JPH11216578A - ガラス基材のレーザ加工方法、この方法によって得られる回折格子及びマイクロレンズアレイ - Google Patents
ガラス基材のレーザ加工方法、この方法によって得られる回折格子及びマイクロレンズアレイInfo
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- JPH11216578A JPH11216578A JP8068440A JP6844096A JPH11216578A JP H11216578 A JPH11216578 A JP H11216578A JP 8068440 A JP8068440 A JP 8068440A JP 6844096 A JP6844096 A JP 6844096A JP H11216578 A JPH11216578 A JP H11216578A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ光によって回折格子のような微細な凹
凸パターンをガラス基板に形成することができなかっ
た。 【解決手段】 フェイズマスクにレーザ光が入射する
と、＋１次の回折光と−１次の回折光が出射し、これら
の回折光の干渉によりフェイズマスクの出射側の極近傍
に周期的な光の強度分布が得られる。そして、その周期
は、入射側のレーザ光が平行光ならば、フェイズマスク
の回折格子の周期に一致する。そして、この周期的な強
度分布が形成された領域に、ガラス基板をセットする
と、当該周期的な光強度に応じてガラスが蒸発或いはア
ブレーションし、光強度の周期と同一の周期をもつ回折
格子がガラス基板上に形成される。
凸パターンをガラス基板に形成することができなかっ
た。 【解決手段】 フェイズマスクにレーザ光が入射する
と、＋１次の回折光と−１次の回折光が出射し、これら
の回折光の干渉によりフェイズマスクの出射側の極近傍
に周期的な光の強度分布が得られる。そして、その周期
は、入射側のレーザ光が平行光ならば、フェイズマスク
の回折格子の周期に一致する。そして、この周期的な強
度分布が形成された領域に、ガラス基板をセットする
と、当該周期的な光強度に応じてガラスが蒸発或いはア
ブレーションし、光強度の周期と同一の周期をもつ回折
格子がガラス基板上に形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基材に対す
るレーザ加工方法及びこの加工方法によって得られる回
折格子及びマイクロレンズアレイに関する。
るレーザ加工方法及びこの加工方法によって得られる回
折格子及びマイクロレンズアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラスのうち特にＳiＯ2を主成分とする
珪酸塩ガラスは、透明度が高く、高温下で簡単に成形
（変形）が可能なため、微細加工にて孔開けや凹凸を形
成することで、光通信等に用いる光学部品やディスプレ
イ用のガラス基板等として広く用いられている。
珪酸塩ガラスは、透明度が高く、高温下で簡単に成形
（変形）が可能なため、微細加工にて孔開けや凹凸を形
成することで、光通信等に用いる光学部品やディスプレ
イ用のガラス基板等として広く用いられている。
【０００３】上記の珪酸塩ガラスに微細加工を施すに
は、従来にあっては、フッ酸等のエッチャントを用いた
ウェットエッチング（化学エッチング）、或いはリアク
ティブイオンエッチング等のドライエッチング（物理エ
ッチング）によるのが一般的である。
は、従来にあっては、フッ酸等のエッチャントを用いた
ウェットエッチング（化学エッチング）、或いはリアク
ティブイオンエッチング等のドライエッチング（物理エ
ッチング）によるのが一般的である。
【０００４】しかしながら、ウェットエッチングにあっ
ては、エッチャントの管理と処理の問題があり、ドライ
エッチングにあっては真空容器等の設備が必要になり装
置自体が大掛かりとなり、更に複雑なフォトリソグラフ
ィー技術によってパターンマスク等を形成しなければな
らず効率的でない。
ては、エッチャントの管理と処理の問題があり、ドライ
エッチングにあっては真空容器等の設備が必要になり装
置自体が大掛かりとなり、更に複雑なフォトリソグラフ
ィー技術によってパターンマスク等を形成しなければな
らず効率的でない。
【０００５】一方、レーザ光は強力なエネルギーを有
し、照射された材料の表面温度を上げ、照射された部分
をアブレーション（爆蝕）或いは蒸発せしめて種々の加
工を施すことが従来から行われている。特にレーザ光は
極めて小さなスポットに絞ることができるので、微細加
工に適している。
し、照射された材料の表面温度を上げ、照射された部分
をアブレーション（爆蝕）或いは蒸発せしめて種々の加
工を施すことが従来から行われている。特にレーザ光は
極めて小さなスポットに絞ることができるので、微細加
工に適している。
【０００６】そこで、特開昭５４−２８５９０号公報に
は、予め３００〜７００℃に加熱したガラス基板をテー
ブル上に固定し、このテーブルをＸ−Ｙ方向に移動させ
つつレーザ光を照射することで、ガラス基板表面を加工
することが開示されている。
は、予め３００〜７００℃に加熱したガラス基板をテー
ブル上に固定し、このテーブルをＸ−Ｙ方向に移動させ
つつレーザ光を照射することで、ガラス基板表面を加工
することが開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ガラ
ス基板を固定したテーブルをＸ−Ｙ方向に移動させるこ
とで、所望形状の凹凸をガラス基板に形成することがで
きるのであるが、凹凸形状が例えば回折格子のような微
細形状の場合、テーブルを移動させることで対処するこ
とはできない。
ス基板を固定したテーブルをＸ−Ｙ方向に移動させるこ
とで、所望形状の凹凸をガラス基板に形成することがで
きるのであるが、凹凸形状が例えば回折格子のような微
細形状の場合、テーブルを移動させることで対処するこ
とはできない。
【０００８】また、レーザ光にもＣＯ2レーザ等の赤外
線レーザ、Ｎd：ＹＡＧレーザ、Ｎd：ＹＡＧレーザと波
長変換を組み合わせた近赤外領域から可視更には紫外領
域に亘るレーザ、或いはＡrＦ、ＫrＦ等のエキシマレー
ザ等の紫外線レーザ等の種々のレーザ光があり、長波長
のＣＯ2ガスレーザを用いた場合には熱歪による割れが
激しく起こる。また、紫外線域のＫrＦエキシマレーザ
（波長２４８ｎｍ）を用いた場合でも照射痕周辺にはク
ラックが発生し、微細加工には適しない。そこで、ガラ
ス加工に用いるレーザ光としては波長１９３ｎｍのＡr
Ｆエキシマレーザの使用が最適となるが、このＡrＦエ
キシマレーザを使用した場合には空気による吸収があ
り、長い光軸を持たせるためにはＡr等の吸収のないガ
スと置換するか、真空にしなければならない。
線レーザ、Ｎd：ＹＡＧレーザ、Ｎd：ＹＡＧレーザと波
