CZ296102B6

CZ296102B6 - Zpusob zmeny smácivosti tiskarské formy a tiskarská forma

Info

Publication number: CZ296102B6
Application number: CZ20010867A
Authority: CZ
Inventors: Hess@Peter
Original assignee: Heidelberger Druckmaschinen Ag
Priority date: 1998-10-10
Filing date: 1999-09-24
Publication date: 2006-01-11
Also published as: US20020035938A1; US6546868B2; RU2241600C2; WO2000021753A1; DE19945847A1; DK1082224T3; CZ2001867A3; EP1082224B1; EP1082224A1; ATE259298T1; DE59908521D1

Abstract

Pri zpusobu zmeny smácivosti tiskarské formy (10)s polovodicovým povrchem (12) se polovodicový povrch (12) tiskarské formy (10) uvede do jednotného chemického stavu ci skupenství s první smácivostí,hydrofobní nebo hydrofilní. Návazne se pak cást oblastí polovodicového povrchu (12) uvede do druhého chemického stavu ci skupenství, které má jinou smácivost, odlisnou od první smácivosti. Tiskarskáforma (10) nese vzor skládající se z hydrofilnícha hydrofobních oblastí.

Description

Způsob změny smáčivosti tiskařské formy a tiskařská forma

Oblast techniky

Vynález se týká způsobu změny smáčivosti tiskařské formy a tiskařské formy s polovodičovým povrchem, který má různou smáčivost při použití v ofsetovém způsobu tisku.

Dosavadní stav techniky

Ze spisu EP 262 475 B1 jejíž známý tiskařský stroj, který je vybavený tiskařskou formou, na níž je znázornitelný obraz, který se má tisknout, prostřednictvím příslušných hydrofobních a hydrofilních oblastí. Aby byla umožněna přeměna mezi hydrofilním stavem, případně hydrofobním stavem, je na tiskařské formě předpokládaný feroelektrický materiál, který je místně polarizovatelný, případně depolarizovatelný. Hydrofilace případně opětovná hydrofilace tiskařské formy se příslušným způsobem uskutečňuje prostřednictvím polarizačního mechanismu, případně depolarizačního mechanismu, který je uskutečnitelný reverzibilně uvnitř tiskařského stroje. Tento způsob má však tu nevýhodu, že efekt v širokém rozsahu závisí na elektrostatických přitažlivých silách a tomu odpovídající rozlišování obrazu, který se má tisknout, je ohraničené rozsáhlými elektrickými přitažlivými silami.

Kromě toho je ze spisu US 3 678 852 známa tiskařská forma, která je potažená amorfním polovodičem. Amorfní stav polovodiče lze pomocí laserového paprsku změnit z neuspořádaného amorfního stavu na vysoce uspořádaný krystalický stav. V krystalickém stavuje povrch polovodiče drsnější, takže přeměna na uspořádaný stav povrchu polovodiče způsobuje, že kapaliny lépe přilnou v oblasti drsnějšího povrchu než v amorfních hladkých oblastech. Rozlišovací schopnost tiskařské formy, která je vyhotovená podle tohoto způsobu, je omezená nejmenší velikostí krystalických oblastí.

Podstata vynálezu

Úkolem předkládaného vynálezu je vytvořit alternativní způsob pro lokální a opakovanou změnu smáčivosti tiskařské formy s polovodičovým povrchem a navrhnout odpovídající tiskařskou formu.

Vynález se týká způsobu změny smáčivosti tiskařské formy s polovodičovým povrchem, kde podstata vynálezu spočívá v tom, že polovodičový povrch se uvede do prvního chemického stavu či skupenství s první smáčivosti, pak se část všech oblastí polovodičového povrchu uvede do druhého chemického stavu či skupenství s druhou smáčivosti, přičemž tato druhá smáčivost je odlišná od první smáčivosti.

