JP3797703B2 - ガラス基材のレーザ加工方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はガラスに対するレーザ加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信等に用いる光学部品やディスプレイ装置に組み込むマイクロレンズとしてガラス基板に微細加工を施したものが用いられている。そして、ガラス基板に微細加工を施すには、従来にあっては、フッ酸等のエッチャントを用いたウェットエッチング(化学エッチング)、或いはリアクティブイオンエッチング等のドライエッチング(物理エッチング)によるのが一般的である。
【0003】
しかしながら、ウェットエッチングにあっては、エッチャントの管理と処理の問題があり、ドライエッチングにあっては真空容器等の設備が必要になり装置自体が大掛かりとなり、更に複雑なフォトリソグラフィー技術によってパターンマスク等を形成しなければならず効率的でない。
【0004】
一方、レーザ光は強力なエネルギーを有し、照射された材料の表面温度を上げ、照射された部分をアブレーション(爆蝕)或いは蒸発せしめて種々の加工を施すことが従来から行われている。特にレーザ光は極めて小さなスポットに絞ることができるので、微細加工に適している。
【0005】
そこで、特開昭54−28590号公報には、予め300〜700℃に加熱したガラス基板をテーブル上に固定し、このテーブルをX−Y方向に移動させつつレーザ光を照射することで、ガラス基板表面を加工することが開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、ガラス基板を固定したテーブルをX−Y方向に移動させることで、凹凸をガラス基板に形成することができるのであるが、凹凸形状が極めて微細な場合には、テーブルを移動させることで対処することはできない。また、テーブルを移動させると塵埃が発生し、これが製品の欠陥の原因になり、歩留りの低下をきたす。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明は、ガラス基材に対してレーザ光を照射し、レーザ光エネルギーをガラスに吸収させ、このエネルギーによる溶融、蒸発若しくはアブレーションによってガラスの一部を除去するようにしたガラスのレーザ加工方法において、前記ガラス基材には、表面から所定の深さまで或いは全体に亘ってA g 原子、A g コロイドまたはA g イオンの形態で銀が含有され、更に銀の濃度は加工が施される側の表面における濃度が最も高く、徐々に他の面側に向かって濃度が低下するように濃度勾配が形成され、また前記レーザ光の光路を光路変更手段によって変更することで、ガラス基材に照射されるレーザ光のスポット位置を移動し、ガラス表面に微細な凹部を形成するようにした。
【0008】
ここで、光路変更手段としては、ガラス基材上でレーザ光のスポット位置を縦方向に移動せしめる第1のミラーと、ガラス基材上でレーザ光のスポット位置を横方向に移動せしめる第2のミラーとで構成することが考えられる。そして、ミラーを用いる場合には、電流値に応じて微小角度回動するガルバノミラーを用いることが好ましい。
【0009】
ところで、レーザ光エネルギーをガラス基材に吸収させ、アブレーション等によってガラスの一部を除去する場合、割れや欠けが発生したり、更には加工痕が平滑になりにくい。これを解消するには、ガラス基材にAg原子、AgコロイドまたはAgイオンの形態で銀を含有せしめることが好ましい。
【0010】
即ち、Ag原子、AgコロイドまたはAgイオンの形態で銀を含有せしめると、Agイオンが還元せしめられてコロイド(Agの超微粒子)となり、このコロイドがレーザ光エネルギーを吸収し、このエネルギーによる溶融、蒸発若しくはアブレーションを生じ、ガラスの一部が除去される。そして、Agイオンの濃度がガラス基材の厚み方向において等しいと、最表面から順番にアブレーションが生じないでガラス内部でアブレーションが生じ、割れや欠けにつながる。
そこで、レーザ加工に用いるガラス基材としては、表面から所定の深さまで或いは全体に亘ってAg原子、AgコロイドまたはAgイオンの形態で銀が含有され、且つ銀の濃度として、加工が施される側の表面における濃度が最も高く、徐々に他の面側に向かって濃度が低下するように濃度勾配が形成されていることが好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで、図1は本発明に係るガラスのレーザ加工方法の実施に適用される加工装置の概略構成図であり、加工装置はレーザ光の発光源L、第1のミラー1、第2のミラー2、レンズ3及び板状のガラス基材4を固定するテーブル5から構成される。
【0012】
そして、第1のミラー1及び第2のミラー2は通電される電流値に応じて微小角度回動するガルバノミラーとされ、第1のミラー1と第2のミラー2とは回動軸が直交するように配置されている。また、レンズ3は第2のミラー2にて反射したレーザ光を同一平面、この実施例の場合にはガラス基材4表面に焦点を結ぶようにしたものである。
【0013】