長変換を組み合わせた近赤外領域から可視更には紫外領
域に亘るレーザ、或いはＡrＦ、ＫrＦ等のエキシマレー
ザ等の紫外線レーザ等の種々のレーザ光があり、長波長
のＣＯ2ガスレーザを用いた場合には熱歪による割れが
激しく起こる。また、紫外線域のＫrＦエキシマレーザ
（波長２４８ｎｍ）を用いた場合でも照射痕周辺にはク
ラックが発生し、微細加工には適しない。そこで、ガラ
ス加工に用いるレーザ光としては波長１９３ｎｍのＡr
Ｆエキシマレーザの使用が最適となるが、このＡrＦエ
キシマレーザを使用した場合には空気による吸収があ
り、長い光軸を持たせるためにはＡr等の吸収のないガ
スと置換するか、真空にしなければならない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明に係るガラス基材のレーザ加工方法は、ガラス基
材に対してレーザ光を照射し、レーザ光エネルギーをガ
ラス基材に吸収させ、このエネルギーによる溶融、蒸発
若しくはアブレーションによってガラスを除去するよう
にしたガラス基材のレーザ加工方法において、前記ガラ
ス基材表面に照射されるレーザ光の光強度を部分的に異
ならせ、光強度の強い部分のガラス除去量を多く、光強
度の弱い部分のガラス除去量を少なくしてガラス基材表
面に微細な凹凸を形成するようにした。
本発明に係るガラス基材のレーザ加工方法は、ガラス基
材に対してレーザ光を照射し、レーザ光エネルギーをガ
ラス基材に吸収させ、このエネルギーによる溶融、蒸発
若しくはアブレーションによってガラスを除去するよう
にしたガラス基材のレーザ加工方法において、前記ガラ
ス基材表面に照射されるレーザ光の光強度を部分的に異
ならせ、光強度の強い部分のガラス除去量を多く、光強
度の弱い部分のガラス除去量を少なくしてガラス基材表
面に微細な凹凸を形成するようにした。
【００１０】また、前記レーザ光として周期的若しくは
規則的な光強度分布を有するレーザ光を用いることで、
光結合器、偏光器、分波器、波長フィルタ、反射器或い
はモード変換器等に組み込まれる回折格子或いはマイク
ロレンズアレイを製造することができる。
規則的な光強度分布を有するレーザ光を用いることで、
光結合器、偏光器、分波器、波長フィルタ、反射器或い
はモード変換器等に組み込まれる回折格子或いはマイク
ロレンズアレイを製造することができる。
【００１１】周期的な光強度分布を有するレーザ光は、
フェイズマスク或いは２本のレーザ光を干渉せしめるこ
とによって得ることができ、ガラス基材表面に形成され
る周期的な凹凸の断面形状は、レーザ光のパルスエネル
ギーにて制御することができる。また、規則的な光強度
分布を有するレーザ光は、網目状マスク等を用いること
で得ることができる。
フェイズマスク或いは２本のレーザ光を干渉せしめるこ
とによって得ることができ、ガラス基材表面に形成され
る周期的な凹凸の断面形状は、レーザ光のパルスエネル
ギーにて制御することができる。また、規則的な光強度
分布を有するレーザ光は、網目状マスク等を用いること
で得ることができる。
【００１２】更に、従来であれば、ガラス加工に用いる
ことができるレーザ光は波長１９３ｎｍのＡrＦエキシ
マレーザに限定され、しかもＡr等の吸収のないガスと
置換するか、真空にしなければならないので装置が大掛
りになってしまうが、ガラスにＡg原子、Ａgコロイドま
たはＡgイオンの形態で銀を導入することで、波長の長
いレーザ光を使用しても割れや欠けを生じることなく照
射痕も極めて平滑になることが実験の結果判明した。
ことができるレーザ光は波長１９３ｎｍのＡrＦエキシ
マレーザに限定され、しかもＡr等の吸収のないガスと
置換するか、真空にしなければならないので装置が大掛
りになってしまうが、ガラスにＡg原子、Ａgコロイドま
たはＡgイオンの形態で銀を導入することで、波長の長
いレーザ光を使用しても割れや欠けを生じることなく照
射痕も極めて平滑になることが実験の結果判明した。
【００１３】ただし、従来の感光性ガラスや抗菌ガラス
のように均一な濃度で銀が含有されている場合には、レ
ーザ加工性の向上は見られず、加工が施される側の表面
における銀の濃度が最も高く、徐々に他の面側に向かっ
て銀の濃度が低下する濃度勾配となっていることが必要
である。
のように均一な濃度で銀が含有されている場合には、レ
ーザ加工性の向上は見られず、加工が施される側の表面
における銀の濃度が最も高く、徐々に他の面側に向かっ
て銀の濃度が低下する濃度勾配となっていることが必要
である。
【００１４】これは、以下の図１に示す機構によるもの
と考えられる。即ち、図１（ａ）に示すように、Ａgイ
オンの濃度が最も高い側の表面からレーザ光を照射す
る。すると、同図（ｂ）に示すように、最もＡgイオン
濃度が高いガラス基材表面のＡgイオンが還元せしめら
れてコロイド（Ａgの超微粒子）となり、このコロイド
がレーザ光エネルギーを吸収し、同図（ｃ）に示すよう
に、このエネルギーによる溶融、蒸発若しくはアブレー
ションを生じ、表層部のガラスが除去される。そして、
表層部のガラスが除去されるとその下層のガラスでも同
様の現象が順次起こり、最終的には同図（ｄ）に示すよ
うに凹部若しくは貫通穴が形成される。このように、ガ
ラス基材の最表面から徐々にガラスが除去されてゆくの
で、割れや欠けが発生しにくい。これに対し、銀の濃度
が均一であったり、銀が含まれていないガラス基材にあ
っては、ガラス基材内部でアブレーション等が生じ、割
れや欠けが発生しやすい。
と考えられる。即ち、図１（ａ）に示すように、Ａgイ
オンの濃度が最も高い側の表面からレーザ光を照射す
る。すると、同図（ｂ）に示すように、最もＡgイオン
濃度が高いガラス基材表面のＡgイオンが還元せしめら
れてコロイド（Ａgの超微粒子）となり、このコロイド
がレーザ光エネルギーを吸収し、同図（ｃ）に示すよう
に、このエネルギーによる溶融、蒸発若しくはアブレー
ションを生じ、表層部のガラスが除去される。そして、
表層部のガラスが除去されるとその下層のガラスでも同
様の現象が順次起こり、最終的には同図（ｄ）に示すよ
うに凹部若しくは貫通穴が形成される。このように、ガ
ラス基材の最表面から徐々にガラスが除去されてゆくの
で、割れや欠けが発生しにくい。これに対し、銀の濃度
が均一であったり、銀が含まれていないガラス基材にあ
っては、ガラス基材内部でアブレーション等が生じ、割
れや欠けが発生しやすい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。 （実施例１）図２に示す装置を用いてイオン交換を行っ
た。加工用ガラス基材としては、ＳiＯ2を主成分とし、
これにＡl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｎa2Ｏ、Ｆ等を含む厚さ２ｍ
ｍの珪酸塩ガラスとし、石英容器内に満たす溶融塩とし