Vynález je možno provádět též tak, že druhé chemické skupenství či stav nastane prostřednictvím změny atomových skupin prvních atomových vrstev v oblasti polovodičového povrchu.

Vynález je možno provádět též tak, že jedna ze smáčivosti je hydrofílní a druhá ze smáčivosti je hydrofobní.

Vynález je možno provádět též tak, že první chemické skupenství čí stav je vytvořen prostřednictvím odbourání vrstvy na polovodičovém povrchu v atomární dimenzi, přednostně roztokem fluorovodíku HF anebo roztokem fluoridu amonného AF.

Vynález je možno provádět též tak, že druhý chemický stav či skupenství je vytvořeno prostřednictvím lokalizovaného chemického procesu v částech oblastí polovodičového povrchu.

Vynález je možno provádět též tak, že proces se uskutečňuje prostřednictvím řízeného energetického zdroje řízeného podle obrazové informace určené k tisku nebo podle negativu této obrazové informace.

Vynález je možno provádět též tak, že řízeným energetickým zdrojem je laser, zejména pulzní laser nebo běžný energetický zdroj, jako je např. UV - lampa.

Vynález je možno provádět též tak, že laser je fluorový laser s vlnovou délkou 157 nm nebo laser s vlnovou délkou ultrafialového záření < 308 nm, nebo laser s pevnou fází, jako např. laser typu Nd: YAG' s vlnovou délkou < 355 nm.

Vynález je možno provádět též tak, že polovodičovým povrchem je amorfní polokrystalický nebo krystalický křemík, germanium nebo slitina obsahující křemík či germanium, zejména SiGe. SiC, SiCN.

Vynález je možno provádět též tak, že druhý chemický stav či skupenství se provádí lokálně ohraničenou změnou chemické struktury v oblasti povrchu s tloušťkou do 5 nm.

Vynález se též týká tiskařské formy, zejména tiskařské desky nebo tiskařského válce s polovodičovým povrchem, který nese vzor skládající se z hydrofilních a hydrofobních oblastí, přičemž podstata vynálezu spočívá v tom, že hydrofilní oblasti mají chemické koncové skupiny v prvním chemickém stavu či skupenství a hydrofobní oblasti mají chemické koncové skupiny v druhém chemickém stavu či skupenství, přičemž první chemický stav či skupenství je odlišné od druhého chemického stavu či skupenství.

Vynález je možno provést též tak, že hydrofobní oblasti odpovídají obrazové informaci určené pro tisk nebo negativu této obrazové informace.

Vynález je možno provést též tak, že polovodičovým povrchem je amorfní polokrystalický nebo krystalický křemík, germanium nebo např. slitina obsahující křemík nebo germanium (SiGe), zejména též SiC nebo SiCN.

Vynález je možno provést též tak, že druhý chemický stav či skupenství zasahuje od polovodičového povrchu do polovodiče až do tloušťky maximálně 5 nm.

Základní myšlenka předkládaného vynálezu tedy spočívá v tom, že lokální smáčivost či smáčecí reakce, tedy lokální hydrofilní, případně hydrofobní reakce tiskařské formy se změní pomocí kontroly chemických koncových skupin povrchu s příslušně různými elektronickými vlastnostmi, to znamená vlastnostmi vzájemného působení. K. tomu je nejprve vytvořen povrch s chemickou strukturou, který má přednostně v podstatě jednotnou hydrofilní nebo hydrofobní vlastnost. Tento povrch je pak v místně ohraničených částkových plochách přeměněn prostřednictvím lokálně ohraničených změn chemické struktury na vždy jiný stav smáčecí vlastnosti, tedy z hydrofilní na hydrofobní vlastnost, případně z hydrofobní na hydrofilní vlastnost. V tomto procesu chemické změny není třeba používat speciální feromagnetické materiály nebo vyvolávat změnu drsnosti povrchu například krystalizaci. Smáčecí reakce je v jednotlivých oblastech povrchu polovodiče řízená spíše tím, že povrch polovodiče je cíleně opatřený hydrofilními a hydrofobními chemickými koncovými skupinami.

