JP2005244203A5 - - Google Patents
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- 液滴吐出装置のノズルから液滴を吐出することによって、第１の膜パターンを形成し、
前記第１の膜パターン上に感光性材料を吐出又は塗布し、
レーザー直描装置を用いて前記感光性材料にレーザビームを照射することによって、前記第１の膜パターンと重畳する領域に設けられた前記感光性材料を感光し、
前記感光性材料を現像することによって、マスクパターンを形成し、
前記マスクパターンを用いて前記第１の膜パターンをエッチングすることによって、前記第１の膜パターンを、所望の形状を有する第２の膜パターンに加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 液滴吐出装置のノズルから導電性材料を吐出することによって、第１の配線パターンを形成し、
前記第１の配線パターン上に感光性材料を吐出又は塗布し、
レーザー直描装置を用いて前記感光性材料にレーザビームを照射することによって、前記第１の配線パターンと重畳する領域に設けられた前記感光性材料を感光し、
前記感光性材料を現像することによって、マスクパターンを形成し、
前記マスクパターンを用いて前記第１の配線パターンをエッチングすることによって、前記第１の配線パターンを、前記第１の配線パターンよりも幅の細い第２の配線パターンに加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 液滴吐出装置のノズルから導電性材料を吐出することによって、第１の配線パターンを形成し、
前記第１の配線パターン上に感光性材料を吐出又は塗布し、
レーザー直描装置を用いて前記感光性材料にレーザビームを照射することによって、前記第１の配線パターンと重畳する領域に設けられた前記感光性材料を感光し、
前記感光性材料を現像することによって、マスクパターンを形成し、
前記マスクパターンを用いて前記第１の配線パターンをエッチングすることによって、前記第１の配線パターンを、前記第１の配線パターンよりも幅の細い第２の配線パターンに加工し、
液滴吐出装置のノズルから導電性材料を吐出することによって、前記第２の配線パターンに接し且つゲート配線となる第３の配線パターンを形成し、
前記第２の配線パターンの一部をゲート電極として用いて薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項３において、
前記薄膜トランジスタはボトムゲート型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記感光性材料は、紫外光によって感光する材料であり、
前記レーザビームは、紫外光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記感光性材料は、赤外光によって感光する材料であり、
前記レーザビームは、赤外光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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