ては硝酸銀と硝酸ナトリウムを５０mol%−５０mol%で混
合したものを用いた。
図面に基づいて説明する。 （実施例１）図２に示す装置を用いてイオン交換を行っ
た。加工用ガラス基材としては、ＳiＯ2を主成分とし、
これにＡl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｎa2Ｏ、Ｆ等を含む厚さ２ｍ
ｍの珪酸塩ガラスとし、石英容器内に満たす溶融塩とし
ては硝酸銀と硝酸ナトリウムを５０mol%−５０mol%で混
合したものを用いた。
【００１６】上記の加工用ガラス基材を溶融塩を満たし
た石英容器内に１２分間浸漬した。尚、溶融塩の温度は
電気炉中で２８５℃に保ち、反応雰囲気は空気とした。
以上の処理により、ガラス基材表面のＮaイオン（１価
の陽イオン）を溶出せしめ、溶融塩中のＡgイオンをガ
ラス中に拡散せしめた。Ａgが拡散した層の厚さをＸ線
マイクロアナライザーで測定したところ約５μｍであっ
た。
た石英容器内に１２分間浸漬した。尚、溶融塩の温度は
電気炉中で２８５℃に保ち、反応雰囲気は空気とした。
以上の処理により、ガラス基材表面のＮaイオン（１価
の陽イオン）を溶出せしめ、溶融塩中のＡgイオンをガ
ラス中に拡散せしめた。Ａgが拡散した層の厚さをＸ線
マイクロアナライザーで測定したところ約５μｍであっ
た。
【００１７】そして、図３に示す装置を用いて回折格子
を製造した。具体的には、上記のガラス基板のイオン交
換がなされた面に、スペーサを介して回折格子を形成し
たフェイズマスクを備えた基板を配置し、レーザ光を照
射した。フェイズマスクにレーザ光が入射すると、図４
（ａ）に示すように、主として＋１次の回折光と−１次
の回折光が出射し、これらの回折光の干渉によりフェイ
ズマスクの出射側の極近傍に周期的な光の強度分布が得
られる。そして、その周期は、入射側のレーザ光が平行
光ならば、フェイズマスクの回折格子の周期に一致す
る。ここで、本実施例のフェイズマスクは回折格子周
期：１０５５ｎｍ、回折格子深さ：約２５０ｎｍ、サイ
ズ：１０ｍｍ×５ｍｍ（ＱＰＳ Technology Inc.製 Ca
nada）を使用したので、１０５５ｎｍ程度の周期の光強
度分布が形成される。
を製造した。具体的には、上記のガラス基板のイオン交
換がなされた面に、スペーサを介して回折格子を形成し
たフェイズマスクを備えた基板を配置し、レーザ光を照
射した。フェイズマスクにレーザ光が入射すると、図４
（ａ）に示すように、主として＋１次の回折光と−１次
の回折光が出射し、これらの回折光の干渉によりフェイ
ズマスクの出射側の極近傍に周期的な光の強度分布が得
られる。そして、その周期は、入射側のレーザ光が平行
光ならば、フェイズマスクの回折格子の周期に一致す
る。ここで、本実施例のフェイズマスクは回折格子周
期：１０５５ｎｍ、回折格子深さ：約２５０ｎｍ、サイ
ズ：１０ｍｍ×５ｍｍ（ＱＰＳ Technology Inc.製 Ca
nada）を使用したので、１０５５ｎｍ程度の周期の光強
度分布が形成される。
【００１８】そして、この周期的な強度分布が形成され
た領域に、図４（ｂ）に示すように、ガラス基板をセッ
トした。その結果、図４（ｃ）に示すように、当該周期
的な光強度に応じてガラスが蒸発或いはアブレーション
し、光強度の周期と同一の周期をもつ回折格子がガラス
基板上に形成された。
た領域に、図４（ｂ）に示すように、ガラス基板をセッ
トした。その結果、図４（ｃ）に示すように、当該周期
的な光強度に応じてガラスが蒸発或いはアブレーション
し、光強度の周期と同一の周期をもつ回折格子がガラス
基板上に形成された。
【００１９】尚、使用したレーザ光は、Ｎd：ＹＡＧレ
ーザの第３高調波である３５５ｎｍの光とした。パルス
幅は約１０ｎｓｅｃ、繰り返し周波数は５Ｈzであっ
た。またレーザ光の１パルスあたりのエネルギーは、レ
ーザのＱスイッチのタイミングを変えることで調整が可
能であり、本実施例で用いたレーザの場合、最大のパル
スエネルギーは約９０ｍＪであり、ビーム直径は約５ｍ
ｍであった。また、レーザ光による蒸発或いはアブレー
ションは、一般に非線形であり、ある強度以上になった
とき、はじめて材料の蒸発が起きる。本実施例で使用し
たガラス基板の場合、３５５ｎｍの波長だと、３〜４Ｊ
／ｃｍ2／pulse以上のエネルギー密度にならなければ、
アブレーションは起きない。上述のように本実施例で使
用したレーザのエネルギー密度は、約０．４６Ｊ／ｃｍ
2であり、このままではガラスのアブレーションは起き
ないので、エネルギー密度を増大させるため、レーザ光
を焦点距離２５０ｎｍのレンズで絞り込んでガラス基板
上でのビームサイズが約２ｍｍになるようにした。
ーザの第３高調波である３５５ｎｍの光とした。パルス
幅は約１０ｎｓｅｃ、繰り返し周波数は５Ｈzであっ
た。またレーザ光の１パルスあたりのエネルギーは、レ
ーザのＱスイッチのタイミングを変えることで調整が可
能であり、本実施例で用いたレーザの場合、最大のパル
スエネルギーは約９０ｍＪであり、ビーム直径は約５ｍ
ｍであった。また、レーザ光による蒸発或いはアブレー
ションは、一般に非線形であり、ある強度以上になった
とき、はじめて材料の蒸発が起きる。本実施例で使用し
たガラス基板の場合、３５５ｎｍの波長だと、３〜４Ｊ
／ｃｍ2／pulse以上のエネルギー密度にならなければ、
アブレーションは起きない。上述のように本実施例で使
用したレーザのエネルギー密度は、約０．４６Ｊ／ｃｍ
2であり、このままではガラスのアブレーションは起き
ないので、エネルギー密度を増大させるため、レーザ光
を焦点距離２５０ｎｍのレンズで絞り込んでガラス基板
上でのビームサイズが約２ｍｍになるようにした。
【００２０】具体的な照射方法は、先ずレーザ光の強度
を下げてレーザ光が図３に示すようにフェイズマスクの
基板側からほぼ垂直に入射するように光軸の調整を行
い、その後、レーザ光源のＱスイッチのタイミングを変
えて、レーザ光のエネルギーを徐々に増加させた。レー
ザ光の光エネルギーが約８０ｍＪ／ｐｕｌｓｅになった
ときガラスのアブレーションが確認されたので、その状
態のまま５パルスだけレーザ光を照射し、レーザ光の照
射を停止した。
を下げてレーザ光が図３に示すようにフェイズマスクの
基板側からほぼ垂直に入射するように光軸の調整を行
い、その後、レーザ光源のＱスイッチのタイミングを変
えて、レーザ光のエネルギーを徐々に増加させた。レー
ザ光の光エネルギーが約８０ｍＪ／ｐｕｌｓｅになった
ときガラスのアブレーションが確認されたので、その状
態のまま５パルスだけレーザ光を照射し、レーザ光の照
射を停止した。
【００２１】上記によって形成された回折格子の形状を
図５及び図６に示す。ここで、図５（ａ）は回折格子の
平面を走査型電子顕微鏡で観察した写真（10,000倍）、
同図（ｂ）は同写真に基づいて作成した図、図６（ａ）