-2CZ 296102 B6

Tento lokalizovaný proces změny se může uskutečnit pomocí takzvaného chemického procesu, při němž dojde k chemické změně prostřednictvím fototermických anebo fotochemických procesů, anebo všeobecně prostřednictvím laserem indukovaných reakčních procesů.

U jednoho přednostního způsobu uskutečnění je jako polovodič zvolen křemík. Tento polovodičový povrch je nejprve uveden do hydrofobního stavu, přičemž jsou do povrchu uloženy, nebo na něj navrstveny skupiny SiH, skupiny SiH₂ a/nebo skupiny SiH₃. S cílem změnit hydrofobní reakci je poté hydrofobní atomová skupina lokálně vyměněna za hydrofilní atomovou skupinu anebo přeměněna tak, že například jednotky SiOH, jednotky SiOSi a/nebo jednotky SiO nahradí hydrofobní skupiny.

Při použití povrchu křemíku s prostorovou orientací 111 jako povrchu tiskařské formy vyplývá z toho zvláštní výhoda, že povrch může být atomárně hladký a hydrofilní, případně hydrofobní koncové skupiny mohou být v podstatě navrstveny ve stejných vzájemných vzdálenostech.

K vytvoření hydrofilní, případně hydrofobní skupiny výchozí vrstvy a postupu změny mezi hydrofilním a hydrofobním stavem přicházejí v úvahu dva různé způsoby.

Tak například může být tiskařská forma podrobena vhodnému mokrému chemickému modifikačnímu procesu k vytvoření jednotného hydrofilního povrchu, čímž lze za vhodných podmínek vytvořit silně hydrofilní smáčivost povrchu, což může být například způsobené tím, že se do prvních atomových vrstev osadí skupiny SiOH a/nebo skupiny SiO. Ozářením vhodnou vlnovou délkou pomocí laseru, zejména pomocí pulzního laseru, je pak možné hydrofilní smáčivost cíleně a lokálně změnit na hydrofobní vlastnost, přičemž jsou hydrofilující atomové skupiny nahrazené hydrofobní konfigurací povrchu.

Je však možný i opačně probíhající proces. Přitom je nejprve vytvořen v podstatě hydrofobní povrch tiskařské formy. K tomu může být upravena tiskařská forma například zředěným roztokem fluorovodíku (HF) nebo roztokem fluoridu amonného, přičemž jsou odebrány jen nejvrchnější vrstvy polovodiče a vznikne hydrofobní, vodíkem termínovaný povrch. Tento povrch může být pak opět v jednotlivých oblastech hydrofilizovaný, přičemž se těmto oblastem lokálně přivede energie.

Po použití tiskařské formy, tedy po tisku, může být celý povrch opět uveden do výchozího stavu. Návazně je tiskařská forma k dispozici pro novou ilustraci.

Tímto způsobem podle vynálezu se dosáhne vytvoření tiskařské formy, která je použitelná k opakované ilustraci a tím k mnoha po sobě následujícím cyklům. Kromě toho není rozlišitelnost tiskařské formy ohraničitelná velikostí krystalů nebo elektrickou interakcí

Další výhody a další výhodné konstrukce jsou náplní následujících obrázků a rovněž jejich popisů.

Přehled obrázků na výkresech

Na připojených výkresech jsou znázorněny příklady způsobů změny polovodičového povrchu tiskařské formy podle vynálezu, přičemž na obr. 1 je schematicky znázorněn vynálezecký způsob a na obr. 2 je principiálně znázorněna změna polovodičového povrchu z hydrofilního na hydrofobní s uvedením příkladu koncových skupin SiH a koncových skupin SiOH.

