JP2007094389A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. それぞれゲート配線とソース配線に連結されたスイッチング素子と前記スイッチング素子に連結された画素電極とを含む画素部が複数含んでなる表示基板の製造方法において、
   ベース基板上に前記スイッチング素子のゲート電極を形成する段階と、
   前記ゲート電極が形成された前記ベース基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
   前記ゲート絶縁膜上に前記スイッチング素子のソース及びドレイン電極を形成する段階と、
   前記ソース及びドレイン電極が形成された前記ベース基板上に保護絶縁膜を形成する段階と、
   レーザビームを前記保護絶縁膜に照射して前記ドレイン電極の一部領域を露出させる第１コンタクトホールを形成する段階と、
   前記第１コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結された前記画素電極を形成する段階と、
   を含むことを特徴とする表示基板の製造方法。
2. 前記レーザビームは、ＵＶエキシマーであることを特徴とする請求項１記載の表示基板の製造方法。
3. それぞれのゲート配線とソース配線に連結されたスイッチング素子と前記スイッチング素子に連結された画素電極とを含む画素部が複数含んでなる表示基板の製造方法において、
   ベース基板上に前記スイッチング素子のゲート電極を形成する段階と、
   前記ゲートが形成された前記ベース基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
   前記ゲート絶縁膜上に前記スイッチング素子のソース及びドレイン電極を形成する段階と、
   前記ソース及びドレイン電極が形成された前記ベース基板上に有機絶縁膜を形成する段階と、
   レーザビームを前記有機絶縁膜に照射して前記ドレイン電極の一部領域を露出させる第１コンタクトホールを形成する段階と、
   前記第１コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結された前記画素電極を形成する段階と、
   を含むことを特徴とする表示基板の製造方法。
4. 前記レーザビームは、ＵＶエキシマーであることを特徴とする請求項３記載の表示基板の製造方法。
5. 前記第１コンタクトホールを形成する段階で前記レーザビームを利用して前記画素電極が形成される領域の有機絶縁膜をテーパー構造にパターニングする段階を更に含むことを特徴とする請求項３または４記載の表示基板の製造方法。
6. レーザビームを走査するヘッド部と、
   前記ヘッド部が固定され、前記ヘッド部を所定の位置に移動させる移送部と、
   被処理表示基板が配置されるステージ部と、を含み、
   前記レーザビームによって前記ステージ部に配置された表示基板の絶縁膜がパターニングされることを特徴とする表示基板の製造装置。
7. 前記レーザビームは、ＵＶエキシマーであることを特徴とする請求項６記載の表示基板の製造装置。
8. 前記ヘッド部は、
   前記レーザビームを生成する光源部と、
   前記光源部から出射されたレーザビームを所定の形状に変更させる開口パターンが形成されたマスクと、
   前記開口パターンを通過したレーザビームを前記表示基板に投射させる投射レンズと、
   を含むことを特徴とする請求項６または７記載の表示基板の製造装置。
9. 前記レーザビームの量を調節する移動可能な絞りを更に含むことを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の表示基板の製造装置。
10. 前記絞りは、前記マスクと前記光源部との間に配置されることを特徴とする請求項９記載の表示基板の製造装置。