は回折格子の断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真
（10,000倍）、同図（ｂ）は同写真に基づいて作成した
図であり、これらの図から明らかなように、回折格子の
周期は、使用したフェイズマスクの周期とほぼ一致して
おり、また回折格子の形状は光強度の周期構造の分布に
従い曲面となっており、更に回折格子表面も非常に平滑
であった。
図５及び図６に示す。ここで、図５（ａ）は回折格子の
平面を走査型電子顕微鏡で観察した写真（10,000倍）、
同図（ｂ）は同写真に基づいて作成した図、図６（ａ）
は回折格子の断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真
（10,000倍）、同図（ｂ）は同写真に基づいて作成した
図であり、これらの図から明らかなように、回折格子の
周期は、使用したフェイズマスクの周期とほぼ一致して
おり、また回折格子の形状は光強度の周期構造の分布に
従い曲面となっており、更に回折格子表面も非常に平滑
であった。
【００２２】尚、以上の測定は回折格子のほぼ中央で測
定したものであるが、レーザビームの周辺部ではビーム
中央部に比べて強度が低いので、中央部と異なる形状の
回折格子が形成される。即ち、レーザビームの照射領域
の中央部分（最も光強度が強い部分）では、光強度分布
の凹部でもアブレーションが起きるので、作製された回
折格子の凸部及び凹部は滑らかな曲面状になるのに対
し、レーザビームの照射領域の周辺部（光強度の低い部
分）では光強度分布の凸部のみでアブレーションが起き
る結果、台形状の断面構造となる。このとき、回折格子
の凸部上面はもともとガラス基板の表面であるので、そ
れほど滑らかにならない。
定したものであるが、レーザビームの周辺部ではビーム
中央部に比べて強度が低いので、中央部と異なる形状の
回折格子が形成される。即ち、レーザビームの照射領域
の中央部分（最も光強度が強い部分）では、光強度分布
の凹部でもアブレーションが起きるので、作製された回
折格子の凸部及び凹部は滑らかな曲面状になるのに対
し、レーザビームの照射領域の周辺部（光強度の低い部
分）では光強度分布の凸部のみでアブレーションが起き
る結果、台形状の断面構造となる。このとき、回折格子
の凸部上面はもともとガラス基板の表面であるので、そ
れほど滑らかにならない。
【００２３】上記したように、レーザビームの中央部分
と周辺部分の光強度の違いによって形成される回折格子
の形状が変化することを確かめたが、本実施例ではレー
ザ光の強度自体を変えても同様に回折格子の断面構造が
変化することを確認した。このようにして回折格子を製
造すれば、特別な真空容器を必要とすることなく、非常
に簡便に、しかも安価にガラス上に回折格子を作製でき
る。
と周辺部分の光強度の違いによって形成される回折格子
の形状が変化することを確かめたが、本実施例ではレー
ザ光の強度自体を変えても同様に回折格子の断面構造が
変化することを確認した。このようにして回折格子を製
造すれば、特別な真空容器を必要とすることなく、非常
に簡便に、しかも安価にガラス上に回折格子を作製でき
る。
【００２４】ところで、本実施例にあってはスペーサに
よってフェイズマスクとガラス基板との間隔が約５０μ
ｍとなるようにしている。これは、ガラス基板表面から
の蒸発物がフェイズマスクに付着するのを極力防ぐため
であり、この間隔自体は任意である。例えば＋１次光と
−１次光とが重なっている範囲内ならば、フェイズマス
クとガラス基板を密着させても回折格子は作製できる
し、フェイズマスクとガラス基板との間に１５０μｍ程
度の厚さの石英板を挟み密着させてレーザ照射を行った
場合も、本実施例と同様に回折格子が作製できた。フェ
イズマスクは繰り返し使用されるものであり、その汚れ
を防ぐことは重要であり、したがってスペーサを介在さ
せることは有効な手段である。
よってフェイズマスクとガラス基板との間隔が約５０μ
ｍとなるようにしている。これは、ガラス基板表面から
の蒸発物がフェイズマスクに付着するのを極力防ぐため
であり、この間隔自体は任意である。例えば＋１次光と
−１次光とが重なっている範囲内ならば、フェイズマス
クとガラス基板を密着させても回折格子は作製できる
し、フェイズマスクとガラス基板との間に１５０μｍ程
度の厚さの石英板を挟み密着させてレーザ照射を行った
場合も、本実施例と同様に回折格子が作製できた。フェ
イズマスクは繰り返し使用されるものであり、その汚れ
を防ぐことは重要であり、したがってスペーサを介在さ
せることは有効な手段である。
【００２５】（実施例２）本実施例にあっては、前記実
施例のフェイズマスクを使用する代りに、２本のレーザ
光の干渉を利用して周期的な強度分布を形成した。即
ち、図７に示すように、レーザ光をビームスプリッタに
より２つに分け、ある角度を持たせて再び重ね合わせる
と、その重なり合った部分に周期的な光強度分布が形成
される。その周期はレーザ光を重ね合せる角度により決
まる。本実施例では、２本のレーザビームの入射角を約
２０°になるような光学系を構成した。このときの光強
度分布の周期は約１０２０ｎｍになる。そして、前記実
施例１で使用したものと同種のレーザ加工性のあるガラ
スを、その２本レーザビームが重なり合った部分に設置
し、レーザ光を照射した結果、アブレーションが起き
た。図中のレンズはガラス面上でのエネルギー密度を上
げるために使用したものであり、アブレーションが起き
たときのエネルギー密度は、前記実施例と同様な値にな
った。
施例のフェイズマスクを使用する代りに、２本のレーザ
光の干渉を利用して周期的な強度分布を形成した。即
ち、図７に示すように、レーザ光をビームスプリッタに
より２つに分け、ある角度を持たせて再び重ね合わせる
と、その重なり合った部分に周期的な光強度分布が形成
される。その周期はレーザ光を重ね合せる角度により決
まる。本実施例では、２本のレーザビームの入射角を約
２０°になるような光学系を構成した。このときの光強
度分布の周期は約１０２０ｎｍになる。そして、前記実
施例１で使用したものと同種のレーザ加工性のあるガラ
スを、その２本レーザビームが重なり合った部分に設置
し、レーザ光を照射した結果、アブレーションが起き
た。図中のレンズはガラス面上でのエネルギー密度を上
げるために使用したものであり、アブレーションが起き
たときのエネルギー密度は、前記実施例と同様な値にな
った。
【００２６】作製した回折格子の周期を測定したとこ
ろ、予想された周期とほぼ一致した。断面形状を走査型
電子顕微鏡で測定したところ、（実施例１）と同様に、
曲面で表面の滑らかな回折格子が形成されていることが
確かめられた。
ろ、予想された周期とほぼ一致した。断面形状を走査型
電子顕微鏡で測定したところ、（実施例１）と同様に、
