JP2007298697A - 回折素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入射光を回折する回折部が形成されたガラス基板を備える回折素子であって、ガラス基板はAgおよびAgよりも貴な金属から選ばれる少なくとも1種の元素(元素X)を含み、回折部が、以下の(a)および(b)に示す元素Xの分布により、ガラス基板の内部に形成されている素子とする。(a)回折部に、元素Xの濃度が相対的に高い領域Aと、当該濃度が相対的に低い領域Bとが形成されている。(b)領域Aは、ガラス基板における所定の方向へ伸びており、回折部における当該所定の方向とは垂直な断面を見たときに、領域Aの少なくとも一部が領域Bをマトリクスとして周期的に配列している。
【選択図】図4
Description
(a)前記回折部に、前記少なくとも1種の元素の濃度が相対的に高い領域Aと、前記濃度が相対的に低い領域Bとが形成されている。
(b)前記領域Aは、前記ガラス基板における所定の方向へ伸びており、前記回折部における前記所定の方向とは垂直な断面を見たときに、前記領域Aの少なくとも一部が、前記領域Bをマトリクスとして周期的に配列している。
(a)回折部4に、元素Xの濃度が相対的に高い領域A11と、元素Xの濃度が相対的に低い領域B12とが形成されている。
(b)領域A11は、ガラス基板2における所定の方向へ伸びている(図3)。回折部4における上記所定の方向とは垂直な断面を見たときに、領域A11は、領域B12をマトリクスとして周期的に配列している(図4)。
最初に、有機ケイ素化合物としてエチルシリケート(コルコート社製「エチルシリケート40」)50gに、加水分解触媒として0.1N塩酸6gと、溶媒としてエチルセロソルブ44gとを加え、室温で2時間攪拌して溶液Aを得た。溶液Aは、SiO2換算でSiを20重量%含有する。
最初に、実施例と同様にして、金のコロイド微粒子を含む薄膜が表面に配置されたガラス基板(サンプル2)を作製した。
比較例2では、金属相として金の微粒子が全体に分散したガラス基板に対して、実施例と同様に電圧の印加を行った。
2 ガラス基板
3 薄膜
4 回折部
11 領域A
12 領域B
13 薄膜
14 金属微粒子
15 陽極
16 陰極
17 空隙
18 積層体
19 電圧印加機構
20 ガラス基板
21 支持体
51 入射光
52 回折光
Claims (24)
- 入射光を回折する回折部が形成されたガラス基板を備える回折素子であって、
前記ガラス基板は、AgおよびAgよりも貴な金属から選ばれる少なくとも1種の元素を含み、
前記回折部は、以下の(a)および(b)に示す、前記少なくとも1種の元素の分布により、前記ガラス基板の内部に形成されている回折素子。
(a)前記回折部に、前記少なくとも1種の元素の濃度が相対的に高い領域Aと、前記濃度が相対的に低い領域Bとが形成されている。
(b)前記領域Aは、前記ガラス基板における所定の方向へ伸びており、
前記回折部における前記所定の方向とは垂直な断面を見たときに、前記領域Aの少なくとも一部が、前記領域Bをマトリクスとして周期的に配列している。 - 前記領域Aは、前記ガラス基板の厚さ方向へ伸びている請求項1に記載の回折素子。
- 前記少なくとも1種の元素が、Ag、Pd、PtおよびAuから選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の回折素子。
- 前記少なくとも1種の元素が、Auである請求項1に記載の回折素子。
- 前記ガラス基板がアルカリ金属元素を含む請求項1に記載の回折素子。
- 前記ガラス基板上に形成されたガラス薄膜をさらに備える請求項1に記載の回折素子。
- 前記ガラス基板の導電率が、前記薄膜の導電率よりも大きい請求項6に記載の回折素子。
- 前記ガラス基板がアルカリ金属元素を含み、
前記ガラス基板におけるアルカリ金属元素の含有率が、前記薄膜におけるアルカリ金属元素の含有率よりも大きい請求項6に記載の回折素子。 - 前記ガラス基板の側面からの入射光を回折する請求項1に記載の回折素子。