以上において、第1のミラー1を回動せしめることで、発光源Lからのレーザ光のスポット位置はガラス基材4表面において縦方向に移動し、第2のミラー2を回動せしめることで、レーザ光のスポット位置はガラス基材4表面において横方向に移動する。したがって、これらの動作を組み合わせることで、レーザ光のスポット位置をガラス基材4表面の任意の箇所に移動せしめることができるので、図2に示すように、一定の間隔でガラス基材4に凹部6を順次形成することができる。
【0014】
次に、上記の装置を用いた具体的な実施例を説明する。
(実施例)
ガラス基材としては、SiO2を主成分とし、これにAl2O3、B2O3、Na2O、F等を含む厚さ2mmの珪酸塩ガラスとした。
このガラス基材を硝酸銀と硝酸ナトリウムを50mol%−50mol%で混合した溶融塩(300℃に保持)中に86時間浸漬して、ガラス表面のNaイオンを溶出せしめ、溶融塩中のAgイオンをガラス中に拡散せしめた。Agが拡散した層の厚さをX線マイクロアナライザーで測定したところ約160μmであった。
【0015】
上記のガラス基材をテーブル上に固定し、Nd:YAGレーザの第3高調波である355nmのレーザ光のスポット位置を移動することでガラス基材上に125μm間隔で複数の凹部を形成した。
使用したレーザ光のパルス幅は約10nsec、繰り返し周波数は5Hzで、1パルスあたりの照射エネルギーは、30J/cm2/pulseとし、1ヵ所につき100ショット照射した。
【0016】
以上によって得られたガラス基材4の凹部6に、図3に示すように高屈折率樹脂7を充填することで、平板型マイクロレンズアレイ10を製作することができる。
【0017】
また、図4は上記の平板型マイクロレンズアレイ10と組み合わせることで1つの素子となった2次元光ファイバーアレイ20を示し、この2次元光ファイバーアレイ20も前記平板型マイクロレンズアレイ10と同様に、ガラス基材21に対しレーザ光にて貫通孔22を形成し、この貫通孔22内に光ファイバ23の一端を挿入し、紫外線硬化樹脂24によって固めることで得られる。そして貫通孔22を形成する位置を前記平板型マイクロレンズアレイ10のレンズ部に対応する位置とすることで、図4に示すように、平板型マイクロレンズアレイ10のレンズ部に入射した光線が収束して光ファイバ23の端面から光ファイバー23内に入射する。
【0018】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明によれば、レーザ光によってガラス基材に所定形状の凹凸加工を施すにあたり、ガラス基材については固定し、レーザ光の光路をミラー等の光路変更手段によって変更して照射スポット位置を移動するようにしたので、短時間のうちに微細な凹凸パターンを正確にガラス基材上に形成することができる。
【0019】
また、ガラス基材を固定しているテーブルを移動することがないので、塵埃の発生量を抑えることができ、製品の歩留りが向上する。
【0020】
更に、光路変更手段を、ガラス基材上でレーザ光のスポット位置を縦方向に移動せしめる第1のミラーと、ガラス基材上でレーザ光のスポット位置を横方向に移動せしめる第2のミラーとで構成することで、ガラス基材上で任意の凹凸形状を形成することができ、しかも前記ミラーをガルバノミラーとすることで、極めて微細な加工が可能となる。
【0021】
また、加工に供するガラス基材として、表面から所定の深さまで或いは全体に亘ってAg原子、AgコロイドまたはAgイオンの形態で銀が含有され、且つ銀の濃度として、加工が施される側の表面における濃度が最も高く、徐々に他の面側に向かって濃度が低下するように濃度勾配が形成されているものを用いることで、レーザ光の照射によるアブレーションや蒸発が最表面から順次生じ、割れや欠けがなく、照射痕が平滑となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るガラスのレーザ加工方法の実施に適用される加工装置の概略構成図
【図2】加工途中のガラス基材の斜視図
【図3】平板型マイクロレンズアレイの断面図
【図4】2次元光ファイバーアレイの断面図
【符号の説明】
1…第1のミラー、2…第2のミラー、3…レンズ、4…ガラス基材、5…テーブル、6…ガラス基材に形成された凹部、10…平板型マイクロレンズアレイ、20…2次元光ファイバーアレイ、L…レーザ光の発光源。
【発明の属する技術分野】
本発明はガラスに対するレーザ加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信等に用いる光学部品やディスプレイ装置に組み込むマイクロレンズとしてガラス基板に微細加工を施したものが用いられている。そして、ガラス基板に微細加工を施すには、従来にあっては、フッ酸等のエッチャントを用いたウェットエッチング(化学エッチング)、或いはリアクティブイオンエッチング等のドライエッチング(物理エッチング)によるのが一般的である。
【0003】
しかしながら、ウェットエッチングにあっては、エッチャントの管理と処理の問題があり、ドライエッチングにあっては真空容器等の設備が必要になり装置自体が大掛かりとなり、更に複雑なフォトリソグラフィー技術によってパターンマスク等を形成しなければならず効率的でない。
【0004】
一方、レーザ光は強力なエネルギーを有し、照射された材料の表面温度を上げ、照射された部分をアブレーション(爆蝕)或いは蒸発せしめて種々の加工を施すことが従来から行われている。特にレーザ光は極めて小さなスポットに絞ることができるので、微細加工に適している。
