JP2005260216A5 - - Google Patents
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- 導電性を示す半導体膜を形成し、
前記導電性を示す半導体膜上に撥液表面を有する領域を形成し、
前記撥液表面を有する領域の一部にレーザビーム直接描画装置を用いてレーザ光を照射して、親液表面を有する領域を形成し、
前記親液表面を有する領域にマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンを用いて前記撥液表面を有する領域及び前記導電性を示す半導体膜をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 半導体領域を形成し、
前記半導体領域上に撥液表面を有する領域を形成し、
前記撥液表面を有する領域の一部にレーザビーム直接描画装置を用いてレーザ光を照射して、親液表面を有する領域を形成し、
前記親液表面を有する領域にマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンで囲まれる領域に導電性を示す半導体領域を形成して、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 半導体領域を形成し、
前記半導体領域上に撥液表面を有する領域を形成し、
前記撥液表面を有する領域の一部にレーザビーム直接描画装置を用いてレーザ光を照射して、親液表面を有する領域を形成し、
前記親液表面を有する領域に導電性を示す半導体領域を形成して、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2または請求項3において、前記導電性を示す半導体領域は塗布法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項の4のいずれか一項において、前記撥液表面を有する領域は塗布法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項4または請求項5において、前記塗布法は、液滴吐出法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法、スロットコート法、又はディップ法であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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