できる大きさおよび形状に形成されている。

第１の実施形態同様、処理部材５２の表層部材５２ｃは、基板１１の表面に直接触れて表面処理を行う部分であり、例えばニトリルゴム、ウレタンゴム等のゴム部材、又はシリコーン樹脂、タイゴン（登録商標）等の樹脂で形成され、芯部材５２ｂはスポンジ等のクッション性のある材質で形成される。第１実施形態同様、表層部材５２ｃで基板１１の表面を処理する際、基板１１の破損等を防止するために、芯部材５２ｂをクッションの役割としたものである。

なお、昇降装置５３は、処理部材５２の板部材５２ａを保持し、駆動装置（図示せず）により処理部材５２を上下方向に昇降させる装置である。昇降装置５３は、基板１１の表面に処理部材５２を押し付ける際に、押圧力の調整を行い、基板１１の表面処理に適した押圧力に設定可能となっている。

次に、図４を参照して本実施形態に係る基板処理装置５０の動作を説明する。本実施形態に係る基板処理装置５０は、上述したように塗布装置の中に処理装置機構５１を組み込んだ構成のものであり、塗布装置については第１の実施形態で説明したものと同様である。処理装置機構５１は、図１Ａ、図１Ｂで示すイオナイザ５５による静電気除去処理及び塗布ヘッド５４による塗布処理の前に行う基板１１の表面処理を行うもので、イオナイザ５５よりも基板１１の搬送方向（矢印２８）手前側に設置される。

図４に示すように、基板搬送装置（図示せず）により搬送された基板１１は基板ステージ３１に載置され、処理装置機構５１による表面処理が施される位置に置かれる。つまり、基板ステージ３１は、この位置で停止する。この状態で、処理装置機構５１は、昇降装置５３を駆動させて処理部材５２を基板１１に向けて下降させ、基板１１の表面全体を表層部材５２ｃで押圧し、更に図示しない水平方向の移動装置によって、基板１１への押圧状態にある昇降装置５３を水平方向に移動させて、基板１１の表面を擦る表面処理を行うことができる。この後、基板ステージ３１は、塗布ヘッド５４側に向けて移動し、この移動中に基板１１には、イオナイザ５５による静電気除去処理、塗布ヘッド５４による塗布処理が施される。

このような実施形態においても、第１の実施形態同様の作用効果を得ることが可能である。また、本実施形態では、上記したように処理部材５２の表層部材５２ｃが基板１１の表面全体を覆うように押圧できるので、基板の表面を一括して、表面処理の漏れがなく良好な表面処理ができるものである。

また、処理部材５２を、基板１１の表面全体に接触させたが、処理したい部分だけに接触させるようにしても良い。この場合、基板１１の表面上の処理したい部分の大きさに応じた大きさを有するブロック状の処理体（芯部材５２ｂと表層部材５２ｃからなる）を、処理したい部分の数だけ用意し、このブロック状の処理体を板部材５２ａの下面に、基板１１の表面の処理したい部分の位置に合わせて取り付けて処理部材を構成するようにすると良い。このようにして形成した処理部材を用いれば、基板１１の表面に対して必要以上に撥液性を付与せずに済むので、ハンダバンプ形成後に撥液性を除去する場合にも、その除去を容易に行なうことができる。

＜第４の実施形態＞
次に、本発明に係る基板処理装置の第４の実施形態について、図５を参照して説明する。本実施形態は、上述した第３の実施形態と同様に、塗布装置の中に処理装置機構を組み込み、基板の表面処理とその後の基板の塗布とを一体とした基板処理装置である。したがって、第３の実施形態と同一のものは、同一名称、同一符号を記して説明する。

図５に示すように、本実施形態の基板処理装置６０に含まれる処理装置機構６１は、処理部材６２と、処理部材６２を保持する保持部材６３ａ、保持部材６３ａを上下方向に昇降する昇降装置６３ｂ及び水平方向に移動する水平移動装置６３ｃを備える移動装置６３を有する。処理部材６２は、第１の実施形態と同様の構成で、円柱形状の芯部材（図示せず）と、芯部材を覆うように形成された円筒状の表層部材（図示せず）とで構成される２層構造の円柱部材である。表層部材は、基板１１の表面に直接触れて表面処理を行う部分であり、例えばニトリルゴム、ウレタンゴム等のゴム部材、又はシリコーン樹脂、タイゴン（登録商標）等の樹脂で形成され、芯部材は、スポンジ等のクッション性のある材質で形成される。処理部材６２の軸方向の長さは、基板１１の幅の長さ（搬送方向（矢印２８）と直交する方向の長さ、図１Ａ参照）より少し大きめに設定されている。

次に、図５を参照して本実施形態に係る基板処理装置の動作を説明する。本実施形態に係る基板処理装置６０は、上述したように塗布装置の中に処理装置機構６１を組み込んだ構成のものであり、塗布装置については第１の実施形態で説明したものと同様である。処理装置機構６１は、図１Ａ及び図１Ｂで示すイオナイザ５５による静電気除去処理及び塗布ヘッド５４による塗布処理の前に行う基板表面処理を行うもので、イオナイザ５５及び塗布ヘッド５４よりも基板１１の搬送方向（矢印２８）手前側に設置される。