曲面で表面の滑らかな回折格子が形成されていることが
確かめられた。
【００２７】ここで、（実施例１）と（実施例２）で
は、周期的な強度分布を形成する手段が異なり、それぞ
れに長所と短所がある。即ち、フェイズマスクを利用し
た方法は、光学系の構成が簡単で周期の再現性もよいの
で、同一の周期の回折格子を生産する場合には有利であ
る。一方、周期の変更を頻繁に行う場合には２本のレー
ザ光の干渉を利用する方法が有利である。
は、周期的な強度分布を形成する手段が異なり、それぞ
れに長所と短所がある。即ち、フェイズマスクを利用し
た方法は、光学系の構成が簡単で周期の再現性もよいの
で、同一の周期の回折格子を生産する場合には有利であ
る。一方、周期の変更を頻繁に行う場合には２本のレー
ザ光の干渉を利用する方法が有利である。
【００２８】（実施例３）図８に示すように、ガラス基
板上にメッシュパターンを持つ銅製のマスクを密着し、
レーザ光を焦点距離２５０ｍｍのレンズで絞り込み、ガ
ラス基板上でのビームサイズが約２ｍｍになるようにし
て照射を行った。使用したガラスは、前記実施例１で使
用したものと同種のレーザ加工性のあるガラスを使用
し、Ａgイオンのガラス内への導入条件は、溶融塩の温
度を３００℃とした以外は実施例１と同様とし、使用す
るレーザ光はＮd：ＹＡＧレーザの第２高調波である５
３２ｎｍの光とした。パルス幅は約１０ｎｓｅｃ、繰り
返し周波数は５Ｈzであった。またレーザ光の１パルス
あたりのエネルギーは、レーザのＱスイッチのタイミン
グを変えることで調整が可能であり、本実施例で用いた
レーザの場合、最大のパルスエネルギーは約９０ｍＪで
あり、ビーム直径は約５ｍｍであった。
板上にメッシュパターンを持つ銅製のマスクを密着し、
レーザ光を焦点距離２５０ｍｍのレンズで絞り込み、ガ
ラス基板上でのビームサイズが約２ｍｍになるようにし
て照射を行った。使用したガラスは、前記実施例１で使
用したものと同種のレーザ加工性のあるガラスを使用
し、Ａgイオンのガラス内への導入条件は、溶融塩の温
度を３００℃とした以外は実施例１と同様とし、使用す
るレーザ光はＮd：ＹＡＧレーザの第２高調波である５
３２ｎｍの光とした。パルス幅は約１０ｎｓｅｃ、繰り
返し周波数は５Ｈzであった。またレーザ光の１パルス
あたりのエネルギーは、レーザのＱスイッチのタイミン
グを変えることで調整が可能であり、本実施例で用いた
レーザの場合、最大のパルスエネルギーは約９０ｍＪで
あり、ビーム直径は約５ｍｍであった。
【００２９】上記のガラス基板にレーザ加工を行うに
は、先ずレーザ光の強度を下げてレーザ光が図８に示す
ようにマスクの基板側からほぼ垂直に入射するように光
軸の調整を行い、その後、レーザ光源のＱスイッチのタ
イミングを変えて、レーザ光のエネルギーを徐々に増加
させた。レーザ光の光エネルギーが約４Ｊ／cm2／ｐｕ
ｌｓｅになったときガラスのアブレーションが確認され
たので、その状態のまま５パルスだけレーザ光を照射
し、レーザ光の照射を停止した。
は、先ずレーザ光の強度を下げてレーザ光が図８に示す
ようにマスクの基板側からほぼ垂直に入射するように光
軸の調整を行い、その後、レーザ光源のＱスイッチのタ
イミングを変えて、レーザ光のエネルギーを徐々に増加
させた。レーザ光の光エネルギーが約４Ｊ／cm2／ｐｕ
ｌｓｅになったときガラスのアブレーションが確認され
たので、その状態のまま５パルスだけレーザ光を照射
し、レーザ光の照射を停止した。
【００３０】上記ガラス基板に形成された凹凸の形状を
図９に示す。ここで、図９（ａ）は加工後のガラス基板
の平面の写真、同図（ｂ）は同写真に基づいて作成した
図であり、これらの図から明らかなように、ガラス基板
にはメッシュ間隔５０μｍのマスクパターンが忠実に転
写されていた。また、各凹部の周辺の割れは観察されな
かった。尚、１μｍ前後の間隔で回折光の干渉光のパタ
ーンも観察された。このことは１μｍ前後の微細なオー
ダーでの転写も可能であることを示している。また本実
施例では、５３２ｎｍのレーザ光を用いたが、３５５ｎ
ｍの光でも同様の結果が得られた。更に、マスクの材料
としては銅に限らず、アルミ、金等の熱伝導性に優れた
材料、タングステン、ステンレス、タンタル等の高融点
材料を使用することが可能である。
図９に示す。ここで、図９（ａ）は加工後のガラス基板
の平面の写真、同図（ｂ）は同写真に基づいて作成した
図であり、これらの図から明らかなように、ガラス基板
にはメッシュ間隔５０μｍのマスクパターンが忠実に転
写されていた。また、各凹部の周辺の割れは観察されな
かった。尚、１μｍ前後の間隔で回折光の干渉光のパタ
ーンも観察された。このことは１μｍ前後の微細なオー
ダーでの転写も可能であることを示している。また本実
施例では、５３２ｎｍのレーザ光を用いたが、３５５ｎ
ｍの光でも同様の結果が得られた。更に、マスクの材料
としては銅に限らず、アルミ、金等の熱伝導性に優れた
材料、タングステン、ステンレス、タンタル等の高融点
材料を使用することが可能である。
【００３１】尚、上記の如きマスクパターンが転写され
たガラス基板は、例えば凹部に高屈折率樹脂を充填する
等の加工を施すことで、液晶ディスプレイ装置やプラズ
マディスプレイ装置等に組み込まれる平板型のマイクロ
レンズアレイ等として用いられる。
たガラス基板は、例えば凹部に高屈折率樹脂を充填する
等の加工を施すことで、液晶ディスプレイ装置やプラズ
マディスプレイ装置等に組み込まれる平板型のマイクロ
レンズアレイ等として用いられる。
【００３２】（実施例４）この実施例にあっては、図１
０に示すように、銅製のマスクをガラス基板上に密着さ
せずに、レンズの光軸上に設置してレーザ光をガラス基
板に照射した。使用したガラス、Ａgイオンのガラス内
への導入条件及び使用レーザ光は、前記実施例３と同様
とした。
０に示すように、銅製のマスクをガラス基板上に密着さ
せずに、レンズの光軸上に設置してレーザ光をガラス基
板に照射した。使用したガラス、Ａgイオンのガラス内
への導入条件及び使用レーザ光は、前記実施例３と同様
とした。
【００３３】また図１０において、レンズ（焦点距離10
0mm）のレンズによってマスクの実像が結像する位置に
ガラスをセットした。そして、実施例３と同様に、ガラ
スがアブレーションするエネルギー密度である約４Ｊ／
cm2／ｐｕｌｓｅになったときガラスのアブレーション
が確認されたので、その状態のまま１０パルスだけレー
ザ光を照射し、レーザ光の照射を停止した。
0mm）のレンズによってマスクの実像が結像する位置に
ガラスをセットした。そして、実施例３と同様に、ガラ
スがアブレーションするエネルギー密度である約４Ｊ／
cm2／ｐｕｌｓｅになったときガラスのアブレーション
が確認されたので、その状態のまま１０パルスだけレー
ザ光を照射し、レーザ光の照射を停止した。
【００３４】上記ガラス基板に形成された凹凸の形状を