-3CZ 296102 B6

Příklady provedení vynálezu

Jak znázorňuje obr. 1, je výchozím bodem způsobu podle vynálezu tiskařská forma 10, která může být zhotovena jako tiskařská deska nebo tiskařský válec. Tiskařská forma 10 má polovodičový povrch 12, zejména z křemíku, nanesený na tiskařské formě 10. Tato výchozí tiskařská forma 10 je po svém procesu výroby pokryta obvykle nějakou nativní, to znamená přesně nedefinovanou oxidovou vrstvou, jejíž hloubka činí obvykle 1 až 3 nm.

V prvním kroku způsobu podle vynálezu je tato tiskařská forma 10 přeměněna na tiskařskou formu 10 s definovanou, v podstatě hydrofobní povrchovou vrstvou 14. Polovodičový povrch 12 tiskařské formy 10 je pro tento účel terminován vodíkem. Volné valence, například atomy křemíkového povrchu, jsou tedy nasyceny vodíkem. Přiměřeně k ploše krystalu, která existuje na povrchu polovodiče, může polovodič, kterým je přednostně křemík, vázat jeden nebo více atomů vodíku. V případě plochy krystalu křemíku s prostorovou orientací 111 je příslušně kolmo na tento povrch každým atomem křemíku pohlcen jeden atom vodíku. V případě ploch s prostorovou orientací 001 anebo jiných ploch krystalu může existovat na atom křemíku na povrchu více volných valencí, takže atom povrchu křemíku může být nasycen dvěma nebo více atomy vodíku. Protože polokrystalický povrch křemíku pozůstává ze směsi různých povrchů krystalu, s orientacemi 111, 101 nebo jinými, vyplývá z toho, že polokrystalický, resp. amorfní povrch polovodiče je směsí monohydrátu, dihydrátů a trihydrátů.

Výše popsaný proces terminace vodíkem k vytvoření hydrofobního povrchu polovodiče se může uskutečňovat například úpravou povrchu zředěným roztokem fluorovodíku (HF) nebo tlumeným roztokem fluoridu amonného, přičemž pouze nejvrchnější vrstvy polovodiče jsou odebrány v atomových dimenzích až po několik málo nanometrů a vzniká výše popsaná hydrofobní hydrátová vrstva.

Zatímco použití rozředěného roztoku NH₄F (pH « 8) k anizotropnímu leptacímu procesu u monokrystalu podél roviny Si s orientací 111 způsobuje další zarovnání, to znamená má za následek atomární rovinný povrch, který má v ideálním případě pouze atomární stupně, u polokrystalického povrchu křemíku se anizotropním leptacím procesem zvyšuje mikroskopická drsnost. Naproti tomu se zředěným roztokem fluorovodíku - HF u polokrystalického povrchu křemíku odebírá pouze oxidová vrstva, nemění se tedy mikroskopická drsnost. Po tomto procesu má tiskařská forma 10 hydrofobní povrchovou vrstvu 14, která je použitelná pro další způsoby podle vynálezu.

Hydrofobní povrchová vrstva 14 tiskařské formy 10 je teď v částečných oblastech svého povrchu hydrofilizována v dalších krocích. Toto lze uskutečnit například tak, že se oblast povrchu, která má být hydrofilizována, podrobí lokálně chemickému přetvořeni, a tím se povrch lokálně dehydruje a dehydrovaná místa se obsadí hydrofílními atomovými skupinami. K lokální modifikaci povrchu se ukázaly jako zvláště vhodné dva způsoby. Jak je znázorněno na obr. 1, může se lokální přívod energie a iniciování procesu uskutečnit např. prostřednictvím energetického zdroje 16, např. laseru. Zvlášť vhodné jsou k tomu pulzní lasery, které mají malý průměr paprsku, takže dehydraci lze uskutečňovat v prostorově omezené oblasti. Jako laser může být například použit laser o délce vlny 157 nm (fluorový laser s viditelným ultrafialovým zářením), má-li být modifikace uskutečněna fotochemicky.

