JP2007094389A - 表示基板の製造方法及びこれを製造するための製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベース基板上にスイッチング素子のゲート電極を形成する段階と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上にスイッチング素子のソース及びドレイン電極を形成する段階と、ソース及びドレイン電極上に保護絶縁膜を形成する段階と、レーザビームを利用してドレイン電極の一部領域を露出させる第1コンタクトホールを形成する段階と、第1コンタクトホールを通じて電気的に連結された画素電極を形成する段階とを含む。
【選択図】図10
Description
前述した本発明の他の目的を実現するための本発明に係る表示基板の製造装置は、ヘッド部、移送部、及びステージ部を含む。前記ヘッド部はレーザビームを走査し、前記移送部は前記ヘッド部が固定され、前記ヘッド部を所定の位置に移動させる。前記ステージ部は被処理表示基板が配置され、前記レーザビームによって前記ステージ部に配置された表示基板の絶縁膜がパターニングされる。
20 表示基板
30 ヘッド部
50 移送部
TFT スイッチング素子
SCL ストレージ共通配線
GLn−1、GLn ゲート配線
DLm−1、DLm ソース配線
GP ゲートパッド部
SP ソースパッド部
CH チャンネルパターン
Claims (23)
- それぞれゲート配線とソース配線に連結されたスイッチング素子と前記スイッチング素子に連結された画素電極とを含む画素部が複数含んでなる表示基板の製造方法において、
ベース基板上に前記スイッチング素子のゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極が形成された前記ベース基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に前記スイッチング素子のソース及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース及びドレイン電極が形成された前記ベース基板上に保護絶縁膜を形成する段階と、
レーザビームを前記保護絶縁膜に照射して前記ドレイン電極の一部領域を露出させる第1コンタクトホールを形成する段階と、
前記第1コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結された前記画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする表示基板の製造方法。 - 前記レーザビームは、UVエキシマーであることを特徴とする請求項1記載の表示基板の製造方法。
- 前記ゲート電極を形成する段階で前記ゲート配線を形成することを特徴とする請求項1記載の表示基板の製造方法。
- 前記第1コンタクトホールを形成する段階は、
前記レーザビームを前記保護絶縁膜に照射して前記ゲート配線の一端部を露出させる第2コンタクトホールを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項1記載の表示基板の製造方法。 - 前記画素電極を形成する段階で前記第2コンタクトホールを通じて前記ゲート配線の一端部と電気的に連結される第1パッド電極を形成することを特徴とする請求項4記載の表示基板の製造方法。
- 前記ソース及びドレイン電極を形成する段階で前記ソース配線を形成することを特徴とする請求項1記載の表示基板の製造方法。
- 前記第1コンタクトホールを形成する段階は、前記レーザビームを前記保護絶縁膜に照射して前記ソース配線の一端部を露出させる第3コンタクトホールを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項6記載の表示基板の製造方法。
- 前記画素電極を形成する段階で前記第3コンタクトホールを通じて前記ソース配線の一端部と電気的に連結された第2パッド電極を形成することを特徴とする請求項7記載の表示基板の製造方法。
- それぞれのゲート配線とソース配線に連結されたスイッチング素子と前記スイッチング素子に連結された画素電極とを含む画素部が複数含んでなる表示基板の製造方法において、
ベース基板上に前記スイッチング素子のゲート電極を形成する段階と、
前記ゲートが形成された前記ベース基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に前記スイッチング素子のソース及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース及びドレイン電極が形成された前記ベース基板上に有機絶縁膜を形成する段階と、
レーザビームを前記有機絶縁膜に照射して前記ドレイン電極の一部領域を露出させる第1コンタクトホールを形成する段階と、
前記第1コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結された前記画素電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示基板の製造方法。 - 前記レーザビームは、UVエキシマーであることを特徴とする請求項9記載の表示基板の製造方法。
- 前記ソース及びドレイン電極と前記有機絶縁膜との間に保護絶縁膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項9記載の表示基板の製造方法。
- 前記ゲート電極を形成する段階で前記ゲート配線を形成することを特徴とする請求項9記載の表示基板の製造方法。
- 前記第1コンタクトホールを形成する段階は、
前記レーザビームを前記保護絶縁膜に照射して前記ゲート配線の一端部を露出させる第2コンタクトホールを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項9記載の表示基板の製造方法。 - 前記第1コンタクトホールを形成する段階で前記レーザビームを利用して前記画素電極が形成される領域の有機絶縁膜をテーパー構造にパターニングする段階を更に含むことを特徴とする請求項9記載の表示基板の製造方法。
- 前記画素電極を形成する段階で前記第2コンタクトホールを通じて前記ゲート配線の一端部と電気的に連結される第1パッド電極を形成することを特徴とする請求項12記載の表示基板の製造方法。
- 前記ソース及びドレイン電極を形成する段階で前記ソース配線を形成することを特徴とする請求項9記載の表示基板の製造方法。
- 前記第1コンタクトホールを形成する段階は、
前記レーザビームを前記保護絶縁膜に照射して前記ソース配線の一端部を露出させる第3コンタクトホールを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項16記載の表示基板の製造方法。 - 前記画素電極を形成する段階で前記第3コンタクトホールを通じて前記ソース配線の一端部と電気的に連結された第2パッド電極を形成することを特徴とする請求項17記載の表示基板の製造方法。
- レーザビームを走査するヘッド部と、
前記ヘッド部が固定され、前記ヘッド部を所定の位置に移動させる移送部と、
被処理表示基板が配置されるステージ部と、を含み、
前記レーザビームによって前記ステージ部に配置された表示基板の絶縁膜がパターニングされることを特徴とする表示基板の製造装置。 - 前記レーザビームは、UVエキシマーであることを特徴とする請求項19記載の表示基板の製造装置。
- 前記ヘッド部は、
前記レーザビームを生成する光源部と、
前記光源部から出射されたレーザビームを所定の形状に変更させる開口パターンが形成されたマスクと、
前記開口パターンを通過したレーザビームを前記表示基板に投射させる投射レンズと、
を含むことを特徴とする請求項19記載の表示基板の製造装置。 - 前記レーザビームの量を調節する移動可能な絞りを更に含むことを特徴とする請求項19記載の表示基板の製造装置。
- 前記絞りは、前記マスクと前記光源部との間に配置されることを特徴とする請求項22記載の表示基板の製造装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9958607B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-05-01 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Light waveguide, method of manufacturing light waveguide, and light waveguide device |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI412079B (zh) * | 2006-07-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 製造顯示裝置的方法 |
US7943287B2 (en) * | 2006-07-28 | 2011-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
US8563431B2 (en) * | 2006-08-25 | 2013-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8148259B2 (en) | 2006-08-30 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
TWI328861B (en) * | 2007-03-13 | 2010-08-11 | Au Optronics Corp | Fabrication methods of thin film transistor substrate |
KR101495214B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2015-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP5884306B2 (ja) * | 2011-06-13 | 2016-03-15 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器 |
CN110389685A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控显示面板及其制作方法、和显示装置 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08155667A (ja) * | 1994-12-02 | 1996-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加工装置 |