図１１に示す。ここで、図１１（ａ）は加工後のガラス
基板の平面の写真、同図（ｂ）は同写真に基づいて作成
した図であり、これらの図から明らかなように、ガラス
基板には実施例３と同一のマスクを用いて、実施例３よ
りも縮小されたサイズでメッシュが転写されていた。こ
のように、レンズを用いることで、縮小転写及び拡大転
写が可能となる。
図１１に示す。ここで、図１１（ａ）は加工後のガラス
基板の平面の写真、同図（ｂ）は同写真に基づいて作成
した図であり、これらの図から明らかなように、ガラス
基板には実施例３と同一のマスクを用いて、実施例３よ
りも縮小されたサイズでメッシュが転写されていた。こ
のように、レンズを用いることで、縮小転写及び拡大転
写が可能となる。
【００３５】また、上記にあってはマスクを用いて平板
型のマイクロレンズアレイ用のガラス基板を製造する例
を示したが、３本或いはそれ以上のレーザ光を干渉させ
ることによって、図１２の（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、マイクロレンズアレイ用のガラス基板を製造するこ
とが可能である。
型のマイクロレンズアレイ用のガラス基板を製造する例
を示したが、３本或いはそれ以上のレーザ光を干渉させ
ることによって、図１２の（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、マイクロレンズアレイ用のガラス基板を製造するこ
とが可能である。
【００３６】尚、実施例にあってはＡl2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−
Ｎa2Ｏ−Ｆ系の珪酸塩ガラスにＡgイオン交換処理を施
したものを示したが、他のガラスにＡgイオン交換処理
を施したもの、或いはＡgイオン交換処理を施さないも
のであっても、レーザ加工性を有するものであれば本発
明方法の実施対象として用いることができる。また、本
発明方法の実施対象となるガラス基材の形状としては板
状のものに限らず、円柱状等任意である。
Ｎa2Ｏ−Ｆ系の珪酸塩ガラスにＡgイオン交換処理を施
したものを示したが、他のガラスにＡgイオン交換処理
を施したもの、或いはＡgイオン交換処理を施さないも
のであっても、レーザ加工性を有するものであれば本発
明方法の実施対象として用いることができる。また、本
発明方法の実施対象となるガラス基材の形状としては板
状のものに限らず、円柱状等任意である。
【００３７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
レーザ光によってガラスを加工するにあたり、ガラス表
面に照射されるレーザ光の光強度を部分的に異ならせ、
光強度の強い部分のガラス除去量を多く、光強度の弱い
部分のガラス除去量を少なくしてガラス表面に微細な凹
凸を形成するようにしたので、従来に比べ極めて微細な
パターンを正確且つ短時間に形成することができる。
レーザ光によってガラスを加工するにあたり、ガラス表
面に照射されるレーザ光の光強度を部分的に異ならせ、
光強度の強い部分のガラス除去量を多く、光強度の弱い
部分のガラス除去量を少なくしてガラス表面に微細な凹
凸を形成するようにしたので、従来に比べ極めて微細な
パターンを正確且つ短時間に形成することができる。
【００３８】したがって、回折格子の製造或いは平板マ
イクロレンズアレイの基板の製造等に利用すれば、極め
て有効である。
イクロレンズアレイの基板の製造等に利用すれば、極め
て有効である。
【００３９】特に、使用するガラスとして銀が原子、コ
ロイドまたはイオンの形態でガラス中に導入され、且つ
Ａ銀の濃度が加工される表面において最も高濃度で、表
面から内部に行くにしたがって徐々に濃度が低下するよ
うにすれば、波長が比較的長いレーザ光を使用しても、
割れや欠けが生じることがない。そして、波長の長いレ
ーザ光を使用できれば、空気による吸収を考慮しなくて
よいので、装置自体が簡単になる。
ロイドまたはイオンの形態でガラス中に導入され、且つ
Ａ銀の濃度が加工される表面において最も高濃度で、表
面から内部に行くにしたがって徐々に濃度が低下するよ
うにすれば、波長が比較的長いレーザ光を使用しても、
割れや欠けが生じることがない。そして、波長の長いレ
ーザ光を使用できれば、空気による吸収を考慮しなくて
よいので、装置自体が簡単になる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明に係るガラスのレーザ
加工方法の基本的概念を説明した図
加工方法の基本的概念を説明した図
【図２】イオン交換に用いる装置の模式図
【図３】本発明方法で回折格子を製造する装置の概略図
【図４】（ａ）はフェイズマスクの作用を説明した図、
（ｂ）は同フェイズマスクを介してガラス基板にレーザ
光を照射している状態を示す図、（ｃ）はレーザ加工さ
れたガラス基板を示す図
（ｂ）は同フェイズマスクを介してガラス基板にレーザ
光を照射している状態を示す図、（ｃ）はレーザ加工さ
れたガラス基板を示す図
【図５】（ａ）は回折格子の平面を走査型電子顕微鏡で
観察した写真（10,000倍）、（ｂ）は同写真に基づいて
作成した図
観察した写真（10,000倍）、（ｂ）は同写真に基づいて
作成した図
【図６】（ａ）は回折格子の断面を走査型電子顕微鏡で
観察した写真（10,000倍）、（ｂ）は同写真に基づいて
作成した図
観察した写真（10,000倍）、（ｂ）は同写真に基づいて
作成した図
【図７】レーザ光に周期的な強度分布を形成する手段の
別実施例を示す図
別実施例を示す図
【図８】ガラス基板上にレーザ加工にてメッシュパター
ンを形成する装置の概略図
ンを形成する装置の概略図
【図９】（ａ）はレーザ加工後のガラス基板の平面を走
査型電子顕微鏡で観察した写真、（ｂ）は同写真に基づ
いて作成した図
査型電子顕微鏡で観察した写真、（ｂ）は同写真に基づ
いて作成した図
【図１０】ガラス基板上にレーザ加工にてメッシュパタ
ーンを形成する装置の別実施例の概略図
ーンを形成する装置の別実施例の概略図
【図１１】（ａ）はレーザ加工後のガラス基板の平面を
走査型電子顕微鏡で観察した写真（10,000倍）、（ｂ）
は同写真に基づいて作成した図
走査型電子顕微鏡で観察した写真（10,000倍）、（ｂ）
は同写真に基づいて作成した図
【図１２】（ａ）はレーザ加工後のガラス基板の平面を
原子間力顕微鏡で観察した写真、（ｂ）は同写真に基づ
いて作成した図
原子間力顕微鏡で観察した写真、（ｂ）は同写真に基づ
いて作成した図
Claims (10)
- 【請求項１】 ガラス基材に対してレーザ光を照射し、
レーザ光エネルギーをガラス基材に吸収させ、このエネ
ルギーによる溶融、蒸発若しくはアブレーションによっ
てガラスを除去するようにしたガラス基材のレーザ加工
方法において、前記ガラス基材表面に照射されるレーザ