K fototermické modifikaci, která vyžaduje lokální ohřev podle hydrátu na 300-550 °C, přicházejí v úvahu v podstatě všechny ultrafialové lasery, například plynové lasery a lasery s pevnou fází, např. frekvenčně násobné lasery typu Nd:YAG.

-4CZ 296102 B6

Tyto lasery jsou obvykle řízeny řídicí jednotkou 18, jejíž pomocí je paprsek 20 energetického zdroje 16, tedy laseru, veden přes tiskařskou formu 10, a přitom je zapínán a vypínán nebo nastavován a tlumen, takže může být tiskařský obraz 22 nebo jeho negativ jako hydrofilní obraz stažen na jinak hydrofobní povrchovou vrstvu 14. Pouhým okem nelze rozeznat tuto molekulární změnu vlastností na povrchu tiskařské formy 10. Stažený tiskařský obraz 22 běžně odpovídá předloze 21, kterou lze vytvořit různým způsobem. Takto přicházejí přitom v úvahu všechny známé digitální či digitalizační způsoby vyhotovení předlohy, jakož i přímé digitální vyhotovení obrazu, například pomocí grafického programu nebo digitální kamery.

Obvykle jsou poté tyto obrazy uschovány v takzvaném procesoru RIP (Raster Imaging Processor), přičemž tyto paměti mohou být umístěny v řídicí jednotce 18 anebo i mimo ni. Na základě toho, že údaje jsou uloženy v RlPu, je laserový paprsek 16 řízen tak, že se tiskařský obraz 22 stáhne na tiskařskou formu 10. Kromě této ilustrace prostřednictvím lokálního přívodu energie s pomocí laseru je možné rovněž nanášení energie širokoplošněji, například UV - lampou (zvláště komerčně přístupnými lampami typu Excimer s různými vlnovými délkami ultrafialového záření). Přitom je zvlášť výhodné přikrýt tiskařskou desku tiskařské formy 10 před jejím ozářením maskou, takže účinek lampy může připadnout pouze na určitou oblast povrchové vrstvy 14 tiskařské formy 10.

Pomocí obou způsobů je možné odpovídajícím způsobem dosáhnout toho, že na hydrofobní povrchovou vrstvu 14 tiskařské formy 10 je prostřednictvím lokálního fotograficky indexovaného procesu reakce v částečných oblastech vytvořen změněný, jiný chemický stav, který je hydrofilní.

Na obr. 2 je schematicky a idealizované znázorněn strukturní vzorec povrchu tělesa křemíkového polovodiče, přičemž v ideálním případě dělicí čára 24 odděluje oblast 26 pevného tělesa od oblasti 28 mimo pevné těleso. Každý atom křemíku, který leží na povrchu, má jednu volnou valenci, která v případě terminace vodíkem povrch křemíkového polovodiče monohydratuje, to znamená, že se nasytí atomem vodíku. Prostřednictvím fotoindukovaného procesu je skupenství či stav povrchu v oblasti 30 dehydrován a přeměněn na jiný chemický stav či skupenství, které je hydrofilní. Tento hydrofilní stav či skupenství je dáno prostřednictvím atomových skupin ležících mimo dělicí čáry 24, v daném případě skupin OH. Kromě toho je též možné, že se v oblasti povrchu v jedné nebo více atomových vrstvách polovodiče v oblasti 26 uloží atomy kyslíku, takže se v těchto oblastech ještě více zvýší vlastnosti hydrofilní smáčivosti. Takto upravený povrch tiskařské formy 10 má tedy první chemické stavy, které jsou hydrofobní, a druhé chemické stavy, které jsou hydrofilní. Prostřednictvím této přilnavé reakce vzhledem k vodě lze tiskařskou formu 10 používat k ofsetovému tisku.