【0005】
そこで、特開昭54−28590号公報には、予め300〜700℃に加熱したガラス基板をテーブル上に固定し、このテーブルをX−Y方向に移動させつつレーザ光を照射することで、ガラス基板表面を加工することが開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、ガラス基板を固定したテーブルをX−Y方向に移動させることで、凹凸をガラス基板に形成することができるのであるが、凹凸形状が極めて微細な場合には、テーブルを移動させることで対処することはできない。また、テーブルを移動させると塵埃が発生し、これが製品の欠陥の原因になり、歩留りの低下をきたす。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明は、ガラス基材に対してレーザ光を照射し、レーザ光エネルギーをガラスに吸収させ、このエネルギーによる溶融、蒸発若しくはアブレーションによってガラスの一部を除去するようにしたガラスのレーザ加工方法において、前記ガラス基材には、表面から所定の深さまで或いは全体に亘ってA g 原子、A g コロイドまたはA g イオンの形態で銀が含有され、更に銀の濃度は加工が施される側の表面における濃度が最も高く、徐々に他の面側に向かって濃度が低下するように濃度勾配が形成され、また前記レーザ光の光路を光路変更手段によって変更することで、ガラス基材に照射されるレーザ光のスポット位置を移動し、ガラス表面に微細な凹部を形成するようにした。
【0008】
ここで、光路変更手段としては、ガラス基材上でレーザ光のスポット位置を縦方向に移動せしめる第1のミラーと、ガラス基材上でレーザ光のスポット位置を横方向に移動せしめる第2のミラーとで構成することが考えられる。そして、ミラーを用いる場合には、電流値に応じて微小角度回動するガルバノミラーを用いることが好ましい。
【0009】
ところで、レーザ光エネルギーをガラス基材に吸収させ、アブレーション等によってガラスの一部を除去する場合、割れや欠けが発生したり、更には加工痕が平滑になりにくい。これを解消するには、ガラス基材にAg原子、AgコロイドまたはAgイオンの形態で銀を含有せしめることが好ましい。
【0010】
即ち、Ag原子、AgコロイドまたはAgイオンの形態で銀を含有せしめると、Agイオンが還元せしめられてコロイド(Agの超微粒子)となり、このコロイドがレーザ光エネルギーを吸収し、このエネルギーによる溶融、蒸発若しくはアブレーションを生じ、ガラスの一部が除去される。そして、Agイオンの濃度がガラス基材の厚み方向において等しいと、最表面から順番にアブレーションが生じないでガラス内部でアブレーションが生じ、割れや欠けにつながる。
そこで、レーザ加工に用いるガラス基材としては、表面から所定の深さまで或いは全体に亘ってAg原子、AgコロイドまたはAgイオンの形態で銀が含有され、且つ銀の濃度として、加工が施される側の表面における濃度が最も高く、徐々に他の面側に向かって濃度が低下するように濃度勾配が形成されていることが好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで、図1は本発明に係るガラスのレーザ加工方法の実施に適用される加工装置の概略構成図であり、加工装置はレーザ光の発光源L、第1のミラー1、第2のミラー2、レンズ3及び板状のガラス基材4を固定するテーブル5から構成される。
【0012】
そして、第1のミラー1及び第2のミラー2は通電される電流値に応じて微小角度回動するガルバノミラーとされ、第1のミラー1と第2のミラー2とは回動軸が直交するように配置されている。また、レンズ3は第2のミラー2にて反射したレーザ光を同一平面、この実施例の場合にはガラス基材4表面に焦点を結ぶようにしたものである。
【0013】
以上において、第1のミラー1を回動せしめることで、発光源Lからのレーザ光のスポット位置はガラス基材4表面において縦方向に移動し、第2のミラー2を回動せしめることで、レーザ光のスポット位置はガラス基材4表面において横方向に移動する。したがって、これらの動作を組み合わせることで、レーザ光のスポット位置をガラス基材4表面の任意の箇所に移動せしめることができるので、図2に示すように、一定の間隔でガラス基材4に凹部6を順次形成することができる。
【0014】
次に、上記の装置を用いた具体的な実施例を説明する。
(実施例)
ガラス基材としては、SiO2を主成分とし、これにAl2O3、B2O3、Na2O、F等を含む厚さ2mmの珪酸塩ガラスとした。
このガラス基材を硝酸銀と硝酸ナトリウムを50mol%−50mol%で混合した溶融塩(300℃に保持)中に86時間浸漬して、ガラス表面のNaイオンを溶出せしめ、溶融塩中のAgイオンをガラス中に拡散せしめた。Agが拡散した層の厚さをX線マイクロアナライザーで測定したところ約160μmであった。
【0015】
上記のガラス基材をテーブル上に固定し、Nd:YAGレーザの第3高調波である355nmのレーザ光のスポット位置を移動することでガラス基材上に125μm間隔で複数の凹部を形成した。
使用したレーザ光のパルス幅は約10nsec、繰り返し周波数は5Hzで、1パルスあたりの照射エネルギーは、30J/cm2/pulseとし、1ヵ所につき100ショット照射した。
【0016】
