JP2005334864A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 膜又は部材表面上に、塗れ性の低い材料を用いてマスクパターンを形成した後、前記膜又は部材表面上に、前記マスクパターンに接して塗れ性の高い材料を塗布又は吐出し、前記塗れ性の高い材料を乾燥及び焼成して膜パターンを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
2. 親液表面上に、撥液表面を形成する材料を用いてマスクパターンを形成した後、前記親液表面上に、前記マスクパターンに接して親液性を示す溶液を塗布又は吐出し、前記親液性を示す溶液を乾燥及び焼成して膜パターンを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
3. 請求項１または請求項２において、前記マスクパターンは閉曲線状であり、前記膜パターンは、前記閉曲線の内側に形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記膜パターンを形成した後、前記マスクパターンを除去することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
5. 膜又は部材表面上に、塗れ性の低い材料を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記膜又は部材表面上に、前記第１のマスクパターンに接して塗れ性の高い材料を塗布又は吐出し、
   前記塗れ性の高い材料を乾燥及び焼成して第２のマスクパターンを形成し、
   前記第１のマスクパターンを除去した後、前記第２のマスクパターンをマスクとして前記膜又は部材の一部を除去して膜パターンを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
6. 親液表面を有する膜上に、撥液表面を形成する溶液を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記親液表面を有する膜上に、前記第１のマスクパターンに接して親液性を示す溶液を塗布または吐出し、
   前記親液性を示す溶液を乾燥及び焼成して第２のマスクパターンを形成し、
   前記第１のマスクパターンを除去した後、前記第２のマスクパターンをマスクとして前記親液表面を有する膜の一部を除去して膜パターンを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
7. 請求項５または請求項６において、前記膜パターンを形成した後、前記第２のマスクパターンを除去することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記膜パターンは、導電性材料、絶縁性材料または半導体材料で形成されていることを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
9. 請求項８において、前記膜パターンは、配線、電極、又はアンテナであることを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
10. 請求項８において、前記膜パターンは、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、又は保護膜であることを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
11. 請求項８において、前記膜パターンは、チャネル形成領域、ソース領域又はドレイン領域であることを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
12. 絶縁膜上に塗れ性の低い材料を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記絶縁膜上に、前記第１のマスクパターンに接して塗れ性の高い材料を塗布又は吐出し、
    前記塗れ性の高い材料を乾燥及び焼成して第２のマスクパターンを形成し、
    前記第１のマスクパターンを除去した後、前記第２のマスクパターンをマスクとして前記絶縁膜の一部を除去して前記絶縁膜にコンタクトホールを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
13. 親液表面を有する絶縁膜上に、撥液表面を形成する溶液を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記絶縁膜上に、前記第１のマスクパターンに接して親液性を示す溶液を塗布又は吐出し、
    前記親液性を示す溶液を乾燥及び焼成して第２のマスクパターンを形成し、
    前記第１のマスクパターンを除去した後、前記第２のマスクパターンをマスクとして前記絶縁膜の一部を除去して前記絶縁膜にコンタクトホールを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
14. 半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極を有する半導体装置の作製方法であって、
    前記ソース電極及びドレイン電極上に塗れ性の低い材料を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記ソース電極及びドレイン電極上に、前記第１のマスクパターンに接して塗れ性の高い材料を用いて層間絶縁膜を形成し、
    前記第１のマスクパターンを除去した後、前記層間絶縁膜上に前記ソース電極及びドレイン電極に接続する導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極を有する半導体装置の作製方法であって、
    前記ソース電極及びドレイン電極上に撥液表面を形成する溶液を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記ソース電極及びドレイン電極上に、前記第１のマスクパターンに接して親液性を示す溶液を用いて層間絶縁膜を形成し、
    前記第１のマスクパターンを除去した後、前記層間絶縁膜上に前記ソース電極及びドレイン電極に接続する導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
16. 請求項１４または請求項１５において、前記半導体装置は、薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ、又は有機半導体トランジスタを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
17. 請求項１６において、前記薄膜トランジスタは、トップゲート構造またはボトムゲート構造の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
18. 請求項１６において、前記薄膜トランジスタは、コプレナー型またはスタガ型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。