Po tisku je na polovodičovém povrchu 12 v oblasti 28 zachycená barva odstraněna běžnými způsoby ke smytí barvy, přičemž je zvlášť snadné odstranit tuto tiskařskou barvu, neboť u způsobu navrženého podle vynálezu je na povrchu pouze mikroskopická drsnost a je vytvořen rozdíl mezi hydrofobním a hydrofilním povrchem na základě chemického složení, jakož i bezprostředně pod povrchem ležícími modifikovanými oblastmi. Jakmile je tiskařská barva odstraněna z povrchu tiskařské formy 10, může tato být znovu uvedena do svého původního hydrofobního stavu, v němž se povrch podrobí takové úpravě, která ji znovu terminuje vodíkem, takže se znovu dosáhne původního stavu označeného na obr. 2 jako I. Toto lze uskutečnit například tak, že se z povrchu odeberou oblasti atomárního velkého uspořádání (málo monovrstev), jak to znázorňuje na obr. 2 stav označený II, čímž znovu vznikne čistá křemíková vrstva, kterou lze lehce nasytit atomy vodíku.

Přitom přicházejí v úvahu, jako jeden z chemicky použitelných způsobů, úprava povrchu roztokem chloridu amonného nebo fluorovodíku, přičemž pomocí tohoto způsobu se uskuteční odebrání nejvrchnější vrstvy a současně terminace povrchu vodíkem.

-5 CZ 296102 B6

Způsob znázorněný na obr. 2 se vztahuje jen na křemíkový povrch, u něhož leží krystalická rovina s prostorovou orientací 111 na povrchu pevného křemíkového tělesa. Samozřejmě je také možné, že je povrch krystalický, takže na povrchu existuje směs krystalických rovin. Tím mohou být zesíleny hydrofobní vlastnosti. Zvlášť přitom mohou vznikat např. orientace 001 a jiné krystalické plochy na povrchu pevného křemíkového tělesa, takže mohou být dostatečně volné valence nasyceny dalšími atomy vodíku.

Vedle již popsaného mokrého chemického procesu k terminaci vodíkem přicházejí v úvahu veškeré další způsoby, které vyvolávají v podstatě úplnou terminaci vodíkem nebo alkylaci povrchu křemíkového polovodiče.

Až dosud popsaný způsob postupu podle vynálezu je zaměřen na to, že se určitý výchozí hydrofobní povrch lokálně hydrofilizuje. Podle vynálezu je možný i opačný způsob postupu, při němž se určitý hydrofílní povrch prostřednictvím určitého fotoindukčního procesu stává v těchto oblastech hydrofobním. Aby se toho dosáhlo, vytvoří se nejprve hydrofílní povrch, což lze uskutečnit například tak, že tiskařská forma 10 je upravena mokrou chemickou cestou s H₂O₂. Jinou možností je oxidace indukovaná laserem ve vlhké atmosféře.

Ozářením laserem za přítomnosti alkoholu (např. CH₃OH) se skupiny OH odstraní z povrchu. Přitom vznikají kromě skupin SiH také hydrofobní skupiny SiCH₃ a skupiny SiOCH₃. Tím je tiskařská forma 10 na ozářených plochách hydrofobní vůči vodě a tím je vhodná k tiskařskému procesu.

Kromě popsaného křemíku jako polovodiče je použitelné i germanium nebo určitá slitina, která obsahuje germanium a křemík (SiGe), ale i SiC nebo SiCN.

Navržený způsob lze použít jak uvnitř tiskařského stroje, tak i mimo něj, takže je jeho velkou výhodou použitelnost v mnohých oblastech ofsetového tisku, a dále to, že tiskařská forma 10 je opětovně použitelná. Zvláště pak při využití způsobu uvnitř tiskařského stroje vzniká podstatná časová úspora, neboť tiskařská forma 10 se nemusí vymontovávat.

