JP6413859B2 - パターニング方法、半導体装置の製造方法および光学部品の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について図1を用いて説明する。なお、図1では、図を見やすくするためにハッチングを省略している。後述する図2〜図7においても、同様にハッチングを省略している。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して印刷版4から基板9へのインク5の転写方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対して、石英マスク3の構成と、ブランケット11の表面にインク5を付着させる方法とを変更したものであり、その他については第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。
4 印刷版
5 インク
9 基板
Claims (20)
- 基板(9)上に有機材料または金属材料を所望の形状に形成するパターニング方法であって、
撥インク性の表面を有する印刷版(4)を用意する工程と、
平行光であり、かつ、200nm以下の波長成分を持つ真空紫外光を、所望のパターンに対応した形状の透明部および不透明部が形成された石英マスク(3)を通して前記印刷版の表面に照射することにより、前記印刷版の表面を改質し、前記印刷版の表面に所望のパターンに対応した形状の親インク性領域を形成する工程と、
前記親インク性領域に有機材料または金属材料により構成されるインク(5)を付着させることにより、前記インクを所望のパターンに対応した形状とする工程と、
所望のパターンに対応した形状とされた前記インクを前記基板に転写する工程と、を備え、
前記印刷版の表面に、それぞれ複数の凸部(4a)と凹部(4b)が交互に並んでおり、
前記親インク性領域が前記凸部の表面に形成され、
1つの前記凸部に形成される前記親インク性領域の幅は、前記凸部の幅よりも小さくされていることを特徴とするパターニング方法。 - 基板(9)上に有機材料または金属材料を所望の形状に形成するパターニング方法であって、
撥インク性の表面を有する印刷版(4)を用意する工程と、
平行光であり、かつ、200nm以下の波長成分を持つ真空紫外光を、所望のパターンに対応した形状の透明部および不透明部が形成された石英マスク(3)を通して前記印刷版の表面に照射することにより、前記印刷版の表面を改質し、前記印刷版の表面に所望のパターンに対応した形状の親インク性領域を形成する工程と、
前記親インク性領域に有機材料または金属材料により構成されるインク(5)を付着させることにより、前記インクを所望のパターンに対応した形状とする工程と、
所望のパターンに対応した形状とされた前記インクを前記基板に転写する工程と、を備え、
前記親インク性領域を形成する工程では、前記印刷版を円筒状とし、真空紫外光を板材(10)に形成されたスリット(10a)を通して前記石英マスクおよび前記印刷版に照射することにより、真空紫外光が照射される範囲の幅を狭めることを特徴とするパターニング方法。 - 前記印刷版の表面に、それぞれ複数の凸部(4a)と凹部(4b)が交互に並んでおり、
前記親インク性領域が前記凸部の表面に形成されることを特徴とする請求項2に記載のパターニング方法。 - 前記親インク性領域を形成する工程では、一度に1つの前記凸部に真空紫外光を照射することを特徴とする請求項3に記載のパターニング方法。
- 前記印刷版の表面に、それぞれ複数の凸部(4a)と凹部(4b)が交互に並んでおり、
前記親インク性領域が前記凹部の表面に形成されることを特徴とする請求項2に記載のパターニング方法。 - 前記親インク性領域を形成する工程では、一度に1つの前記凹部に真空紫外光を照射することを特徴とする請求項5に記載のパターニング方法。
- 前記印刷版が平版であることを特徴とする請求項2に記載のパターニング方法。
- 前記真空紫外光を前記印刷版の表面に照射する前に、前記真空紫外光の200nmより長波長の成分をフィルタによりカットすることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載のパターニング方法。
- 前記真空紫外光が、半値幅が100μsec以下のパルス光であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1つに記載のパターニング方法。
- 前記真空紫外光が、半値幅が20μsec以下のパルス光であることを特徴とする請求項9に記載のパターニング方法。
- 前記石英マスクのOH成分量が200ppm以下であることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1つに記載のパターニング方法。
- 前記石英マスクのOH成分量が8ppm以下であることを特徴とする請求項11に記載のパターニング方法。
- 前記印刷版の表面に、自己組織化単分子膜が形成されていることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1つに記載のパターニング方法。
- 前記自己組織化単分子膜がフッ素系の材料で構成され、前記インクが有機系の材料で構成されることを特徴とする請求項13に記載のパターニング方法。
- 前記印刷版の表面に、パラキシリレン系ポリマーにより構成される膜が形成されていることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1つに記載のパターニング方法。
- 前記インクが、前記印刷版の表面に塗布された後、円筒形状のブランケット(11)を介して、前記基板に転写されることを特徴とする請求項1ないし15のいずれか1つに記載のパターニング方法。
- 前記インクが、円筒形状のブランケット(11)の表面に塗布され、
前記ブランケットの表面に塗布された前記インクのうち、所望のパターンの非画線部に対応する部分が前記印刷版との接触により剥離され、
前記ブランケットの表面に塗布された前記インクのうち、所望のパターンの画線部に対応する部分が前記基板に転写されることを特徴とする請求項1ないし15のいずれか1つに記載のパターニング方法。 - 請求項1ないし17のいずれか1つに記載のパターニング方法を用いて半導体装置を構成する薄膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置が有機トランジスタまたは有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項18に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1ないし17のいずれか1つに記載のパターニング方法を用いて光学部品を構成する薄膜を形成することを特徴とする光学部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015053825A JP6413859B2 (ja) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | パターニング方法、半導体装置の製造方法および光学部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2015053825A JP6413859B2 (ja) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | パターニング方法、半導体装置の製造方法および光学部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2016172391A JP2016172391A (ja) | 2016-09-29 |
JP6413859B2 true JP6413859B2 (ja) | 2018-10-31 |
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ID=57009471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2015053825A Expired - Fee Related JP6413859B2 (ja) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | パターニング方法、半導体装置の製造方法および光学部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6413859B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3021695B2 (ja) * | 1991-02-01 | 2000-03-15 | 松下電器産業株式会社 | 撥水撥油性凹版およびその製造方法 |
CZ296102B6 (cs) * | 1998-10-10 | 2006-01-11 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Zpusob zmeny smácivosti tiskarské formy a tiskarská forma |
JP4213412B2 (ja) * | 2002-06-26 | 2009-01-21 | 東ソー株式会社 | 真空紫外光用合成石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた真空紫外光用マスク基板 |
JP2006261535A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Ricoh Co Ltd | 積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、電子素子を用いた電子素子アレイ、積層構造体の製造方法および電子素子の製造方法 |
JP2009061659A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Toppan Printing Co Ltd | 版及び印刷物の生産方法 |
JP2010110953A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Hitachi Chem Co Ltd | オフセット印刷用印刷版及びその製造方法 |
JP6217146B2 (ja) * | 2013-06-05 | 2017-10-25 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置およびこの光源装置を搭載した光照射装置並びにこの光照射装置を用いた自己組織化単分子膜のパターンニング方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016172391A (ja) | 2016-09-29 |
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