- 前記ガラス基板の表面に、周期的な溝が形成されていない請求項1に記載の回折素子。
- 入射光を回折する回折部が形成されたガラス基板を備える回折素子の製造方法であって、
ガラス基板と前記ガラス基板上に形成されたガラス薄膜とを備える積層体に、前記積層体を間に挟む陽極および陰極により電圧を印加して、前記ガラス基板の内部に前記回折部を形成する工程を含み、
前記薄膜は、AgおよびAgよりも貴な金属から選ばれる少なくとも1種の元素を含む金属相を有し、
前記ガラス基板の導電率は、前記薄膜の導電率よりも大きく、
前記工程において、
前記薄膜を前記陽極側とし、前記薄膜と前記陽極との間に絶縁層を形成した状態で、前記積層体に前記電圧を印加し、
前記電圧の印加により、前記少なくとも1種の元素を前記薄膜から前記ガラス基板へ移動させ、前記回折部として、前記少なくとも1種の元素の周期的な分布を前記ガラス基板の内部に形成する、回折素子の製造方法。 - 前記ガラス基板がアルカリ金属元素を含み、
前記ガラス基板におけるアルカリ金属元素の含有率が、前記薄膜におけるアルカリ金属元素の含有率よりも高い、請求項11に記載の回折素子の製造方法。 - 入射光を回折する回折部が形成されたガラス基板を備える回折素子の製造方法であって、
ガラス基板と前記ガラス基板上に形成されたガラス薄膜とを備える積層体に、前記積層体を間に狭む陽極および陰極により電圧を印加して、前記ガラス基板の内部に前記回折部を形成する工程を含み、
前記薄膜は、AgおよびAgよりも貴な金属から選ばれる少なくとも1種の元素を含む金属相を有し、
前記ガラス基板がアルカリ金属元素を含み、前記ガラス基板におけるアルカリ金属元素の含有率が前記薄膜におけるアルカリ金属元素の含有率より高く
前記工程において、
前記薄膜を前記陽極側とし、前記薄膜と前記陽極との間に絶縁層を形成した状態で、前記積層体に前記電圧を印加し、
前記電圧の印加により、前記少なくとも1種の元素を前記薄膜から前記ガラス基板へ移動させ、前記回折部として、前記少なくとも1種の元素の周期的な分布を前記ガラス基板の内部に形成する、回折素子の製造方法。 - 前記分布が、以下の(a)および(b)である請求項11または13に記載の回折素子の製造方法。
(a)前記回折部に、前記少なくとも1種の元素の濃度が相対的に高い領域Aと、前記濃度が相対的に低い領域Bとが形成されている。
(b)前記領域Aは、前記基板における所定の方向へ伸びており、
前記回折部における前記所定の方向とは垂直な断面を見たときに、前記領域Aの少なくとも一部が、前記領域Bをマトリクスとして周期的に配列している。 - 前記絶縁層が空隙であり、
前記工程において、
前記薄膜が前記陽極側となり、前記薄膜と前記陽極との間に空隙が形成されるように前記陽極および前記積層体を配置して、前記積層体に前記電圧を印加する、請求項11または13に記載の回折素子の製造方法。 - 前記工程において、
前記陽極を前記薄膜の表面に対して傾斜させて、前記積層体に前記電圧を印加する、請求項11または13に記載の回折素子の製造方法。 - 前記工程において、
前記陽極と前記薄膜の表面とを平行にして、前記積層体に前記電圧を印加する請求項11または13に記載の回折素子の製造方法。 - 前記金属相が、金属微粒子である請求項11または13に記載の回折素子の製造方法。
- 前記少なくとも1種の元素が、Ag、Pd、PtおよびAuから選ばれる少なくとも1種である請求項11または13に記載の回折素子の製造方法。
- 前記少なくとも1種の元素が、Auである請求項11または13に記載の回折素子の製造方法。
- 前記薄膜が、Auの微粒子を含む請求項11または13に記載の回折素子の製造方法。
- 前記積層体を加熱した状態で、前記積層体に前記電圧を印加する、請求項11または13に記載の回折素子の製造方法。
- 前記薄膜がアルカリ金属元素を実質的に含まない請求項11または13に記載の回折素子の製造方法。
- 前記薄膜が、ゾルゲル法により形成された請求項11または13に記載の回折素子の製造方法。
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