Claims

PATENTOVÉ NÁROKY

1. Způsob změny smáčivosti tiskařské formy (10) s polovodičovým povrchem (12), vyznačující se tím, že polovodičový povrch (12) se uvede do prvního chemického stavu či skupenství s první smáčivosti, pak se část všech oblastí polovodičového povrchu (12) uvede do druhého chemického stavu či skupenství s druhou smáčivosti, přičemž tato druhá smáčivost je odlišná od první smáčivosti.
2. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že druhé chemické skupenství či stav nastane prostřednictvím změny atomových skupin prvních atomových vrstev v oblasti polovodičového povrchu (12).
3. Způsob podle kteréhokoliv z nároků 1 nebo 2, vyznačující se tím, že jedna ze smáčivosti je hydrofílní a druhá ze smáčivosti je hydrofobní.

-6CZ 296102 B6
4. Způsob podle kteréhokoliv z nároků 1 až 3, vyznačující se t í m , že první chemické skupenství či stav je vytvořen prostřednictvím odbourání vrstvy na polovodičovém povrchu (12) v atomární dimenzi, přednostně roztokem fluorovodíku HF anebo roztokem fluoridu amon-
5 ného AF,

5. Způsob podle kteréhokoliv z nároků 1 až 4, vyznačující se tím, že druhý chemický stav či skupenství je vytvořeno prostřednictvím lokalizovaného chemického procesu v částech oblastí polovodičového povrchu (12).
6. Způsob podle nároku 5, vyznačující se t í m , že proces se uskutečňuje prostřednictvím řízeného energetického zdroje (16) řízeného podle obrazové informace určené k tisku nebo podle negativu této obrazové informace.

15
7. Způsob podle nároku 6, vyznačující se t í m , že řízeným energetickým zdrojem (16) je laser, zejména pulzní laser nebo běžný energetický zdroj, jako je např. UV - lampa.
8. Způsob podle nároku 7, vyznačující se t í m , že laser je fluorový laser s vlnovou délkou 157 nm nebo laser s vlnovou délkou ultrafialového záření < 308 nm, nebo laser s pevnou

20 fází, jako např. laser typu Nd.YAG' s vlnovou délkou < 355 nm.
9. Způsob podle kteréhokoli z nároků laž8, vyznačující se tím, že polovodičovým povrchem (12) je amorfní polokrystalický nebo krystalický křemík, germanium nebo slitina obsahující křemík či germanium, zejména SiGe, SiC, SiCN.
10. Způsob podle kteréhokoli z nároků 1 až 9, vyznačující se t í m , že druhý chemický stav či skupenství se provádí lokálně ohraničenou změnou chemické struktury v oblasti povrchu s tloušťkou do 5 nm.

30
11. Tiskařská forma (10), zejména tiskařská deska nebo tiskařský válec s polovodičovým povrchem (12), která nese vzor skládající se z hydrofilních a hydrofobních oblastí, k provádění způsobu podle alespoň jednoho z nároků lažlO, vyznačující se tím, že hydrofilní oblasti mají chemické koncové skupiny v prvním chemickém stavu či skupenství a hydrofobní oblasti mají chemické koncové skupiny v druhém chemickém stavu či skupenství, přičemž první

35 chemický stav či skupenství je odlišné od druhého chemického stavu Či skupenství.
12. Tiskařská forma (10) podle nároku 11, vyznačující se tím, že hydrofobní oblasti odpovídají obrazové informaci určené pro tisk nebo negativu této obrazové infoímace.

40 13. Tiskařská forma (10) podle kteréhokoliv z nároků 11 nebo 12, vyznačující se t í m, že polovodičovým povrchem (12) je amorfní polokrystalický nebo krystalický křemík, ger manium nebo např. slitina obsahující křemík nebo germanium (SiGe), zejména též SiC nebo SiCN.

45 14. Tiskařská forma (10) podle kteréhokoliv z nároků 11 až 13, vyznačující se tím, že druhý chemický stav či skupenství zasahuje od polovodičového povrchu (12) do polovodiče až do tloušťky maximálně 5 nm.