以上によって得られたガラス基材4の凹部6に、図3に示すように高屈折率樹脂7を充填することで、平板型マイクロレンズアレイ10を製作することができる。
【0017】
また、図4は上記の平板型マイクロレンズアレイ10と組み合わせることで1つの素子となった2次元光ファイバーアレイ20を示し、この2次元光ファイバーアレイ20も前記平板型マイクロレンズアレイ10と同様に、ガラス基材21に対しレーザ光にて貫通孔22を形成し、この貫通孔22内に光ファイバ23の一端を挿入し、紫外線硬化樹脂24によって固めることで得られる。そして貫通孔22を形成する位置を前記平板型マイクロレンズアレイ10のレンズ部に対応する位置とすることで、図4に示すように、平板型マイクロレンズアレイ10のレンズ部に入射した光線が収束して光ファイバ23の端面から光ファイバー23内に入射する。
【0018】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明によれば、レーザ光によってガラス基材に所定形状の凹凸加工を施すにあたり、ガラス基材については固定し、レーザ光の光路をミラー等の光路変更手段によって変更して照射スポット位置を移動するようにしたので、短時間のうちに微細な凹凸パターンを正確にガラス基材上に形成することができる。
【0019】
また、ガラス基材を固定しているテーブルを移動することがないので、塵埃の発生量を抑えることができ、製品の歩留りが向上する。
【0020】
更に、光路変更手段を、ガラス基材上でレーザ光のスポット位置を縦方向に移動せしめる第1のミラーと、ガラス基材上でレーザ光のスポット位置を横方向に移動せしめる第2のミラーとで構成することで、ガラス基材上で任意の凹凸形状を形成することができ、しかも前記ミラーをガルバノミラーとすることで、極めて微細な加工が可能となる。
【0021】
また、加工に供するガラス基材として、表面から所定の深さまで或いは全体に亘ってAg原子、AgコロイドまたはAgイオンの形態で銀が含有され、且つ銀の濃度として、加工が施される側の表面における濃度が最も高く、徐々に他の面側に向かって濃度が低下するように濃度勾配が形成されているものを用いることで、レーザ光の照射によるアブレーションや蒸発が最表面から順次生じ、割れや欠けがなく、照射痕が平滑となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るガラスのレーザ加工方法の実施に適用される加工装置の概略構成図
【図2】加工途中のガラス基材の斜視図
【図3】平板型マイクロレンズアレイの断面図
【図4】2次元光ファイバーアレイの断面図
【符号の説明】
1…第1のミラー、2…第2のミラー、3…レンズ、4…ガラス基材、5…テーブル、6…ガラス基材に形成された凹部、10…平板型マイクロレンズアレイ、20…2次元光ファイバーアレイ、L…レーザ光の発光源。
Claims (2)
- ガラス基材に対してレーザ光を照射し、レーザ光エネルギーをガラスに吸収させ、このエネルギーによる溶融、蒸発若しくはアブレーションによってガラスの一部を除去するようにしたガラスのレーザ加工方法において、前記ガラス基材には、表面から所定の深さまで或いは全体に亘ってA g 原子、A g コロイドまたはA g イオンの形態で銀が含有され、更に銀の濃度は加工が施される側の表面における濃度が最も高く、徐々に他の面側に向かって濃度が低下するように濃度勾配が形成され、また前記レーザ光の光路を光路変更手段によって変更することで、ガラス基材に照射されるレーザ光のスポット位置を移動し、ガラス表面に微細な凹部を形成するようにしたことを特徴とするガラスのレーザ加工方法。
- 請求項1に記載のガラスのレーザ加工方法において、前記光路変更手段はガラス基材上でレーザ光のスポット位置を縦方向に移動せしめる第1のミラーと、ガラス基材上でレーザ光のスポット位置を横方向に移動せしめる第2のミラーとからなることを特徴とするガラスのレーザ加工方法。
Priority Applications (11)
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PCT/JP1997/000822 WO1997035811A1 (en) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | A laser processing method for a glass substrate, and a diffraction grating and a microlens array obtained therefrom |
US09/155,125 US6220058B1 (en) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | Method of changing the surface of a glass substrate containing silver, by using a laser beam |
AU19413/97A AU1941397A (en) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | A laser processing method for a glass substrate, and a diffraction grating and a microlens array obtained therefrom |
