JP2005260216A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005260216A5
JP2005260216A5 JP2005034425A JP2005034425A JP2005260216A5 JP 2005260216 A5 JP2005260216 A5 JP 2005260216A5 JP 2005034425 A JP2005034425 A JP 2005034425A JP 2005034425 A JP2005034425 A JP 2005034425A JP 2005260216 A5 JP2005260216 A5 JP 2005260216A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
semiconductor
forming
laser beam
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005034425A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4754841B2 (ja
JP2005260216A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2005034425A priority Critical patent/JP4754841B2/ja
Priority claimed from JP2005034425A external-priority patent/JP4754841B2/ja
Publication of JP2005260216A publication Critical patent/JP2005260216A/ja
Publication of JP2005260216A5 publication Critical patent/JP2005260216A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4754841B2 publication Critical patent/JP4754841B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (6)

  1. 導電性を示す半導体膜を形成し、
    前記導電性を示す半導体膜上に撥液表面を有する領域を形成し、
    記撥液表面を有する領域の一部にレーザビーム直接描画装置を用いてレーザ光を照射して親液表面を有する領域を形成し、
    前記親液表面を有する領域にマスクパターンを形成し、
    前記マスクパターンを用いて前記撥液表面を有する領域及び前記導電性を示す半導体膜をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 半導体領域を形成し、
    前記半導体領域上に撥液表面を有する領域を形成し、
    記撥液表面を有する領域の一部にレーザビーム直接描画装置を用いてレーザ光を照射して、親液表面を有する領域を形成し、
    前記親液表面を有する領域にマスクパターンを形成し
    前記マスクパターンで囲まれる領域に導電性を示す半導体領域を形成して、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 半導体領域を形成し、
    前記半導体領域上に撥液表面を有する領域を形成し、
    前記撥液表面を有する領域の一部にレーザビーム直接描画装置を用いてレーザ光を照射して親液表面を有する領域を形成し、
    前記親液表面を有する領域に導電性を示す半導体領域を形成して、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 請求項2または請求項3において、前記導電性を示す半導体領域は塗布法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 請求項乃至請求項ののいずれか一項において、前記撥液表面を有する領域は塗布法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項4または請求項において、前記塗布法は、液滴吐出法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法、スロットコート法、又はディップ法であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
JP2005034425A 2004-02-13 2005-02-10 半導体装置の作製方法 Expired - Fee Related JP4754841B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005034425A JP4754841B2 (ja) 2004-02-13 2005-02-10 半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004037461 2004-02-13
JP2004037461 2004-02-13
JP2005034425A JP4754841B2 (ja) 2004-02-13 2005-02-10 半導体装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005260216A JP2005260216A (ja) 2005-09-22
JP2005260216A5 true JP2005260216A5 (ja) 2008-02-14
JP4754841B2 JP4754841B2 (ja) 2011-08-24

Family

ID=35085599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005034425A Expired - Fee Related JP4754841B2 (ja) 2004-02-13 2005-02-10 半導体装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4754841B2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101217182B1 (ko) * 2006-07-28 2012-12-31 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는표시패널
US7738050B2 (en) * 2007-07-06 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Liquid crystal display device
GB2490165A (en) * 2011-04-21 2012-10-24 Cpi Innovation Services Ltd Organic thin film transistor with crystal grain variation compensated by shape of source and drain electrodes
JP5830930B2 (ja) * 2011-05-19 2015-12-09 ソニー株式会社 半導体素子および電子機器
WO2013042562A1 (en) * 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013080900A1 (en) * 2011-12-02 2013-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9490048B2 (en) * 2012-03-29 2016-11-08 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
KR102140302B1 (ko) 2013-09-06 2020-08-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 유기 발광 표시 장치 제조용 포토 마스크
WO2019102788A1 (ja) * 2017-11-27 2019-05-31 東レ株式会社 半導体素子およびその製造方法、ならびに無線通信装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4042098B2 (ja) * 2002-04-22 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法
JP2003318401A (ja) * 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、デバイス、表示装置、および電子機器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005260216A5 (ja)
JP2005244203A5 (ja)
TWI338615B (en) Self-aligned process for fabricating imprint templates containing variously etched features
KR102314386B1 (ko) 디바이스 제조 방법
KR20150099832A (ko) 성막 마스크의 제조 방법
JP2005334864A5 (ja)
JP2013512568A (ja) 表面エネルギーの調節による電気伝導パターンの形成
JP2008311633A5 (ja)
US9738807B2 (en) Method of forming pattern and pattern
JP2007035981A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2007094389A5 (ja)
JP2003156667A5 (ja)
US9466796B2 (en) Electronic device having thin film transistor using organic semiconductor and method of manufacturing the same
JP2008073911A (ja) スクリーン印刷方法、スクリーン印刷機及び有機薄膜トランジスタの製造方法
JP2007059890A5 (ja)
JP2009525898A5 (ja)
JP6221320B2 (ja) 機能性素子の製造方法および機能性素子
US20150054188A1 (en) Mold cleaning apparatus and mold cleaning method
JP6279430B2 (ja) テンプレート、テンプレート形成方法および半導体装置の製造方法
JP2005093751A (ja) パターニング用基板の製造方法およびパターニング用基板
JP2017104765A (ja) 機能性膜の形成方法と機能性膜の形成装置
JP6139611B2 (ja) パターン形成方法および導電パターン
JP6002894B2 (ja) 電子デバイスの製造方法
JP2010240536A5 (ja) パターン形成方法
JP6264950B2 (ja) 有機el照明の光取り出し基板