図５に示すように、基板搬送装置（図示せず）により搬送された基板１１は基板ステージ３１に載置され、処理装置機構６１による表面処理が施される位置に置かれる。つまり、基板ステージ３１は、この位置で停止する。この状態で、処理装置機構６１は、移動装置６３を駆動させて処理部材６２を基板１１に向けて下降させ（矢印６５）、基板１１の表面を処理部材６２で押圧し、さらに基板１１を押圧した状態で水平方向に移動させて（矢印６６）、基板１１の表面を擦る表面処理を行うことができる。さらに、次の基板１１に対する処理のために、処理装置機構６１は、移動装置６３を駆動させて処理部材６２を上昇させ（矢印６７）、次いで最初の位置に向けて水平移動させて（矢印６８）、処理部材６２を元の位置へ移動させて待機させる。この後、基板ステージ３１は、塗布ヘッド５４側に向けて移動し、この移動中に基板１１には、イオナイザ５５による静電気除去処理、塗布ヘッド５４による塗布処理が施される。

このような実施形態においても、第１の実施形態同様の作用効果を得ることができる。また、本実施形態では、上記したように処理部材６２を上下方向に昇降、及び水平方向に移動させて、基板１１の表面を擦ることができるので、基板１１の効率的な表面処理が可能である。なお、処理部材６２に代えて、第２の実施形態の処理部材４１を使用して基板１１の表面に擦りの表面処理をしても良い。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々変更可能である。

また、上記実施形態において、ハンダバンプ形成装置１０は、リフロー装置１６でハンダをリフローした後、基板１１を基板収納装置１７に収納するように構成したものとしたが、これに限られるものでは無く、リフロー装置１６の後に、基板１１の表面を洗浄する基板洗浄装置を配置するようにしても良い。このように、基板洗浄装置を設けることで、リフロー装置１６による加熱処理によって、有機汚染物質を完全に消失させることができない場合であっても、洗浄処理によって除去することが可能となり、製造されるハンダバンプ形成基板１１の品質をより一層向上させることができる。

また、処理部材における基板１１と接触する表面を、ゴムまたは樹脂の表層部材で形成するものとしたが、ゴムまたは樹脂製のブラシ状部材で形成するようにしても良い。

また、塗布液としてフラックスを用いたものとしたが、これに限られるものではなく、フラックス以外の塗布液であっても適用可能である。

また、基板１１の表面の塗布領域として電極用のホールは、基板１１の表面に対して窪んでいる凹部である必要はなく、同一面であっても良く、要は、電極が形成される部分であれば良い。

また、塗布領域とこの塗布領域を含む領域、つまり、塗布領域と処理部材によって処理する領域とは、例えば、上記実施の形態の電極用のホールと基板１１の表面のように、基板１１の同一面に位置する必要なく、基板１１の表面よりも下側に位置するものも含む。すなわち、塗布領域を含む領域とは、平面視において塗布領域を含むものであれば良い。

また、基板における塗布領域としての電極用のホールの周囲の基板１１表面に対して、処理部材による処理を行うものとしたが、これに限られるものではなく、例えば、基板の表面に形成された矩形状の電極の周囲に塗布液としての絶縁材料を塗布して絶縁膜を形成する場合に、処理部材、例えば、電極部分に接する部分の大きさを電極部分と同じ大きさに形成した処理部材を電極部分に接触させて、電極表面に撥液処理を施すようにしても良い。要は、基板の表面において、塗布液を塗布する必要のない部分に、処理部材による処理を行うようにすれば良い。なお、この場合にも、塗布液を塗布する必要の無い部分の全域に処理部材による処理を行う必要はなく、例えば、塗布領域に隣接した部分など、塗布液を塗布する必要の無い部分のうち、塗布領域に塗布された塗布液が濡れ広がりやすい部分にのみ、処理部材による処理を行うようにしても良い。

１０ ハンダバンプ形成装置
１１ 基板
１２ 基板供給装置
１３ 塗布装置
１５ ハンダボール搭載装置
１６ リフロー装置
１７ 基板収納装置
２０ 基板処理装置
２３、２４、２５、２６ 基板搬送装置
３６ 処理部材
３７ 保持部材

Claims (6)

1. バンプ形成前の電極用ホールを有する基板の表面に対して、前記ホールに塗布液を塗布する塗布処理を行う前に撥液処理を行う基板処理装置であって、
   表面がゴムまたは樹脂で形成された処理部材と、
   前記処理部材の表面と前記基板の表面とを接触させた状態で相対移動させる移動装置と、
   を有することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記処理部材における前記基板の表面との接触する位置を変更することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記処理部材は、表層部材と、該表層部材に覆われた、クッション性を有する芯部材とを有し、前記表層部材が前記ゴムまたは樹脂で形成されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. バンプ形成前の電極用ホールを有する基板の表面に対して、前記ホールに塗布液の塗布を行う前に撥液処理を行う基板処理方法であって、
   表面がゴムまたは樹脂で形成された処理部材の表面と前記基板の表面とを接触させた状態で相対移動させる撥液処理ステップを有することを特徴とする基板処理方法。
5. 前記撥液処理ステップでは、前記処理部材における前記基板の表面との接触する位置を変更することを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
6. バンプ形成前の電極用ホールを有する基板の表面に表面処理を行った後、前記基板の前記ホールに塗布液を塗布する処理をして基板を製造する方法であって、
   前記表面処理が、ゴムまたは樹脂で形成された処理部材の表面を、前記基板の表面に接触させた状態で相対移動させることによって、撥液部分を形成する処理であることを特徴とする基板を製造する方法。

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