JP2000117465A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-25 | Sharp Corp | 加工方法および光学部品 |
JP2003022035A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Sharp Corp | 有機elパネルおよびその製造方法 |
JP2003029227A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 輝点欠陥の修正方法及び液晶表示器 |
JP2003031853A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Sony Corp | 画像表示装置及びその製造方法 |
JP2004053828A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Alps Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP2004054168A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Hitachi Ltd | 画像表示装置 |
JP2004184754A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Sony Corp | フラットパネルディスプレイの製造方法 |
JP2004526577A (ja) * | 2001-05-23 | 2004-09-02 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | レーザー放射線によってマイクロ孔を穿孔する方法 |
JP2005026285A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Nikon Corp | 熱処理方法及び熱処理装置 |
JP2005138133A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | 基板の欠陥修正装置及びその方法並びに液晶基板 |
JP2006259383A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器 |
JP2010147027A (ja) * | 2005-07-06 | 2010-07-01 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 平板表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970011972A (ko) * | 1995-08-11 | 1997-03-29 | 쯔지 하루오 | 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US6103992A (en) * | 1996-11-08 | 2000-08-15 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Multiple frequency processing to minimize manufacturing variability of high aspect ratio micro through-vias |
JP3474774B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2003-12-08 | リコーマイクロエレクトロニクス株式会社 | インクジェットヘッドのノズルプレートの製造方法 |
JP2001071168A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-21 | Canon Inc | レーザ加工方法、該レーザ加工方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造方法、該製造方法で製造されたインクジェット記録ヘッド |
US20020110673A1 (en) * | 2001-02-14 | 2002-08-15 | Ramin Heydarpour | Multilayered electrode/substrate structures and display devices incorporating the same |
JP5181317B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2013-04-10 | Nltテクノロジー株式会社 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
US6593224B1 (en) * | 2002-03-05 | 2003-07-15 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of manufacturing a multilayer interconnect substrate |
US6843587B2 (en) * | 2002-05-11 | 2005-01-18 | Ls Tech Co., Ltd. | Surface light source apparatus, and method and apparatus for manufacturing the same |
KR100917766B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2009-09-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR20050070325A (ko) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-09-27 KR KR1020050089856A patent/KR20070035234A/ko not_active Application Discontinuation
-
2006
- 2006-08-23 JP JP2006226685A patent/JP2007094389A/ja active Pending
- 2006-09-27 TW TW095135696A patent/TW200717819A/zh unknown
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- 2006-09-27 CN CN2006101399438A patent/CN1945812B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08155667A (ja) * | 1994-12-02 | 1996-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加工装置 |
JP2000117465A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-25 | Sharp Corp | 加工方法および光学部品 |
JP2004526577A (ja) * | 2001-05-23 | 2004-09-02 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | レーザー放射線によってマイクロ孔を穿孔する方法 |
JP2003022035A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Sharp Corp | 有機elパネルおよびその製造方法 |
JP2003029227A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 輝点欠陥の修正方法及び液晶表示器 |
JP2003031853A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Sony Corp | 画像表示装置及びその製造方法 |
JP2004053828A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Alps Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP2004054168A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Hitachi Ltd | 画像表示装置 |
JP2004184754A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Sony Corp | フラットパネルディスプレイの製造方法 |
JP2005026285A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Nikon Corp | 熱処理方法及び熱処理装置 |
JP2005138133A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | 基板の欠陥修正装置及びその方法並びに液晶基板 |
JP2006259383A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器 |
JP2010147027A (ja) * | 2005-07-06 | 2010-07-01 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 平板表示装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9958607B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-05-01 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Light waveguide, method of manufacturing light waveguide, and light waveguide device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070035234A (ko) | 2007-03-30 |
CN1945812A (zh) | 2007-04-11 |
CN1945812B (zh) | 2010-06-16 |
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