光の光強度を部分的に異ならせ、光強度の強い部分のガ
ラス除去量を多く、光強度の弱い部分のガラス除去量を
少なくしてガラス基材表面に微細な凹凸を形成するよう
にしたことを特徴とするガラス基材のレーザ加工方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のガラス基材のレーザ加
工方法において、前記レーザ光は周期的な光強度分布を
有するレーザ光としたことを特徴とするガラス基材のレ
ーザ加工方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載のレーザ加工方法におい
て、周期的な光強度分布を有するレーザ光は、フェイズ
マスクによって得ることを特徴とするレーザ加工方法。 - 【請求項４】 請求項２に記載のガラス基材のレーザ加
工方法において、前記周期的な光強度分布を有するレー
ザ光は、２本のレーザ光を干渉せしめることによって得
ることを特徴とするガラス基材のレーザ加工方法。 - 【請求項５】 請求項２または請求項３に記載のガラス
基材のレーザ加工方法において、前記ガラス基材表面に
形成される周期的な凹凸の断面形状を、レーザ光のパル
スエネルギーにて制御することを特徴とするガラス基材
のレーザ加工方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項５に記載のガラス基
材のレーザ加工方法において、レーザ加工されるガラス
基材には、表面から所定の深さまで或いは全体に亘って
Ａg原子、ＡgコロイドまたはＡgイオンの形態で銀が含
有され、この銀の濃度は加工が施される側の表面におけ
る濃度が最も高く、徐々に他の面側に向かって濃度が低
下するように濃度勾配が形成されていることを特徴とす
るガラス基材のレーザ加工方法。 - 【請求項７】 光結合器、偏光器、分波器、波長フィル
タ、反射器或いはモード変換器等に組み込まれる回折格
子において、この回折格子は板状をなすガラス基材の一
面側に周期的な光強度分布を有するレーザ光の照射によ
って形成された周期的な凹凸が設けられていることを特
徴とするレーザ加工方法によって得られる回折格子。 - 【請求項８】 請求項７に記載の回折格子において、こ
の回析格子を構成する板状をなすガラス基材は表面から
所定の深さまで或いは全体に亘ってＡg原子、Ａgコロイ
ドまたはＡgイオンの形態で銀が含有され、この銀の濃
度は回析格子が形成される側の表面における濃度が最も
高く、徐々に他の面側に向かって濃度が低下するように
濃度勾配が形成されていることを特徴とする回折格子。 - 【請求項９】 液晶表示素子等に組み込まれる平板型の
マイクロレンズアレイにおいて、この平板型マイクロレ
ンズアレイは板状をなすガラス基材の一面側に規則的な
光強度分布を有するレーザ光の照射によって形成された
規則的な凹部が設けられていることを特徴とするレーザ
加工方法によって得られるマイクロレンズアレイ。 - 【請求項１０】 請求項９に記載のマイクロレンズアレ
イにおいて、このマイクロレンズアレイを構成する板状
をなすガラス基材は表面から所定の深さまで或いは全体
に亘ってＡg原子、ＡgコロイドまたはＡgイオンの形態
で銀が含有され、この銀の濃度は回析格子が形成される
側の表面における濃度が最も高く、徐々に他の面側に向
かって濃度が低下するように濃度勾配が形成されている
ことを特徴とするマイクロレンズアレイ。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06844096A JP3797702B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | ガラス基材のレーザ加工方法、この方法によって得られる回折格子及びマイクロレンズアレイ |
| AU19413/97A AU1941397A (en) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | A laser processing method for a glass substrate, and a diffraction grating and a microlens array obtained therefrom |
| US09/155,125 US6220058B1 (en) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | Method of changing the surface of a glass substrate containing silver, by using a laser beam |
| DE69705827T DE69705827T2 (de) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | Laserherstellungsverfahren für glassubstrate, und damit hergestellte beugunggitter |
| EP00102470A EP1016634B1 (en) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | A laser processing method for a glass substrate, and a microlens array obtained thereby |
| EP97907322A EP0889855B1 (en) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | A laser processing method for a glass substrate, and a diffraction grating obtained thereby |
| DE69722673T DE69722673T2 (de) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | Laserherstellungsverfahren für Glassubstrate und so hergestellte Mikrolinsenmatrizen |
| PCT/JP1997/000822 WO1997035811A1 (en) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | A laser processing method for a glass substrate, and a diffraction grating and a microlens array obtained therefrom |
