JP2006032939A5 - - Google Patents
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- 絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を親水性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に水系の溶媒に混入された導電体を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
インクジェット法により前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を親水性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に水系の溶媒に混入された導電体を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って光触媒機能を有する物質から成るゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に選択的に光を照射して親水性とし、
インクジェット法により、前記光の照射領域に水系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を親水性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に水系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
インクジェット法により、前記半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた半導体膜上に配線を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を親水性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に水系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜及び一導電型を有する半導体膜を順に形成し、
インクジェット法により、前記一導電型を有する半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に配線を形成し、
前記配線を用いて前記一導電型を有する半導体膜をエッチングし、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を親水性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に水系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜、保護膜を順に形成し、
前記ゲート電極を用いて前記保護膜をパターニングし、
前記パターニングされた保護膜を覆って一導電型を有する半導体膜を形成し、
インクジェット法により、前記一導電型を有する半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に配線を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項4又は5において、前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜は、プラズマCVD法により連続成膜することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項4乃至6のいずれか一において前記一導電型を有する半導体膜は、前記ゲート電極をマスクとし前記半導体膜へ不純物元素を添加して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を撥油性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に油系の溶媒に混入された導電体を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
インクジェット法により前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を撥油性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に油系の溶媒に混入された導電体を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って光触媒機能を有する物質から成るゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に選択的に光を照射して撥油性とし、
インクジェット法により、前記光の非照射領域に油系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を撥油性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に油系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
インクジェット法により、前記半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた半導体膜上に配線を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を撥油性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に油系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜及び一導電型を有する半導体膜を順に形成し、
インクジェット法により、前記一導電型を有する半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に配線を形成し、
前記配線を用いて前記一導電型を有する半導体膜をエッチングし、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を撥油性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に油系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜、保護膜を順に形成し、
前記ゲート電極を用いて前記保護膜をパターニングし、
前記パターニングされた保護膜を覆って一導電型を有する半導体膜を形成し、
インクジェット法により、前記一導電型を有する半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に配線を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項11又は12において、前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜は、プラズマCVD法により連続成膜することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項11乃至13のいずれか一において前記一導電型を有する半導体膜は、前記ゲート電極をマスクとし前記半導体膜へ不純物元素を添加して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項1乃至14のいずれか一において、前記配線に接続する電極を形成し、インクジェット法により、前記半導体膜、前記ゲート電極、及び前記電極の一部を覆うように保護膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005182123A JP4081580B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | 表示装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005182123A JP4081580B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | 表示装置の作製方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003344202A Division JP3923462B2 (ja) | 2003-10-02 | 2003-10-02 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006032939A JP2006032939A (ja) | 2006-02-02 |
JP2006032939A5 true JP2006032939A5 (ja) | 2006-11-16 |
JP4081580B2 JP4081580B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=35898854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005182123A Expired - Fee Related JP4081580B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | 表示装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4081580B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007233361A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
EP1816508A1 (en) | 2006-02-02 | 2007-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2008066216A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器 |
US7960261B2 (en) * | 2007-03-23 | 2011-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing crystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor |
JP5537102B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2012108291A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ基板の欠陥修正方法およびカラーフィルタ基板 |
JP5741832B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2015-07-01 | 大日本印刷株式会社 | アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法、液晶表示装置 |
JP2012234864A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2019106717A1 (ja) | 2017-11-28 | 2019-06-06 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el発光素子及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-06-22 JP JP2005182123A patent/JP4081580B2/ja not_active Expired - Fee Related
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