DE69722673T DE69722673T2 (de) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | Laserherstellungsverfahren für Glassubstrate und so hergestellte Mikrolinsenmatrizen |
EP00102470A EP1016634B1 (en) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | A laser processing method for a glass substrate, and a microlens array obtained thereby |
DE69705827T DE69705827T2 (de) | 1996-03-25 | 1997-03-14 | Laserherstellungsverfahren für glassubstrate, und damit hergestellte beugunggitter |
TW086103582A TW440551B (en) | 1996-03-25 | 1997-03-21 | A laser processing method for a silver containing glass substrate, and a diffraction grating and a microlens array obtained therefrom |
US09/789,090 US6470712B2 (en) | 1996-03-25 | 2001-02-20 | Method of changing the surface of a glass substrate containing silver, by using a laser beam |
US09/789,776 US20010028502A1 (en) | 1996-03-25 | 2001-02-20 | Method of changing the surface of a glass substrate containing silver, by using a laser beam |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06845596A JP3797703B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | ガラス基材のレーザ加工方法 |
Publications (2)
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---|---|
JPH11216579A JPH11216579A (ja) | 1999-08-10 |
JP3797703B2 true JP3797703B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=13374198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06845596A Expired - Fee Related JP3797703B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | ガラス基材のレーザ加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Families Citing this family (4)
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---|---|---|---|---|
JP4581279B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2010-11-17 | 澁谷工業株式会社 | 光モジュールの製造方法 |
JP3800151B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2006-07-26 | ヤマハ株式会社 | マイクロレンズアレイの製法 |
JP2007298697A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Univ Of Southampton | 回折素子とその製造方法 |
US8821999B2 (en) * | 2008-11-05 | 2014-09-02 | Corning Incorporated | Vacuum-insulated glass windows with glass-bump spacers |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP06845596A patent/JP3797703B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH11216579A (ja) | 1999-08-10 |
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