| TW086103582A TW440551B (en) | 1996-03-25 | 1997-03-21 | A laser processing method for a silver containing glass substrate, and a diffraction grating and a microlens array obtained therefrom |
| US09/789,776 US20010028502A1 (en) | 1996-03-25 | 2001-02-20 | Method of changing the surface of a glass substrate containing silver, by using a laser beam |
| US09/789,090 US6470712B2 (en) | 1996-03-25 | 2001-02-20 | Method of changing the surface of a glass substrate containing silver, by using a laser beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06844096A JP3797702B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | ガラス基材のレーザ加工方法、この方法によって得られる回折格子及びマイクロレンズアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11216578A true JPH11216578A (ja) | 1999-08-10 |
| JP3797702B2 JP3797702B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=13373777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06844096A Expired - Fee Related JP3797702B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | ガラス基材のレーザ加工方法、この方法によって得られる回折格子及びマイクロレンズアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3797702B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004359344A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-24 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | プラスチック包装体及びその加飾方法 |
| JP2007229732A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Saitama Univ | 超短パルスレーザを用いた微細加工方法及び装置 |
| JP2007298697A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Univ Of Southampton | 回折素子とその製造方法 |
| JP2009143775A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Tosoh Quartz Corp | 石英ガラスの表面改質方法 |
| JP2013543445A (ja) * | 2010-09-24 | 2013-12-05 | レニショウ パブリック リミテッド カンパニー | 光デバイスを形成する方法 |
| JP2015525178A (ja) * | 2012-04-13 | 2015-09-03 | コーニング インコーポレイテッド | エッチング特徴を有する強化ガラス物品およびそれを形成する方法 |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP06844096A patent/JP3797702B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004359344A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-24 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | プラスチック包装体及びその加飾方法 |
| JP4539129B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2010-09-08 | 東洋製罐株式会社 | プラスチック包装体及びその加飾方法 |
| JP2007229732A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Saitama Univ | 超短パルスレーザを用いた微細加工方法及び装置 |
| JP2007298697A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Univ Of Southampton | 回折素子とその製造方法 |
| JP2009143775A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Tosoh Quartz Corp | 石英ガラスの表面改質方法 |
| JP2013543445A (ja) * | 2010-09-24 | 2013-12-05 | レニショウ パブリック リミテッド カンパニー | 光デバイスを形成する方法 |
| US10226840B2 (en) | 2010-09-24 | 2019-03-12 | Renishaw Plc | Method of forming an optical device |
| JP2015525178A (ja) * | 2012-04-13 | 2015-09-03 | コーニング インコーポレイテッド | エッチング特徴を有する強化ガラス物品およびそれを形成する方法 |
| US9938186B2 (en) | 2012-04-13 | 2018-04-10 | Corning Incorporated | Strengthened glass articles having etched features and methods of forming the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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