JP6048303B2 - 有機半導体装置の製造方法 - Google Patents
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本発明の第1実施形態について説明する。まず、図1を参照して、本実施形態にかかる製造方法により製造される有機半導体薄膜の基本構造について説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
12 基板
13 ゲート電極
14 ゲート絶縁膜
15 有機半導体薄膜
16 ソース電極
17 ドレイン電極
Claims (4)
- 基板(12)を用意する工程と、
前記基板の上にゲート電極(13)を形成する工程と、
前記ゲート電極の上において、前記ゲート電極を覆うように、表面が平坦となるゲート絶縁膜(14)を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上に有機半導体薄膜(15)を形成する工程と、
前記有機半導体薄膜の上において、前記ゲート電極(13)の両端と対応する位置に互いに離間するソース電極(16)およびドレイン電極(17)を形成する工程と、を含む有機薄膜トランジスタを有する有機半導体装置の製造方法であって、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程では、
前記有機半導体薄膜の表面のうち前記ソース電極および前記ドレイン電極の形成予定位置を露出させるように光分解性のレジスト膜(20)を配置する工程と、
前記有機半導体薄膜の表面のうち前記レジスト膜から露出させられた前記ソース電極および前記ドレイン電極の形成予定位置に電極材料を配置することで、前記ソース電極および前記ドレイン電極を配置する工程と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を配置したのち、前記レジスト膜に対して吸収されつつ前記有機半導体薄膜を透過する紫外光を照射し、前記レジスト膜を光分解する工程と、
前記紫外光によって光分解された前記レジスト膜の分解物を加熱により除去する工程と、を含んでいることを特徴とする有機半導体装置の製造方法。 - 前記有機半導体薄膜を形成する工程では、前記有機半導体薄膜の構成材料としてバンドギャップが3.2eV以上の材料を用い、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程における前記レジスト膜を光分解する工程では、前記紫外光として、波長が300nm以上400nm以下のものを用いることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体装置の製造方法。 - 前記有機半導体薄膜を形成する工程では、前記有機半導体薄膜の構成材料としてバンドギャップが3.2eV以上の材料を用い、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程における前記レジスト膜を光分解する工程では、前記紫外光として、前記有機半導体薄膜の吸収波長よりも長い波長の紫外光を用いることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体装置の製造方法。 - 前記レジスト膜を配置する工程では、前記レジスト膜として、分解性ポリマーと光塩基発生剤を含む膜を形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の有機半導体装置の製造方法。
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