JP2002122976A5 - - Google Patents

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  1. (a)半導体ウエハ上にフォトレジスト液を滴下してフォトレジスト膜を形成する工程、
    (b)前記半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に、縮小投影露光装置を用いてフォトマスクを介して変形照明による露光光を照射することにより前記半導体ウエハに集積回路パターンを転写する工程を有し、
    前記フォトマスクは、マスク基板、その主面に形成されたハーフトーン膜、前記ハーフトーン膜形成された開口部であって前記集積回路パターンを転写するための複数の主開口部および前記半導体ウエハ上には解像されない複数の補助開口部を有し、前記複数の主開口部および複数の補助開口部を周期性を持つように配置したことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  2. 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記複数の主開口部および複数の補助開口部を、互いに交差する第1、第2の仮想線の交点に配置することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  3. 請求項2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記フォトマスク主面の異なる領域における前記第1、第2の仮想線のピッチ構成が同じであり、前記異なる領域の位置がずれて配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  4. 請求項2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の仮想線のピッチと、前記第2の仮想線のピッチとが異なることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  5. 請求項4記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記集積回路パターンを転写する露光処理に際して、前記第1、第2の仮想線のピッチ構成に応じた変形照明を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  6. 請求項2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記複数の主開口部および複数の補助開口部のうち、第1の主開口部および第1の補助開口部を、前記第1、第2の仮想線の交点に配置し、前記複数の主開口部および複数の補助開口部のうち、第2の主開口部および第2の補助開口部を、前記第1の仮想線の隣接間、第2の仮想線の隣接間またはその両方に配置することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記複数の主開口部のうちの所定の主開口部、前記複数の補助開口部のうちの所定の補助開口部またはその両方に近接効果補正を加えたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記複数の補助開口部は、前記複数の主開口部が配置された領域の回りに配置されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記変形照明が4開口照明または輪帯照明であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体ウエハの所定の領域内の同層には、前記集積回路パターンが相対的に疎に配置された疎領域と、前記集積回路パターンが相対的に密に配置された密領域とが存在することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  11. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記複数の補助開口部の配置領域を、前記複数の主開口部を基準として、前記集積回路パターンのピッチの整数倍の長さブローデンさせた領域とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  12. 半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に、縮小投影露光装置を用いてフォトマスクを介して変形照明による紫外線露光光を照射することにより前記半導体ウエハにホールパターンを転写する工程を有し、
    前記フォトマスクは、前記紫外線露光光に対して透明なマスク基板、その主面に形成されたハーフトーン膜、前記ハーフトーン膜に形成された開口部であって、前記ホールパターンを転写するための複数の主開口部および前記半導体ウエハ上には解像されない複数の補助開口部を有し、前記複数の主開口部および複数の補助開口部が周期性を持つように配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  13. 請求項12記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記変形照明は、4開口照明または輪帯照明であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  14. 請求項12または13に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記紫外線露光光はKrFエキシマレーザ光であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  15. 請求項12または13に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記紫外線露光光はArFエキシマレーザ光であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
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